JPH05152369A - リフロ−ワイヤボンデイング装置 - Google Patents

リフロ−ワイヤボンデイング装置

Info

Publication number
JPH05152369A
JPH05152369A JP3339782A JP33978291A JPH05152369A JP H05152369 A JPH05152369 A JP H05152369A JP 3339782 A JP3339782 A JP 3339782A JP 33978291 A JP33978291 A JP 33978291A JP H05152369 A JPH05152369 A JP H05152369A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
capillary
bonding
axis
bonded
wire
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP3339782A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0770554B2 (ja
Inventor
Tetsuyuki Honda
本田哲行
Shigeru Yamamoto
繁 山本
Ryoji Fujii
藤井良治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Avionics Co Ltd
Original Assignee
Nippon Avionics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Avionics Co Ltd filed Critical Nippon Avionics Co Ltd
Priority to JP3339782A priority Critical patent/JPH0770554B2/ja
Publication of JPH05152369A publication Critical patent/JPH05152369A/ja
Publication of JPH0770554B2 publication Critical patent/JPH0770554B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78252Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the capillary or wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301Capillary
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/8521Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation
    • H01L2224/85214Applying energy for connecting with energy being in the form of electromagnetic radiation using a laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】 リ−ドピッチがファインピッチ化した表面実
装型ICに,絶縁被覆細線を容易にボンディング出来る
ようにすること。 【構成】 絶縁被覆細線2を,キャピラリ−41のガイ
ド穴から突出させた後,制御される駆動機構27を駆動
して,被ボンディング体とキャピラリ−とを互いにX,
Y,Z軸方向の位置決めする。キャピラリ−がボンディ
ング位置に圧接されると,レ−ザ発振器22が付勢され
る。このレ−ザ光はキャピラリ−の後端部端面近傍まで
光伝送路20により伝送され,キャピラリ−の内部へ入
射され,そこを伝送されてボンディング位置に放射され
細線の絶縁被覆が昇華剥離されるとともに,半田が溶融
して細線はボンディングされる。ボンディング終了後
は,レ−ザ発振器のレ−ザ発振を停止するとともに,ク
ランプ装置3により絶縁被覆細線をクランプしてこれを
後方に移動して絶縁被覆細線を切断する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は,プリント配線板に実
装されたQFP(quad flat package )型やSOP(sm
all outline package )型あるいはチップ部品等の表面
実装型部品間を絶縁被覆細線でストラップ配線を行うリ
フロ−ワイヤボンディング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来,電子機器にはプリント配線板が多
く用いられているが,これらのプリント配線板に各種部
品を実装した後に,特定ユ−ザ毎に一部の回路を設計変
更したり,プリント配線板の設計ミスや電気回路設計上
の不具合等によって実装部品間の接続変更や配線パタ−
ンの繋ぎ変えを余儀なくされる場合がある。
【0003】このような場合,経済的あるいは時間的な
制約からプリント配線板を作り変えることなく,所望の
実装部品あるいは配線パタ−ン間を絶縁被覆細線を用い
て接続するとともに,絶縁被覆を除去した細線の両端を
実部部品のリ−ドあるいは配線パタ−ン上に半田ごてを
用いてボンディングしていた。
【0004】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら,近
年,これらのプリント配線板に形成される配線パタ−ン
は,表面実装型部品の小型化に伴ってファインパタ−ン
化されてきており,例えば,従来のDIP(dual in-li
ne package)型ICのリ−ドピッチは,2.54mmまたは1.
27mmであった。しかし,現時点におけるQFP型やSO
P型の表面実装型ICのリ−ドピッチは,0.65mm〜0.5m
m 位までファインピッチ化されているとともに,さらに
この傾向は加速される情勢にある。
【0005】このように,ファインピッチ化されている
表面実装型ICを実装したプリント配線板における部品
間あるいは配線パタ−ン間を従来のように絶縁被覆細線
を用いてボンディングしようとしても,半田ごて先端が
大きすぎて所望のリ−ドあるいは配線パタ−ンのみに絶
縁被覆細線をボンディングするのは非常に困難であっ
た。
【0005】
【問題点を解決するための手段】この発明は,被ボンデ
ィング体の所定位置にボンディングするための絶縁被覆
細線を供給する絶縁被覆細線供給装置と,この絶縁被覆
細線供給装置から引き出された絶縁被覆細線を案内する
ガイド穴を有し,後端部端面および先端部端面を除く外
周面をレ−ザ光反射膜で被覆するとともに,レ−ザ光を
伝送可能なキャピラリ−と,レ−ザ光を発振するレ−ザ
発振器と,このレ−ザ発振器からのレ−ザ光をキャピラ
リ−の後端部端面近傍へと伝送する光伝送路と,被ボン
ディング体をX軸,Y軸,Z軸の3軸方向に相対的に移
動させ,被ボンディング体と絶縁被覆細線とのボンディ
ング位置を位置決めする駆動機構と,キャピラリ−の先
端部端面が被ボンディング体に圧接された時の加圧力を
検知してレ−ザ発振器を所定時間レ−ザ発振させるとと
もに,駆動機構を制御する制御部とを備え,キャピラリ
−内を伝送されるレ−ザ光をボンディング位置に放射し
て細線をボンディングするようにしたものである。
【0006】
【作用】絶縁被覆細線供給装置から引き出された絶縁被
覆細線は,キャピラリ−のガイド穴を通りキャピラリ−
の先端部端面から少し突出した状態に設定されている。
この状態で駆動機構を作動させて被ボンディング体と絶
縁被覆細線とのボンディング位置を位置決めしてキャピ
ラリ−をこのボンディング位置に圧接する。制御部がこ
の圧接時の加圧力を検知すると,レ−ザ発振器は所定時
間レ−ザ発振される。このレ−ザ光は光伝送路内で反射
されながらキャピラリ−の後端部端面近傍まで伝送さ
れ,キャピラリ−内に入射されるとキャピラリ−外周面
のレ−ザ光反射膜で反射されながら伝送され,キャピラ
リ−先端部端面からボンディング位置へ放射される。こ
の放射されたレ−ザ光により,絶縁被膜細線の絶縁被膜
が昇華剥離されるとともにボンディング位置の半田が溶
融するので,絶縁被覆を除去された細線が所定のボンデ
ィング位置にボンディングされる。
【0007】半田の凝固時間経過後に,キャピラリ−は
初期位置までZ軸方向に上昇するとともに,駆動機構に
よりX−Yテ−ブルがX軸,Y軸方向に駆動されて次の
ボンディング位置まで被ボンディング体が移動され,上
記と同様にしてボンディングされる。所定箇所のボンデ
ィング位置のボンディング終了時には,絶縁被覆細線供
給装置からの絶縁被覆細線の供給が停止され,クランプ
機構を後退させて絶縁被覆細線が切断される。
【0008】
【発明の実施例】この発明の実施例を,図1〜図2に基
づいて詳細に説明する。図1はこの発明のリフロ−ワイ
ヤボンディング装置を示す一部ブロック図を含む要部側
面図,図2はキャピラリ−部分の要部拡大断面図を示
す。図1において,1は絶縁被覆細線供給装置で、フリ
クション機構(図示せず)およびクランプ機構3とを具
備しており,リ−ル1aには,直径0.16mmの銅線にポリ
ウレタン樹脂等の低融点絶縁樹脂を被覆した絶縁被覆細
線2が巻回されている。この絶縁被覆細線供給装置1か
ら供給された絶縁被覆細線2は,たるみを防止するため
のフリクション機構,クランプ機構3を経てキャピラリ
−4に供給され,このキャピラリ−4の先端部端面から
少し突出した状態に設定されている。クランプ機構3は
シ−ケンス制御を行う制御部28の指令に従って,絶縁
被覆細線供給装置1から供給される絶縁被覆細線2をク
ランプしたり開放したりするための機構が備えられてい
る。
【0009】キャピラリ−4をZ軸方向に上下動させる
ためのZ軸駆動機構27aとして,この実施例では,キ
ャピラリ−4を固定するL型レバ−5と,このL型レバ
−5に加圧力を加えるためのエアシリンダ9等のピスト
ン10とが採用されている。L型レバ−5は,支点6を
回動中心としてZ軸方向に回動(傾動)するもので,作
用端7側にはキャピラリ−4が固定されており,駆動端
8側には加圧用のエアシリンダ9等のピストン10が当
接している。エアシリンダ9等を駆動してピストン10
を伸縮するための駆動源としては,電磁ソレノイド(図
示せず)に流れる電流を制御することにより,L型レバ
−5に加わる加圧力を調整してキャピラリ−4をZ軸方
向に駆動するZ軸駆動機構27aが駆動機構27に設け
られている。従って,キャピラリ−4は,ピストン10
の伸縮に応じて支点6を回動中心としてZ軸方向に矢印
A,Bで示すように,上下動するように構成されてい
る。なお、キャピラリ−4は厳密には,支点6を回動中
心とした回動運動であるが,実際には動く範囲がわずか
であるから,ほぼ直線の上下動と考えられる。
【0010】キャピラリ−4は,図2に示すように,レ
−ザ光の吸収がなく伝送され,且つ高硬度で微細加工が
可能な素材,例えばサファイヤルビ−等の部材を用いて
形成されるもので,その形状は,円筒形状の後端部分か
ら略円錐形状に先端部分へ向けて細く形成されており,
中心軸線Lに沿って絶縁被覆細線2が自在に貫通し得る
ガイド穴11が透設されている。キャピラリ−4の後端
部端面12および先端部端面13を除く外周面は,レ−
ザ光を反射する金,銀,アルミニウム等の金属を蒸着等
の手段により形成されたレ−ザ光反射膜14で被覆され
ている。
【0011】なお,キャピラリ−4の形状は,上記形状
に限定されるものではなく,後端部端面12まで伝送さ
れたレ−ザ光を先端部端面13へとキャピリ−4内を伝
送可能であるとともに,先端部端面13から突出してい
る絶縁被覆細線2をボンディング位置へ位置決めしてレ
−ザ光を放射容易な形状であればいかなる形状であって
も同様な作用効果が得られる。
【0012】15はキャピラリ−4を固定するためのホ
ルダ−で,銅等の金属性部材で形成され,L型レバ−5
の作用端7に取付られるもので,後端部分は作用端7に
設けられている取付孔16に係止するための鍔部17が
形成され,この鍔部17から先端部分は取付孔16を貫
通する円筒形状に形成されているとともに,先端部には
キャピラリ−4の後端部分が嵌入可能な開口部18が設
けられている。キャピラリ−4の中心軸線Lと一致する
ホルダ−14の中心軸線Lに沿ってキャピラリ−4のガ
イド穴11に連通するガイド穴19が後端から先端へ向
けて貫通して形成されているとともに,このガイド穴1
9に平行してレ−ザ光をキャピラリ−4の後端部端面近
傍へ伝送する光伝送路20が形成される取付穴21が設
けられており,この取付穴21内には,光伝送路20の
先端部分が挿入され固定されている。
【0013】光伝送路20の先端部は,キャピラリ−4
の後端部端面12に当接させて位置決めしても良いが,
レ−ザ光のビ−ムをキャピラリ−4内で広げるために,
図2に示すように,光伝送路20の先端の被覆材を剥離
してクラッド材20aを露出した状態にして位置決めす
ればより効果的である。
【0014】光伝送路20はレ−ザ発振器22からのレ
−ザ光をキャピラリ−4の後端部端面12近傍へ伝送す
るもので,この実施例では,直径が0.6mmの光ファイバ
が1本用いられている。なお,ボンディング位置へ正確
にレ−ザ光を伝送可能ならば他の伝送媒体を用いても良
く,この場合同様な作用効果が得られる。
【0015】レ−ザ発振器22は連続発振あるいはパル
ス発振するレ−ザであるとともに,キャピラリ−4が,
半田を溶融して絶縁被覆を除去した細線2を接合出来る
温度(細線2が銅線の場合には約250℃位で接合出来
る)に加熱される程度のエネルギ−を発生するものであ
れば,固体レ−ザ,ガスレ−ザ等のいかなる型式のレ−
ザでもよく,この実施例では出力15W〜20W程度の
固体レ−ザの一種であるYAGレ−ザが用いられてい
る。
【0016】23はX−Yテ−ブルで,X軸方向および
Y軸方向に移動するもので,制御部28の制御のもとに
電磁ソレノイドに流す電流を制御して微細距離を移動出
来るように構成されているX−Y軸駆動機構27bによ
り駆動されるもので,このX−Y軸駆動機構27bは駆
動機構27に具備されている。このX−Yテ−ブル23
上には,ファインピッチのリ−ドを有する表面実装部品
24等が実装されたプリント配線板25等の被ボンディ
ング体26が適宜位置決めされて固定されている。
【0017】コンピュ−タにより制御される制御部28
は,被ボンディング体26の所望のボンディング位置を
コンピュ−タに記憶させて,エアシリンダ9およびX−
Yテ−ブル23を制御して被ボンディング体26を所定
位置に移動させながらボンディングされるように,駆動
機構27によりX軸,Y軸,Z軸の3軸方向に相対的に
移動させるようにシ−ケンス制御しているとともに,レ
−ザ発振器22のレ−ザ発振時間もこの制御部28によ
り制御されている。
【0018】なお,L型レバ−5およびエアシリンダ9
およびピストン10とを有するZ軸駆動機構27aとX
−Y軸駆動機構27bにより駆動されるX−Yテ−ブル
23とは,それぞれ手動で駆動しても良い。更に,L型
レバ−5をX−Yテ−ブル23上に設けても良く,ある
いは他の箇所に設けても良く,いずれの場合もX−Yテ
−ブル23上に被ボンディング体26を固定してX−Y
テ−ブル23を駆動して所望箇所のボンディングを行う
ことが出来る。
【0019】29は細線先端整形機構で,ボンディング
開始時に,キャピラリ−4の先端部端面13から突出し
ている絶縁被覆細線2が,被ボンディング体26の所定
のボンディング位置の上方に位置決めされた時を制御部
28からの指令により検知すると,駆動機構27により
レバ−29aが絶縁被覆細線2の先端を水平方向に払っ
て所定のボンディング位置方向に折り曲げられるように
設定されている。
【0020】30は制御部28の制御のもとに,レ−ザ
発振器22のレ−ザ発振をオン・オフするスイッチ部
で,接点30aに対応する接点30bはL型レバ−5の
駆動端8側に接点30aに対向して設けられている。接
点30a,30bとしては,Lレバ−5に加えられてい
る加圧力を検知可能な感圧素子等が用いられている。従
って,スイッチ部30がL型レバ−5に加わる加圧力を
検知するとパルス信号が出力され,このパルス信号が制
御部28に入力すると,レ−ザ発振器22は所定時間レ
−ザ発振するように構成されている。31,32はX−
Yテ−ブル23をX軸方向およびY軸方向に移動するた
めのモ−タ,33はZ軸方向に移動するためのモ−タで
ある。
【0021】次に,作用動作について説明する。まず,
制御部28の指令に基づいて,駆動機構27のX−Y軸
駆動機構27bにより,モ−タ31,32が駆動される
と,X−Yテ−ブル23がそれぞれX軸方向およびY軸
方向に移動して被ボンディング体26が所定位置に位置
決めされる。そこでボンディング開始スイッチ(図示せ
ず)をオンすると,制御部28の指令により細線先端整
形機構29は,駆動機構27により駆動されてレバ−2
9aが,キャピラリ−4の先端部端面13から突出して
いる絶縁被覆細線2を水平方向に払ってこれをボンディ
ング位置方向に折り曲げる。この時,キャピラリ−4
は,被ボンディング体26の所定のボンディング位置の
上方に位置決めされている。
【0022】次いで,エアシリンダ9が付勢されて,L
型レバ−5が支点6を回動中心として,矢印Aで示す方
向に傾動を開始する。このL型レバ−5の傾動動作開始
と同時に絶縁被覆細線供給装置1のリ−ル1aに巻回さ
れている絶縁被覆細線2は,フリクション機構によりた
るみが除去されつつクランプ機構3によりクランプさ
れ,その後,L型レバ−5の傾動に伴って絶縁被覆細線
供給装置1から絶縁被覆細線2が引き出されるととも
に,L型レバ−5の作用端7に固定されているキャピラ
リ−4が降下して,被ボンディング体26の所定のボン
ディング位置にキャピラリ−4の先端部端面13が当接
する。そして,キャピラリ−4にあらがじめ定められた
加圧力が加わるまでL型レバ−5の駆動端8がたわむ
と,スイッチ部30側の接点30aと駆動端8側の接点
30aとが接触してスイッチ部30がオン状態となる。
【0023】スイッチ部30がオン状態となると,この
スイッチ部30からパルス信号が出力され,このパルス
信号は制御部28へ入力する。すると,制御部28から
の指令に基づいてレ−ザ発振器22へ励起電圧が印加さ
れ,レ−ザ発振が所定時間(この実施例では約1〜3秒
間程度)持続される。このレ−ザ発振によるレ−ザ光は
光伝送路20内をレ−ザ光反射膜14により反射されな
がら伝送されてキャピラリ−4の後端部端面12から内
部に入射されるとともに,キャピラリ−4内部で反射さ
れながらレ−ザ光のビ−ム径が広げられ,キャピラリ−
4の先端部端面13からボンデイング位置へ放射され
る。この際,キャピラリ−4はレ−ザ光により加熱され
る。
【0024】この所定時間放射されたレ−ザ光は,絶縁
被覆細線2の絶縁被覆を昇華剥離させるとともに,被ボ
ンディング体26上の半田が溶融して絶縁被覆を除去さ
れた細線2が所定のボンディング位置にボンディングさ
れ,一方,レ−ザ発振器22のレ−ザ発振は停止する。
このようにして,半田の凝固時間経過後にファ−ストボ
ンディングが終了する。
【0025】ファ−ストボンディング終了後,制御部8
の指令により,クランプ機構3による絶縁被覆細線2の
クランプが開放され,L型レバ−5は支点6を回動中心
として矢印B方向に僅かに上昇される。従って,キャピ
ラリ−4も僅かに上昇した状態となる。一方,駆動機構
27のX−Y軸駆動機構27bによりX−Yテ−ブル2
3が移動されて,被ボンディング体26の次のボンディ
ング位置へキャピラリ−4が位置決めされるとともに,
X−Yテ−ブル23の駆動に伴って絶縁被覆細線供給装
置1から絶縁被覆細線2が引き出される。キャピラリ−
4が次のボンディング位置に位置決めされると同時に,
クランプ機構3は絶縁被覆細線2をクランプし,ファ−
ストボンディングと同様にして次のボンディング位置の
ボンディングが行われる。このようにしてセカンドボン
ディングが終了する。
【0026】セカンドボンディングが終了し,半田の凝
固時間経過後に,クランプ機構3が後方に動き,絶縁被
覆細線2はボンディング位置で切断される。発明者等の
実験によれば,700g程度の荷重で切断可能である。
絶縁被覆細線2が切断されると,クランプ機構3による
絶縁被覆細線2のクランプが開放され,L型レバ−5が
支点6を回動中心として矢印B方向に傾動し,従って,
キャピラリ−4が上昇し,クランプ機構3が前方に動い
て絶縁被覆細線供給装置1から絶縁被覆細線2が再び繰
り出され,その先端部はキャピラリ−4の先端部端面1
3から突出され,最初の状態に設定される。
【0027】
【発明の効果】この発明は,被ボンディング体の所定位
置にボンディングするための絶縁被覆細線を供給する絶
縁被覆細線供給装置と,この絶縁被覆細線供給装置から
引き出された絶縁被覆細線を案内するガイド穴を有し,
後端部端面および先端部端面を除く外周面をレ−ザ光反
射膜で被覆するとともに,レ−ザ光を伝送可能なキャピ
ラリ−と,レ−ザ光を発振するレ−ザ発振器と,このレ
−ザ発振器からのレ−ザ光をキャピラリ−の後端部端面
近傍へと伝送する光伝送路と,被ボンディング体をX
軸,Y軸,Z軸の3軸方向に相対的に移動させ,被ボン
ディング体と絶縁被覆細線とのボンディング位置を位置
決めする駆動機構と,キャピラリ−の先端部端面が被ボ
ンディング体に圧接された時の加圧力を検知してレ−ザ
発振器を所定時間動作させるとともに,駆動機構を制御
する制御部とを備えているので,キャピラリ−内のガイ
ド穴を貫通している絶縁被覆細線をボンディング位置に
供給するとともに,キャピラリ−内を伝送されるレ−ザ
光をボンディング位置に放射して,絶縁被覆細線の絶縁
被覆を昇華剥離させるとともに,被ボンディング体上の
半田を溶融して絶縁被覆を除去された細線をボンディン
グすることが出来るから,ファインピッチ化された配線
パタ−ンを有するプリント配線板のストラップ配線を容
易に行うことが出来る。
【0028】又,制御部に制御される駆動機構には,被
ボンディング体をX軸,Y軸方向に駆動させるX−Y軸
駆動機構を有するX−Yテ−ブルと,前記キャピラリ−
をZ軸方向に上下動させるためのZ軸駆動機構と,ボン
ディング開始時に,キャピラリ−から突出している絶縁
被覆細線の先端を所定のボンディング位置方向に設定す
る細線先端整形機構とを具備するとともに,絶縁被覆細
線供給装置に絶縁被覆細線をクランプおよび開放するた
めのクランプ装置を設け,このクランプ装置を制御部で
制御するようにしたので,レ−ザ光によるボンディング
動作を完全に自動化することができるとともに,さらに
微細なストラップ配線をも容易に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の実施例を示す一部ブロック図を含む
要部側面図である。
【図2】この発明の実施例を示すもので,キャピラリ−
部分の要部拡大断面図である。
【符号の説明】
1 絶縁被覆細線供給装置 2 絶縁被覆細線 4 キャピラリ− 11 ガイド穴 12 キャピラリ−4の後端部端面 13 キャピラリ−4の先端部端面 14 レ−ザ光反射膜 20 光伝送路 22 レ−ザ発振器 23 X−Yテ−ブル 26 被ボンディング体 27 駆動機構 27a Z軸駆動機構 27b X−Y軸駆動機構 28 制御部 29 細線先端整形機構

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被ボンディング体の所定位置にボンディ
    ングするための絶縁被覆細線を供給する絶縁被覆細線供
    給装置と,この絶縁被覆細線供給装置から引き出された
    前記絶縁被覆細線を案内するガイド穴を有し,先端部端
    面および後端部端面を除く外周面をレ−ザ光反射膜で被
    覆するとともに,レ−ザ光を伝送可能なキャピラリ−
    と,前記レ−ザ光を発振するレ−ザ発振器と,このレ−
    ザ発振器からの前記レ−ザ光を前記キャピラリ−の前記
    後端部端面近傍へと伝送する光伝送路と,前記被ボンデ
    ィング体をX軸,Y軸,Z軸の3軸方向に相対的に移動
    させ,この被ボンディング体と前記絶縁被覆細線とのボ
    ンディング位置を位置決めする駆動機構と,前記キャピ
    ラリ−の先端部端面が前記被ボンディング体に圧接され
    た時の加圧力を検知して前記レ−ザ発振器を所定時間レ
    −ザ発振させるとともに,前記駆動機構を制御する制御
    部とを具備し,前記レ−ザ光によりボンディングするこ
    とを特徴とするリフロ−ワイヤボンディング装置。
  2. 【請求項2】 前記制御部に制御される前記駆動機構に
    は,前記被ボンディング体をX軸,Y軸方向に駆動させ
    るX−Y軸駆動機構を有するX−Yテ−ブルと,前記キ
    ャピラリ−をZ軸方向に上下動させるためのZ軸駆動機
    構と,ボンディング開始時に,前記キャピラリ−から突
    出している前記絶縁被覆細線の先端を所定のボンディン
    グ位置方向に設定する細線先端整形機構とを具備すると
    ともに,前記絶縁被覆細線供給装置に前記絶縁被覆細線
    をクランプおよび開放するためのクランプ装置を設け,
    このクランプ装置を前記制御部で制御することにより,
    ボンディングを自動的に行うことを特徴とする請求項1
    記載のリフロ−ワイヤボンディング装置。
JP3339782A 1991-11-28 1991-11-28 リフロ−ワイヤボンディング装置 Expired - Fee Related JPH0770554B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3339782A JPH0770554B2 (ja) 1991-11-28 1991-11-28 リフロ−ワイヤボンディング装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3339782A JPH0770554B2 (ja) 1991-11-28 1991-11-28 リフロ−ワイヤボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05152369A true JPH05152369A (ja) 1993-06-18
JPH0770554B2 JPH0770554B2 (ja) 1995-07-31

Family

ID=18330762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3339782A Expired - Fee Related JPH0770554B2 (ja) 1991-11-28 1991-11-28 リフロ−ワイヤボンディング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0770554B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090223937A1 (en) * 2008-03-10 2009-09-10 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for forming wire bonds

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090223937A1 (en) * 2008-03-10 2009-09-10 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for forming wire bonds
US8444044B2 (en) * 2008-03-10 2013-05-21 Micron Technology, Inc. Apparatus and methods for forming wire bonds

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0770554B2 (ja) 1995-07-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0406351B1 (en) Ultrasonic laser soldering
US5662822A (en) Dam bar cutting apparatus and dam bar cutting method
US5298715A (en) Lasersonic soldering of fine insulated wires to heat-sensitive substrates
US5122635A (en) Laser soldering system for smd-components
US4845335A (en) Laser Bonding apparatus and method
EP0217019B1 (en) Method of manufacturing interconnection circuit boards
CN111992833A (zh) 一种预置锡的激光锡焊方法和装置
US5938952A (en) Laser-driven microwelding apparatus and process
JP2007180239A (ja) 半田付け実装構造とその製造方法および製造装置,電子機器,並びに配線基板
JPH05152369A (ja) リフロ−ワイヤボンデイング装置
JP2006344871A (ja) リフロー半田付け方法および装置
JPH02213075A (ja) リードの接合方法
WO2007010510A2 (en) Method and device for wire bonding with low mechanical stress
JPH0682701B2 (ja) ワイヤボンデイング方法および装置
GB2271305A (en) Reflow soldering process control
JPH0951162A (ja) 電子部品搭載装置
JPH06140759A (ja) レーザ半田付装置
JP2614896B2 (ja) ワイヤボンディング方法
JPH077263A (ja) ジャンパ布線のボンディング方法およびその装置
JPH04219942A (ja) Ic部品のリード接合方法
JPH09199846A (ja) 電子部品実装方法および電子部品実装装置
JPH1080785A (ja) ダムバー切断方法
Uchiyama et al. Development of outer lead bonding apparatus with a focused YAG laser beam for high quality TCP bonding
JPH10244395A (ja) チップソルダー
JPS63105A (ja) 巻線機

Legal Events

Date Code Title Description
S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080731

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090731

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090731

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100731

Year of fee payment: 15

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110731

Year of fee payment: 16

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees