JPH05151836A - セラミツクス超電導導体 - Google Patents
セラミツクス超電導導体Info
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- JPH05151836A JPH05151836A JP3340171A JP34017191A JPH05151836A JP H05151836 A JPH05151836 A JP H05151836A JP 3340171 A JP3340171 A JP 3340171A JP 34017191 A JP34017191 A JP 34017191A JP H05151836 A JPH05151836 A JP H05151836A
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- Japan
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- tape
- composite body
- shaped composite
- ceramic
- superconducting conductor
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 構造が簡潔で、繰り返し曲げられても超電導
特性が劣化しにくい高Icのセラミックス超電導導体を
提供する。 【構成】 金属層1内にセラミックス超電導体層2を設
けたテープ状複合体3の幅方向両端縁部に、その幅方向
に長いスリット4をテープ状複合体3の長手方向に所定
間隔で設け、このテープ状複合体3を金属製パイプ、棒
等の芯材5の外周に所望枚数、所望層数縦添え包被して
配置した。
特性が劣化しにくい高Icのセラミックス超電導導体を
提供する。 【構成】 金属層1内にセラミックス超電導体層2を設
けたテープ状複合体3の幅方向両端縁部に、その幅方向
に長いスリット4をテープ状複合体3の長手方向に所定
間隔で設け、このテープ状複合体3を金属製パイプ、棒
等の芯材5の外周に所望枚数、所望層数縦添え包被して
配置した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電力ケーブル等のような
高圧の電力輸送に適用可能なセラミックス超電導導体に
関するもので、特に導体の構成が簡潔で曲げ歪に対して
も超電導特性の劣化が少ない高Icのセラミックス超電
導導体に関するものである。
高圧の電力輸送に適用可能なセラミックス超電導導体に
関するもので、特に導体の構成が簡潔で曲げ歪に対して
も超電導特性の劣化が少ない高Icのセラミックス超電
導導体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】Y系、Bi系、Tl系等のように液体窒
素温度を越えるTcを有するセラミックス超電導体が知
られている。このようなセラミックス超電導体は各分野
への利用を目指して種々の形状に成形することが検討さ
れている。例えば、線材に成型する場合には一般に金属
シース法が用いられている。これは超電導体となり得る
セラミックスの原料を金属パイプ内に充填して複合ビレ
ットとし、これを断面減少加工して所望形状・寸法の複
合線材に仕上げ、然る後、熱処理を行なってセラミック
ス超電導導体とするものである。
素温度を越えるTcを有するセラミックス超電導体が知
られている。このようなセラミックス超電導体は各分野
への利用を目指して種々の形状に成形することが検討さ
れている。例えば、線材に成型する場合には一般に金属
シース法が用いられている。これは超電導体となり得る
セラミックスの原料を金属パイプ内に充填して複合ビレ
ットとし、これを断面減少加工して所望形状・寸法の複
合線材に仕上げ、然る後、熱処理を行なってセラミック
ス超電導導体とするものである。
【0003】この方法で得られる線材の形状としては、
断面形状が例えば丸型、楕円形、四角形、テープ状のも
のが有る。また、これらの線材を複数本束ねた多芯線材
や、金属層内にセラミックス超電導体層が同芯円筒状ま
たは渦巻状に配置された構造の多層線材等も種々試作検
討されている。
断面形状が例えば丸型、楕円形、四角形、テープ状のも
のが有る。また、これらの線材を複数本束ねた多芯線材
や、金属層内にセラミックス超電導体層が同芯円筒状ま
たは渦巻状に配置された構造の多層線材等も種々試作検
討されている。
【0004】この場合使用される金属の材質としては熱
伝導性、電気伝導性に優れた材料、例えばAg、Ag合
金、Cu、Cu合金等が適するが、酸素透過性、耐酸化
性の点でAg、Ag合金を用いる例が多い。また、断面
減少加工法としては、得られる線材の形状に応じて押し
出し、圧延、引き抜き、スウェージング等の従来の塑性
加工法がそのまま適用される。
伝導性、電気伝導性に優れた材料、例えばAg、Ag合
金、Cu、Cu合金等が適するが、酸素透過性、耐酸化
性の点でAg、Ag合金を用いる例が多い。また、断面
減少加工法としては、得られる線材の形状に応じて押し
出し、圧延、引き抜き、スウェージング等の従来の塑性
加工法がそのまま適用される。
【0005】近年、このようにして得られたテープ状複
合体を金属パイプ、丸棒等の芯材の外周に所望枚数縦添
え包被した或は螺旋状に巻き付けたセラミックス超電導
導体を電力ケーブル等のような電力輸送用導体に適用す
ることが検討されている。具体的には図4(a)に示す
ように、幅の広いテープ状複合体Dを芯材Aの外周に1
層当たり1枚ずつフォーミングするように巻き付け包被
し、これを多層状に積層したものとか、同図(b)のよ
うに同様のテープ状複合体Dを1層当たり2枚使用し、
多層状に積層したもの等がある。
合体を金属パイプ、丸棒等の芯材の外周に所望枚数縦添
え包被した或は螺旋状に巻き付けたセラミックス超電導
導体を電力ケーブル等のような電力輸送用導体に適用す
ることが検討されている。具体的には図4(a)に示す
ように、幅の広いテープ状複合体Dを芯材Aの外周に1
層当たり1枚ずつフォーミングするように巻き付け包被
し、これを多層状に積層したものとか、同図(b)のよ
うに同様のテープ状複合体Dを1層当たり2枚使用し、
多層状に積層したもの等がある。
【0006】図4のセラミックス超電導導体は芯材Aに
巻き付け包被するテープ状複合体Dの幅が広く内部のセ
ラミックス超伝導体Cの断面積が増大するため、Icの
向上が図れること、また導体構成が容易になること等の
利点がある。
巻き付け包被するテープ状複合体Dの幅が広く内部のセ
ラミックス超伝導体Cの断面積が増大するため、Icの
向上が図れること、また導体構成が容易になること等の
利点がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】図4に示すセラミック
ス超電導導体を実際に電力輸送のケーブルとして使用す
る場合、製造、運搬、布設の作業性の面から、セラミッ
クス超電導導体をドラムに巻き取る必要がある。このた
めドラムへの巻き付け、巻き戻しによる曲げ、施工作業
時の曲げ等を考慮すると、セラミックス超電導導体を数
回繰り返して曲げても超電導特性が劣化しないことが望
ましい。
ス超電導導体を実際に電力輸送のケーブルとして使用す
る場合、製造、運搬、布設の作業性の面から、セラミッ
クス超電導導体をドラムに巻き取る必要がある。このた
めドラムへの巻き付け、巻き戻しによる曲げ、施工作業
時の曲げ等を考慮すると、セラミックス超電導導体を数
回繰り返して曲げても超電導特性が劣化しないことが望
ましい。
【0008】しかし、図4に示すセラミックス超電導導
体ではテープ状複合体Dの幅が広いため、Icは高いが
繰り返し曲げによる歪みに弱く、このため全体に曲げ歪
を付与した場合、セラミックス超電導体Cが局部的に変
形したり破断したりすることがあり、その結果Icが低
下するという問題点があった。
体ではテープ状複合体Dの幅が広いため、Icは高いが
繰り返し曲げによる歪みに弱く、このため全体に曲げ歪
を付与した場合、セラミックス超電導体Cが局部的に変
形したり破断したりすることがあり、その結果Icが低
下するという問題点があった。
【0009】本発明の目的は構造が簡潔で、繰り返し曲
げられても超電導特性が劣化しにくい高Icのセラミッ
クス超電導導体を提供することにある。
げられても超電導特性が劣化しにくい高Icのセラミッ
クス超電導導体を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックス超
電導導体は前記欠点を改善するために種々実験し、検討
した結果得られたもので、金属層1内にセラミックス超
電導体層2を設けたテープ状複合体3の幅方向両端縁部
に、その幅方向に長いスリット4をテープ状複合体3の
長手方向に所定間隔で設け、このテープ状複合体3を金
属製パイプ、棒等の芯材5の外周に所望枚数、所望層数
縦添え包被して配置したことを特徴とするものである。
電導導体は前記欠点を改善するために種々実験し、検討
した結果得られたもので、金属層1内にセラミックス超
電導体層2を設けたテープ状複合体3の幅方向両端縁部
に、その幅方向に長いスリット4をテープ状複合体3の
長手方向に所定間隔で設け、このテープ状複合体3を金
属製パイプ、棒等の芯材5の外周に所望枚数、所望層数
縦添え包被して配置したことを特徴とするものである。
【0011】前記芯材5は金属パイプの他、例えば金属
製の丸棒、或は金属パイプに波付け加工を施して可撓性
を持たせたもの等を用いてもよい。また同芯材5の外周
に縦添え包被するテープ状複合体3の1層当たりの枚
数、積層する層数に制約は無く、図1(a)のように1
層当たり1枚づつでも、同図(b)のように1層当たり
2枚づつでも、或はそれ以上でもよい。
製の丸棒、或は金属パイプに波付け加工を施して可撓性
を持たせたもの等を用いてもよい。また同芯材5の外周
に縦添え包被するテープ状複合体3の1層当たりの枚
数、積層する層数に制約は無く、図1(a)のように1
層当たり1枚づつでも、同図(b)のように1層当たり
2枚づつでも、或はそれ以上でもよい。
【0012】前記テープ状複合体3の幅方向両端縁部に
設けるスリット4の角度には特に制約が無く、例えば図
3(a)に示すようにスリット4をテープ状複合体3の
幅方向に沿って平行に設けたり、或は同図(b)のよう
に幅方向両端縁部のスリット4を同じ方向に傾斜させた
り、同図(c)に示すように幅方向両端縁部のスリット
4を互いに逆方向に傾斜させたりして設けてもよい。
設けるスリット4の角度には特に制約が無く、例えば図
3(a)に示すようにスリット4をテープ状複合体3の
幅方向に沿って平行に設けたり、或は同図(b)のよう
に幅方向両端縁部のスリット4を同じ方向に傾斜させた
り、同図(c)に示すように幅方向両端縁部のスリット
4を互いに逆方向に傾斜させたりして設けてもよい。
【0013】前記スリット4はテープ状複合体3のうち
幅方向両端縁部の金属部を除く部分の長さL(図2)と
内部のセラミックス超電導体層2の幅W(図2)との関
係が次式を満たすように設定することが望ましい。 (1/10)W≦L≦(1/2)W これは、前記長さLが(1/10)W未満では実質的な
効果がなく、曲げ歪の付加によるIc低下が大きくな
る。また前記長さLが(1/2)W以上ではセラミック
ス超電導体層2に断面積の小さい部分が生じ、しかも電
流が図2の矢印のようにスリット4を迂回して蛇行して
流れて高Ic化が図れない。また、前記スリット4の幅
はあまり大きいとスリットとしての効果が小さくなり、
さらには材料の損失も無視できなくなるため極力狭い方
がよい。隣り合うスリット4の間隔は特に制約はなく、
最終的にでき上がる導体の外径や、使用時の最大曲げ歪
等を考慮して選定すればよい。
幅方向両端縁部の金属部を除く部分の長さL(図2)と
内部のセラミックス超電導体層2の幅W(図2)との関
係が次式を満たすように設定することが望ましい。 (1/10)W≦L≦(1/2)W これは、前記長さLが(1/10)W未満では実質的な
効果がなく、曲げ歪の付加によるIc低下が大きくな
る。また前記長さLが(1/2)W以上ではセラミック
ス超電導体層2に断面積の小さい部分が生じ、しかも電
流が図2の矢印のようにスリット4を迂回して蛇行して
流れて高Ic化が図れない。また、前記スリット4の幅
はあまり大きいとスリットとしての効果が小さくなり、
さらには材料の損失も無視できなくなるため極力狭い方
がよい。隣り合うスリット4の間隔は特に制約はなく、
最終的にでき上がる導体の外径や、使用時の最大曲げ歪
等を考慮して選定すればよい。
【0014】なお、本発明のセラミックス超電導導体は
比較的幅の広いテープ状複合体3を芯材5の外周に縦添
え包被してフォーミングする場合に適す。
比較的幅の広いテープ状複合体3を芯材5の外周に縦添
え包被してフォーミングする場合に適す。
【0015】本発明のセラミックス超電導導体の製造方
法の一例を説明する。テープ状複合体3の製造には従来
の方法がそのまま適用できる。例えば金属製のパイプ状
ビレット内にセラミックス超電導体となしうる原料を充
填して複合ビレツトとし、これを断面減少加工して所定
の形状・寸法のテープ状複合体3を作製する。テープ状
複合体3の幅が比較的広い場合には断面形状が角型の複
合ビレットを用いるとよい。そして、この方法で得られ
たテープ状複合体3の幅方向両端縁部にスリット4を設
ける。この場合、例えば歯車状のカッターを用いたり、
あるいは打ち抜き等によって行うことができる。
法の一例を説明する。テープ状複合体3の製造には従来
の方法がそのまま適用できる。例えば金属製のパイプ状
ビレット内にセラミックス超電導体となしうる原料を充
填して複合ビレツトとし、これを断面減少加工して所定
の形状・寸法のテープ状複合体3を作製する。テープ状
複合体3の幅が比較的広い場合には断面形状が角型の複
合ビレットを用いるとよい。そして、この方法で得られ
たテープ状複合体3の幅方向両端縁部にスリット4を設
ける。この場合、例えば歯車状のカッターを用いたり、
あるいは打ち抜き等によって行うことができる。
【0016】このようにしてスリット4が形成されたテ
ープ状複合体3を図1のように芯材5の外周に所望枚数
巻き付け或は包被させて、これを所望層数積層する。さ
らに必要に応じてその上に金属テープを押え巻きしても
差し支えない。しかる後、所定の条件で熱処理を行って
セラミックス超電導導体とするものである(W&R
法)。或は前記テープ状複合体3を芯材5に巻き付け或
は包被する前に熱処理し、これを芯材5の外周に配置し
てセラミックス超電導導体を作製することもできる(R
&W法)。更にこのセラミックス超電導導体を保護する
ため、例えばFe、SUS、Cu等の波付け管内に挿入
することも本発明の範囲内である。
ープ状複合体3を図1のように芯材5の外周に所望枚数
巻き付け或は包被させて、これを所望層数積層する。さ
らに必要に応じてその上に金属テープを押え巻きしても
差し支えない。しかる後、所定の条件で熱処理を行って
セラミックス超電導導体とするものである(W&R
法)。或は前記テープ状複合体3を芯材5に巻き付け或
は包被する前に熱処理し、これを芯材5の外周に配置し
てセラミックス超電導導体を作製することもできる(R
&W法)。更にこのセラミックス超電導導体を保護する
ため、例えばFe、SUS、Cu等の波付け管内に挿入
することも本発明の範囲内である。
【0017】
【作用】本発明のセラミックス超電導導体では、図1に
示すようにテープ状複合体3の幅方向両端縁部のスリッ
ト4が、同テープ状複合体3を芯材5に巻き付け包被さ
せた時に、セラミックス超電導導体の外周面に多数形成
されるため可撓性が良くなり、この結果、同超電導導体
に曲げ歪みを付与しても超電導特性の低下が少ない。
示すようにテープ状複合体3の幅方向両端縁部のスリッ
ト4が、同テープ状複合体3を芯材5に巻き付け包被さ
せた時に、セラミックス超電導導体の外周面に多数形成
されるため可撓性が良くなり、この結果、同超電導導体
に曲げ歪みを付与しても超電導特性の低下が少ない。
【0018】
【実施例1】本発明のセラミックス超電導導体の一実施
例を以下に説明する。Bi2 O3 、PbO、 SrCO3、
CaCo3、CuO等の一次原料粉をモル比でBi:P
b:Sr:Ca:Cu=1.6:0.4:2:2:3と
なるように配合し、混合した後、大気中800℃×10
0h仮焼成し、さらに粉砕して仮焼成を作製した。これ
をCIP成形した後、断面形状が角型のAg製パイプ内
に挿入して複合ビレットとし、これを断面減少加工、圧
延加工して幅約60mm(セラミックス超電導体層2の
幅50mm)、厚さ0・ 25mmのテープ状複合体3を
作製した。このテープ状複合体3に表1に記載する4種
類の長さのスリット4をカッター等により設けた。この
スリット4は図2(a)のようにテープ状複合体3の幅
方向両端縁面mに開口するように、且つテープ状複合体
3の幅方向に平行に形成し、これをテープ状複合体3の
幅方向両端縁部に間隔30mmのちどり状に複数形成し
たものである。
例を以下に説明する。Bi2 O3 、PbO、 SrCO3、
CaCo3、CuO等の一次原料粉をモル比でBi:P
b:Sr:Ca:Cu=1.6:0.4:2:2:3と
なるように配合し、混合した後、大気中800℃×10
0h仮焼成し、さらに粉砕して仮焼成を作製した。これ
をCIP成形した後、断面形状が角型のAg製パイプ内
に挿入して複合ビレットとし、これを断面減少加工、圧
延加工して幅約60mm(セラミックス超電導体層2の
幅50mm)、厚さ0・ 25mmのテープ状複合体3を
作製した。このテープ状複合体3に表1に記載する4種
類の長さのスリット4をカッター等により設けた。この
スリット4は図2(a)のようにテープ状複合体3の幅
方向両端縁面mに開口するように、且つテープ状複合体
3の幅方向に平行に形成し、これをテープ状複合体3の
幅方向両端縁部に間隔30mmのちどり状に複数形成し
たものである。
【0019】一方、外径20mmφ、内径16mmφの
Ag製パイプ(芯材5)を作製し、これに波付け加工を
施した。芯材5の外周には前記テープ状複合体3を縦添
え包被してフォーミングし、これを10層積層した。こ
れに大気中、840℃×100hの熱処理を行ってセラ
ミックス超電導導体を作製した。このようにして得られ
たセラミックス超電導導体を曲率半径1mとなるように
曲げた状態で、液体窒素中、O磁場における環境下でI
cを測定し、その結果を表1にまとめて示した。
Ag製パイプ(芯材5)を作製し、これに波付け加工を
施した。芯材5の外周には前記テープ状複合体3を縦添
え包被してフォーミングし、これを10層積層した。こ
れに大気中、840℃×100hの熱処理を行ってセラ
ミックス超電導導体を作製した。このようにして得られ
たセラミックス超電導導体を曲率半径1mとなるように
曲げた状態で、液体窒素中、O磁場における環境下でI
cを測定し、その結果を表1にまとめて示した。
【0020】
【実施例2】実施例1と同様の仮焼粉及び角型Agパイ
プを用いて、幅30mm(超電導体の幅26mm)、厚
さ0・ 25mmのテープ状複合体3を作製した。これに
実施例1と同様にして表2に記載する4種類の長さのス
リット4をカッター等により設けた。このスリット4も
図2(a)のようにテープ状複合体3の幅方向両端縁面
mに開口するように、且つテープ状複合体3の幅方向に
平行に形成し、これをテープ状複合体3の幅方向両端縁
部に間隔15mmのちどり状に複数形成したものであ
る。
プを用いて、幅30mm(超電導体の幅26mm)、厚
さ0・ 25mmのテープ状複合体3を作製した。これに
実施例1と同様にして表2に記載する4種類の長さのス
リット4をカッター等により設けた。このスリット4も
図2(a)のようにテープ状複合体3の幅方向両端縁面
mに開口するように、且つテープ状複合体3の幅方向に
平行に形成し、これをテープ状複合体3の幅方向両端縁
部に間隔15mmのちどり状に複数形成したものであ
る。
【0021】前記テープ状複合体3を2枚で1層となる
ように実施例1の芯材5と同じ芯材5の外周に縦添え包
被してフォーミングし、合計10層積層した。これに大
気中、840℃×100hの熱処理を行ってセラミック
ス超電導導体を作製した。これらのセラミックス超電導
導体を曲率半径1mとなるように曲げた状態で、液体窒
素中、O磁場の環境下でIcを測定し、その結果を表2
にまとめて示した。
ように実施例1の芯材5と同じ芯材5の外周に縦添え包
被してフォーミングし、合計10層積層した。これに大
気中、840℃×100hの熱処理を行ってセラミック
ス超電導導体を作製した。これらのセラミックス超電導
導体を曲率半径1mとなるように曲げた状態で、液体窒
素中、O磁場の環境下でIcを測定し、その結果を表2
にまとめて示した。
【0022】
【比較例1】表1の5、6、7は表1の実施例1〜4に
対する比較例である。同表の5、6は実施例1のテープ
状複合体3と同じくスリット4を形成してセラミックス
超電導導体を作製したものであるが、5はスリット4の
長さLが(1/10)Wより小さい場合であり、また6
はスリット4の長さLが(1/2)Wより大きい場合の
実験結果である。また、同表の7はテープ状複合体3に
スリット4を形成しなかった場合の実験結果である。こ
の結果から実施例1のセラミックス超電導導体は曲げ歪
みを付与した場合でも超電導特性の劣化が少ないことが
わかる。
対する比較例である。同表の5、6は実施例1のテープ
状複合体3と同じくスリット4を形成してセラミックス
超電導導体を作製したものであるが、5はスリット4の
長さLが(1/10)Wより小さい場合であり、また6
はスリット4の長さLが(1/2)Wより大きい場合の
実験結果である。また、同表の7はテープ状複合体3に
スリット4を形成しなかった場合の実験結果である。こ
の結果から実施例1のセラミックス超電導導体は曲げ歪
みを付与した場合でも超電導特性の劣化が少ないことが
わかる。
【0023】
【比較例2】表2の5、6、7は表2の実施例1〜4に
対する比較例である。同表の5、6は実施例2のテープ
状複合体3と同じくスリット4を形成してセラミックス
超電導導体を作製したものであるが、5はスリット4の
長さLが(1/10)Wより小さい場合であり、また6
はスリット4の長さLが(1/2)Wより大きい場合の
実験結果である。また、同表の7はテープ状複合体3に
スリット4を形成しなかった場合の実験結果である。同
じくこの結果から実施例2のセラミックス超電導導体は
曲げ歪みを付与した場合でも超電導特性の劣化が少ない
ことがわかった。
対する比較例である。同表の5、6は実施例2のテープ
状複合体3と同じくスリット4を形成してセラミックス
超電導導体を作製したものであるが、5はスリット4の
長さLが(1/10)Wより小さい場合であり、また6
はスリット4の長さLが(1/2)Wより大きい場合の
実験結果である。また、同表の7はテープ状複合体3に
スリット4を形成しなかった場合の実験結果である。同
じくこの結果から実施例2のセラミックス超電導導体は
曲げ歪みを付与した場合でも超電導特性の劣化が少ない
ことがわかった。
【0024】表1
【0025】表2
【0026】
【発明の効果】本発明のセラミックス超電導導体は構成
が簡潔で、しかも曲げ歪に対しても超電導特性の劣化が
少なく、高Icとなる。
が簡潔で、しかも曲げ歪に対しても超電導特性の劣化が
少なく、高Icとなる。
【図1】(a)は本発明のセラミックス超電導導体の一
実施例を示す斜視図、(b)は本発明のセラミックス超
電導導体の他の実施例を示す斜視図。
実施例を示す斜視図、(b)は本発明のセラミックス超
電導導体の他の実施例を示す斜視図。
【図2】(a)は図1のセラミックス超電導導体におけ
るテープ状複合体の一例を示す上面図、(b)はその断
面図。
るテープ状複合体の一例を示す上面図、(b)はその断
面図。
【図3】(a)(b)(c)はテープ状複合体の各種例
を示す平面図。
を示す平面図。
【図4】(a)(b)は従来のセラミックス超電導導体
の異なる例を示す斜視図。
の異なる例を示す斜視図。
1 金属層 2 セラミックス超伝導体層 3 テープ状複合体 4 スリット 5 芯材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 築志 東京都調布市西つつじケ丘2丁目4番1号 東京電力株式会社技術研究所内 (72)発明者 石井 英雄 東京都調布市西つつじケ丘2丁目4番1号 東京電力株式会社技術研究所内
Claims (1)
- 【請求項1】 金属層1内にセラミックス超電導体層2
を設けたテープ状複合体3の幅方向両端縁部に、その幅
方向に長いスリット4をテープ状複合体3の長手方向に
所定間隔で設け、このテープ状複合体3を金属製パイ
プ、棒等の芯材5の外周に所望枚数、所望層数縦添え包
被して配置したことを特徴とするセラミックス超電導導
体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3340171A JP3033624B2 (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | セラミックス超電導導体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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