JPH05114320A - セラミツクス超電導導体の製造方法 - Google Patents
セラミツクス超電導導体の製造方法Info
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- JPH05114320A JPH05114320A JP3302464A JP30246491A JPH05114320A JP H05114320 A JPH05114320 A JP H05114320A JP 3302464 A JP3302464 A JP 3302464A JP 30246491 A JP30246491 A JP 30246491A JP H05114320 A JPH05114320 A JP H05114320A
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- JP
- Japan
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- ceramic
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- shaped composite
- superconducting conductor
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Abstract
(57)【要約】
【目的】 導体構成が容易で、超電導性の劣化を防止し
たセラミックス超電導導体の製造方法を提供する。 【構成】 １本または数本のセラミックス超電導体１を
金属２内に設けたテープ状複合体３を、金属製丸棒また
はパイプ等の芯材４の外周に所望本数を同心円状に、螺
旋状に巻くか、縦添えするかして所望層数巻き付けてセ
ラミックス超電導導体を製造する方法において、前記テ
−プ状複合体３として複合体３内のセラミックス超電導
体１の幅が内側層から、外側層に向かう程巾広いものを
用いる。
たセラミックス超電導導体の製造方法を提供する。 【構成】 １本または数本のセラミックス超電導体１を
金属２内に設けたテープ状複合体３を、金属製丸棒また
はパイプ等の芯材４の外周に所望本数を同心円状に、螺
旋状に巻くか、縦添えするかして所望層数巻き付けてセ
ラミックス超電導導体を製造する方法において、前記テ
−プ状複合体３として複合体３内のセラミックス超電導
体１の幅が内側層から、外側層に向かう程巾広いものを
用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電力ケ−ブル等のような
高圧の電力輸送に適用可能なセラミックス超電導導体の
製造方法に関するもので、特に導体の構成が簡潔で超電
導体の特性劣化を防止したセラミックス超電導導体の製
造方法に関するものである。
高圧の電力輸送に適用可能なセラミックス超電導導体の
製造方法に関するもので、特に導体の構成が簡潔で超電
導体の特性劣化を防止したセラミックス超電導導体の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｂｉ−
（Ｐｂ）−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ
−Ｃｕ−Ｏ系などのように液体窒素温度を越えるＴｃを
有するセラミックス超電導体が知られている。このよう
なセラミックス超電導体の各分野への利用を目指すべく
種々の形状に成型することが検討されている。例えば、
線材に成型する場合には一般に金属シ−ス法が用いられ
ている。これはセラミックス超電導体となり得る原料を
金属パイプ内に充填して複合ビレットとし、これを断面
減少加工して所望形状、寸法に仕上げ、しかる後、熱処
理を行ってセラミックス超電導導体とするものである。
（Ｐｂ）−Ｓｒ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系、Ｔｌ−Ｂａ−Ｃａ
−Ｃｕ−Ｏ系などのように液体窒素温度を越えるＴｃを
有するセラミックス超電導体が知られている。このよう
なセラミックス超電導体の各分野への利用を目指すべく
種々の形状に成型することが検討されている。例えば、
線材に成型する場合には一般に金属シ−ス法が用いられ
ている。これはセラミックス超電導体となり得る原料を
金属パイプ内に充填して複合ビレットとし、これを断面
減少加工して所望形状、寸法に仕上げ、しかる後、熱処
理を行ってセラミックス超電導導体とするものである。
【０００３】この方法で得られる線材の形状としては、
断面が丸型、楕円形、四角形、テ−プ状、或はこれらを
複数本束ねた多芯線材、さらに、金属内にセラミックス
超電導体が同芯円筒状または渦巻状に配置された構造の
多層線材なども種々試作検討されている。この場合、使
用される金属の材質としては熱伝導性、電気伝導性に優
れた材料、例えばＡｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ等が適するが、
酸素透過性の点でＡｇ、Ａｇ合金を用いる例が多い。ま
た、断面減少加工法としては、得られる線材の形状に応
じて押し出し、圧延、引き抜き、スウエ−ジング等の従
来の塑性加工法がそのまま適用される。
断面が丸型、楕円形、四角形、テ−プ状、或はこれらを
複数本束ねた多芯線材、さらに、金属内にセラミックス
超電導体が同芯円筒状または渦巻状に配置された構造の
多層線材なども種々試作検討されている。この場合、使
用される金属の材質としては熱伝導性、電気伝導性に優
れた材料、例えばＡｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ等が適するが、
酸素透過性の点でＡｇ、Ａｇ合金を用いる例が多い。ま
た、断面減少加工法としては、得られる線材の形状に応
じて押し出し、圧延、引き抜き、スウエ−ジング等の従
来の塑性加工法がそのまま適用される。
【０００４】近年、このようなセラミックス超電導導体
を電力ケ−ブル等のような電力輸送用導体に適用するこ
とが検討されており、具体的に実施化されたものとして
図７（ａ）に示すように、金属Ｂ内にセラミックス超電
導体Ａが内蔵されているテープ状複合体Ｃを複数本積層
した構造のセラミック超電導導体や、同図（ｂ）に示す
ように、形状、構造が全く同一であるテ−プ状複合体Ｃ
を金属製丸棒またはパイプ等の芯材Ｄの外周に複数本を
同心円状に複数層巻き付けた構造のセラミックス超電導
導体がある。
を電力ケ−ブル等のような電力輸送用導体に適用するこ
とが検討されており、具体的に実施化されたものとして
図７（ａ）に示すように、金属Ｂ内にセラミックス超電
導体Ａが内蔵されているテープ状複合体Ｃを複数本積層
した構造のセラミック超電導導体や、同図（ｂ）に示す
ように、形状、構造が全く同一であるテ−プ状複合体Ｃ
を金属製丸棒またはパイプ等の芯材Ｄの外周に複数本を
同心円状に複数層巻き付けた構造のセラミックス超電導
導体がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図７（ｂ）の
ようにテープ状複合体Ｃを芯材Ｄの外周に巻き付ける場
合、前記テープ状複合体Ｃが全て同じ形状、構造のもの
であるため、例えば、数ｍｍ幅の比較的幅の狭いテ−プ
状複合体Ｃを使用する場合にはテープ状複合体Ｃの数が
多くなりすぎて作業性が悪くなる。反対に比較的幅の広
いテ−プ状複合体Ｃを複数本、複数層巻き付ける場合に
は、テープ状複合体Ｃ内のセラミック超電導体Ａの幅も
広くなるので作業性は向上するが、内側層にあるテープ
状複合体Ｃ内のセラミックス超電導体Ａに大きな曲げ歪
みが付与されてしまう。その結果、同超電導体Ａの幅方
向（芯材Ｄの外周方向）にも微細なクラック等が生じ、
得られるセラミックス超電導導体の超電導特性が劣化す
るという問題点があった。
ようにテープ状複合体Ｃを芯材Ｄの外周に巻き付ける場
合、前記テープ状複合体Ｃが全て同じ形状、構造のもの
であるため、例えば、数ｍｍ幅の比較的幅の狭いテ−プ
状複合体Ｃを使用する場合にはテープ状複合体Ｃの数が
多くなりすぎて作業性が悪くなる。反対に比較的幅の広
いテ−プ状複合体Ｃを複数本、複数層巻き付ける場合に
は、テープ状複合体Ｃ内のセラミック超電導体Ａの幅も
広くなるので作業性は向上するが、内側層にあるテープ
状複合体Ｃ内のセラミックス超電導体Ａに大きな曲げ歪
みが付与されてしまう。その結果、同超電導体Ａの幅方
向（芯材Ｄの外周方向）にも微細なクラック等が生じ、
得られるセラミックス超電導導体の超電導特性が劣化す
るという問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックス超
電導導体の製造方法は、図１、２に示すように１本また
は数本のセラミックス超電導体１が金属２内に設けられ
ているテープ状複合体３を、金属製丸棒またはパイプ等
の芯材４の外周に所望本数を同心円状に螺旋状に巻く
か、縦添えするかして所望層数設けるセラミックス超電
導導体の製造方法において、前記テ−プ状複合体３とし
て複合体３内のセラミックス超電導体１の幅が、内側層
から外側層に向かう程巾広いものを用いることを特徴と
するものである。
電導導体の製造方法は、図１、２に示すように１本また
は数本のセラミックス超電導体１が金属２内に設けられ
ているテープ状複合体３を、金属製丸棒またはパイプ等
の芯材４の外周に所望本数を同心円状に螺旋状に巻く
か、縦添えするかして所望層数設けるセラミックス超電
導導体の製造方法において、前記テ−プ状複合体３とし
て複合体３内のセラミックス超電導体１の幅が、内側層
から外側層に向かう程巾広いものを用いることを特徴と
するものである。
【０００７】
【作用】本発明のセラミックス超電導導体の製造方法で
は、図１、２に示すように内側層用のテープ状複合体３
内のセラミックス超電導体１の幅が狭いため、径の小さ
な芯材４に巻き付けても、同セラミックス超電導体１に
曲げによる大きな歪みが加わらず、クラックが生じにく
くなる。さらに外側層用のテ−プ状複合体３内のセラミ
ックス超電導体１の幅が広い（テープ状複合体３の幅も
広くできる）ので、テープ状複合体３が巻き易く、作製
が容易になる。
は、図１、２に示すように内側層用のテープ状複合体３
内のセラミックス超電導体１の幅が狭いため、径の小さ
な芯材４に巻き付けても、同セラミックス超電導体１に
曲げによる大きな歪みが加わらず、クラックが生じにく
くなる。さらに外側層用のテ−プ状複合体３内のセラミ
ックス超電導体１の幅が広い（テープ状複合体３の幅も
広くできる）ので、テープ状複合体３が巻き易く、作製
が容易になる。
【０００８】
【実施例１】本発明のセラミックス超電導導体の製造方
法の一実施例を図１に示す。先ず、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｐｂ
Ｏ、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯなどの一次原料粉
をモル比で２、２、２、３となるように配合、混合した
後、大気中８００℃×５０ｈ仮焼成し、さらに粉砕して
平均粒径約５μｍの仮焼粉を作成する。これを図３に示
したような金属２（Ａｇ）の治具８の通孔９内に充填し
て複合ビレット１０とした。この複合ビレット１０を断
面減少加工して図４に示すようなテ−プ厚１．０ｍｍの
テ−プ状複合導体３を作成した。断面減少加工の方法は
押し出し、引き抜き、スウエ−ジング、圧延等が適用で
きるが、最終工程は圧延加工を行なうことが望まれる。
これに熱処理と断面減少加工を２回繰り返し施して、テ
−プ厚が０．２ｍｍで幅が２０ｍｍのテ−プ状複合体３
とした。同様の方法で、セラミックス超電導体１の幅が
２、５、１４ｍｍであるテ−プ状複合体３（図５）を作
製し、同じ幅のテ−プ状複合体３を４本１組として図１
のように、外径２５ｍｍφ、内径１９ｍｍφの銀パイプ
（芯材４）の外周に３層にして巻き付けた。このときテ
−プ状複合体３内のセラミックス超電導体１の幅が狭い
ものが内側に、広いものが外側になるようにした。
法の一実施例を図１に示す。先ず、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｐｂ
Ｏ、ＳｒＣＯ3 、ＣａＣＯ3 、ＣｕＯなどの一次原料粉
をモル比で２、２、２、３となるように配合、混合した
後、大気中８００℃×５０ｈ仮焼成し、さらに粉砕して
平均粒径約５μｍの仮焼粉を作成する。これを図３に示
したような金属２（Ａｇ）の治具８の通孔９内に充填し
て複合ビレット１０とした。この複合ビレット１０を断
面減少加工して図４に示すようなテ−プ厚１．０ｍｍの
テ−プ状複合導体３を作成した。断面減少加工の方法は
押し出し、引き抜き、スウエ−ジング、圧延等が適用で
きるが、最終工程は圧延加工を行なうことが望まれる。
これに熱処理と断面減少加工を２回繰り返し施して、テ
−プ厚が０．２ｍｍで幅が２０ｍｍのテ−プ状複合体３
とした。同様の方法で、セラミックス超電導体１の幅が
２、５、１４ｍｍであるテ−プ状複合体３（図５）を作
製し、同じ幅のテ−プ状複合体３を４本１組として図１
のように、外径２５ｍｍφ、内径１９ｍｍφの銀パイプ
（芯材４）の外周に３層にして巻き付けた。このときテ
−プ状複合体３内のセラミックス超電導体１の幅が狭い
ものが内側に、広いものが外側になるようにした。
【０００９】このとき、セラミックス超電導体１に付加
される曲げ歪み率を０．４％以下となるように巻き付け
るのが望ましい。それ以上では超電導体１に微細なクラ
ックが生じ、超電導特性が低下するためである。また、
テ−プ状複合体３の巻つけピッチは特に制約はなく、適
宜選定できる。また所望層数巻きをつけた後、その上に
例えば金属のテ−プを抑え巻きすることも本発明の範囲
内である。このようにして作製したセラミックス超電導
導体に熱処理を施した後、そのＩｃを測定したところ超
電導導体の全長が１ｍでＩｃ＝７５Ａの値が得られた。
される曲げ歪み率を０．４％以下となるように巻き付け
るのが望ましい。それ以上では超電導体１に微細なクラ
ックが生じ、超電導特性が低下するためである。また、
テ−プ状複合体３の巻つけピッチは特に制約はなく、適
宜選定できる。また所望層数巻きをつけた後、その上に
例えば金属のテ−プを抑え巻きすることも本発明の範囲
内である。このようにして作製したセラミックス超電導
導体に熱処理を施した後、そのＩｃを測定したところ超
電導導体の全長が１ｍでＩｃ＝７５Ａの値が得られた。
【００１０】
【実施例２】幅が８０ｍｍであり、内部のセラミックス
超電導体１の幅が１０、２０、３０ｍｍである３種類の
テープ状複合体３を前記実施例１と同様の方法で作成し
た。そして、幅が１０ｍｍのセラミックス超電導体１は
金属２内に６列、２０ｍｍのものは４列、３０ｍｍのも
のは３列に等間隔で並列に配列した。このテ−プ状複合
体３を外径２５ｍｍφ、内径１９ｍｍφの銀パイプ（芯
材４）に巻き付けた。このときセラミックス超電導体１
の幅が狭いテ−プ状複合体３が内側となるように、三層
に同芯円状に積層した。このセラミックス超電導導体に
熱処理を施した。このセラミックス超電導導体は全長が
１ｍでＩｃ＝７７．５Ａの値が得られた。
超電導体１の幅が１０、２０、３０ｍｍである３種類の
テープ状複合体３を前記実施例１と同様の方法で作成し
た。そして、幅が１０ｍｍのセラミックス超電導体１は
金属２内に６列、２０ｍｍのものは４列、３０ｍｍのも
のは３列に等間隔で並列に配列した。このテ−プ状複合
体３を外径２５ｍｍφ、内径１９ｍｍφの銀パイプ（芯
材４）に巻き付けた。このときセラミックス超電導体１
の幅が狭いテ−プ状複合体３が内側となるように、三層
に同芯円状に積層した。このセラミックス超電導導体に
熱処理を施した。このセラミックス超電導導体は全長が
１ｍでＩｃ＝７７．５Ａの値が得られた。
【００１１】
【実施例３】実施例１で作製した平均粒径約５μｍの仮
焼粉を用い、これを図６（ａ）に示したようなＡｇ（金
属２）製の治具８の受溝１２に同図（ｂ）のように充填
した後、Ａｇ製の板を同治具８の前後と上部にかぶせ
て、ＥＢ封着を行い複合ビレット１０とした。この複合
ビレット１０を圧延加工によりテ−プ厚が１．０ｍｍの
テ−プ状複合体３を作成した。これを熱処理と圧延加工
を２回繰り返して、テ−プ厚が０．２ｍｍで幅が８０ｍ
ｍのテ−プ状複合体３とした。このときテ−プ状複合体
３内のセラミックス超電導体１の幅を１０ｍｍ、２０ｍ
ｍ、３０ｍｍのものを３種類作製した。これを実施例２
と同様に銀パイプ（芯材）にセラミックス超電導体１の
幅が狭いテ−プ状複合体３が内側となるようにして同芯
円状に沿わせ、且つ３層に積層した。このセラミックス
超電導導体に熱処理を施した。このセラミックス超電導
導体は全長が１ｍでＩｃ＝８１Ａの値が得られた。
焼粉を用い、これを図６（ａ）に示したようなＡｇ（金
属２）製の治具８の受溝１２に同図（ｂ）のように充填
した後、Ａｇ製の板を同治具８の前後と上部にかぶせ
て、ＥＢ封着を行い複合ビレット１０とした。この複合
ビレット１０を圧延加工によりテ−プ厚が１．０ｍｍの
テ−プ状複合体３を作成した。これを熱処理と圧延加工
を２回繰り返して、テ−プ厚が０．２ｍｍで幅が８０ｍ
ｍのテ−プ状複合体３とした。このときテ−プ状複合体
３内のセラミックス超電導体１の幅を１０ｍｍ、２０ｍ
ｍ、３０ｍｍのものを３種類作製した。これを実施例２
と同様に銀パイプ（芯材）にセラミックス超電導体１の
幅が狭いテ−プ状複合体３が内側となるようにして同芯
円状に沿わせ、且つ３層に積層した。このセラミックス
超電導導体に熱処理を施した。このセラミックス超電導
導体は全長が１ｍでＩｃ＝８１Ａの値が得られた。
【００１２】
【実施例４】実施例１で作製した平均粒径約５μｍの仮
焼粉を、外径２５ｍｍφ、内径２０ｍｍφのＡｇパイプ
（金属２）内に充填して複合ビレットとし、同複合ビレ
ットをスウエ−ジング加工、溝ロ−ル加工及び、圧延加
工により、テ−プ厚１．０ｍｍで幅が２ｍｍ、４ｍｍ及
び６ｍｍのテ−プ状複合導体３を作成した。これは熱処
理と圧延加工を２回繰り返し施して、テ−プ厚が０．２
ｍｍで幅が３ｍｍ、５ｍｍ及び７ｍｍの３種類のテ−プ
状複合体３とし、外径２５ｍｍφ、内径１９ｍｍφの銀
パイプ（芯材４）に図２のごとく螺旋状に巻き付けた。
このとき、内側から１層目はテ−プ幅が３ｍｍで２５
枚、２層目はテ−プ幅が５ｍｍで１５枚、３層目はテ−
プ幅が７ｍｍで１１枚を各々並列に並べてセラミックス
超電導導体とした。このセラミックス超電導導体に熱処
理を施した後、Ｉｃの測定を行なった結果、このセラミ
ックス超電導導体は全長１ｍでＩｃ＝１００Ａの値が得
られた。
焼粉を、外径２５ｍｍφ、内径２０ｍｍφのＡｇパイプ
（金属２）内に充填して複合ビレットとし、同複合ビレ
ットをスウエ−ジング加工、溝ロ−ル加工及び、圧延加
工により、テ−プ厚１．０ｍｍで幅が２ｍｍ、４ｍｍ及
び６ｍｍのテ−プ状複合導体３を作成した。これは熱処
理と圧延加工を２回繰り返し施して、テ−プ厚が０．２
ｍｍで幅が３ｍｍ、５ｍｍ及び７ｍｍの３種類のテ−プ
状複合体３とし、外径２５ｍｍφ、内径１９ｍｍφの銀
パイプ（芯材４）に図２のごとく螺旋状に巻き付けた。
このとき、内側から１層目はテ−プ幅が３ｍｍで２５
枚、２層目はテ−プ幅が５ｍｍで１５枚、３層目はテ−
プ幅が７ｍｍで１１枚を各々並列に並べてセラミックス
超電導導体とした。このセラミックス超電導導体に熱処
理を施した後、Ｉｃの測定を行なった結果、このセラミ
ックス超電導導体は全長１ｍでＩｃ＝１００Ａの値が得
られた。
【００１３】
【比較例】比較のために、前記実施例１と同様の方法で
テ−プ厚０．２ｍｍ、幅３ｍｍのテ−プ状複合体３を作
成した。これを外径２５ｍｍφ、内径１９ｍｍφ、長さ
１ｍの銀パイプ（芯材４）に、１層当り２５枚を１組と
して、螺旋状に巻き付け、それを３層に積層した。この
セラミックス超電導導体に熱処理を施し、Ｉｃの測定を
行ったところ５５Ａの値が得られた。
テ−プ厚０．２ｍｍ、幅３ｍｍのテ−プ状複合体３を作
成した。これを外径２５ｍｍφ、内径１９ｍｍφ、長さ
１ｍの銀パイプ（芯材４）に、１層当り２５枚を１組と
して、螺旋状に巻き付け、それを３層に積層した。この
セラミックス超電導導体に熱処理を施し、Ｉｃの測定を
行ったところ５５Ａの値が得られた。
【００１４】
【発明の効果】本発明のセラミックス超電導導体の製造
方法では、芯材４の外周に積層するテープ状複合体３の
うち、内側層用のテープ状複合体３内のセラミックス超
電導体１の幅が外側層用のテープ状複合体３のものより
狭いので、芯材４の外周に巻いたときに曲げによる歪が
少なく、クラックが生じにくいので、Ｉｃ特性の優れた
セラミックス超電導導体が製造される。
方法では、芯材４の外周に積層するテープ状複合体３の
うち、内側層用のテープ状複合体３内のセラミックス超
電導体１の幅が外側層用のテープ状複合体３のものより
狭いので、芯材４の外周に巻いたときに曲げによる歪が
少なく、クラックが生じにくいので、Ｉｃ特性の優れた
セラミックス超電導導体が製造される。
【図１】本発明方法によるセラミックス超電導導体一実
施例を示す斜視図。
施例を示す斜視図。
【図２】本発明方法によるセラミックス超電導導体の他
の実施例を示す斜視図。
の実施例を示す斜視図。
【図３】テープ状複合体を製造するための仮焼粉を充填
する治具の一例を示す正面図。
する治具の一例を示す正面図。
【図４】図３の治具に仮焼粉を充填した複合ビレットを
断面減少加工して作製したテープ状複合体の正面図。
断面減少加工して作製したテープ状複合体の正面図。
【図５】幅の異なるセラミックス超電導体を持つ３種類
のテープ状複合体を組合わせた状態の正面図。
のテープ状複合体を組合わせた状態の正面図。
【図６】同図（ａ）はテープ状複合体を製造するための
セラミックス超電導体を充填する治具の他の例を示す斜
視図、同図（ｂ）はその治具にセラミックス超電導体を
充填した状態の斜視図。
セラミックス超電導体を充填する治具の他の例を示す斜
視図、同図（ｂ）はその治具にセラミックス超電導体を
充填した状態の斜視図。
【図７】同図（ａ）、（ｂ）は従来方法にて得られる従
来のセラミックス超電導導体の異なる例を示す斜視図。
来のセラミックス超電導導体の異なる例を示す斜視図。
【符号の説明】 １ セラミックス超電導体 ２ 金属 ３ テープ状複合体 ４ 芯材
フロントページの続き (72)発明者 原 築志 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１号 東京電力株式会社技術研究所内 (72)発明者 石井 英雄 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１号 東京電力株式会社技術研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 １本または数本のセラミックス超電導体
１がマトリックス金属２内に設けられているテープ状複
合体３を、金属製丸棒またはパイプ等の芯材４の外周に
所望本数を同心円状に、螺旋状に巻くか、縦添えするか
して所望層数設けるセラミックス超電導導体の製造方法
において、前記テ−プ状複合体３として複合体３内のセ
ラミックス超電導体１の幅が、内側層から外側層に向か
う程巾広いものを用いること特徴とするセラミックス超
電導導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302464A JPH05114320A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | セラミツクス超電導導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3302464A JPH05114320A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | セラミツクス超電導導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05114320A true JPH05114320A (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=17909261
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3302464A Pending JPH05114320A (ja) | 1991-10-22 | 1991-10-22 | セラミツクス超電導導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05114320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2444090A (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-28 | David Peter Lee | Elecrical conductor |
-
1991
- 1991-10-22 JP JP3302464A patent/JPH05114320A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2444090A (en) * | 2006-11-24 | 2008-05-28 | David Peter Lee | Elecrical conductor |
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