JPH0512935A - セラミツクス超電導導体 - Google Patents
セラミツクス超電導導体Info
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- JPH0512935A JPH0512935A JP3183457A JP18345791A JPH0512935A JP H0512935 A JPH0512935 A JP H0512935A JP 3183457 A JP3183457 A JP 3183457A JP 18345791 A JP18345791 A JP 18345791A JP H0512935 A JPH0512935 A JP H0512935A
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- JP
- Japan
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- ceramic
- superconductor
- ceramics
- metal pipe
- composite
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ケ−ブル等の電力応用に適用可能であり、熱
処理工程、或は冷却工程におけるテ−プ状複合体の超電
導特性の劣化が無く、優れた超電導特性を具備したセラ
ミックス超電導導体を実現する。 【構成】 図１に示すように金属パイプ１の周壁中間２
内にセラミックス超電導体３が同心円状に内蔵し、同金
属パイプ１が長さ方向に波付けした。 【効果】 セラミックス超電導体３を金属パイプ１の周
壁中間２内に同心円状に内蔵してあるので、ワインドリ
アクト法による熱処理工程において、従来のようにシ−
ト状複合体がたわむことがない。金属パイプ１が長さ方
向に波付けされているので、冷却過程における収縮が波
の湾曲で吸収され、クエンチしにくく、超電導特性が劣
化しにくい。
処理工程、或は冷却工程におけるテ−プ状複合体の超電
導特性の劣化が無く、優れた超電導特性を具備したセラ
ミックス超電導導体を実現する。 【構成】 図１に示すように金属パイプ１の周壁中間２
内にセラミックス超電導体３が同心円状に内蔵し、同金
属パイプ１が長さ方向に波付けした。 【効果】 セラミックス超電導体３を金属パイプ１の周
壁中間２内に同心円状に内蔵してあるので、ワインドリ
アクト法による熱処理工程において、従来のようにシ−
ト状複合体がたわむことがない。金属パイプ１が長さ方
向に波付けされているので、冷却過程における収縮が波
の湾曲で吸収され、クエンチしにくく、超電導特性が劣
化しにくい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はケ−ブル等に適用可能な
セラミックス超電導導体に関するものである。
セラミックス超電導導体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＹＢａＣｕＯ系、Ｂｉ（Ｐｂ）Ｓ
ｒＣａＣｕＯ系、ＴｌＢａＣａＣｕＯ系等のように、液
体窒素温度を越えるＴｃのセラミックス超電導体が知ら
れている。このようなセラミックス超電導体の応用・利
用を目指して同超電導体を種々の形状に成形することが
検討されている。例えばセラミックス超電導体により線
状体を作製する場合には一般に金属シ−ス法が用いられ
ている。これは超電導体となるセラミックスの原料を金
属パイプ内に充填し、同パイプを断面減少加工して所望
形状、寸法に仕上げた後、所定の条件で熱処理するもの
である。前記線材の形状としては断面が丸型、楕円形、
四角形、テ−プ状等、或はこれらを複数本束ねたような
形状の多芯型、更にはセラミックス超電導体が金属の内
部に渦巻状、同心円状に配置された多層線材等も試作検
討されている。金属パイプの材質としては熱電導性、電
気電導性に優れた材料、例えばＡｇ，Ａｇ合金、Ｃｕ，
Ｃｕ合金等が使用できるが、酸素透過性の点でＡｇ，Ａ
ｇ合金を用いる例が多い。断面減少加工としては得られ
る線材の形状に応じて押出、圧延、スウェ−ジング、引
抜等従来の加工法がそのまま適用されている。このよう
なセラミックス超電導導体をケ−ブル等のような電力分
野に応用すべく検討が行なわれている。このような応用
には、例えば図５（ａ）に示したように金属Ａ内にセラ
ミックス超電導体Ｂが配置されているテ−プ状複合体Ｃ
を複数枚積層してそのまま用いたり、同図（ｂ）のよう
にパイプの芯材Ｄの外周に、前記テ−プ状複合体Ｃを複
数枚螺旋状に巻付けたり、又は縦添え包被したりして導
体を形成しているにすぎない。
ｒＣａＣｕＯ系、ＴｌＢａＣａＣｕＯ系等のように、液
体窒素温度を越えるＴｃのセラミックス超電導体が知ら
れている。このようなセラミックス超電導体の応用・利
用を目指して同超電導体を種々の形状に成形することが
検討されている。例えばセラミックス超電導体により線
状体を作製する場合には一般に金属シ−ス法が用いられ
ている。これは超電導体となるセラミックスの原料を金
属パイプ内に充填し、同パイプを断面減少加工して所望
形状、寸法に仕上げた後、所定の条件で熱処理するもの
である。前記線材の形状としては断面が丸型、楕円形、
四角形、テ−プ状等、或はこれらを複数本束ねたような
形状の多芯型、更にはセラミックス超電導体が金属の内
部に渦巻状、同心円状に配置された多層線材等も試作検
討されている。金属パイプの材質としては熱電導性、電
気電導性に優れた材料、例えばＡｇ，Ａｇ合金、Ｃｕ，
Ｃｕ合金等が使用できるが、酸素透過性の点でＡｇ，Ａ
ｇ合金を用いる例が多い。断面減少加工としては得られ
る線材の形状に応じて押出、圧延、スウェ−ジング、引
抜等従来の加工法がそのまま適用されている。このよう
なセラミックス超電導導体をケ−ブル等のような電力分
野に応用すべく検討が行なわれている。このような応用
には、例えば図５（ａ）に示したように金属Ａ内にセラ
ミックス超電導体Ｂが配置されているテ−プ状複合体Ｃ
を複数枚積層してそのまま用いたり、同図（ｂ）のよう
にパイプの芯材Ｄの外周に、前記テ−プ状複合体Ｃを複
数枚螺旋状に巻付けたり、又は縦添え包被したりして導
体を形成しているにすぎない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図５（ａ）に示す構造
の超電導導体は断面積が大きくなるため、比較的大電流
用に使用すると内部に熱が蓄積され易く、クエンチし易
いという欠点がある。図５（ｂ）に示すテ−プ状複合体
Ｃを複数枚螺旋状に巻付けた構造の超電導導体では、セ
ラミックス超電導体の原料を一般に用いられるワインド
リアクト法によりセラミックス超電導体とする場合、ワ
インドリアクト法の熱処理工程で巻付けたテ−プ状複合
体Ｃがたるみ易く、これにより得られる超電導導体の超
電導特性の低下をもたらすという問題がある。更に、長
手方向両端を固定して冷却した場合、その収縮力が導体
に影響し、よって超電導特性が劣化するという欠点もあ
った。
の超電導導体は断面積が大きくなるため、比較的大電流
用に使用すると内部に熱が蓄積され易く、クエンチし易
いという欠点がある。図５（ｂ）に示すテ−プ状複合体
Ｃを複数枚螺旋状に巻付けた構造の超電導導体では、セ
ラミックス超電導体の原料を一般に用いられるワインド
リアクト法によりセラミックス超電導体とする場合、ワ
インドリアクト法の熱処理工程で巻付けたテ−プ状複合
体Ｃがたるみ易く、これにより得られる超電導導体の超
電導特性の低下をもたらすという問題がある。更に、長
手方向両端を固定して冷却した場合、その収縮力が導体
に影響し、よって超電導特性が劣化するという欠点もあ
った。
【０００４】
【発明の目的】本発明の目的は、ケ−ブル等の電力応用
に適用可能であり、しかも熱処理工程、或は冷却工程に
おけるテ−プ状複合体の超電導特性の劣化が生ぜず、優
れた超電導特性を発揮するセラミックス超電導導体を提
供することにある。
に適用可能であり、しかも熱処理工程、或は冷却工程に
おけるテ−プ状複合体の超電導特性の劣化が生ぜず、優
れた超電導特性を発揮するセラミックス超電導導体を提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のセラミックス超
電導導体は、前述した欠点を改善するために種々実験を
重ね、鋭意研究した結果開発されたものであり、図１に
示すように金属パイプ１の周壁中間２内にセラミックス
超電導体３が同心円状に内蔵され、同金属パイプ１が長
さ方向に波付けされているものである。本発明のセラミ
ックス超電導導体の外径は電流の容量に応じて適宜決定
できる。また、セラミックス超電導体の種類にも制約は
無く、Ｙ系，Ｂｉ系，Ｔｌ系等いずれを用いてもよい。
本発明のセラミックス超電導導体は、ワインドリアクト
法により製造されるものだけでなく、リアクトアンドワ
インド法により製造されるものでもよい。
電導導体は、前述した欠点を改善するために種々実験を
重ね、鋭意研究した結果開発されたものであり、図１に
示すように金属パイプ１の周壁中間２内にセラミックス
超電導体３が同心円状に内蔵され、同金属パイプ１が長
さ方向に波付けされているものである。本発明のセラミ
ックス超電導導体の外径は電流の容量に応じて適宜決定
できる。また、セラミックス超電導体の種類にも制約は
無く、Ｙ系，Ｂｉ系，Ｔｌ系等いずれを用いてもよい。
本発明のセラミックス超電導導体は、ワインドリアクト
法により製造されるものだけでなく、リアクトアンドワ
インド法により製造されるものでもよい。
【０００６】本発明のセラミックス超電導導体は、例え
ば、次のようにして製造する。先ず、金属とセラミック
スとの、比較的幅が広く、厚さが厚いシ−ト状複合体を
製作しておく。このシ−ト状複合体の製作方法としては
種々の方法を適用できる。例えば図２（ａ）に示したよ
うな断面形状が円形の金属パイプ１、或は同図（ｂ）に
示したような角型の金属パイプ１内に、超電導体となる
セラミックスの原料を充填して複合ビレットを作製す
る。この場合、セラミックスの原料としては酸化物炭酸
塩等のような一次原料粉を使用し、その一次原料粉を仮
焼成して充填するか、或は同一次原料粉を圧縮成形し、
それを燒結した後に挿入してビレットとすることもでき
る。このようにして作製した複合ビレットを圧延加工等
の塑性加工を施して所望形状、寸法のテ−プ状複合体と
する。シ−ト状複合体を製作する他の方法としては、金
属のシ−トを連続的に走行させながら、その上に超電導
体となるセラミックスの原料を供給し、更にその上に金
属シ−トを配置した後、必要に応じて圧延加工を行なっ
て作製することもできる。或は２枚の金属シ−ト間にセ
ラミックスの原料を供給しても良い。この場合、セラミ
ックスの原料は粉末として供給したり、或は溶射法、溶
融物の塗布法等いずれの方法で供給してもよい。次に、
前記のようにして製作したテ−プ状複合体４を、例え
ば、その長さ方向を軸としてパイプ状にフォ−ミングし
て図３に示したようなパイプ状に仕上げる。この場合、
テ−プ状複合体の幅方向両端部５、６はシ−ム溶接等の
手段で接合しておくことが望ましい。得られたパイプ状
複合体に波付け加工を行なって図１に示したような形状
に仕上げる。然る後、所定の熱処理を行なってセラミッ
クス超電導導体とする。
ば、次のようにして製造する。先ず、金属とセラミック
スとの、比較的幅が広く、厚さが厚いシ−ト状複合体を
製作しておく。このシ−ト状複合体の製作方法としては
種々の方法を適用できる。例えば図２（ａ）に示したよ
うな断面形状が円形の金属パイプ１、或は同図（ｂ）に
示したような角型の金属パイプ１内に、超電導体となる
セラミックスの原料を充填して複合ビレットを作製す
る。この場合、セラミックスの原料としては酸化物炭酸
塩等のような一次原料粉を使用し、その一次原料粉を仮
焼成して充填するか、或は同一次原料粉を圧縮成形し、
それを燒結した後に挿入してビレットとすることもでき
る。このようにして作製した複合ビレットを圧延加工等
の塑性加工を施して所望形状、寸法のテ−プ状複合体と
する。シ−ト状複合体を製作する他の方法としては、金
属のシ−トを連続的に走行させながら、その上に超電導
体となるセラミックスの原料を供給し、更にその上に金
属シ−トを配置した後、必要に応じて圧延加工を行なっ
て作製することもできる。或は２枚の金属シ−ト間にセ
ラミックスの原料を供給しても良い。この場合、セラミ
ックスの原料は粉末として供給したり、或は溶射法、溶
融物の塗布法等いずれの方法で供給してもよい。次に、
前記のようにして製作したテ−プ状複合体４を、例え
ば、その長さ方向を軸としてパイプ状にフォ−ミングし
て図３に示したようなパイプ状に仕上げる。この場合、
テ−プ状複合体の幅方向両端部５、６はシ−ム溶接等の
手段で接合しておくことが望ましい。得られたパイプ状
複合体に波付け加工を行なって図１に示したような形状
に仕上げる。然る後、所定の熱処理を行なってセラミッ
クス超電導導体とする。
【０００７】本発明のセラミックス超電導導体は次の方
法でも製造することができる。図４に示したような形状
のビレットを作製しておき、これを押出し、スウェ−ジ
ング等の塑性加工を行なって図１に示したようなパイプ
状複合体にし、このパイプ状複合体に波付け加工を行な
って図４に示したような形状に仕上げる。この場合はパ
イプ状状複合体の幅方向両端部の溶接は省略することが
できる。然る後、所定の熱処理を行なってセラミックス
超電導導体とする。この熱処理前に必要に応じて断面減
少加工を行なっても差し支えない。
法でも製造することができる。図４に示したような形状
のビレットを作製しておき、これを押出し、スウェ−ジ
ング等の塑性加工を行なって図１に示したようなパイプ
状複合体にし、このパイプ状複合体に波付け加工を行な
って図４に示したような形状に仕上げる。この場合はパ
イプ状状複合体の幅方向両端部の溶接は省略することが
できる。然る後、所定の熱処理を行なってセラミックス
超電導導体とする。この熱処理前に必要に応じて断面減
少加工を行なっても差し支えない。
【０００８】本発明のセラミックス超電導導体は次の方
法でも製造することができる。円筒状の金属材料の外周
に、金属とセラミックス超電導体とのテ−プ状複合体を
縦添え包被させるか又は螺旋状に巻き付け、その外側に
金属材料を被覆し、その後、必要に応じて断面減少加工
を行ない、しかる後、波付け加工、所定の熱処理を行な
う。
法でも製造することができる。円筒状の金属材料の外周
に、金属とセラミックス超電導体とのテ−プ状複合体を
縦添え包被させるか又は螺旋状に巻き付け、その外側に
金属材料を被覆し、その後、必要に応じて断面減少加工
を行ない、しかる後、波付け加工、所定の熱処理を行な
う。
【０００９】
【作用】本発明のセラミックス超電導導体は、セラミッ
クス超電導体３を金属パイプ１の周壁中間２内に同心円
状に内蔵してあるので、セラミックス超電導体３が内蔵
されているテ−プ状複合体Ｃを心材の外周に巻く場合の
ように、ワインドリアクト法による熱処理工程におい
て、シ−ト状複合体がたわむといったことがない。本発
明のセラミックス超電導導体では、金属パイプ１が長さ
方向に波付けされているので、冷却過程における収縮が
波の湾曲で吸収され、超電導特性を劣化することがな
い。
クス超電導体３を金属パイプ１の周壁中間２内に同心円
状に内蔵してあるので、セラミックス超電導体３が内蔵
されているテ−プ状複合体Ｃを心材の外周に巻く場合の
ように、ワインドリアクト法による熱処理工程におい
て、シ−ト状複合体がたわむといったことがない。本発
明のセラミックス超電導導体では、金属パイプ１が長さ
方向に波付けされているので、冷却過程における収縮が
波の湾曲で吸収され、超電導特性を劣化することがな
い。
【００１０】
【実施例１】Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＰｂＯ，ＳｒＣＯ3 ，ＣａＣ
Ｏ3 ，ＣｕＯの一次原料粉を用いて配合、混合、仮焼、
粉砕して平均粒径約５μｍの２２２３系のＢｉ系セラミ
ックス超電導体の仮焼粉を作製した。これを図２（ｂ）
に示したようなＡｇ製パイプに充填した後、圧延加工し
て幅約１００ｍｍ、厚さ約４ｍｍのシ−ト状複合体を作
製した。これをパイプ状にフォ−ミング加工しながらそ
の幅方向両端部をシ−ム溶接して、外径約３０ｍｍφ、
肉厚約４ｍｍのパイプ状に仕上げた。これに山と谷の差
が２．５ｍｍ、ピッチ約３０ｍｍの波付け加工を施し
た。しかる後、大気中で８３０℃×５０ｈ熱処理を行っ
て前記２２２３系Ｂｉ系セラミックス超電導体仮焼粉を
セラミックス超電導導体とした。このセラミックス超電
導導体について液体窒素中、０磁場におけるＩｃを測定
した結果、約１００（Ａ）の優れた特性が得られた。
Ｏ3 ，ＣｕＯの一次原料粉を用いて配合、混合、仮焼、
粉砕して平均粒径約５μｍの２２２３系のＢｉ系セラミ
ックス超電導体の仮焼粉を作製した。これを図２（ｂ）
に示したようなＡｇ製パイプに充填した後、圧延加工し
て幅約１００ｍｍ、厚さ約４ｍｍのシ−ト状複合体を作
製した。これをパイプ状にフォ−ミング加工しながらそ
の幅方向両端部をシ−ム溶接して、外径約３０ｍｍφ、
肉厚約４ｍｍのパイプ状に仕上げた。これに山と谷の差
が２．５ｍｍ、ピッチ約３０ｍｍの波付け加工を施し
た。しかる後、大気中で８３０℃×５０ｈ熱処理を行っ
て前記２２２３系Ｂｉ系セラミックス超電導体仮焼粉を
セラミックス超電導導体とした。このセラミックス超電
導導体について液体窒素中、０磁場におけるＩｃを測定
した結果、約１００（Ａ）の優れた特性が得られた。
【００１１】
【実施例２】幅約５０ｍｍ、厚さ約２ｍｍのＡｇ製シ−
ト２枚の間に実施例１で得られた２２２３系Ｂｉ系セラ
ミックス超電導体の仮焼粉を供給した後、圧延加工を行
なって幅約７０ｍｍ、厚さ約２．５ｍｍのシ−ト状複合
体を作製した。これをパイプ状にフォ−ミング成形しな
がらその両端部をシ−ム溶接して、外径約２０ｍｍφ、
肉厚約２．５ｍｍのパイプ状に仕上げた。これに山と谷
の差が２ｍｍ、ピッチ約２０ｍｍの波付け加工を施し
た。しかる後、大気中で８３０℃×５０ｈ熱処理を行な
って前記２２２３系Ｂｉ系セラミックス超電導体の仮焼
粉をセラミックス超電導体とした。このセラミックス超
電導体について液体窒素中、Ｏ磁場におけるＩｃを測定
した結果、約７５（Ａ）の優れた特性が得られた。
ト２枚の間に実施例１で得られた２２２３系Ｂｉ系セラ
ミックス超電導体の仮焼粉を供給した後、圧延加工を行
なって幅約７０ｍｍ、厚さ約２．５ｍｍのシ−ト状複合
体を作製した。これをパイプ状にフォ−ミング成形しな
がらその両端部をシ−ム溶接して、外径約２０ｍｍφ、
肉厚約２．５ｍｍのパイプ状に仕上げた。これに山と谷
の差が２ｍｍ、ピッチ約２０ｍｍの波付け加工を施し
た。しかる後、大気中で８３０℃×５０ｈ熱処理を行な
って前記２２２３系Ｂｉ系セラミックス超電導体の仮焼
粉をセラミックス超電導体とした。このセラミックス超
電導体について液体窒素中、Ｏ磁場におけるＩｃを測定
した結果、約７５（Ａ）の優れた特性が得られた。
【００１２】
【比較例１】実施例１とほぼ同様にして幅２０ｍｍ，厚
さ４ｍｍのシ−ト状複合体を作製した。このシ−ト状複
合体を実施例１とほぼ同一断面積となるように５枚積層
した後、実施例１と同一条件で熱処理して前記２２２３
系Ｂｉ系セラミックス超電導体仮焼粉をセラミックス超
電導導体とした。このセラミックス超電導導体について
液体窒素中、０磁場におけるＩｃを測定した結果、４８
（Ａ）であり本発明に比較して劣るものであった。
さ４ｍｍのシ−ト状複合体を作製した。このシ−ト状複
合体を実施例１とほぼ同一断面積となるように５枚積層
した後、実施例１と同一条件で熱処理して前記２２２３
系Ｂｉ系セラミックス超電導体仮焼粉をセラミックス超
電導導体とした。このセラミックス超電導導体について
液体窒素中、０磁場におけるＩｃを測定した結果、４８
（Ａ）であり本発明に比較して劣るものであった。
【００１３】
【比較例２】実施例１と同様な方法で、幅約５ｍｍ，厚
さ１ｍｍのシ−ト状複合体を作製した。これを外径３０
ｍｍφ、内径２５ｍｍφにＡｇ製パイプ上に１層当り１
２枚、全４層巻き付けて、実施例１とほぼ同一断面積と
なるように構成した。これを実施例１と同一条件で熱処
理して前記２２２３系Ｂｉ系セラミックス超電導体の仮
焼粉をセラミックス超電導導体とした。このセラミック
ス超電導導体について液体窒素中、０磁場におけるＩｃ
を測定した結果、５６（Ａ）であり本発明に比較して劣
るものであった。
さ１ｍｍのシ−ト状複合体を作製した。これを外径３０
ｍｍφ、内径２５ｍｍφにＡｇ製パイプ上に１層当り１
２枚、全４層巻き付けて、実施例１とほぼ同一断面積と
なるように構成した。これを実施例１と同一条件で熱処
理して前記２２２３系Ｂｉ系セラミックス超電導体の仮
焼粉をセラミックス超電導導体とした。このセラミック
ス超電導導体について液体窒素中、０磁場におけるＩｃ
を測定した結果、５６（Ａ）であり本発明に比較して劣
るものであった。
【００１４】
【発明の効果】本発明のセラミックス超電導導体は、熱
処理工程、冷却工程における超伝導体を含むテ−プ線材
にたわみが生じ無いので、クエンチしにくく、超電導導
特性の劣化がほとんどない。
処理工程、冷却工程における超伝導体を含むテ−プ線材
にたわみが生じ無いので、クエンチしにくく、超電導導
特性の劣化がほとんどない。
【図１】本発明のセラミックス超電導導体の１実施例を
示す縦断面図。
示す縦断面図。
【図２】同図（ａ）（ｂ）は本発明のセラミックス超電
導導体に使用されるシ−ト状複合体用金属パイプの異な
る例の斜視図。
導導体に使用されるシ−ト状複合体用金属パイプの異な
る例の斜視図。
【図３】本発明のセラミックス超電導導体に使用される
シ−ト状複合体をパイプ状にフォ−ミングした状態の斜
視図。
シ−ト状複合体をパイプ状にフォ−ミングした状態の斜
視図。
【図４】本発明のセラミックス超電導導体に使用される
シ−ト状複合体用ビレットの斜視図。
シ−ト状複合体用ビレットの斜視図。
【図５】同図（ａ）（ｂ）は従来のセラミックス超電導
導体の異なる例の斜視図。
導体の異なる例の斜視図。
１ 金属パイプ ２ 周壁中間 ３ セラミックス超電導体 ４ シ−ト状複合体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 築志 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１号 東京電力株式会社技術研究所内 (72)発明者 石井 英雄 東京都調布市西つつじケ丘２丁目４番１号 東京電力株式会社技術研究所内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 金属パイプ１の周壁中間２内にセラミッ
クス超電導体３が同心円状に内蔵され、同金属パイプ１
が長さ方向に波付けされていることを特徴とするセラミ
ックス超電導導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183457A JPH0512935A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | セラミツクス超電導導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3183457A JPH0512935A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | セラミツクス超電導導体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0512935A true JPH0512935A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16136118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3183457A Pending JPH0512935A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | セラミツクス超電導導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0512935A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102280939A (zh) * | 2011-08-30 | 2011-12-14 | 浙江世锋新能源开发有限公司 | 大功率直流储电站 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3183457A patent/JPH0512935A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102280939A (zh) * | 2011-08-30 | 2011-12-14 | 浙江世锋新能源开发有限公司 | 大功率直流储电站 |
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