JPH05151608A - 光学式ヘツド装置 - Google Patents
光学式ヘツド装置Info
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- JPH05151608A JPH05151608A JP3340067A JP34006791A JPH05151608A JP H05151608 A JPH05151608 A JP H05151608A JP 3340067 A JP3340067 A JP 3340067A JP 34006791 A JP34006791 A JP 34006791A JP H05151608 A JPH05151608 A JP H05151608A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiodes
- light
- head device
- optical head
- signal
- Prior art date
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- Pending
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 集積化された光学式ヘッド装置における検出
信号のＳ／Ｎや、波長変動などの作製誤差に対する許容
度の向上を図る。 【構成】 導波層１０６には、フォトダイオードＤＡ〜
ＤＦ，グレーティングビームスプリッタ１０８，フォー
カスグレーティングカップラ１１０が集積化されてい
る。半導体レーザ１００から矢印ＦＡのように出力され
た光は、光ディスクで反射されて矢印ＦＢのように戻っ
てくる。このとき、フォトダイオードＤＡ，ＤＢ（又は
ＤＣ，ＤＤ）の分離帯１２０を通過した戻り光は、フォ
トダイオードＤＥ，ＤＦで光電変換されて、フォトダイ
オードＤＡ〜ＤＤの信号とともに演算回路１０に入力さ
れる。演算回路１０では、フォトダイオードＤＥ，ＤＦ
からの信号も利用して所望の信号検出の演算が行われ
る。
信号のＳ／Ｎや、波長変動などの作製誤差に対する許容
度の向上を図る。 【構成】 導波層１０６には、フォトダイオードＤＡ〜
ＤＦ，グレーティングビームスプリッタ１０８，フォー
カスグレーティングカップラ１１０が集積化されてい
る。半導体レーザ１００から矢印ＦＡのように出力され
た光は、光ディスクで反射されて矢印ＦＢのように戻っ
てくる。このとき、フォトダイオードＤＡ，ＤＢ（又は
ＤＣ，ＤＤ）の分離帯１２０を通過した戻り光は、フォ
トダイオードＤＥ，ＤＦで光電変換されて、フォトダイ
オードＤＡ〜ＤＤの信号とともに演算回路１０に入力さ
れる。演算回路１０では、フォトダイオードＤＥ，ＤＦ
からの信号も利用して所望の信号検出の演算が行われ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＤ（コンパクトディ
スク）などの光ディスクに対する情報の書込みや読出し
を行なう集積化された光学式ヘッド装置にかかり、特
に、信号の光電変換部分の改良に関する。
スク）などの光ディスクに対する情報の書込みや読出し
を行なう集積化された光学式ヘッド装置にかかり、特
に、信号の光電変換部分の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年では、ＣＤプレーヤなどにおける光
ピックアップの小型・軽量化の要求に伴って、集積化さ
れた光学式ヘッド装置又は光集積ピックアップの開発が
期待されている。このような従来の光学式ヘッド装置と
しては、例えば電子通信学会論文誌’８６／５，Ｖｏ
ｌ．Ｊ６９−ＣＮｏ．５のＰ６０９〜Ｐ６１５に開示さ
れたものがあり、図３に示すようにＳｉ基板の薄膜導波
路上に、導波路型レンズ素子であるフォーカスグレーテ
ィングカップラ，グレーティングビームスプリッタ及び
フォトダイオードが集積化された構成となっている。
ピックアップの小型・軽量化の要求に伴って、集積化さ
れた光学式ヘッド装置又は光集積ピックアップの開発が
期待されている。このような従来の光学式ヘッド装置と
しては、例えば電子通信学会論文誌’８６／５，Ｖｏ
ｌ．Ｊ６９−ＣＮｏ．５のＰ６０９〜Ｐ６１５に開示さ
れたものがあり、図３に示すようにＳｉ基板の薄膜導波
路上に、導波路型レンズ素子であるフォーカスグレーテ
ィングカップラ，グレーティングビームスプリッタ及び
フォトダイオードが集積化された構成となっている。
【０００３】同図において、端面結合した半導体レーザ
１００から出力された発散導波光は、基板１０２上にＳ
ｉＯ2によるバッファ層又はクラッド層１０４を介して
形成されたガラス薄膜による導波層１０６中を伝搬し、
グレーティングビームスプリッタ（ＴＧＦＢＳ）１０８
に入射する。導波光は、その後、フォーカスグレーティ
ングカップラ（ＦＧＣ）１１０に入射するとともに、そ
の回折作用によって空間光に変換され、光ディスク１１
２上に集光する。
１００から出力された発散導波光は、基板１０２上にＳ
ｉＯ2によるバッファ層又はクラッド層１０４を介して
形成されたガラス薄膜による導波層１０６中を伝搬し、
グレーティングビームスプリッタ（ＴＧＦＢＳ）１０８
に入射する。導波光は、その後、フォーカスグレーティ
ングカップラ（ＦＧＣ）１１０に入射するとともに、そ
の回折作用によって空間光に変換され、光ディスク１１
２上に集光する。
【０００４】次に、光ディスク１１２によって反射され
たレーザ光は、光路を逆に進行して再びフォーカスグレ
ーティングカップラ１１０に入射し、導波路を逆進す
る。逆進した導波光は、グレーティングビームスプリッ
タ１０８によって波面２分割される。分割された戻りレ
ーザ光のうち、一方はフォトダイオードＤＡ，ＤＢ付近
に集光され、他方はフォトダイオードＤＣ，ＤＤ付近に
集光されて、各々光電変換される。光電変換後の検出信
号には、図示しない演算手段によって和，差の演算が行
なわれ、光ディスク１１２のＲＦ信号（データの読出信
号），フォーカスエラー信号，トラッキングエラー信号
が各々検出される。
たレーザ光は、光路を逆に進行して再びフォーカスグレ
ーティングカップラ１１０に入射し、導波路を逆進す
る。逆進した導波光は、グレーティングビームスプリッ
タ１０８によって波面２分割される。分割された戻りレ
ーザ光のうち、一方はフォトダイオードＤＡ，ＤＢ付近
に集光され、他方はフォトダイオードＤＣ，ＤＤ付近に
集光されて、各々光電変換される。光電変換後の検出信
号には、図示しない演算手段によって和，差の演算が行
なわれ、光ディスク１１２のＲＦ信号（データの読出信
号），フォーカスエラー信号，トラッキングエラー信号
が各々検出される。
【０００５】以上のうち、フォトダイオードＤＡ，ＤＢ
は、図４に示すようになっている。なお、フォトダイオ
ードＤＣ，ＤＤについても同様である。同図（Ａ）の＃
１−＃１線に沿って矢印方向に見た断面は同図（Ｂ）に
示すようになっており、＃２−＃２線に沿って矢印方向
に見た断面は同図（Ｃ）に示すようになっている。
は、図４に示すようになっている。なお、フォトダイオ
ードＤＣ，ＤＤについても同様である。同図（Ａ）の＃
１−＃１線に沿って矢印方向に見た断面は同図（Ｂ）に
示すようになっており、＃２−＃２線に沿って矢印方向
に見た断面は同図（Ｃ）に示すようになっている。
【０００６】これらの図において、基板１０２は、たと
えばｎタイプのＳｉによって形成されており、そのフォ
トダイオードＤＡ，ＤＢに相当する部分にｐタイプのＳ
ｉによる接合領域ＥＡ，ＥＢが形成されている。フォト
ダイオードＤＡ，ＤＢ間には、分離帯１２０が設けられ
ており、その幅はたとえば１０μｍ程度に設計されてい
る。そして、この接合領域ＥＡ，ＥＢの部分でバッファ
層１０４がテーパ構造となっており、これによって同図
（Ａ）の矢印Ｆ１方向から入射した光が接合領域ＥＡ，
ＥＢに誘導される。接合領域ＥＡ，ＥＢは空乏層となっ
ており、誘導された光によって電流が発生する。これに
よって、光ディスク１１２からの光信号の電気信号への
変換が行われる。
えばｎタイプのＳｉによって形成されており、そのフォ
トダイオードＤＡ，ＤＢに相当する部分にｐタイプのＳ
ｉによる接合領域ＥＡ，ＥＢが形成されている。フォト
ダイオードＤＡ，ＤＢ間には、分離帯１２０が設けられ
ており、その幅はたとえば１０μｍ程度に設計されてい
る。そして、この接合領域ＥＡ，ＥＢの部分でバッファ
層１０４がテーパ構造となっており、これによって同図
（Ａ）の矢印Ｆ１方向から入射した光が接合領域ＥＡ，
ＥＢに誘導される。接合領域ＥＡ，ＥＢは空乏層となっ
ており、誘導された光によって電流が発生する。これに
よって、光ディスク１１２からの光信号の電気信号への
変換が行われる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】他方、集積化された光
学式ヘッド装置においては、光源である半導体レーザ１
００から受光部であるフォトダイオードＤＡ〜ＤＤに至
るまでに多くの光損失箇所が存在する。従って、各部に
おける光の利用効率を高めて、なるべく多くの信号電流
を得る必要がある。
学式ヘッド装置においては、光源である半導体レーザ１
００から受光部であるフォトダイオードＤＡ〜ＤＤに至
るまでに多くの光損失箇所が存在する。従って、各部に
おける光の利用効率を高めて、なるべく多くの信号電流
を得る必要がある。
【０００８】ここで、上述したように、信号検出のため
の片側２個のフォトダイオードＤＡ，ＤＢ（又はＤＣ，
ＤＤ）間には、電気的，光学的アイソレーションのため
の分離帯１２０が形成されている。この結果、フォーカ
スエラー信号がほぼ「０」のとき、すなわちフォーカス
グレーティングカップラ１１０によって空間光に変換さ
れたレーザ光が光ディスク１１２上でちょうど合焦状態
にある場合、戻り光はフォトダイオードＤＡ，ＤＢの中
間位置に集光されることになる。
の片側２個のフォトダイオードＤＡ，ＤＢ（又はＤＣ，
ＤＤ）間には、電気的，光学的アイソレーションのため
の分離帯１２０が形成されている。この結果、フォーカ
スエラー信号がほぼ「０」のとき、すなわちフォーカス
グレーティングカップラ１１０によって空間光に変換さ
れたレーザ光が光ディスク１１２上でちょうど合焦状態
にある場合、戻り光はフォトダイオードＤＡ，ＤＢの中
間位置に集光されることになる。
【０００９】同図（Ｄ）には、このときの様子が示され
ており、入射光の一部は矢印Ｆ２で示すように光電変換
されないまま分離帯１２０を突き抜けることになる。従
って、戻り光が有効に活用されず、トラッキングエラー
信号やＲＦ信号のＳ／Ｎの劣化を招くことになる。この
ような不都合を低減して戻り光を有効に活用するために
は、分離帯１２０の幅を狭くすればよい。
ており、入射光の一部は矢印Ｆ２で示すように光電変換
されないまま分離帯１２０を突き抜けることになる。従
って、戻り光が有効に活用されず、トラッキングエラー
信号やＲＦ信号のＳ／Ｎの劣化を招くことになる。この
ような不都合を低減して戻り光を有効に活用するために
は、分離帯１２０の幅を狭くすればよい。
【００１０】ところが、グレーティングビームスプリッ
タ１０８は回折現象を利用しているので、光源波長の変
動や、導波路の実効屈折率の作製誤差などの影響を受
け、これによってフォトダイオードＤＡ〜ＤＤに対する
戻り光の集光位置が変化するようになる。この結果、少
しでも戻り光の入射位置が変化すると、戻り光が分離帯
１２０を通過するようになって対のフォトダイオードＤ
Ａ，ＤＢ（又はＤＣ，ＤＤ）の一方の出力が大きくな
り、たとえば合焦点位置でフォーカスエラー信号が
「０」にならなくなる。
タ１０８は回折現象を利用しているので、光源波長の変
動や、導波路の実効屈折率の作製誤差などの影響を受
け、これによってフォトダイオードＤＡ〜ＤＤに対する
戻り光の集光位置が変化するようになる。この結果、少
しでも戻り光の入射位置が変化すると、戻り光が分離帯
１２０を通過するようになって対のフォトダイオードＤ
Ａ，ＤＢ（又はＤＣ，ＤＤ）の一方の出力が大きくな
り、たとえば合焦点位置でフォーカスエラー信号が
「０」にならなくなる。
【００１１】従って、分離帯１２０を狭くすると、逆に
作製誤差によるフォーカスエラー信号のアンバランスが
大きくなってしまうことになる。本発明は、これらの点
に着目したもので、信号のＳ／Ｎや、波長変動などの作
製誤差に対する許容度の向上を図ることができる光学式
ヘッド装置を提供することを、その目的とする。
作製誤差によるフォーカスエラー信号のアンバランスが
大きくなってしまうことになる。本発明は、これらの点
に着目したもので、信号のＳ／Ｎや、波長変動などの作
製誤差に対する許容度の向上を図ることができる光学式
ヘッド装置を提供することを、その目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、分離帯を挟ん
で対に形成された第１及び第２の受光手段が導波路中に
設けられており、これによって光学情報記録面からの戻
り光を検出する光学式ヘッド装置において、前記第１及
び第２の受光手段における戻り光の入射側と反対側であ
って、前記分離帯を遮る位置に、第３の受光手段を設け
たことを特徴とする。
で対に形成された第１及び第２の受光手段が導波路中に
設けられており、これによって光学情報記録面からの戻
り光を検出する光学式ヘッド装置において、前記第１及
び第２の受光手段における戻り光の入射側と反対側であ
って、前記分離帯を遮る位置に、第３の受光手段を設け
たことを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明によれば、第１及び第２の受光手段の戻
り光入射側と反対側には、分離帯を遮るように第３の受
光手段が設けられる。このため、分離帯を通過した戻り
光は、第３の受光手段によって光電変換されるようにな
り、この信号を利用してＲＦ信号やトラッキングエラー
信号が演算される。また、第１及び第２の受光手段を分
離する分離帯の幅を広くすることによって、波長変動な
どに伴う作製誤差が低減される。
り光入射側と反対側には、分離帯を遮るように第３の受
光手段が設けられる。このため、分離帯を通過した戻り
光は、第３の受光手段によって光電変換されるようにな
り、この信号を利用してＲＦ信号やトラッキングエラー
信号が演算される。また、第１及び第２の受光手段を分
離する分離帯の幅を広くすることによって、波長変動な
どに伴う作製誤差が低減される。
【００１４】
【実施例】以下、本発明による光学式ヘッド装置の一実
施例について、添付図面を参照しながら説明する。な
お、上述した従来例と同様または相当する構成部分につ
いては、同一の符号を用いる。図１には、本実施例の平
面が示されている。また、図２には主要部分が拡大して
示されている。同図において、基板１０２の所定端面に
は、半導体レーザ１００が結合されており、これから出
力された発散レーザ光は、矢印ＦＡで示すように基板１
０２上の導波層１０６中を伝搬するようになっている。
このレーザ光の進行方向には、グレーティングビームス
プリッタ１０８，フォーカスグレーティングカップラ
（ＦＧＣ）１１０が各々設けられており、その回折作用
によって空間光に変換されて光ディスク１１２（図３参
照）に入射するようになっている。
施例について、添付図面を参照しながら説明する。な
お、上述した従来例と同様または相当する構成部分につ
いては、同一の符号を用いる。図１には、本実施例の平
面が示されている。また、図２には主要部分が拡大して
示されている。同図において、基板１０２の所定端面に
は、半導体レーザ１００が結合されており、これから出
力された発散レーザ光は、矢印ＦＡで示すように基板１
０２上の導波層１０６中を伝搬するようになっている。
このレーザ光の進行方向には、グレーティングビームス
プリッタ１０８，フォーカスグレーティングカップラ
（ＦＧＣ）１１０が各々設けられており、その回折作用
によって空間光に変換されて光ディスク１１２（図３参
照）に入射するようになっている。
【００１５】次に、光ディスク１１２によって反射され
たレーザ光は、光路を逆に進行して再びフォーカスグレ
ーティングカップラ１１０に入射し、ここで導波光に変
換されて導波路を逆進するようになっている。グレーテ
ィングビームスプリッタ１０８は、この導波光を波面２
分割して矢印ＦＢ方向に出力するために設けられてい
る。そして、分割後の導波光の進行方向には、フォトダ
イオードＤＡ〜ＤＤが各々設けられている。
たレーザ光は、光路を逆に進行して再びフォーカスグレ
ーティングカップラ１１０に入射し、ここで導波光に変
換されて導波路を逆進するようになっている。グレーテ
ィングビームスプリッタ１０８は、この導波光を波面２
分割して矢印ＦＢ方向に出力するために設けられてい
る。そして、分割後の導波光の進行方向には、フォトダ
イオードＤＡ〜ＤＤが各々設けられている。
【００１６】更に、フォトダイオードＤＡ，ＤＢ（又は
ＤＣ，ＤＤ）の後部，すなわち光ディスク１１２からの
戻り光が分離帯１２０を通過した位置には、フォトダイ
オードＤＥ，ＤＦが各々設けられている。これらのフォ
トダイオードＤＥ，ＤＦの構造は、図４に示したフォト
ダイオードＤＡ〜ＤＤと同様である。これらのフォトダ
イオードＤＡ〜ＤＦの各信号出力側は、適宜の電極を介
して演算回路１０の入力側に接続されている。
ＤＣ，ＤＤ）の後部，すなわち光ディスク１１２からの
戻り光が分離帯１２０を通過した位置には、フォトダイ
オードＤＥ，ＤＦが各々設けられている。これらのフォ
トダイオードＤＥ，ＤＦの構造は、図４に示したフォト
ダイオードＤＡ〜ＤＤと同様である。これらのフォトダ
イオードＤＡ〜ＤＦの各信号出力側は、適宜の電極を介
して演算回路１０の入力側に接続されている。
【００１７】以上のような構造の光学式ヘッド装置の作
製方法としては、フォトダイオードＤＡ〜ＤＤの形成工
程において、フォトダイオードＤＥ，ＤＦを加えるよう
にすればよい。例えば、Ｓｉ基板１０２上にバッファ層
１０４として熱酸化膜をまず作製する。そして、この熱
酸化膜のうちのフォトダイオードＤＡ〜ＤＦに相当する
部分を、フォトリソグラフィ技術によりエッチングす
る。更に、レジストなどによるマスクの形成後にフォト
ダイオードＤＡ〜ＤＦに相当する部分にイオン注入を行
う。その後、高温アニールを行って注入イオンを活性化
しｐ−ｎ接合を形成する。この上に、例えばコーニング
社製の「７０５９」ガラス層を数μｍ形成し、これを光
導層１０６とする。
製方法としては、フォトダイオードＤＡ〜ＤＤの形成工
程において、フォトダイオードＤＥ，ＤＦを加えるよう
にすればよい。例えば、Ｓｉ基板１０２上にバッファ層
１０４として熱酸化膜をまず作製する。そして、この熱
酸化膜のうちのフォトダイオードＤＡ〜ＤＦに相当する
部分を、フォトリソグラフィ技術によりエッチングす
る。更に、レジストなどによるマスクの形成後にフォト
ダイオードＤＡ〜ＤＦに相当する部分にイオン注入を行
う。その後、高温アニールを行って注入イオンを活性化
しｐ−ｎ接合を形成する。この上に、例えばコーニング
社製の「７０５９」ガラス層を数μｍ形成し、これを光
導層１０６とする。
【００１８】次に、以上のように構成された本実施例の
作用について説明する。半導体レーザ１００から出力さ
れたレーザ光は、導波層１０６中を矢印ＦＡ方向に伝搬
し、グレーティングビームスプリッタ１０８を介してフ
ォーカスグレーティングカップラ１１０に入射する。そ
して、その回折作用によって空間光に変換されて光ディ
スク１１２上に集光する。
作用について説明する。半導体レーザ１００から出力さ
れたレーザ光は、導波層１０６中を矢印ＦＡ方向に伝搬
し、グレーティングビームスプリッタ１０８を介してフ
ォーカスグレーティングカップラ１１０に入射する。そ
して、その回折作用によって空間光に変換されて光ディ
スク１１２上に集光する。
【００１９】次に、光ディスク１１２によって反射され
たレーザ光は、光路を逆に進行して再びフォーカスグレ
ーティングカップラ１１０に入射し、ここで導波光に変
換される。この導波光は、グレーティングビームスプリ
ッタ１０８によって波面２分割される。分割された戻り
レーザ光のうち、一方はフォトダイオードＤＡ，ＤＢ付
近に集光され、他方はフォトダイオードＤＣ，ＤＤ付近
に集光される。
たレーザ光は、光路を逆に進行して再びフォーカスグレ
ーティングカップラ１１０に入射し、ここで導波光に変
換される。この導波光は、グレーティングビームスプリ
ッタ１０８によって波面２分割される。分割された戻り
レーザ光のうち、一方はフォトダイオードＤＡ，ＤＢ付
近に集光され、他方はフォトダイオードＤＣ，ＤＤ付近
に集光される。
【００２０】この場合において、本実施例ではフォトダ
イオードＤＡ，ＤＢ又はＤＣ，ＤＤ間の分離帯１２０を
遮る位置にフォトダイオードＤＥ，ＤＦが各々設けられ
ている。このため、図２に矢印Ｆ２で示すように分離帯
１２０を進行する戻り光は、フォトダイオードＤＥ，Ｄ
Ｆに入射して光電変換されることになる。そして、これ
らを含むフォトダイオードＤＡ〜ＤＦによる各検出信号
が演算回路１０に各々入力される。
イオードＤＡ，ＤＢ又はＤＣ，ＤＤ間の分離帯１２０を
遮る位置にフォトダイオードＤＥ，ＤＦが各々設けられ
ている。このため、図２に矢印Ｆ２で示すように分離帯
１２０を進行する戻り光は、フォトダイオードＤＥ，Ｄ
Ｆに入射して光電変換されることになる。そして、これ
らを含むフォトダイオードＤＡ〜ＤＦによる各検出信号
が演算回路１０に各々入力される。
【００２１】演算回路１０では、フォトダイオードＤＡ
〜ＤＦによる各検出信号Ａ〜Ｆに対して、次のような演
算が行われる。まず、フォーカスエラー信号は、たとえ
ば（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）の演算によって求められる。
これは、従来と同様である。次に、トラッキングエラー
信号は、たとえば（Ａ＋Ｂ＋Ｅ）−（Ｃ＋Ｄ＋Ｆ）の演
算によって求められる。従来は、たとえば（Ａ＋Ｂ）−
（Ｃ＋Ｄ）によって求めていたが、フォトダイオードＤ
Ｅ，ＤＦによって分離帯１２０から漏れた光の成分を検
出できるので、これを加えてトラッキングエラー信号を
得るようにすれば、Ｓ／Ｎの向上を図ることができる。
〜ＤＦによる各検出信号Ａ〜Ｆに対して、次のような演
算が行われる。まず、フォーカスエラー信号は、たとえ
ば（Ａ＋Ｄ）−（Ｂ＋Ｃ）の演算によって求められる。
これは、従来と同様である。次に、トラッキングエラー
信号は、たとえば（Ａ＋Ｂ＋Ｅ）−（Ｃ＋Ｄ＋Ｆ）の演
算によって求められる。従来は、たとえば（Ａ＋Ｂ）−
（Ｃ＋Ｄ）によって求めていたが、フォトダイオードＤ
Ｅ，ＤＦによって分離帯１２０から漏れた光の成分を検
出できるので、これを加えてトラッキングエラー信号を
得るようにすれば、Ｓ／Ｎの向上を図ることができる。
【００２２】更に、ＲＦ信号は、たとえばＡ＋Ｂ＋Ｃ＋
Ｄ＋Ｅ＋Ｆの演算によって求められる。この場合も、フ
ォトダイオードＤＥ，ＤＦによる検出信号を加算するこ
とでＳ／Ｎの向上を図ることができる。また、フォトダ
イオードＤＥ，ＤＦを設けることによってＲＦ信号，ト
ラッキングエラー信号のＳ／Ｎが向上するので、フォー
カスエラー信号のＳ／Ｎの低下が生じない範囲で分離帯
１２０の幅を大きくすることができる。これによっ
て、、波長変動などの作製誤差に対するフォーカスエラ
ー信号のバランスの劣化を低減することができる。
Ｄ＋Ｅ＋Ｆの演算によって求められる。この場合も、フ
ォトダイオードＤＥ，ＤＦによる検出信号を加算するこ
とでＳ／Ｎの向上を図ることができる。また、フォトダ
イオードＤＥ，ＤＦを設けることによってＲＦ信号，ト
ラッキングエラー信号のＳ／Ｎが向上するので、フォー
カスエラー信号のＳ／Ｎの低下が生じない範囲で分離帯
１２０の幅を大きくすることができる。これによっ
て、、波長変動などの作製誤差に対するフォーカスエラ
ー信号のバランスの劣化を低減することができる。
【００２３】なお、本発明は何ら上記実施例に限定され
るものではなく、たとえば次のようなものも含まれる。 （１）前記実施例では、フォトダイオードＤＡ〜ＤＤに
おいてバッファ層１０４が多少残っているが（図４
（Ｂ），（Ｃ）参照）、導波層１０６が基板１０２に接
するようにしたり、分離帯１２０におけるバッファ層１
０４を前記実施例よりも薄くしたりするなどの変更が可
能である。その他、フォーカスグレーティングカップラ
の代わりにリニアグレーティングカップラを用いるなど
の変更も可能である。 （２）演算回路１０における演算についても何ら上記実
施例に限定されるものではなく、必要に応じて適宜変更
してよい。
るものではなく、たとえば次のようなものも含まれる。 （１）前記実施例では、フォトダイオードＤＡ〜ＤＤに
おいてバッファ層１０４が多少残っているが（図４
（Ｂ），（Ｃ）参照）、導波層１０６が基板１０２に接
するようにしたり、分離帯１２０におけるバッファ層１
０４を前記実施例よりも薄くしたりするなどの変更が可
能である。その他、フォーカスグレーティングカップラ
の代わりにリニアグレーティングカップラを用いるなど
の変更も可能である。 （２）演算回路１０における演算についても何ら上記実
施例に限定されるものではなく、必要に応じて適宜変更
してよい。
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による光学
式ヘッド装置によれば、対に形成された光電変換手段に
おける戻り光入射側の反対側であって、それらの分離帯
を遮る位置に他の光電変換手段を設けることとしたの
で、検出信号のＳ／Ｎや、波長変動などの作製誤差に対
する許容度の向上を図ることができるという効果があ
る。
式ヘッド装置によれば、対に形成された光電変換手段に
おける戻り光入射側の反対側であって、それらの分離帯
を遮る位置に他の光電変換手段を設けることとしたの
で、検出信号のＳ／Ｎや、波長変動などの作製誤差に対
する許容度の向上を図ることができるという効果があ
る。
【図１】本発明による光学式ヘッド装置の一実施例の構
成を示す平面図である。
成を示す平面図である。
【図２】前記実施例の主要部分を示す斜視図である。
【図３】集積化された光学式ヘッド装置の従来例を示す
斜視図である。
斜視図である。
【図４】前記従来例の問題点を示す説明図である。
１０…演算回路、１００…半導体レーザ、１０２…基
板、１０４…バッファ層、１０６…導波層（導波路）、
１０８…グレーティングビームスプリッタ、１１０…フ
ォーカスグレーティングカップラ、１１２…光ディス
ク、１２０…分離帯、ＤＡ〜ＤＤ…フォトダイオード
（第１又は第２の受光手段）、ＤＥ，ＤＦ…（第３の受
光手段）、Ｆ１，Ｆ２，ＦＡ，ＦＢ…矢印。
板、１０４…バッファ層、１０６…導波層（導波路）、
１０８…グレーティングビームスプリッタ、１１０…フ
ォーカスグレーティングカップラ、１１２…光ディス
ク、１２０…分離帯、ＤＡ〜ＤＤ…フォトダイオード
（第１又は第２の受光手段）、ＤＥ，ＤＦ…（第３の受
光手段）、Ｆ１，Ｆ２，ＦＡ，ＦＢ…矢印。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年３月３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】ところが、グレーティングビームスプリッ
タ１０８は回折現象を利用しているので、光源波長の変
動や、導波路の実効屈折率の作製誤差などの影響を受
け、これによってフォトダイオードＤＡ〜ＤＤに対する
戻り光の集光位置が変化するようになる。この結果、少
しでも戻り光の入射位置が変化すると対のフォトダイオ
ードＤＡ，ＤＢ（又はＤＣ，ＤＤ）の一方の出力が大き
くなり、たとえば合焦点位置でフォーカスエラー信号が
「０」にならなくなる。
タ１０８は回折現象を利用しているので、光源波長の変
動や、導波路の実効屈折率の作製誤差などの影響を受
け、これによってフォトダイオードＤＡ〜ＤＤに対する
戻り光の集光位置が変化するようになる。この結果、少
しでも戻り光の入射位置が変化すると対のフォトダイオ
ードＤＡ，ＤＢ（又はＤＣ，ＤＤ）の一方の出力が大き
くなり、たとえば合焦点位置でフォーカスエラー信号が
「０」にならなくなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】このように、分離帯１２０を狭くすると、
逆に作製誤差によるフォーカスエラー信号のアンバラン
スが大きくなってしまうことになる。本発明は、これら
の点に着目したもので、信号のＳ／Ｎや、波長変動など
の作製誤差に対する許容度の向上を図ることができる光
学式ヘッド装置を提供することを、その目的とする。
逆に作製誤差によるフォーカスエラー信号のアンバラン
スが大きくなってしまうことになる。本発明は、これら
の点に着目したもので、信号のＳ／Ｎや、波長変動など
の作製誤差に対する許容度の向上を図ることができる光
学式ヘッド装置を提供することを、その目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【符号の説明】 １０…演算回路、１００…半導体レーザ、１０２…基
板、１０４…バッファ層、１０６…導波層（導波路）、
１０８…グレーティングビームスプリッタ、１１０…フ
ォーカスグレーティングカップラ、１１２…光ディス
ク、１２０…分離帯、ＤＡ〜ＤＤ…フォトダイオード
（第１又は第２の受光手段）、ＤＥ，ＤＦ…フォトダイ
オード（第３の受光手段）、Ｆ１，Ｆ２，ＦＡ，ＦＢ…
矢印。
板、１０４…バッファ層、１０６…導波層（導波路）、
１０８…グレーティングビームスプリッタ、１１０…フ
ォーカスグレーティングカップラ、１１２…光ディス
ク、１２０…分離帯、ＤＡ〜ＤＤ…フォトダイオード
（第１又は第２の受光手段）、ＤＥ，ＤＦ…フォトダイ
オード（第３の受光手段）、Ｆ１，Ｆ２，ＦＡ，ＦＢ…
矢印。
フロントページの続き (72)発明者 井上 弘 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 大山 実 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内 (72)発明者 昆野 俊男 神奈川県横浜市神奈川区守屋町３丁目12番 地 日本ビクター株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 分離帯を挟んで対に形成された第１及び
第２の受光手段が導波路中に設けられており、これによ
って光学情報記録面からの戻り光を検出する光学式ヘッ
ド装置において、前記第１及び第２の受光手段における
戻り光の入射側と反対側であって、前記分離帯を遮る位
置に、第３の受光手段を設けたことを特徴とする光学式
ヘッド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3340067A JPH05151608A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光学式ヘツド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3340067A JPH05151608A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光学式ヘツド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05151608A true JPH05151608A (ja) | 1993-06-18 |
Family
ID=18333409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3340067A Pending JPH05151608A (ja) | 1991-11-29 | 1991-11-29 | 光学式ヘツド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05151608A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831004A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Fujitsu Ltd | 光学的情報記録／再生装置及び集積ヘッド |
-
1991
- 1991-11-29 JP JP3340067A patent/JPH05151608A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0831004A (ja) * | 1994-07-15 | 1996-02-02 | Fujitsu Ltd | 光学的情報記録／再生装置及び集積ヘッド |
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