JPH0453007B2 - - Google Patents

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JPH0453007B2
JPH0453007B2 JP60075877A JP7587785A JPH0453007B2 JP H0453007 B2 JPH0453007 B2 JP H0453007B2 JP 60075877 A JP60075877 A JP 60075877A JP 7587785 A JP7587785 A JP 7587785A JP H0453007 B2 JPH0453007 B2 JP H0453007B2
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optical waveguide
thin film
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film optical
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Teruo Fujita
Keizo Kono
Mitsushige Kondo
Shinsuke Shikama
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は光デイスクなどの情報記録媒体から
情報を読出し、或は書込む光ヘツドの焦点誤差検
出装置に関するもので、特に光導波路を用いた光
ヘツドの焦点誤差検出装置に関するものである。
[従来の技術] 第16図a,bは特開昭58−130448号に示され
た従来の光導波路を用いた光ピツクアツプの構成
図である。図において、1は半導体レーザなどの
発光源、2は基板3上に形成された薄膜光導波路
で、上記発光源1から射出され光導波路2中を伝
搬する導波光は第1の回折格子5により空間中に
取出されて集光点6に集光される。7は光デイス
クなどの情報記録媒体、8はこの情報記録媒体7
の情報記録面9からの、反射光を光検知器10に
導くため基板3の裏面に設けられた第2の回折格
子、11は収束球面波である。
上記第1の回折格子5は、薄膜光導波路2の伝
搬する導波光4を集光点6に収束する球面波11
に変換するもので、この回折格子5のパターンは
薄膜光導波路2上での導波光4の位相と同じ光導
波路2上での収束球面波11の位相の差から求め
られる。この回折格子5はその働きから集光グレ
ーデイングカツプラ(focusing grating
coupler:FGC)と名付けれており、Heitmann
等により“Calculation and Experimental
Verification of Two−Dimensional Focusing
Grating Coupler”,IEEE Journal of Quantum
Electronics,QE−17,PP1257〜1263(1981)に、
又、松岡、栖原、西原、小山により“電子ビーム
描画作製による集光グレーテイングカツプラ”電
子通信学会研究会報告MW83−88,PP47〜54
(1983)に報告されている。そして、情報記録面
9から反射された光の一部は薄膜光導波路2、基
板3を通過し、基板裏面に到達する。基板裏面に
設けられた第2の回折格子8は円筒レンズと収束
レンズの働きを合わせもつもので、透過波面に非
点収差を生じさせる。この回折格子レンズについ
ては特開昭58−130448号の著者らが応用物理学会
講演会予稿、26p−s−5,P.170(1983秋)で報
告している。図において、非点収差をもつた反射
光12は光検知器10に導かれ、非点収差法によ
り焦点誤差検出、および、ビーム2分割によるブ
ツシユプル法によりトラツキング誤差検出が可能
である。
[発明が解決しようとする問題点] しかるに第16図に示した光ヘツドでは焦点誤
差検出、トラツキング誤差検出のための反射光の
処理が光導波路2外の空間的に離れた光検知器1
0で行われる構成であるため、光検知器10の3
軸調整が必要で、又、光ヘツドが小型化できない
という欠点を有していた。
この発明はかかる問題点を解決するためになさ
れたものであり、焦点誤差検出のための検知器の
位置調整を容易とし、光ヘツドの小型化、薄型化
を図り、光導波路を用いた光ヘツドに適すると共
に、特に情報記録面からの反射光のビーム断面内
に強度分布の変動が生じた場合であつても正しい
焦点誤差信号を得ることができる焦点誤差検出装
置を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] この発明に係る焦点誤差検出装置は、集光用の
回折格子により集光された光の集光点の情報記録
面に対する上下相対変位位置に応じ、薄膜光導波
路の表裏面に相対向して設けられた2個の受光用
回折格子のいずれかにより上記情報記録面からの
反射光が最高の変換効率で導波光に変換され、こ
の導波光に基づき上記薄膜光導波路に設けられた
光検知器にて焦点誤差検出を行なう構成である。
[作用] この発明においては、情報記録面からの反射光
を受光する2つの回析格子と該2つの回析格子か
らの各導波光に基づき焦点誤差の検出を行なう光
検知器とを薄膜光導波路に一体的に設けたことか
ら、光ヘツドの薄型化、小型化が実現でき、また
半導体レーザ、光検知器、回析格子などが同一基
板上に形成できるため光検知器の位置調整が容易
となり、さらに反射光ビーム断面内に強度分布の
変動が生じた場合においても正しい焦点誤差信号
を得ることとなる。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を第1図a,b,
c,dに基づいて説明する。第1図aに本実施例
の受光用回析格子の断面図、第1図cに第2の受
光用回析格子の配置図、第1図dに第1、第2の
各受光用回析格子による反射光の差を求める検出
回路図を示し、上記各図において1〜7及び11
は前記従来装置と同一の構成であり、上記各図に
おいて本実施例に係る光ヘツドの焦点誤差検出装
置は、集光用の回析格子5により集光された光の
集光点6の情報記録面9に対する上下相対変位位
置に応じ、薄膜光導波路2の表裏面に相対向して
設けられた第1及び第2の受光用回析格子15,
18のいずれかにより上記情報記録面9からの反
射光14が最高の変換効率で導波光に変換され、
この導波光に基づき上記薄膜光導波路2に設けら
れた光検知器17,18にて焦点誤差検出を行な
う構成である。
第1図aにおいて、13は情報記録面9上の情
報ビツト、14は情報記録面9からの反射光、1
5はこの反射光14を再び導波光16に変換し、
光検知器17に導くための第1の受光用回析格子
である。この第1の受光用回析格子15は、薄膜
光導波路2上に形成された凹凸の断面形状を有す
るレリーフ型回析格子である。
一方、第1図b,cに示された18は反射光1
4をもう一つの導波光19に変換し、光検知器2
0に導くための第2の受光用回析格子である。こ
の第2の受光用回析格子18は薄膜光導波路2基
板3の境界面に凹凸形状にて形成されている。た
だし、上記第1の受光用回析格子15は情報記録
面9が集光点6より上方にある時、反射光14の
導波光16への変換効率が最高となるように、
又、上記第2の受光用回析格子18は、上記第1
の受光用回析格子15とは逆に、情報記録面9が
集光点6より下方にある時、反射光14の導波光
19への変換効率が最高となるように設計されて
いる。
従つて第1図dに示すように差動増巾器22を用
い、光検知器17,20の出力の差出力を得るこ
とにより、焦点誤差信号Efを取出すことが可能
となる。また、薄膜光導波路2上に設けられた切
り込み21は、第1の回析格子5によつて収束球
面波11に変換されなかつた導波光が受光側の薄
膜光導波路2に侵入することを防ぐために設けた
ものである。
次に、第1及び第2の受光用光析格子15,1
8の形状について第2図、第3図、第4図を用い
詳しく説明を行う。第2図は焦点ずれがない場合
の光束の状態を示すもので、図において回析格子
5によつて薄膜光導波路2から取り出された収束
球面波11は集光点6に収束後、情報記録面9に
より反射され発散球面波14となる。ここで、収
束球面波11の主光線23と薄膜光導波路2に立
てた法線のなす角をΨ、薄膜光導波路2と情報記
録面9の間隙をf cosΨとし、薄膜光導波路2
と情報記録面9が平行であつて、この主光線23
が情報記録面9で反射後薄膜光導波路2に再び入
射する点24を座標の原点に選び薄膜光導波路2
の上面をy軸にとり、入射する点24を含む法線
をz軸とすると、集光点6の座標はP(0,−f
sinΨ,f cosΨ)と表わされ、発散球面波14
の薄膜光導波路2上での位相Ф1は、 Ф1=2π/λ√2+(+ )2
+( )2……(1) λ:光源の空気中での波長 で与えられる。
これに対し、焦点ずれがある場合の光束の状態
を第3図及び第4図に示す。第3図は、情報記録
面9が集光点6から上方にΔ1(>0)離れた位置
にある場合を示しており、情報記録面9からの反
射光束25は点P′(0,−f sinΨ,f cosΨ+
1)から発散する球面波で表すことができる。
従つて、この反射光束25の薄膜光導波路2上の
位相Ф1′は Ф1′=2π/λ√2+(+
2+( +212……(2) で与えられる。
第1の受光用回析格子15は、この反射光束2
5を光検知器17に向かう導波光16に変換する
機能を果たすものであるから、導波光16の位相
をФ2(x,y)とすれば、 ΔФ=Ф1′−Ф2=2mπ+定数(m:整数)
……(3) を満たす曲線群が第1の受光用回析格子15の導
波路面内での2次元形状を与えることになる。即
ち、第1の受光用回析格子15を構成するm番目
の曲線の形状が3式を満たす(x,y)の軌跡と
して与えられるのである。この第1の受光用回析
格子15は点P′を中心とする発散球面波が入射す
る時導波光16も最も強く励起する(なお、回析
格子を用いた空間を伝搬する光を導波光に変換す
る素子については、例えば、西原、小山著「光波
電子光学」、PP248〜249(コロナ社)に記載され
ている。
次に、第4図に示すように、情報記録面9が集
光点6から下方にΔ2(Δ1)離れた位置にある場
合について説明する。この時情報記録面9からの
反射光束26は点P″(0,−f sinΨ,f cosΨ
−2Δ2)から発散する球面波で表わすことがで
き、この反射光束26の薄膜光導波路2上での位
相Ф1″は ΔФ1″=2π/λ√2+(+
2+( +222……(4) で与えられる。
第2の受光用回析格子18は、この反射光束2
6を光検知器20に向かう導波光19に変換する
機能を果たすものであり、導波光19の位相をФ
(x,y)とすれば、 ΔФ′=Ф1″−Ф3=2nπ+定数(n:整数)
……(5) を満たす曲線群が第2の受光用回析格子18の導
波路面内での2次元形状を与えることになる。こ
の第2の受光用回析格子18は、点P″を中心と
する発散球面波が入射する時導波光19も最も強
く励起する。
なお、回析格子15,18は、レリーフ型の回
析格子であるとしていたが、薄膜光導波路2中に
屈析率分布を生じさせて各々の回析格子5,1
5,18を形成することも可能である。
次に上記のように構成された焦点誤差検出装置
の動作を第5図、第6図、第7図、第8図、第9
図、第10図、第11図を用いて、以下に説明す
る。まず、第5図は、情報記録面19が集光点6
より上方にΔ1(>0)離れた位置にある場合を示
す。即ち、反射光束の発散中心がP″(0,−f
sinΨ,f cosΨ−2Δ2)にある場合を示してい
る。このとき、第1の受光用回析格子15による
反射光束25の導波光16への変換効率η1が最高
になるのは、先に第3図で説明した通りである。
一方、第2の受光用回析格子18は、情報記録面
9が集光点6よりΔ2(>0)下方に位置する場
合、即ち、発散球面波である反射光束25の発散
中心が点P″(0,−f sinΨ,f cosΨ−2Δ2
にある時における反射光束の導波光19への変換
効率が最高になるように設計されている。ところ
で、反射光束25の発散中心は点P″からδ2=2Δ1
+2Δ2だけ離れているため反射光束25の薄膜光
導波路2上での波面は点P″を発散中心とする球
面波の波面とは異なつたものとなつている。従つ
て第2の受光用回析格子18による反射光束25
の導波光19への年間効率η2は低い。第10図は
導波光16,19の強度を電気信号に変換する光
検知器17,20の各出力E1,E2を示している。
第5図に示したように焦点ずれΔfがΔ1である状
態では、E1が最大となりE2は極めて小さい。
次に第6図において、情報記録面9が集光点6
から上方へΔ3(Δ1>Δ3>0)離れた位置(Δf
Δ3)にある場合、即ち、反射光束25の発散中
心が点P″′(0,−f sinΨ,f cosΨ+2Δ3)に
ある場合について説明する。第1の受光用回析格
子15による変換効率η1は、情報記録面9からの
反射光束25が点P′(0,−f sinΨ,f cosΨ
−2Δ1)を中心とする発散球面波である場合、最
高となるように設計されている。ところで、第6
図では反射光束25の発散中心と点P′の間隔δ1
1−2Δ3(>0)となるため、反射光束25の薄
膜光導波路2上での波面は、点P′を中心とする発
散球面波の波面と異なつてくる。従つて、第1の
受光用回析格子15の変換効率η1は、Δf=Δ1
ある第5図の場合に比べて若干低下し、光検知器
17の出力E1も低下する。
一方、第2の受光用回析格子18の変換効率η2
は、反射光束が点P″(0,−f sinΨ,f cosΨ
−2Δ2)を中心とする発散球面波である場合、最
高となるように設計されている。第6図において
反射光束の発散中心と点P″の間隔δ2は、2Δ2
3(δ2<2Δ1+2Δ2)となり、第5図に比べて発
散中心は点P″に接近する。従つて、変換効率η2
は、第5図の場合に比べ若干増加し、光検知器2
0の出力E2も同様に増加する。
更に、第7図は回析格子5から射出される収束
球面波11の集光点6が情報記録面9上に存在す
る場合(Δf=0)、即ち反射光束14の発散中心
が点P(0,−f sinΨ,f cosΨ)にある場合
を示している。このとき点Pは点P′(0,−f
sinΨ,f cosΨ+2Δ1)および点P″(0,−f
sinΨ,f cosΨ+2Δ2)(Δ1Δ2)からほぼ等距
離(δ1δ2)になるため、点Pを発散中心とする
反射光束14の薄膜光導波路2上での波面と点
P′を中心とする発散球面波の波面との差は、点P
を中心とする前記反射光束14の波面と点P″を
中心とする発散球面波の波面との差とほぼ等しく
なる。従つて導波光16への変換効率η1導波光1
9への変換効率η2はほぼ等しくなり、光検知器1
7および20の出力E1およびE2もほぼ等しい。
第8図は情報記録面9が集光点6より更にΔ4
(0<Δ4<Δ2)下がつた状態(Δf=−Δ4)を示し
ている。この場合反射光束26の発散中心はP(4)
(0,−f sinΨ,f cosΨ−2Δ4)にあり、発
散中心とP′(0,−f sinΨ,f cosΨ+2Δ1
の間隔δ1が2Δ1+2Δ4と第7図の場合に比べて増
加するが、発散中心とP″(0,−f sinΨ,f
cosΨ−2Δ2)の間隔δ2は2Δ2−2Δ4となり第7図
の場合に比べ減少する。従つて、第1の受光用回
析格子15による変換効率η1は、更に低下する一
方、第2の受光用回析格子18による変換効率η2
は増加する。
最後に第9図において、情報記録面9が集光点
6よりΔ2下がつた状態Δf=−Δ2での動作につい
て説明する。この場合反射光束の発散中心は
P″にあり、発散中心とP′の間隔δ1は2Δ1+2Δ2
第8図の場合に比べて更に増加するため、第1の
受光用回析格子15による変換効率η1は、更に低
下する。一方、発散中心とP″の間隔δ2は0となる
ため、第4図で、説明したように変換効率η2は最
大となる。
第10図は第5図、第6図、第7図、第8図及
び第9図の説明で用いた反射光束の発散中心の位
置を示したものである。第11図a,bは集光点
ずれΔfに対する光検知器17,20の出力を示
したものであり、これら2出力の差動をとること
により、第12図に示すような焦点誤差信号Ef
を得ることができる。
なお、上記実施例では情報記録面9が情報記録
媒体7の表面に存在する場合を示したが、第13
図に示すように透明保護層27が情報記録面9を
覆つている場合でも同様の焦点誤差検出装置を構
成できるのは明らかである。
又、上記実施例では薄膜光導波路端面に2分割
光検知器を設けていたが、第14図a,bに示す
ように、薄膜光導波路内に光検知器を設けても良
い。光検知器を薄膜光導波路と一体化するために
は、基板材料としてはSi又はGaAsなどの半導体
材料が適当であり、第14図a,bにおいては、
n−Si基板を用い、光検知器としてPiNフオトダ
イオードを集積化した例が示されている。図にお
いて、28はn−Si基板、29はSiO2層、2は
薄膜光導波路、30,31はPiNフオトダイオー
ド、32はi層、33はP層、34,35,36
は電極である。このような薄膜光導波路中に設け
られた光検知器についてはD.Ostrowskyらによ
つて“Integrated Optical Photodetector”
Appl.Phys.Lett.,29,P.463(1973)などで報告
されている通りである。
更に、上記実施例では、薄膜光導波路端面に半
導体レーザ1がおかれているが、半導体レーザ自
身を回析格子、光検知器とともに基板上に集積化
する例も考えられる。第15図a,bは2重導波
路構造半導体レーザ(Integrated Twin‐
GuideLaser:ITG Laser)37を薄膜光導波路
2上に備えた例である。同図において38は活性
層、39,40はミラー、41,42は電極であ
り、上記活性層38内で発振したレーザ光は、分
布結合により薄膜光導波路2に導波され、導波光
4となる。ITGレーザについては、Y.Suematsu
らによつて“A Multi−Hetero−Al Ga As
Laser With Integrated Twin Guide”,
Proceedings of the IEEE.P.208(Jan.1975)など
で報告されている。
以上、要するに、この発明においては、情報面
からの反射光を受光し、薄膜光導波路に再び入射
させるために上記薄膜光導波路の表裏面めに相対
向して設けた2つの回析格子により情報記録面か
らの反射光を導波光に変換して、この導波光に基
づき光検知器にて焦点誤差を行う。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、集光用の回
析格子により集光された光の集光点の情報記録面
に対する上下相対変位位置に応じ、薄膜光導波路
の表裏面に相対向して設けられた2個の受光用回
析格子のいずれかにより上記情報記録面からの反
射光を最高の変換効率で導波光に変換し、この導
波光に基づき上記薄膜光導波路に設けられた光検
知器にて焦点誤差検出を行なう構成を採つたこと
から、光ツドの小型化、薄型化が実現でき、又
は、受光素子の位置調整を一切不要にするという
効果を奏すると共に、特に、情報記録面からの反
射光のビーム断面内に強度分布の変動が生じた場
合においても正しい焦点誤差信号を得ることがで
きる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す概略図、第
1図aは本実施例の全体斜視図、第1図bは本実
施例の受光用回析格子の断面図、第1図cは第2
の受光用回析格子の配置図、第1図dは第1、第
2の各受光用回析格子による反射光の差を求める
検出回路図、第2図は受光用回析格子との情報記
録媒体との関係図、第3図、第4図、第5図、第
6図、第7図、第8図、第9図は受光用回析格子
の作用を説明するための概略図、第3図a、第4
図a、第5図a、第6図a、第7図a、第8図
a、第9図aは受光用回析格子の側面図、第3図
b、第4図b、第5図b、第6図b、第7図b,
c、第8図b,c、第9図b,cは受光用回析格
子の平面図、第10図は上記第5図ないし第9図
の集光点の各位置を示すグラフ、第11図は光検
知器の出力グラフ、第11図aは光検知器17の
出力グラフ、第11図bは光検知器20の出力グ
ラフ、第12図は焦点誤差検出特性グラフ、第1
3図、第14図、第15図はこの発明の他の実施
例を示す概略図、第16図は従来の光導波路を用
いた光ヘツドの光学系を示す概略図である。 図において、1は発光源、2は薄膜光導波路、
3は基板、4,16,19は導波光、5は回析格
子、6は集光点、7は情報記録媒体、8は第2の
回析格子、9は情報記録面、10,17,20は
光検知器、11は収束球面波、12,14は反射
光、13は情報ビツト、15は第1の受光用回析
格子、18は第2の受光用回析格子である。な
お、図中同一符号は同一又は相当部分を示すもの
とする。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 発光源からの射出光を導波する薄膜光導波路
    と、上記薄膜光導波路中の光を空間中に取出し情
    報記録面上に集光させるために前記薄膜光導波路
    上に設けられた集光用回折格子と、情報記録面か
    らの反射光を再び薄膜光導波路に導波するために
    薄膜光導波路の表裏面に相対向して設けた2個の
    受光用回折格子と、該2個の受光用回折格子にて
    薄膜光導波路に導波された導波光を電気信号に変
    換するための光検知器とを備え、上記集光用回折
    格子により集光された光の集光点の情報記録面に
    対する上下相対変位位置に応じ、上記2個の受光
    用回折格子のいずれかにより上記情報記録面から
    の反射光が最高の変換効率で導波光に変換され、
    この導波光に基づき上記薄膜光導波路に設けられ
    た光検知器にて焦点誤差検出を行なう構成とした
    ことを特徴とする光ヘツドの焦点誤差検出装置。 2 上記2個の受光用回折格子は薄膜光導波路上
    に設ける構成としたことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の光ヘツドの焦点誤差検出装置。 3 上記2個の受光用回折格子は薄膜光導波路中
    に設ける構成としたことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項記載の光ヘツドの焦点誤差検出装置。 4 上記2個の受光用回折格子は薄膜光導波路と
    基板との境界面に設ける構成としたことを構成と
    したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の光ヘツドの焦点誤差検出装置。 5 前記受光用回折格子が凹凸から成るレリーフ
    型回折格子であることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の光ヘツ
    ドの焦点誤差検出装置。 6 前記受光用回折格子が屈折率分布によって形
    成されていることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項ないし第4項のいずれかに記載の光ヘツドの
    焦点誤差検出装置。 7 前記光検知器を薄膜光導波路端面に取付けこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第6
    項のいずれかに記載の光ヘツドの焦点誤差検出装
    置。 8 前記光検知器を薄膜光導波路中に集積したこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第6
    項のいずれかに記載の光ヘツドの焦点誤差検出装
    置。 9 発光源を薄膜光導波路端面に取付けたことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第8項の
    いずれかに記載の光ヘツドの焦点誤差検出装置。 10 発光源と薄膜光導波路、回折格子、及び光
    検知器を一体化したことを特徴とする特許請求の
    範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載の光ヘ
    ツド焦点誤差検出装置。
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