JP2590804B2 - 光デイスクヘツドの焦点誤差検出装置 - Google Patents

光デイスクヘツドの焦点誤差検出装置

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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は光デイスクなどの情報記録媒体から情報を
読出し、或は書込む光ヘツドの焦点誤差検出装置に関す
るもので、特に光導波路を用いた光ヘツドの焦点誤差検
出装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第9図(a),(b)は特開昭58−130448号に示され
た従来の光導波路を用いた光ピツクアツプの構成図であ
る。図において、(1)は半導体レーザなどの発光源、
(2)は基板(3)上に形成された薄膜光導波路で、上
記発光源(1)から出射され光導波路(2)中を伝搬す
る導波光は第1の回折格子(5)により空間中に取出さ
れて集光点(6)に集光される。(7)は光デイスクな
どの情報記録媒体、(8)は情報記録面(9)から反射
された光を光検知器(10)に導くため基板(3)の裏面
に設けられた第2の回折格子、(11)は収束球面波であ
る。
上記第1の回折格子(5)は、薄膜光導波路(2)を
伝搬する導波光(4)を集光点(6)に収束する球面波
(11)に変換するもので、この回折格子(5)のパター
ンは薄膜光導波路(2)上での導波光(4)の位相と同
じく光導波路(2)上での収束球面波(11)の位相の差
から求められる。この回折格子(5)はその働きから集
光グレーテイングカツプラ(focusing grating couple
r:FGC)と名付けられており、Heitmann等により“Calcu
lation and Experimental Verification of Two−Dimen
sional Focusing Grating Coupler″,IEEE Journal of
Quantum Electronics,QE−17,PP1257〜1263(1981)
に、又、松岡、栖原、西原、小山により“電子ビーム描
画作製による集光グレーテイングカツプラ”電子通信学
会研究会報告MW83−88,PP47〜54(1983)に報告されて
いる。そして、情報記録面(9)から反射された光の一
部は薄膜光導波路(2)、基板(3)を通過し、基板裏
面に到達する。基板裏面に設けられた第2の回折格子
(8)は円筒レンズと収束レンズの働きを合わせもつも
ので、透過波面に非点収差を生じさせる。この回折格子
レンズについては特開昭58−130448号の著者らが応用物
理学会講演会予稿、26p−S−5,P.170(1983秋)で報告
している。非点収差をもつた反射光(12)は4分割光検
知器(10)に導かれ、非点収差法により焦点誤差検出、
および、ビーム2分割によるプツシユプル法によりトラ
ツキング誤差検出が可能である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかるに、第9図に示した光ヘツドでは焦点誤差検
出、トラツキング誤差検出のための反射光の処理が光導
波路(2)外の空間的に離れた光検知器(10)で行われ
る構成であるため、光検知器(10)の3軸調整が必要
で、又、光ヘツドが小型化できないという欠点を有して
いた。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたも
のであり、焦点誤差検出のための検知器の光軸調整を容
易とし、光ヘツドの小型化、薄型化を図り、光導波路を
用いた光ヘツドに適する新規な焦点誤差検出装置を提供
することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明によれば、情報記録面からの反射光を入射光
とし、この入射光の位相に対応する光量を有する導波光
に変換し、導波光を薄膜光導波路中に導波させる2個の
受光用の回折格子と、2個の受光用の回折格子からの各
々の導波光が集光する方向に設け、各々の導波光を電気
信号に変換する2個の受光素子とを備え、情報記録面の
位置が前記集光用の回折格子により集光した光の集光点
から変動したとき、一方の受光用の回折格子の導波光へ
の変換効率を前記他方の受光用の回折格子の導波光への
変換効率よりも大きくなるように構成し、2個の受光素
子の出力信号の差に応じて前記情報記録面の位置を補正
するように構成したものである。
また、受光素子を薄膜光導波路端面に取り付けたもの
である。
また、受光素子を薄膜光導波路内に集積したものであ
る。
また、発光源を薄膜光導波路端面に取り付けたもので
ある。
また、発光源、薄膜光導波路、回折格子および受光素
子を一体化したものである。
〔作用〕
この発明によれば、一方の受光用の回折格子の導波光
への変換効率を他方の受光用の回折格子の導波光への変
換効率よりも大きくなるように構成したので集光点付近
を変動する情報記録面の位置を検出する受光素子の検出
感度を調節することにより、情報記録面の位置を正確に
補正することが可能となる。。
また、2個の受光素子は2個の受光用の回折格子から
の各々の導波光が集光する方向に位置するので、その面
積を小さくすることができる。
また、受光素子を薄膜光導波路端面に取り付けたこと
により装置を小型にすることができかつ受光素子の位置
調整が容易になる。
また、受光素子を薄膜光導波路内に集積したことによ
り装置を小型にすることができ、かつ受光素子の位置調
整が容易になる。
また、発光源を薄膜光導波路端面に取り付けたことに
より装置を小型にすることができる。
また、発光源、薄膜光導波路、回折格子および受光素
子を一体化したことにより装置を小型にすることができ
るので、光ヘツドの小型化、薄型化が実現でき、かつ受
光素子の位置調整が容易になる。
〔実施例〕
第1図(a),(b)はこの発明の一実施例を示す構
成図で、(1)〜(7),(11)は上記従来装置と同一
のものである。(101)は情報記録面(9)上の情報ピ
ツト、(13)は情報記録面(9)からの反射光、(14)
は反射光(13)の一部を再び導波光(15)に変換し、2
分割光検知器(16)の1つの受光素子(17)に導く受光
用の回折格子、(18)は反射光(13)の残りを導波光
(19)に変換し、2分割光検知器(16)のもう一方の受
光素子(20)に導く受光用の回折格子である。受光素子
(17)は導波光(15)が集光する方向に設け、かつ受光
素子(20)は導波光(19)が集光する方向に設けてい
る。ただし回折格子(14)は情報記録面(9)が集光点
(6)より下方にある時、反射光(13)の導波光(15)
への変換効率が最高となるように、又、回折格子(18)
は、回折格子(14)とは逆に、情報記録面(9)が集光
点(6)より上方にある時、反射光(13)の導波光(1
9)への変換効率が最高となるように設計されている。
従つて第1図(b)に示すように差動増巾器(22)を用
い、受光素子(17)と(22)の出力の差出力を得ること
により、焦点誤差信号Efを取り出すことが可能となる。
また、薄膜光導波路(2)上に設けられた切り込み(2
1)は、回折格子(5)によつて収束球面波(11)に変
換されなかつた導波光が受光側の薄膜光導波路に侵入す
ることを防ぐために設けたものである。
次に、受光用の回折格子(14),(18)の形状につい
て第2図、第3図を用い詳しく説明を行う。第2図は焦
点ずれがない場合の光束の状態を示すもので、図におい
て回折格子(5)により薄膜光導波路(2)から取り出
された収束球面波(11)は集光点(6)に収束後、情報
記録面(9)により反射され発散球面波(13)となる。
ここで、収束球面波(11)の主光線(23)と薄膜光導波
路(2)に立てた法線のなす角を、薄膜光導波路
(2)と情報記録面(9)の間隔をf cosとし、薄膜
光導波路(2)と情報記録面(9)が平行であつて、こ
の主光線(23)が情報記録面(9)で反射後、薄膜光導
波路(2)に再び入射する点(24)を座標の原点に選ぶ
とすると、集光点(6)の座標はP(0,−f sin,f co
s)と表わされ、発散球面波(13)の薄膜光導波路
(2)上での位相Φは、 λ:光源の空気中での波長 で与えられる。
これに対し、焦点ずれがある場合の光束の状態を第3
図(a)に示す。図に示すように、情報記録面(9)が
焦点(6)から上方にΔ(>0)離れた位置にある場
合、情報記録面(9)からの反射光束(26)は点P′
(0,−f sin,f cos+2Δ)から発散する球面波
で表すことができる。従つて、この反射光束(26)の薄
膜光導波路(2)上の位相Φで与えられ、結合したい導波光(19)の位相をΦ(x,
y)とすれば、 ΔΦ=Φ′−Φ=2mπ+定数(m:整数)……(3) を満たす曲線群が回折格子(18)の2次元形状を与える
ことになる。
この回折格子(18)は点P′を中心とする発散球面波
(26)が入射する時導波光(19)を最も強く励起する
(なお、回折格子を用いた空間を伝搬する光を導波光に
変換する素子については、例えば、西原、小山著「光波
電子工学」、PP248〜249(コロナ社)を参照)。又、回
折格子(14)の形状は、回折格子(18)とは反対にΔ
に−Δを代入することにより得られる。
上記のように構成された焦点誤差検出装置の動作を以
下に説明する。情報記録面(9)が集光点(6)より上
方にΔ離れた位置にある状態を第3図(a)に示し
た。このとき、情報記録面(9)からの反射光(25)は
回折格子(18)によつて最高効率で導波光(19)に変換
される。しかし、回折格子(14)は情報記録面(9)が
集光点(6)より下方にΔ離れた位置にある時、反射
光を最も効率よく導波光(15)に変換するように設計さ
れているため、第3図(a)の状態では導波光(15)の
励起は弱い。
従つて、第4図(a)に示すように、2分割光検知器
(16)の受光素子(20)に入力する光量が増大する。
次に、集光点(6)が情報記録面(9)上にある時に
は反射光(25)の導波光(15)および(19)への結合は
ともに不完全であるが、そのずれは同程度である。
従つて、第4図(b)に示すように、導波光(15),
(19)がほぼ同じ強さで励起され、2分割光検知器(1
6)の両受光素子(17),(20)に入射する光量はほぼ
等しくなる。
更に、情報記録面(9)が基板(3)に接近し、情報
記録面(9)が集光点(6)の下方Δ離れた位置にあ
る時には、反射光(25)によつて導波光(15)が最も強
く励起され、受光素子(16)に入射する光量が最大とな
る(第4図(c))。
第5図(a),(b)は焦点ずれΔfに対する2分割
光検知器(16)のそれぞれの受光素子(17),(20)の
出力を示している。これら受光素子(17)、(20)の出
力信号の差をとることにより第6図に示すような焦点誤
差信号Efを得ることができる。この焦点誤差信号Efに応
じて情報記録面の位置を補正する。
なお、上記実施例では情報記録面(9)が情報記録媒
体(7)の表面に存在する場合を示したが、第7図に示
したように透明保護層(26)が情報記録面(9)を覆つ
ている場合でも同様の焦点誤差検出装置を構成できるの
は明らかである。
又、上記実施例では薄膜光導波路端面に2分割光検知
器を設けていたが、第8図に示すように、薄膜光導波路
内に光検知器を設けても良い。光検知器を導波路と一体
化するためには、基板材料としてはSi又はGaAsなどの半
導体材料が適当であり、第8図には、n−Si基板を用
い、光検知器としてPiNフオトダイオードが集積化した
例が示されている。図において、(27)はn−Si基板、
(28)はSiO2層、(29)は薄膜光導波路、(30),(3
1)はPiNフオトダイオード、(32)はi層、(33)はP
層、(34),(35),(36)は電極である。このような
導波路に設けられた光検知器についてはD.Ostrowskyら
によつて“Integrated Optical Photodetector"Appl.Ph
ys.Lett.,29,P.463(1973)などで報告されている通り
である。
更に、上記実施例では薄膜光導波路端面に半導体レー
ザ(1)がおかれているが、半導体レーザ自身のもつ光
導波路内にも直接このような回折格子、光検知器の集積
化が考えられる。
以上、要するに、この発明においては、情報面からの
反射光を受光し、薄膜光導波路に再び入射させるための
少くとも2つの回折格子を薄膜光導波路上もしくは薄膜
光導波路内もしくは薄膜光導波路と基板の境界面に備
え、焦点誤差検出および主信号検知用の光検知器を薄膜
光導波路上もしくは薄膜光導波路端面に設ければ良く各
実施例が考えられる。
〔発明の効果〕
この発明によれば、一方の受光用の回折格子の導波光
への変換効率を他方の受光用の回折格子の導波光への変
換効率よりも大きくなるように構成したので集光点付近
を変動する情報記録面の位置を検出する受光素子の検出
感度を調節することにより、情報記録面の位置を正確に
補正することが可能となる。
また、2個の受光素子は2個の受光用の回折格子から
の各々の導波光が集光する方向に位置するので、その面
積を小さくすることができる。
また、受光素子を薄膜光導波路端面に取り付けたこと
により装置を小型にすることができかつ受光素子の位置
調整が容易になる。
また、受光素子を薄膜光導波路内に集積したことによ
り装置を小型にすることができ、かつ受光素子の位置調
整が容易になる。
また、発光源を薄膜光導波路端面に取り付けたことに
より装置を小型にすることができる。
また、発光源、薄膜光導波路、回折格子および受光素
子を一体化したことにより装置を小型にすることができ
るので、光ヘツドの小型化、薄型化が実現でき、かつ受
光素子の位置調整が容易になる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a),(b)はこの発明の一実施例を示す概略
構成図、第2図と第3図(a),(b)は受光用の回折
格子の形状を説明するための説明図、第4図(a),
(b),(c)は焦点誤差検出動作を説明するための説
明図、第5図(a),(b)と第6図はその焦点誤差検
出特性図、第7図と第8図(a),(b)はそれぞれこ
の発明の他の実施例を示す概略構成図、第9図(a),
(b)は従来の光導波路を用いた光ヘツドの光学系を示
す構成図である。 (1)は発光源、(2)は薄膜光導波路、(5)は回折
格子、(9)は情報記録面、(14),(18)は回折格
子、(16)は光検知器。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鹿間 信介 長岡京市馬場図所1番地 三菱電機株式 会社電子商品開発研究所内 (56)参考文献 特開 昭61−61246(JP,A)

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発光源からの出射光を導波する薄膜光導波
    路と、 前記薄膜光導波路中の光を空間中に取り出し、この取り
    出した光を情報記録面に向けて集光するように前記薄膜
    光導波路上に設けた集光用の回折格子と、 前記情報記録面からの反射光を入射光とし、この入射光
    の位相に対応する光量を有する導波光に変換し、前記導
    波光を前記薄膜光導波路中に導波させる2個の受光用の
    回折格子と、 前記2個の受光用の回折格子からの各々の導波光が集光
    する方向に設けられ、前記各々の導波光を電気信号に変
    換する2個の受光素子とを備え、 前記情報記録面の位置が前記集光用の回折格子により集
    光した光の集光点から変動したとき、前記一方の受光用
    の回折格子の導波光への変換効率を前記他方の受光用の
    回折格子の導波光への変換効率よりも大きくなるように
    構成し、 前記2個の受光素子の出力信号の差に応じて前記情報記
    録面の位置を補正するように構成した光デイスクヘツド
    の焦点誤差検出装置。
  2. 【請求項2】受光素子を薄膜光導波路端面に取り付けた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光デイス
    クヘツドの焦点誤差検出装置。
  3. 【請求項3】受光素子を薄膜光導波路内に集積したこと
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光デイスクヘ
    ツドの焦点誤差検出装置。
  4. 【請求項4】発光源を薄膜光導波路端面に取り付けたこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項のい
    ずれかに記載の光デイスクヘツドの焦点誤差検出装置。
  5. 【請求項5】発光源、薄膜光導波路、回折格子および受
    光素子を一体化したことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項ないし第4項のいずれかに記載の光デイスクヘツド
    の焦点誤差検出装置。
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