JPS60111220A - 光信号処理装置 - Google Patents
光信号処理装置Info
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- JPS60111220A JPS60111220A JP58217679A JP21767983A JPS60111220A JP S60111220 A JPS60111220 A JP S60111220A JP 58217679 A JP58217679 A JP 58217679A JP 21767983 A JP21767983 A JP 21767983A JP S60111220 A JPS60111220 A JP S60111220A
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- light
- waveguide
- grating
- grating lens
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/11—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on acousto-optical elements, e.g. using variable diffraction by sound or like mechanical waves
- G02F1/125—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on acousto-optical elements, e.g. using variable diffraction by sound or like mechanical waves in an optical waveguide structure
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、光導波路を用いた集積光スペクトラムアナラ
イザーや集積光スイッチ、カプラーなどの光信号処理装
置に関する。
イザーや集積光スイッチ、カプラーなどの光信号処理装
置に関する。
光導波路を用いた光信号処理装置としてよく知られてい
る従来の集積光スペクトラムアナライザーの例全第１図
に示す（ＩＥＦｉＢ Ｔｒａｎｓ、 Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ
ａｎｄＳｙｓｔｅｍｓ、 ＣＡＳ−２６，Ｎｏ、 １
２ （１９７９） ｐＨ１３−１１２４）。
る従来の集積光スペクトラムアナライザーの例全第１図
に示す（ＩＥＦｉＢ Ｔｒａｎｓ、 Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ
ａｎｄＳｙｓｔｅｍｓ、 ＣＡＳ−２６，Ｎｏ、 １
２ （１９７９） ｐＨ１３−１１２４）。
この例に示した装置はＬ ｉ Ｎｂ ０３基板（ｔ Ｏ
ｌ上にＴｉも拡散して形成された導波路層（Ｉｌｌ、弾
性表面波（ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｎｓｔｉｃ ｗａｖ
ｅ、以下ＳＡＷと略す）トランスデューサー（１２）、
２つの導波路ジオデシツタレンズ（１３）、＋１４）
、半導体レーザーより成る光＃（１５１および受光素子
アレイ（１６）により構成されている。光源（１５）よ
り射出された光はコリメート用ジオデシックレンズ（１
３）により平行光（１７）となり７−リエ変換用ジオデ
シツクレンズ（１４） Ｋより収束されて受光素子面上
の一点に焦点金納ぶ。
ｌ上にＴｉも拡散して形成された導波路層（Ｉｌｌ、弾
性表面波（ｓｕｒｆａｃｅ ａｃｏｎｓｔｉｃ ｗａｖ
ｅ、以下ＳＡＷと略す）トランスデューサー（１２）、
２つの導波路ジオデシツタレンズ（１３）、＋１４）
、半導体レーザーより成る光＃（１５１および受光素子
アレイ（１６）により構成されている。光源（１５）よ
り射出された光はコリメート用ジオデシックレンズ（１
３）により平行光（１７）となり７−リエ変換用ジオデ
シツクレンズ（１４） Ｋより収束されて受光素子面上
の一点に焦点金納ぶ。
ＳＡＷ ）ランスデューサー（１２＞ ＶＣ入力信号が
ない場合、平行光（１７）は焦点（１８）に結像するが
、ある周波数のＲＦ倍信号５ＡＷ）ランスデューサ−（
１２）に入力するとそれにより励起された弾性表面波に
より導波路の実効屈折率が周期的に変調を受け、平行光
（１７）はプラ／グ回折されて、ＲＦ入力信号がない場
合とは異なった角度でレンズ（１４）に入射する。その
結果導波光はＲＦ入力信号がない場合の焦点（１８）と
は異なる収束位置（１９）に焦点を結ぶ。
ない場合、平行光（１７）は焦点（１８）に結像するが
、ある周波数のＲＦ倍信号５ＡＷ）ランスデューサ−（
１２）に入力するとそれにより励起された弾性表面波に
より導波路の実効屈折率が周期的に変調を受け、平行光
（１７）はプラ／グ回折されて、ＲＦ入力信号がない場
合とは異なった角度でレンズ（１４）に入射する。その
結果導波光はＲＦ入力信号がない場合の焦点（１８）と
は異なる収束位置（１９）に焦点を結ぶ。
平行光（１７）の回折される角度は弾性表面波の周波数
にほぼ比例するので、入力するＲＦ倍信号周波数に応じ
て収束位［ｆｆｆｉ （１９１は変わる。このようにし
て受光素子面上の光強度分布を検出することによって入
力ＲＦ信号の周波数全解析することができる。
にほぼ比例するので、入力するＲＦ倍信号周波数に応じ
て収束位［ｆｆｆｉ （１９１は変わる。このようにし
て受光素子面上の光強度分布を検出することによって入
力ＲＦ信号の周波数全解析することができる。
この装置で、最も重要な素子の−っはジオデシックレン
ズ（１３）および（１４）である。検出できる周波数の
分解能は受光素子面上の導波光のスポット径で決まるた
め、ジオデシックレンズ（１３）、 （１４１は収差の
ない高性能のものでなくてはならない。
ズ（１３）および（１４）である。検出できる周波数の
分解能は受光素子面上の導波光のスポット径で決まるた
め、ジオデシックレンズ（１３）、 （１４１は収差の
ない高性能のものでなくてはならない。
第１図に示したジオデシックレンズ（１３） 、 （１
４）は導波路表面に形成されたくぼみの上に導波路層を
つくることによりレンズ作用をさせるものであるが、無
収差のレンズを得るにはくぼみ形状を非球面にしなけれ
ばならない。このような非球面形状の加工は高度な技術
を必要とし価格的にも高価なものとなる。この例の他に
、導波路層の厚さを変化させることに′よりレンズ作用
をさせるルネプルグレンズを用いた例もあるが、その場
合も無収差ｏ ｖ ：ｙ ス１ 得るための導波路層の
厚さのコントロールは極めて難しい。
４）は導波路表面に形成されたくぼみの上に導波路層を
つくることによりレンズ作用をさせるものであるが、無
収差のレンズを得るにはくぼみ形状を非球面にしなけれ
ばならない。このような非球面形状の加工は高度な技術
を必要とし価格的にも高価なものとなる。この例の他に
、導波路層の厚さを変化させることに′よりレンズ作用
をさせるルネプルグレンズを用いた例もあるが、その場
合も無収差ｏ ｖ ：ｙ ス１ 得るための導波路層の
厚さのコントロールは極めて難しい。
またいずれの場合も、レンズ作製のためのプロセスが、
導波路作製、ＳＡＷ電極作製のためのプロセスとは別に
必要である。
導波路作製、ＳＡＷ電極作製のためのプロセスとは別に
必要である。
光導波路レンズとしてジオデシックレンズ、ルネブルグ
レンズの他に、グレーティングにょる導波光の回折を利
用したグレーティングレンズがある。グレーティングレ
ンズは第２図に示したようなフレネルゾーン型、第３図
に示したようなブラッグ回折型がある。このようなグレ
ーティングレンズはＤＢクリソラフィー、フォトリソグ
ラフィーなどのＩＣプロセスにより作製できしたがって
Ｓ Ａ Ｗ ！極と同時に作製できるという利点を持つ
反面、第２図のフレネルゾーン型では効率が低く、第３
図のブラッグ回折型では入射角許容度が小さいという欠
点がある。したがって入射角の固定されているコリメー
ト用レンズ（１３）の代わりにブラッグ回折型グレーテ
ィングレンズを用いることは可能であるが、フーリエ変
換レンズ（１４）をグレーティングレンズで置き換える
ことは、第２図の７レネルソー７型では効率の点で、第
３図のブラッグ回折型では入射角許容度の点でそれぞれ
問題が〔発明の目的〕 本発明の目的は、上述の先導波路レンズ作製における困
難を解消し、かつ高性能なレンズを備えた光信号処理装
置を提供することにある。
レンズの他に、グレーティングにょる導波光の回折を利
用したグレーティングレンズがある。グレーティングレ
ンズは第２図に示したようなフレネルゾーン型、第３図
に示したようなブラッグ回折型がある。このようなグレ
ーティングレンズはＤＢクリソラフィー、フォトリソグ
ラフィーなどのＩＣプロセスにより作製できしたがって
Ｓ Ａ Ｗ ！極と同時に作製できるという利点を持つ
反面、第２図のフレネルゾーン型では効率が低く、第３
図のブラッグ回折型では入射角許容度が小さいという欠
点がある。したがって入射角の固定されているコリメー
ト用レンズ（１３）の代わりにブラッグ回折型グレーテ
ィングレンズを用いることは可能であるが、フーリエ変
換レンズ（１４）をグレーティングレンズで置き換える
ことは、第２図の７レネルソー７型では効率の点で、第
３図のブラッグ回折型では入射角許容度の点でそれぞれ
問題が〔発明の目的〕 本発明の目的は、上述の先導波路レンズ作製における困
難を解消し、かつ高性能なレンズを備えた光信号処理装
置を提供することにある。
本発明は、導波光を光導波路基板側に回折させ、かつ収
束させるカブラ−型のグレーティングレンズを用いて、
入力ＲＦ信号に応じた位置に光を収束させるようにした
ものである。
束させるカブラ−型のグレーティングレンズを用いて、
入力ＲＦ信号に応じた位置に光を収束させるようにした
ものである。
本発明によれば、グレーティングレンズ作Ｒが、ＳＡＷ
電極作製と同様のＩＣ−プロセスで同時に作製できるの
で、プロセスを削減し容易に作製することができる。ま
た回折光の収束するスポットの位置はグレーティングの
２次元パターンによりて決定されるので高性能で再現性
の良いレンズを得ることができる。ざらに導波光を基板
側に回折させることにより効率が高く、かつ入射角許容
度も大きいグレーティングレンズを得ることができる。
電極作製と同様のＩＣ−プロセスで同時に作製できるの
で、プロセスを削減し容易に作製することができる。ま
た回折光の収束するスポットの位置はグレーティングの
２次元パターンによりて決定されるので高性能で再現性
の良いレンズを得ることができる。ざらに導波光を基板
側に回折させることにより効率が高く、かつ入射角許容
度も大きいグレーティングレンズを得ることができる。
以下、本発明の実施例を示す図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第４図は、本発明に用いるグレーティングレンズの例を
示したものである。この図においてＸ軸に対しθの方向
に進む導波光（２５）は導波路グレーティングレンズ（
２２）によって基板側に回折され、回折光（２６）は基
板端面（２３）から出射し、焦点（２４）に結浄する。
示したものである。この図においてＸ軸に対しθの方向
に進む導波光（２５）は導波路グレーティングレンズ（
２２）によって基板側に回折され、回折光（２６）は基
板端面（２３）から出射し、焦点（２４）に結浄する。
グレーティングレンズパターンは、グレーティングの位
相Ωが一定の曲線の集まりである。グレーティング領域
中のＰ（ｘ＋ｙｌにおけるグレーティングの位相Ωは入
射導波光と回折収束光の位相差として次式で与えられる
。
相Ωが一定の曲線の集まりである。グレーティング領域
中のＰ（ｘ＋ｙｌにおけるグレーティングの位相Ωは入
射導波光と回折収束光の位相差として次式で与えられる
。
ここで几。＝２π／λ、λは使用する光の波長、ｎは基
板の屈折率、Ｎは導波路の実効屈折率、αは基板端面と
導波路面とのなす角、まだり。およびｆはそれぞれ基板
端面とｙ軸および焦点（２４）との距離である。ψは回
折光（２６）が基板端面′と垂直なｙ軸となす角で、Ｐ
点の座標ｘ、ｙに対しては次式の関係がある。
板の屈折率、Ｎは導波路の実効屈折率、αは基板端面と
導波路面とのなす角、まだり。およびｆはそれぞれ基板
端面とｙ軸および焦点（２４）との距離である。ψは回
折光（２６）が基板端面′と垂直なｙ軸となす角で、Ｐ
点の座標ｘ、ｙに対しては次式の関係がある。
グレーティングを表わす曲線め式は（１） 、 （２）
よりψを消去して得られる。したがって（１１、（２１
式に基づいて、例えばＢＢ描画法などによりグレーティ
ングパターンを記録することができる。
よりψを消去して得られる。したがって（１１、（２１
式に基づいて、例えばＢＢ描画法などによりグレーティ
ングパターンを記録することができる。
このグレーティングのグレーティングベクトルのＸおよ
びｙ成分は（Ｊ）式のΩを用いてそれぞれに露＝−ａΩ
／θｘ 、 Ｋｙ ＝＝ −ａΩ／ａｙ で与えられる
。
びｙ成分は（Ｊ）式のΩを用いてそれぞれに露＝−ａΩ
／θｘ 、 Ｋｙ ＝＝ −ａΩ／ａｙ で与えられる
。
入射導波光の伝搬ベクトル’ｉ ＩＲ，＝ （Ｒ１ｇ＋
几Ｂｙ） としたとき、 ＲＪ ＜ （Ｒ１１１＋ Ｋｇ ｌ” ＋ （ｋＬｙ
＋ＫＷ ）” （几♂ｒＬ２・・・・・・（３）の条件
が満たされれば、導波光は基板側のみに回折され、直接
空中へは回折されない。したがって高い回折効率を得る
ことができる。（３）の条件を満たした回折光を外部へ
取り出すには、第４図のように基板端面から回折光を出
射させる構造にして初めて可能となる。
几Ｂｙ） としたとき、 ＲＪ ＜ （Ｒ１１１＋ Ｋｇ ｌ” ＋ （ｋＬｙ
＋ＫＷ ）” （几♂ｒＬ２・・・・・・（３）の条件
が満たされれば、導波光は基板側のみに回折され、直接
空中へは回折されない。したがって高い回折効率を得る
ことができる。（３）の条件を満たした回折光を外部へ
取り出すには、第４図のように基板端面から回折光を出
射させる構造にして初めて可能となる。
このようなグレーティングレンズは導波光を導波路面内
で収束させるものと違ってブラッグ回折ではないので、
入射角許容度は大きくとれ、またグレーティング領域を
十分広くとることにより、理論的には１００％近い回折
効率を得ることができる。
で収束させるものと違ってブラッグ回折ではないので、
入射角許容度は大きくとれ、またグレーティング領域を
十分広くとることにより、理論的には１００％近い回折
効率を得ることができる。
第５図は、このグレーティングレンズを用いた集積光ス
ペクトラムアナライザを例を示したものである。この例
ではコリメート用レンズとしてブラッグ回折型グレーテ
ィングレンズ（３４） 、フーリエ変換用レンズとして
先に示したカブラ−型グレーティングレンズ（３５）
ｅ用いている。
ペクトラムアナライザを例を示したものである。この例
ではコリメート用レンズとしてブラッグ回折型グレーテ
ィングレンズ（３４） 、フーリエ変換用レンズとして
先に示したカブラ−型グレーティングレンズ（３５）
ｅ用いている。
半導体レーザ（３６）から出射された導波光はブラッグ
回折型グレーティングレンズ（３４）でコリメートされ
、５ＡＷ）ランスデエーサ（３３）に入力される几Ｆ信
号の周波数に応じて平行光（３８）の進む方向が変えら
れる。この光はカブラ−型グレーティングレンズ（３５
）により基板側に回折され、平行光（３８）の進行方向
に応じて、すなわち、ＲＦ倍信号周波数に応じて、基板
端面（３２）に取り付けられた受光素子プレイ（３７）
の異なる位置に収束する。
回折型グレーティングレンズ（３４）でコリメートされ
、５ＡＷ）ランスデエーサ（３３）に入力される几Ｆ信
号の周波数に応じて平行光（３８）の進む方向が変えら
れる。この光はカブラ−型グレーティングレンズ（３５
）により基板側に回折され、平行光（３８）の進行方向
に応じて、すなわち、ＲＦ倍信号周波数に応じて、基板
端面（３２）に取り付けられた受光素子プレイ（３７）
の異なる位置に収束する。
したがって受光素子アレイ（３７）上の光強度分布によ
りＲＦ倍信号周波数が解析される。この図の場合、グレ
ーティングレンズ（３５）の焦点位１４は基板端面上で
あるのでグレーティングパターンは（１）。
りＲＦ倍信号周波数が解析される。この図の場合、グレ
ーティングレンズ（３５）の焦点位１４は基板端面上で
あるのでグレーティングパターンは（１）。
（２）式でｆ＝０ とおいて得られ、次式で与えられる
。
。
Ω＝に６（ｎ％暑＋ＡＪ −２Ａｏｚｓｉａα＋Ｎ（ｃ
ｏｓθ＋ｙｓｉｉθ） ） …（４）コリメート用レン
ズは他の種類の導波路レンズでもかまわないが、この図
のようにすべ′Ｃグレーティングレンズにすると、ＳＡ
Ｗ電極（３３）およびグレーティングレンズ（３４）
、 （３５１が同一のＩＣプロセスで作製でき、レンズ
作製のためのプロセスが削減できる。またｇＢ描画ある
いはフォトリソグラフィーで作製すれば、２つのレンズ
（３４） 、 （３５）とＳＡＷ電極（３３）との相対
的位置関係は、描画の際のデーダあるいはマスク上の位
置、すなわち２次元パターンにより決まるので、位置合
わせは不要であり、信頼性の高いレンズが雨られる。
ｏｓθ＋ｙｓｉｉθ） ） …（４）コリメート用レン
ズは他の種類の導波路レンズでもかまわないが、この図
のようにすべ′Ｃグレーティングレンズにすると、ＳＡ
Ｗ電極（３３）およびグレーティングレンズ（３４）
、 （３５１が同一のＩＣプロセスで作製でき、レンズ
作製のためのプロセスが削減できる。またｇＢ描画ある
いはフォトリソグラフィーで作製すれば、２つのレンズ
（３４） 、 （３５）とＳＡＷ電極（３３）との相対
的位置関係は、描画の際のデーダあるいはマスク上の位
置、すなわち２次元パターンにより決まるので、位置合
わせは不要であり、信頼性の高いレンズが雨られる。
なおこのようなカブラ−型のレンズでは、導波光の進行
方向に沿ってレンズ領域で光が減衰するため、回折光強
度分布がその方向にヌツして均一でなくなる。このため
その方向に対するスポット径が増大する場合がある。第
５図の場合とれは周波数分解能には直接影響しないが、
より効率よく光を収束させるにはｖｊ６図に示すように
、グレーティング溝の深さを導波光進行方向に沿って漸
次大１きくするようにすればよい。これは例えばｇＢ描
画で作製するノ易合にドーズ唆を場所によって変えれば
よい。
方向に沿ってレンズ領域で光が減衰するため、回折光強
度分布がその方向にヌツして均一でなくなる。このため
その方向に対するスポット径が増大する場合がある。第
５図の場合とれは周波数分解能には直接影響しないが、
より効率よく光を収束させるにはｖｊ６図に示すように
、グレーティング溝の深さを導波光進行方向に沿って漸
次大１きくするようにすればよい。これは例えばｇＢ描
画で作製するノ易合にドーズ唆を場所によって変えれば
よい。
第７図はこの発明の他の実施例全示したものである。（
３）式は１次回折光が基板側のみに回折される条件であ
ったが、この条件の他に Ｒ（Ｆ ”Ｌ２＜ （Ｒｑｚ ＋２ ＋＜ｇ ）２ ＋
（Ｉ（４ｙ ＋ ２Ｋｙ ）” ””””’ ＋４）
が満たされれば１次以外の高次回折光が空中へも基板側
へも回折されないためより高効率なグレーティングレン
ズを得ることができる。第７図は、この条件を満足する
ように導波光を進行方向に対してほぼ直角方向の基板側
へ回折させるようにしたものである。この例アは半導体
レーザ光を導波光へ結合する１／ンズも同じ構造のもの
を用いている。このようにすると全体がコンパクトにな
るという利点もある。さらに第７図では半導体レーザＢ
６からの射出光と、グレーティングレンズによる回折光
の光軸が離几ているので、散乱などによる余分な光が受
光素子に入らず、Ｓ／Ｎのより信号を得ることができる
。
３）式は１次回折光が基板側のみに回折される条件であ
ったが、この条件の他に Ｒ（Ｆ ”Ｌ２＜ （Ｒｑｚ ＋２ ＋＜ｇ ）２ ＋
（Ｉ（４ｙ ＋ ２Ｋｙ ）” ””””’ ＋４）
が満たされれば１次以外の高次回折光が空中へも基板側
へも回折されないためより高効率なグレーティングレン
ズを得ることができる。第７図は、この条件を満足する
ように導波光を進行方向に対してほぼ直角方向の基板側
へ回折させるようにしたものである。この例アは半導体
レーザ光を導波光へ結合する１／ンズも同じ構造のもの
を用いている。このようにすると全体がコンパクトにな
るという利点もある。さらに第７図では半導体レーザＢ
６からの射出光と、グレーティングレンズによる回折光
の光軸が離几ているので、散乱などによる余分な光が受
光素子に入らず、Ｓ／Ｎのより信号を得ることができる
。
装置全体を小型化するとレンズの焦点距離も短くなるた
め周波数分解能が大きくとれない場合もある。第８図は
この点を改良したもので、全体金小匿化し、かつ焦点距
離を長くとるようにしたものである。この構造の場合で
も（３）、 （４）式で示される条件を満たすようにす
ることは可能である。
め周波数分解能が大きくとれない場合もある。第８図は
この点を改良したもので、全体金小匿化し、かつ焦点距
離を長くとるようにしたものである。この構造の場合で
も（３）、 （４）式で示される条件を満たすようにす
ることは可能である。
なお第５図、第７図ではグレーティングレンズ（３５）
の全体の形状全円形としたがそれに限ることはなく、第
８図のように矩形でもかまわない。
の全体の形状全円形としたがそれに限ることはなく、第
８図のように矩形でもかまわない。
第９図は本発明を集積光スイッチに用いた例である。入
力ＲＦ信号に応じて異なる位置に収束した光はファイバ
ーアレイ（５１）の中の入力信号に対応するボー）Ｋ入
力される。
力ＲＦ信号に応じて異なる位置に収束した光はファイバ
ーアレイ（５１）の中の入力信号に対応するボー）Ｋ入
力される。
第１図は従来例を示す図、第２図および第３図は従来の
導波路グレーティングレンズを示す図、第４図は本発明
に用いる導波路グレーティングレンズの原理金示す図、
第５図は本発明の第１の実施例を示す図、第６図はグレ
ーティングレンズの断面の例を示す図、第７図乃至第９
１ｇは本発明の他の実施例を示す図である。 １０．２０．３０・・・光導波路基板、１１．２１．３
１・・・光導波路層、１２．３３・・・弾性表面波電極
、１３．１４・・・ジオデシックレンズ、１５、３６・
・・半導体レーザ、１６．３７・・・受光素子アレイ、
１７、２５．３８・・・コリメート光、３９・・・ 収
束光、１８、１９．２４ ・・・焦点、 １ ・・フレ
ネル型グレーティングレノズ、２．３４・・・ブラッグ
回折型グレーティングレンズ２３、３２・・・導波路幕
板端面 ２２、３５．４１．４２ ・カプラー型グレーティンダ
レンズ５１ ・・・ 光ファイバアレイ 第２図 ′Ｒ３図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第７図
導波路グレーティングレンズを示す図、第４図は本発明
に用いる導波路グレーティングレンズの原理金示す図、
第５図は本発明の第１の実施例を示す図、第６図はグレ
ーティングレンズの断面の例を示す図、第７図乃至第９
１ｇは本発明の他の実施例を示す図である。 １０．２０．３０・・・光導波路基板、１１．２１．３
１・・・光導波路層、１２．３３・・・弾性表面波電極
、１３．１４・・・ジオデシックレンズ、１５、３６・
・・半導体レーザ、１６．３７・・・受光素子アレイ、
１７、２５．３８・・・コリメート光、３９・・・ 収
束光、１８、１９．２４ ・・・焦点、 １ ・・フレ
ネル型グレーティングレノズ、２．３４・・・ブラッグ
回折型グレーティングレンズ２３、３２・・・導波路幕
板端面 ２２、３５．４１．４２ ・カプラー型グレーティンダ
レンズ５１ ・・・ 光ファイバアレイ 第２図 ′Ｒ３図 第 ４ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第７図
Claims (4)
- （１）基板上に形成された光導波路と、該光導波路上に
形成された弾性表面波電極と、該弾性表面波′電極に入
力されるＲＦ信号に応じて発生する弾性表面波により進
行方向金変えられた導波光を収束する導波路レンズを１
１虜えた光信号処理装置に於いて、前記導波路レンズが
前記導波光を前記基板側に回折させ、かつ前記基板端面
近傍で収束させる不等間隔曲線グレーティングＶンズか
ら成ること全特徴とする光信号処理装置。 - （２）不等間隔曲線グレーティングレンズにより回折さ
れた光線の導波路面への射影が、前記不等間隔曲線グレ
ーティンダレンズに入射する導波光の進行方向とは異な
るように前記不等間隔曲線グレーティングレンズを配置
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光信
号処理装置。 - （３）不等間隔曲線グレーティンダレ／ズのグレーティ
ング溝の深さを導波光進行方向に沿って漸次大きくする
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光信号処
理装置。 - （４）不等間隔曲線グレーティングレンズに入射する導
波光は、光源からの光が導波路グレーティングレンズを
経たものであること全特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光信号処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217679A JPS60111220A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 光信号処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217679A JPS60111220A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 光信号処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60111220A true JPS60111220A (ja) | 1985-06-17 |
Family
ID=16708015
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58217679A Pending JPS60111220A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 光信号処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60111220A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01180504A (ja) * | 1988-01-13 | 1989-07-18 | Hitachi Ltd | 光集積回路 |
| US5835643A (en) * | 1995-09-29 | 1998-11-10 | Minolta Co., Ltd. | Waveguide input/output device |
| EP2831659A1 (en) * | 2012-03-27 | 2015-02-04 | BAE Systems PLC | Improvements in or relating to optical waveguides |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174905A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-14 | Toshiba Corp | 導波光収束装置 |
| JPS58223106A (ja) * | 1982-06-21 | 1983-12-24 | Canon Inc | 光回路素子部材 |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP58217679A patent/JPS60111220A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58174905A (ja) * | 1982-04-08 | 1983-10-14 | Toshiba Corp | 導波光収束装置 |
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| US5835643A (en) * | 1995-09-29 | 1998-11-10 | Minolta Co., Ltd. | Waveguide input/output device |
| EP2831659A1 (en) * | 2012-03-27 | 2015-02-04 | BAE Systems PLC | Improvements in or relating to optical waveguides |
| EP2831659B1 (en) * | 2012-03-27 | 2023-05-10 | Snap Inc. | Improvements in or relating to optical waveguides |
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