JPH05145859A - 固体撮像装置およびその制御方法 - Google Patents

固体撮像装置およびその制御方法

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JPH05145859A
JPH05145859A JP3308723A JP30872391A JPH05145859A JP H05145859 A JPH05145859 A JP H05145859A JP 3308723 A JP3308723 A JP 3308723A JP 30872391 A JP30872391 A JP 30872391A JP H05145859 A JPH05145859 A JP H05145859A
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signal
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pickup device
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JP3308723A
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Katsutaka Kimura
勝高 木村
Hiroshi Hatae
博 波多江
Haruhisa Ando
治久 安藤
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 比較的高い照度条件の下では高い解像度が得
られるように、また低照度条件の下では十分な信号対雑
音比が得られるように、固体撮像素子の動作を制御でき
るようにする。 【構成】 固体撮像装置の出力画像情報を受け、モ−ド
判定回路が固体撮像素子の最適動作を判定することによ
り、タイミング信号発生回路に判定結果を通知して、タ
イミング信号発生回路から固体撮像素子に送出するタイ
ミング信号を変更する。タイミング信号を変更すること
により、低照度条件のときには、複数の画素の信号を加
算して読み出す動作モ−ドを選択し、高照度条件のとき
には、通常の動作で各画素から信号を読み出す動作モ−
ドを選択する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換素子により画
像情報を得る固体撮像装置において、その画像情報に応
じて動作を制御することが可能な固体撮像装置、および
その制御方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、テレビジョンカメラやカメラ
一体型VTRには、固体撮像素子が用いられている。こ
の固体撮像素子に関しては、例えば、『IEEEトラン
ザクションズ・オン・エレクトロン・デバイス』VO
L.38.NO.5.May 1991pp.969〜975‘Low-No
ise Line-Amplified MOS Imaging Devices’
に詳述されている。図2は、従来の撮像装置の一例を示
す構成図である。固体撮像素子は、光電変換手段を含む
画素を2次元状に配列して、撮像対象からの光信号を電
気信号に変換し、画像情報を得るものである。図2にお
いて、11はMOS型固体撮像素子であって、画素P1
が2次元状に配列されている。1個の画素は、光電変換
手段としてのフォトダイオ−ドと、このフォトダイオ−
ドにより変換された電気信号(電荷量)を選択的に読み
出すためのMOSトランジスタから構成される。このM
OSトランジスタのゲ−トには、垂直選択線XSが接続
されており、垂直選択線XSに高電位を印加することに
より、フォトダイオ−ド内の電気信号が垂直信号線SL
に読み出される。垂直信号線SLに読み出された信号
は、さらに水平選択線YSに印加される選択信号で制御
される水平選択スイッチYSWにより、選択的に水平信
号線OLに読み出される。この信号は、出力端子OUT
を介して増幅器21に入力され、ここで信号が増幅され
た後、出力信号VOとして出力される。図2において、
41および51は、それぞれ垂直選択回路と水平選択回
路であって、垂直選択線XSや水平選択線YSに順次選
択信号を印加することにより、2次元に配列された画素
の情報を走査して読み出すための回路である。これらの
選択回路41,51は、タイミング発生回路30からの
タイミング信号により制御される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、固体撮像装
置から得られる画像情報の解像度は、固体撮像素子内の
画素数により影響されるため、画像情報の高解像度化が
望まれる場合、精細な画像を得るために画素数を増加し
て画素の高密度化を図っている。例えば、従来のNTS
C用のVTRでは25〜28万画素から33〜38万画
素に高密度化されており、開発中のHDTV(High
Definition Television)では、さらに高解像度化を
図るために、130万〜200万画素の固体撮像素子が
開発されている。しかしながら、画素の高密度化は1個
当りの画素面積の縮小につながり、必然的に同一照度下
では各画素に入射される光量の低下を招き、その結果と
して、各画素で得られる電気信号量の低下につながる。
従って、撮像素子として重要な特性である感度(信号対
雑音比)が低下することになる。すなわち、比較的照度
の高い条件の下では、画素を高密度化することにより高
解像度な画像情報を得ることが可能であるが、照度の低
い条件の下では、逆に雑音により非常に見難い画像情報
しか得られない。さらに照度が低い条件の下になると、
意味のない画像情報しか得られないという結果になる。
本発明の目的は、このような従来の課題を解決し、高解
像度化のために画素面積を縮小した場合、低照度下にお
ける感度(信号対雑音比)を確保することが可能な固体
撮像装置を提供することにある。また、撮像条件または
撮像対象に応じて最適な画像情報が得られるような固体
撮像装置の制御方法を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の固体撮像装置は、(イ)光電変換手段と該
光電変換手段の信号を読み出す手段とからなる複数個の
画素を有する固体撮像素子と、固体撮像素子の動作を制
御する制御手段とを備えた固体撮像装置において、固体
撮像素子から読み出された画像出力情報を受けて、固体
撮像素子の最適動作を判定するモ−ド判定回路と、モ−
ド判定回路の判定結果を受けて、複数モ−ドのうちの1
つを選択し、モ−ドにより固体撮像素子を制御する制御
手段とを具備することに特徴がある。また、(ロ)複数
モ−ドとしては、複数の画素から構成されるブロック毎
に画素の信号を加算して読み出す動作モ−ドと、各画素
の信号を独立に読み出す通常動作モ−ドとを有すること
に特徴がある。また、(ハ)複数モ−ドとしては、加算
する画素の数および構成を複数種類の組み合わせただけ
有することにも特徴がある。また、(ニ)複数モ−ドと
しては、1画面全体で同じ動作をさせるモ−ドと、1画
面をいくつかの領域に分割し、それぞれの領域で最適な
動作をさせるモ−ドとを有することにも特徴がある。ま
た、(ホ)光電変換手段の信号を読み出す手段は、垂直
方向のCCD列と水平方向のCCD列と水平方向のCC
D列の端子に設けられた信号検出回路とで構成され、垂
直方向の画素の信号は水平方向のCCD列で加算され、
水平方向の画素の信号は信号検出回路で加算されること
にも特徴がある。また、本発明による固体撮像装置の制
御方法は、(ヘ)固体撮像素子に入射された光情報を該
固体撮像素子により電気信号に変換し、変換された信号
を増幅器を介して画像情報として出力する固体撮像装置
の制御方法において、モ−ド判定回路は、画像情報の出
力を受け取り、画像情報の信号の大きさを判定して、信
号の大きさが予め定められたレベルより小さい場合に
は、解像度を落して、信号がレベル以上になるように固
体撮像素子を制御するように動作することに特徴があ
る。また、(ト)モ−ド判定回路は、2次元状に配列さ
れた複数の画素から構成されるブロック毎に、画素の信
号を加算して読み出す動作モ−ドを選択することにも特
徴がある。また、(チ)モ−ド判定回路は、固体撮像装
置の出力の空間周波数スペクトラムを観測することによ
り、固体撮像素子の制御方法を選択することにも特徴が
ある。また、(リ)モ−ド判定回路は、固体撮像装置の
出力信号量の平均値ないし最大値の大きさにより、固体
撮像素子の制御方法を選択することにも特徴がある。さ
らに、(ヌ)モ−ド判定回路は、固体撮像装置の出力信
号量の平均値ないし最大値の大きさにより、ブロックを
構成する画素数を選択することにも特徴がある。さら
に、(ル)モ−ド判定回路は、固体撮像装置の出力の空
間周波数スペクトラムにより、ブロックの垂直方向およ
び水平方向の構成を選択することにも特徴がある。
【0005】
【作用】本発明においては、固体撮像装置からの画像情
報出力、または外部から入力される信号を、それぞれ制
御信号として、撮像条件あるいは撮像対象に応じて最適
な画像情報が得られるように、固体撮像素子の動作を制
御する。例えば、比較的照度の高い条件の下では、画素
面積を縮小してもなお十分な信号量が得られるため、高
い解像度が得られるように固体撮像素子の動作を制御す
る。これに対して、低照度の条件下では、画素面積を縮
小すると、各画素で得られる信号量が小さくなるので、
解像度よりも感度を優先させることにより、十分な信号
対雑音比が得られるように固体撮像素子の動作を制御す
る。このように、撮像条件あるいは撮像対象に応じて固
体撮像素子の動作を制御することにより、常に最適な画
像情報が得られるようにする。
【0006】
【実施例】以下、本発明の実施例を、図面により詳細に
説明する。図1は、本発明の一実施例を示す撮像装置の
ブロック図である。図1において、1は固体撮像素子、
2は固体撮像素子1の出力を増幅して出力信号VOを得
るための増幅器、3は固体撮像素子1の動作を制御する
制御手段、6は本発明により新たに設けられたモ−ド判
定回路である。すなわち、モ−ド判定回路6は、出力信
号VOを受けて、固体撮像素子1の動作をどのように制
御すべきかを判定し、いくつか設定されたモ−ドのう
ち、どのモ−ドで制御するかを決定する。そのモ−ド判
定回路6の出力を制御手段3が受けると、固体撮像素子
1に入力される各種パルス信号のタイミング発生回路や
ドライバ回路等の動作を決定されたモ−ドで制御するこ
とにより、固体撮像素子1から最適な画像情報を得る。
すなわち、図1において、固体撮像素子1に入射された
光情報は、固体撮像素子1により電気信号に変換された
後、増幅器2を介して画像情報として出力される。モ−
ド判定回路6は、この画像情報出力を受け、固体撮像素
子1の制御モ−ドを判定し、制御手段3に判定結果を出
力する。制御手段3は、この判定結果を受けると、それ
に従って固体撮像素子1を制御する。例えば、モ−ド判
定回路6として、画像情報の信号の大きさを判定する回
路を用いることにより、得られた画像情報の信号が大き
い場合には解像度をできる限り高くするように、固体撮
像素子1を制御する。つまり、画像情報出力の信号が大
きいときには、画素面積を縮小しても十分な信号対雑音
比を得ることができるので、画素数を増加して解像度を
高める。一方、画像情報出力の信号が小さいときには、
画素面積を縮小すると、十分な信号対雑音比が得られな
いため、画素面積を縮小せずに解像度を落し、信号が一
定値以上になるように感度を高める。このように制御す
ることにより、高照度条件下では高い解像度が得られ、
一方、低照度条件下では一定の信号対雑音比を確保する
ことができる。つまり、撮像条件または撮像対象に応じ
て最適の画像情報を得ることができる。
【0007】図1に示す固体撮像装置の応用例として、
モ−ド判定回路6を設けることなく、固体撮像装置の外
部より入力される制御信号によって制御手段3を制御す
る方法がある。この場合には、固体撮像装置から得られ
る画像情報をディスプレイ装置に表示して、撮像者自身
が最適な画像情報を得るように制御信号を入力し、制御
手段3を制御する。図3は、図1の具体的構成を示す図
であって、MOS型撮像装置の場合を示している。固体
撮像装置は、MOS型撮像素子11と増幅器21とモ−
ド判定回路6と制御手段31とから構成される。図2の
従来の装置と異なる点は、固体撮像装置の出力信号VO
を受けて、タイミング発生回路31を制御するモ−ド判
定回路6を設けたことである。このモ−ド判定回路6に
より、タイミング発生回路31より固体撮像素子11に
送出されるパルス信号を種々変化させる。パルス信号を
変化させることにより、例えば1画素に蓄積されている
信号を独立に読み出すか、あるいは複数画素に蓄積され
ている信号を加算して読み出すかを選択する。個々の画
素の信号を独立に読み出せば、縦または横方向に分割さ
れて解像されるので、解像度は高くなる。逆に、複数画
素の信号を加算して読み出せば、縦または横方向に分割
されないので、解像度は悪くなるが、信号は加算されて
大きくなり、感度は高くなる。以下、本実施例の動作
を、図4および図5の動作タイミングチャ−トにより詳
述する。
【0008】図4は、図3に示すMOS型撮像素子の動
作タイミングチャ−トであって、画素をそれぞれ独立に
読み出すモ−ドの動作を示している。すなわち、図3の
画素P1に蓄積された電気信号をそれぞれ独立に読み出
す。このモ−ドは、固体撮像素子11が有している解像
度を十分に利用できるモ−ドであり、比較的大きい信号
量が得られる場合に使用される。例えば、比較的照度の
高い条件での撮像の場合に相当する。先ず、期間TAに
n本の垂直選択線XSのうちの1本を垂直選択回路41
で選択し、この垂直選択線XSに接続されたm個の画素
P1から、それぞれに対応する垂直信号線SLに信号を
読み出す。次に、期間TBには、水平選択線YSを水平
選択回路51で順次選択し、複数の垂直信号線SLに読
み出された信号を水平信号線OLに順次読み出す。この
信号は、増幅器21に入力されることにより増幅され
て、画素1列分の画像情報として出力される。この動作
を、垂直選択線XSを順次選択して、繰り返し行うこと
により、1枚分の画像情報が得られる。
【0009】図5は、図3に示すMOS型撮像素子の動
作タイミングチャ−トであって、画素を複数個加算して
読み出すモ−ドの動作を示している。ここでは、図4の
ように画素P1に蓄積された信号を独立に読み出さず、
隣接する4画素(例えば、画素P1の(1,1)(2,
1)(1,2)(2,2))の信号を加算することによ
り、大きな信号量を得ている。従って、このモ−ドで
は、解像度は低下するが、複数の画素の信号を加算する
ことにより大きな信号を得ることができる。従って、こ
のモ−ドは、1個の画素だけでは十分な信号量が得られ
ない場合、例えば比較的照度の低い条件での撮像に用い
られる。図5に示すモ−ドでは、先ず期間TA′に、隣
合う2本の垂直選択線XS(例えば、XS(1)と
(2)、またはXS(3)と(4)等の組合せ)を垂直
選択回路41で選択し、これらに接続された複数の画素
P1からそれぞれに対応する垂直信号線SLに信号を読
み出す。このとき、2本の垂直選択線XSが選択される
ので、1本の垂直信号線SLには2つの画素の信号が加
算されて読み出される。その後、期間TB′で隣合う2
本の水平選択線YSを選択して、2本の垂直信号線SL
に読み出された信号を加算して水平信号線OLに読み出
す。次に、別の隣合う2本の水平選択線YSを選択し
て、同じように2本の垂直信号線SLに読み出された信
号を加算し、水平信号線OLに読み出す。
【0010】このような動作を繰り返し行い、垂直選択
線XSを順次選択していくことにより、1枚分の画像情
報が得られる。なお、ここでは2×2の4画素を加算し
て読み出す場合を説明したが、垂直選択回路41または
水平選択回路51により、同時に選択する垂直選択線X
Sまたは水平選択線YSの数を変化させることにより、
加算される画素の数、または構成を任意に決定すること
が可能である。ここまでに述べた2つのモ−ドの切り替
えや、加算される画素の数、または構成の切り替えは、
タイミング発生回路31から固体撮像素子11に送出さ
れるパルス信号を変化させることにより行うことができ
る。次に、このモ−ドの切り替え方法について詳述す
る。ここでは、各画素の信号を独立に読み出すモ−ドか
ら、画素の信号を加算して読み出すモ−ドに切り替える
場合を述べる。先ず、図4に示す動作タイミングにより
各画素から独立に信号を読み出して、画像情報を出力す
る。この画像情報をモ−ド判定回路6に入力することに
より、モ−ド判定回路6はこの画像情報に基づいて画素
を加算するか否かを判定する。画素を加算する必要があ
ると判定されたときには、モ−ド判定回路6からタイミ
ング発生回路31に制御信号を送出することにより、タ
イミング発生回路31はこれを受けて、固体撮像素子1
1に送出するパルス信号を変化させる。この結果、例え
ば、図5に示すような動作タイミングとなる。すなわ
ち、固体撮像素子11は、4個の画素を加算して読み出
すモ−ドで動作して、画像情報を出力する。この画像情
報は再びモ−ド判定回路6に入力されるので、モ−ド判
定回路6は再び画素の加算を行うか否かを判定すること
になる。さらに、画素の加算を行う必要があると判定さ
れた場合には、モ−ド判定回路6からタイミング発生回
路31に制御信号が送出されることにより、タイミング
発生回路31はこれを受けて固体撮像素子11に送出す
るパルス信号をさらに変化させる。この結果、例えば、
3×3の9画素を加算して読み出すモ−ドで固体撮像素
子11を動作させて、画像情報を出力させることができ
る。画素の加算を行うか否か、または加算する画素の数
の判定は、画像情報の信号の大きさを観測することによ
り行うことができる。信号の大きさがある一定の閾値よ
り小さい場合には、画素の加算を行うようにする。観測
する信号としては、1枚分ないし複数枚分の画像情報の
信号の平均値または最大値を用いることができる。ま
た、画面のある特定の領域のみの信号の平均値または最
大値を観測する信号として用いることも可能である。
【0011】図6および図7は、それぞれ加算画素の組
み合わせを示す画素表面の図である。加算する画素の構
成、つまり2×2、2×3、3×3、3×2、4×2等
にする判定基準は、画像情報の空間周波数スペクトラム
を観測することにより行うことができる。例えば、同じ
8個の画素Pを加算する場合でも、図6と図7とでは、
垂直方向と水平方向の解像度は異なっている。図6で
は、水平方向の分割数と垂直方向の分割数が2:1であ
り、水平方向の解像度が高いが、図7では、1:2であ
るため、垂直方向の解像度の方が高い。従って、画像情
報の垂直方向と水平方向の空間周波数スペクトラムの高
域成分の大きさを比較することにより、いずれの構成の
方が最適であるを判定することが可能である。画像情報
の空間周波数スペクトラムを観測する方法のうち、最も
簡便な方法としては、高域通過フィルタ(ハイパスフィ
ルタ)を用いる方法がある。つまり、垂直方向と水平方
向に分けて、ある周波数を遮断周波数とする高域通過フ
ィルタに画像出力情報を通過させれば、通過信号のある
方が解像度が高いと判定できる。また、高速フ−リエ変
換を用いた信号処理方法も使用することができる。この
ように、本実施例では、画像情報をモ−ド判定回路6で
観測することにより、その判定結果の出力で固体撮像素
子の垂直および水平選択線の選択数を変化させ、それに
より感度および解像度において最適な画像情報を出力さ
せることが可能となる。
【0012】図8および図9は、本発明の一実施例を示
す選択回路の構成図、および選択回路の動作タイミング
チャ−トである。図8は、図3に示す固体撮像素子11
内の垂直選択回路41または水平選択回路51の構成例
を示すものであって、一般的には半導体メモリのデコ−
ダ回路として使用される。図3の動作で述べたように、
本実施例では、垂直選択回路41と水平選択回路51
は、垂直選択線XSと水平選択線YSの選択数を任意に
変更できるようにする必要がある。図8の回路では、信
号A〜Dの組み合わせによって垂直選択線XS(1)〜
XS(4)の選択数を変化させることができる。すなわ
ち、信号A〜Dは、AND回路(AND1)に入力され
ることにより、ANDがとれる信号とともに入力したと
きのみゲ−トが開いて出力が得られ、その出力と選択回
路の出力の基準信号となる信号FXがAND回路(AN
D2)に入力されることにより、FXが1のときのみゲ
−トが開いて出力が得られ、その出力が垂直選択線XS
(1)〜(4)となる。この動作の状態は、図9により
明らかとなる。すなわち、例えば、信号AとCを高電位
にした場合には、垂直選択線XS(1)のみが選択さ
れ、信号AとCとDを高電位にした場合には、垂直選択
線XS(1)と(2)の2本が選択され、信号BとCと
Dを高電位にした場合には、垂直選択線XS(3)と
(4)の2本が選択される。このように、信号A〜Dの
組み合わせを変化させることにより、任意の垂直選択線
を任意の数だけ選択することができる。なお、図9で
は、図面の簡単化のために、4本の垂直選択線の選択回
路を示したが、任意の数の垂直選択線を備えた選択回路
を構成することにより、任意の回路を構成できる。
【0013】図10は、本発明の第2の実施例を示すM
OS型撮像装置の構成図である。図10の構成が図3の
構成と異なっている点は、図3に示したMOS型固体撮
像素子11の垂直信号線SLと水平選択スイッチYSW
1との間に増幅器LAを設けた点である。このように、
各垂直信号線毎に増幅器LAを設けることにより、雑音
を減少させることができる。増幅器を設けることによ
り、雑音低減を図ることについては、例えば、アイ・イ
−・イ−・イ・トランザクション・オン・エレクトロン
デバイス(IEEE、 Transactions onElectron
Devices)Vol.38.No.5, pp.969〜975, May 1991に
記載されている。なお、図10に示した実施例では、垂
直信号線SLと増幅器LAとの間に、水平選択線Yによ
り制御される第2の水平選択スイッチYSW2を設け
て、2本の垂直信号線で1個の増幅器を共用する場合を
示している。このようにすれば、一般に複雑な回路とな
る増幅器に対して、1本の垂直信号線毎にこれを設ける
場合に比べて増幅器のレイアウトピッチが緩和されるた
め、増幅器のレイアウトが容易になる。
【0014】図10の装置の動作は、基本的には図3の
装置と同じである。ただ、第2の水平選択スイッチYS
W2の動作を含んでいる点のみが図3の動作と異なって
いる。すなわち、水平方向の各画素P1を独立に読み出
す場合には、第2の水平選択スイッチYSW2を構成す
る2つのMOSトランジスタQ1,Q2のいずれかをオ
ン状態にし、画素1個分の信号を増幅器LAに入力さ
せ、それぞれ独立に読み出す。これに対して、2個の画
素の信号を加算して読み出す場合には、2つのMOSト
ランジスタQ1,Q2をともにオン状態にすることによ
り、画素2個分の信号が増幅器LAに入力され、そこで
信号の加算が行われることになる。さらに、水平方向の
4個の画素の信号を加算して読み出す場合には、図3で
述べたように、水平選択スイッチYSW1内の2個のス
イッチを同時に選択することにより、読み出しを行うこ
とが可能である。このように、本実施例では、水平方向
の画素の信号の加算を、水平選択スイッチYSW1およ
び第2の水平選択スイッチYSW2の各選択動作を制御
することにより行っており、それらの制御はモ−ド判定
回路6の判断結果により決定される。
【0015】図11は、本発明の第3の実施例を示すC
CD型撮像装置の構成図である。MOS型撮像装置で
は、フォトダイオ−ドP1で変換された電荷を垂直信号
線と水平信号線を介して出力していたが、CCD型撮像
装置では、図11に示すように、垂直信号線の代りに垂
直CCDおよび水平CCDを介して出力する。すなわ
ち、フォトダイオ−ドおよび読み出しゲ−トから構成さ
れる画素P2と、垂直転送用のCCD列VCDと、各垂
直CCDを介して転送されてきた信号電荷を格納し、水
平方向の時系列信号に変換する水平CCD列HCDと、
水平CCD列HCDを介して転送されてきた信号電荷を
検出する信号検出回路AMPとから構成されている。こ
こでは、垂直CCD列VCDは4相の駆動信号V1〜V
4により駆動され、水平CCD列HCDは同じく4相の
駆動信号H1〜H4により駆動されている。また、この
場合にも、固体撮像素子12の出力を増幅して出力信号
VOを得るための増幅器22と、固体撮像装置の出力信
号VOを受けてモ−ドを決定し、それによりタイミング
発生回路32を制御するモ−ド判定回路6とが設けられ
る。このモ−ド判定回路6により、タイミング発生回路
32から固体撮像素子12に送出される駆動信号を種々
に変化させることができる。
【0016】次に、図11における垂直方向の画素の信
号の加算方法について述べる。図12は、垂直方向の隣
合う2画素分の信号を加算する場合の動作タイミングチ
ャ−トであり、図13は、図12に示す各時刻における
信号電荷の転送状況を示す図である。この場合には、垂
直CCD列VCDには3つの値を示す電位VH,VM,
VLの駆動信号V1,V2,V3,V4が印加される。
図12に示すように、先ず、駆動信号V1,V3をハイ
レベルの電位VHとし、各画素P2から垂直CCD列V
CDに信号電荷を読み出す(時刻t(0))。次に、通
常のCCDの駆動方法により、V1〜V4を図12の関
係で駆動すると、図13に示すように各画素から読み出
された信号電荷は水平CCD列HCDに向って転送され
ていく。図12では、t(2)(3)(4)でV1にV
Lを、t(4)(5)(6)でV2にVLを、t(6)
(7)(8)でV3にVLを、t(8)(9)(10)で
V4にVLを、それ以外はVMを、印加することによ
り、図13のように、読み出された電荷が高ポテンシャ
ルの場所を移動していく。つまり、濃く塗られた部分が
隣合う信号電荷であり、これが順次転送されていく状態
が示されている。同じようにして、他の信号電荷である
白い部分と斜線の部分も、それぞれ隣合う信号電荷とし
て、転送される。その転送過程において、隣合う画素、
例えば画素P2(1,1)と画素P2(1,2)の信号
電荷は混じり合う。その結果として、時刻t(10)に
は、垂直CCD列VCDから水平CCD列HCDの電極
下に、2画素分の信号電荷が加算されて転送されること
になる。この状態で、水平CCD列HCDを駆動信号H
1〜H4により駆動する。
【0017】次に、垂直方向の4画素分の信号電荷を加
算して読み出す場合について述べる。図14は、垂直C
CDの動作タイミングチャ−トであり、図15は、図1
4における各時刻の信号電荷の転送状況を示す説明図で
ある。図14は、基本的には図12と同じ動作である。
すなわち、図12ではt(0)〜t(10)で駆動信号
V1〜V4を印加して各画素P2から読み出された信号
電荷を2画素毎に加算し、垂直CCD列VCDを転送す
るのに対して、図14では、t(0)〜t(18)で駆
動信号V1〜V4を印加して、図15に示すように、各
画素P2から読み出された信号電荷を2画素毎に加算
し、垂直CCD列VCDを転送して、水平CCD列HC
Dの電極下に4画素分の信号電荷が加算され転送される
まで動作を続行する。その後、水平CCD列HCDを駆
動信号H1〜H4により駆動し、加算された4画素分の
信号電荷を信号検出回路に転送していく。図14,図1
5からも明らかなように、この動作方法は、垂直CCD
列VCD内の転送方法を図12で示した従来の転送方法
と変えることなく、また駆動信号の数も変えることなく
転送し、水平CCD列HCDの電極下で画素の信号を加
算することが特徴である。従って、図14では垂直方向
の4画素を加算する例を示したが、同じようにして、そ
れ以上の任意の画素数の信号電荷を水平CCD列HCD
の電極下で加算することが可能である。ただし、垂直C
CD列VCDでの転送過程においては、隣合う2画素の
信号電荷が加算されるので、偶数倍の画素の信号を加算
することができる。
【0018】図16は、本発明における水平CCDおよ
び信号検出回路AMPの断面構造図である。図16によ
り、水平方向の画素の信号の加算方法について詳述す
る。図16において、100はn型基板、101,10
2は埋め込み型電荷転送チャネルを形成するためのp型
不純物層およびn型不純物層、104はn型不純物層、
105〜108は駆動信号H1〜H4が印加される水平
CCDのゲ−ト電極、109は読み出しゲ−ト用のゲ−
ト電極、110,103は浮遊拡散層をリセットするた
めのリセットゲ−トを構成するゲ−ト電極およびドレイ
ン電極である。ゲ−ト電極109は、読み出しゲ−ト信
号OGにより制御され、水平CCD内を転送されてきた
信号電荷をn型不純物層104で構成される浮遊拡散層
(フロ−ティングディフュ−ジョン)に読み出すもので
ある。浮遊拡散層104に信号電荷が読み出されると、
端子FDの電位は信号電荷量に応じて変化し、端子FD
に接続されたソ−スフォロワ回路SFにより増幅され、
出力端子OUTに信号が読み出される。ゲ−ト電極11
0は、リセットゲ−ト信号RGにより制御され、浮遊拡
散層104をリセット電位RDにリセットする。
【0019】図17および図18は、通常用いる動作の
場合の水平CCDおよび信号検出回路の動作タイミング
チャ−トとその動作説明図である。すなわち、垂直CC
Dから水平CCDに転送された信号電荷を水平CCDに
より信号検出回路に転送し、信号電荷を検出する際に
は、図17に示すように、t(1)〜t(6)の電圧が
各電極H1〜H4、OG、RGに印加される。その時の
各電極下の電位は、図18のt(0)〜t(6)で示す
ようになる。すなわち、通常用いられる動作で、水平C
CDで転送される信号電荷を加算せずに読み出す場合に
は、図18のt(0)〜t(6)の状態で電荷が移動さ
れていき、H1の電極下にあった電荷がRD電極下まで
移転される。先ず、リセットゲ−ト信号RGにより浮遊
拡散層を予めリセット電位RDにリセットしておき(時
刻t(0))、1番目の信号電荷を読み出しゲ−ト前の
ゲ−ト電極下(駆動信号H3が印加されるゲ−ト電極)
に転送する(時刻t(2))。その後、読み出しゲ−ト
信号OGにより読み出しゲ−トをオンさせて、信号電荷
を浮遊拡散層104に読み出す(時刻t(4))。これ
により、端子FDの電位が信号電荷量に応じて変化し、
図16に示すソ−スフォロワ回路SFを介して信号が読
み出される。次に、リセットゲ−ト信号RGによりリセ
ットゲ−トをオンさせて、浮遊拡散層104を再びリセ
ット電位RDにリセットし、次の信号電荷を読み出す準
備をする(時刻t(6))。このような動作を繰り返す
ことにより、水平CCDで転送される信号電荷を、順次
独立して読み出すことが可能である。
【0020】図19および図20は、水平CCDで転送
される信号電荷を2個毎に加算して読み出す場合の水平
CCDおよび信号検出回路の動作タイミングチャ−トと
その動作説明図である。図19、図20では、1番目の
信号電荷を浮遊拡散層104に読み出すところまでは図
17と同じである(時刻t(4))。しかし、この後、
リセットゲ−トにより浮遊拡散層104をリセットせず
に、2番目の信号電荷も浮遊拡散層104に読み出す
(時刻t(7))。従って、この場合の浮遊拡散層10
4には、2つの加算された信号電荷が蓄積され、読み出
された状態である。この加算された信号電荷は、ソ−ス
フォロワ回路SFを介して、加算された信号として読み
出される。その後、リセットゲ−ト信号RGによりリセ
ットゲ−トをオンさせ、浮遊拡散層104をリセット電
位RDにリセットし、次の信号電荷を読み出す準備をす
る(時刻t(9))。このような動作を繰り返すことに
より、水平CCDで転送される信号電荷を2個毎に加算
して読み出すことができる。この動作方法の特徴は、水
平CCD列HCD内の転送方法を、図17に示すような
従来の方法と同じようにして、リセットゲ−ト信号のR
Gの有無だけで、浮遊拡散層104において画素の信号
を加算することである。なお、図19、図20では、水
平方向の2画素を加算する例を示しているが、2画素に
限定されることなく、所望の画素数の信号電荷を浮遊拡
散層104で加算することが可能である。
【0021】このように、本実施例においては、垂直方
向の画素の加算は、垂直CCD転送期間での駆動信号V
1〜V4の駆動回数を変化させることにより、水平CC
Dの電極下で行うことが可能である。また、水平方向の
画素の加算は、信号検出回路内の浮遊拡散層をリセット
するか否かにより、浮遊拡散層部で行うことが可能であ
る。そして、垂直方向と水平方向の加算する画素数は、
独立して変えることができるので、最終的には任意の数
および任意の構成の画素を加算することができることに
なる。いま、図6に示すように、2×4の構成で加算す
る場合には、先ず垂直方向の4画素を図14で説明した
方法により水平CCDの電極下で加算し、次に水平CC
D列HCD内の信号電荷を2個毎に信号検出回路AMP
で加算すればよい。これにより、最初の加算時には、水
平CCD列HCDには、各垂直CCD列VCDに対応し
た垂直方向の4画素分の信号電荷が転送された状態とな
り、最後に、2×4の構成の8個の画素の信号電荷が加
算されて出力される。
【0022】加算される画素の数、または構成の切り替
え方法としては、タイミング発生回路32より固体撮像
素子12に送出されるパルス信号(つまり、垂直CCD
の駆動信号V1〜V4、水平CCDの駆動信号H1〜H
4、リセットゲ−ト信号RG、読み出しゲ−ト信号OG
等)を変えることにより実現できる。また、このパルス
信号の切り替えの契機は、モ−ド判定回路6が画像情報
に基づいて判定することにより、タイミング発生回路3
2に通知される。すなわち、固体撮像素子12の出力
は、増幅器22を介して画像情報として出力されるが、
この画像情報はモ−ド判定回路6に入力され、モ−ド判
定回路6により画素を加算するか否か、またはどのよう
に加算するかが判定される。これにより、最適な画像情
報が得られる状態で、固体撮像素子12が動作される。
【0023】図21は、本発明の第4の実施例を示す固
体撮像装置の構成図であって、固体撮像素子としてCC
D型撮像素子12を用いた場合を示す。図11に示すC
CD型撮像素子と異なる点は、垂直CCD列VCD1が
各画素に3電極を備え、3相の駆動信号V1〜V3で駆
動される点である。このように構成することにより、垂
直方向の各画素P2から信号電荷を独立に読み出すこと
が可能になる。すなわち、図11では、各画素から垂直
CCDに読み出された信号電荷は、垂直CCD内を転送
される過程で2画素毎に加算されたが、本実施例では、
各画素から垂直CCDに読み出された信号電荷を独立に
転送することが可能である。その結果、図11の実施例
に比べて、垂直方向の解像度を高めることができる。な
お、本実施例の動作のうち、水平CCD列HCDおよび
信号検出回路AMPの動作については、図11の実施例
と同じであるため、ここでは水平CCDおよび信号検出
回路の動作説明は省略して、垂直方向の信号の転送と加
算方法のみについて述べる。
【0024】図22は、図21の固体撮像素子の垂直方
向の画素の信号を独立に読み出す場合の動作タイミング
チャ−トであり、図23は、図22の各時刻における信
号電荷の転送状態を示す図である。垂直CCD列VCD
1には、3値の電位VH、VM、VLを有する駆動信号
V1〜V3が印加される。先ず、駆動信号V1を電位V
Hにして、各画素P2から垂直CCD列VCD1に信号
電荷を読み出す(時刻t(0))。次に、駆動信号V1
〜V3を図22に示すような関係で駆動することによ
り、図23のように、各画素から読み出された信号電荷
が水平CCD列HCDに向って転送される。この過程に
おいては、画素の信号電荷は混じり合わずに転送されて
いく。その結果、時刻t(6)には、水平CCD列HC
DのH1電極下に、1画素分の信号電荷が転送される。
この状態で、水平CCD列HCDを駆動信号H1〜H4
により駆動する。また、他の信号電荷は、垂直CCD列
VCD1内を1画素分転送された状態であり、時刻t
(0)からt(6)の動作を繰り返すことにより、垂直
CCD列VCD1に読み出された信号電荷を順次、水平
CCD列HCDに転送することが可能である。
【0025】図24は、図21の固体撮像素子におい
て、垂直方向の2画素分の信号電荷を加算して読み出す
場合の動作タイミングチャ−トであり、図25は、図2
4の各時刻における信号電荷の転送状況を示す図であ
る。基本的には、図22に示した動作と同じであって、
各画素P2から読み出された信号電荷は独立に垂直CC
D列VCD1を転送していく。ただ、図24の動作で
は、水平CCD列HCDの電極下に2画素分の信号電荷
が加算されて転送されるまで、動作を続行する(時刻t
(12))。その後、水平CCD列HCDを駆動信号H
1〜H4により駆動して、加算された2画素分の信号電
荷を信号検出回路に転送していく。この動作は、図14
に示した動作方法と基本的には同じであって、水平CC
D列HCDの電極下において画素の信号を加算する。図
24では、垂直方向の2画素を加算する場合を示した
が、2画素だけに限定されず、所望の画素数の信号電荷
を水平CCD列HCDの電極下で加算することができ
る。また、垂直CCD列VCD1における転送過程で
は、隣合う2画素の信号電荷が混じり合うことはないた
め、最低1画素分の信号を独立して読み出すことができ
る。その結果、本実施例においては、図11の場合と同
じように、垂直および水平方向の画素の加算を任意の数
だけ行うことが可能である。また、この制御を画像出力
情報から判定することにより、常に最適な画像情報を得
ることができ、かつ垂直方向の可能な解像度を図11の
実施例に比べて2倍に高めることができる。
【0026】図26は、本発明の第5の実施例を示す増
幅型撮像装置の構成図である。これまで説明した図3、
図10、図11、および図21の各実施例では、各画素
から信号を読み出すと、画素内のフォトダイオ−ドがリ
セットされるため、そこに蓄積されていた情報は破壊さ
れる。これに対して、図26に示す実施例では、各画素
P3から信号を読み出しても、画素内のフォトダイオ−
ドがリセットされないタイプの画素であり、いわゆる非
破壊読み出しが可能な画素を用いている。図26では、
1つの画素がフォトダイオ−ドと3つのMOSトランジ
スタから構成されるタイプを示している。なお、図26
において、XSは垂直選択線であり、この線に高電位を
印加すると、これに接続された画素の信号が垂直信号線
SLに読み出される。つまり、画素内のフォトダイオ−
ドに蓄積された電荷量に応じて、フォトダイオ−ドの電
位が変化する。従って、ある垂直選択線XS(1)が選
択されると、その垂直選択線XS(1)がゲ−トに接続
されたMOSトランジスタと、フォトダイオ−ドがゲ−
トに接続されたMOSトランジスタとを介して、固定電
位が印加されたリセット電圧線VR(1)から垂直信号
線SL(1)〜SL(m)に電流が流れる。
【0027】このときに流れる電流量は、フォトダイオ
−ドの電位により変化するので、結果的に、垂直信号線
SLの電位はフォトダイオ−ドの電位によって決定され
る。従って、画素内のフォトダイオ−ドに蓄積された電
荷量に応じて、垂直信号線SLの電位が変化することに
なる。この場合、フォトダイオ−ドの電位は、信号が読
み出されても変化することがなく、従って非破壊読み出
しが可能である。また、固体撮像素子13内のRSは、
画素内のフォトダイオ−ドをリセットするためのリセッ
ト選択線であって、これに高電位を印加すると、リセッ
ト電圧線VRに印加された固定電位にフォトダイオ−ド
の電位がリセットされる。このような非破壊読み出し可
能な画素を用いた場合には、一度の読み出し動作で画素
内の情報が破壊されないので、何回も同じ画素を読み出
すことが可能である。これによって、解像度を劣化させ
ずに画素の信号を加算して読み出すことができる。
【0028】図27は、図26において、画素に蓄積さ
れた信号を独立に読み出すモ−ドの動作タイミングチャ
−トである。先ず、期間tA(1)で、複数の垂直選択
線XS(1)〜(n)のうちの1つを垂直選択回路43
により選択し、これに接続された複数の画素P3からそ
れぞれ対応する垂直信号線SLに信号を読み出す。ここ
では、垂直選択線XS(1)を選択して、これに接続さ
れた複数の画素P3から対応する垂直信号線SL(1)
〜(m)に信号を読み出している。その後、期間tB
(1)で、水平選択線YSを水平選択回路53により順
次選択することにより、複数の垂直信号線SL(1)〜
(m)に読み出された信号を、水平信号線OLに順次読
み出す。この信号は増幅器23に入力された後、画素1
列分の画像情報として出力される。次に、期間tA
(2)で、垂直選択線XS(2)を選択し、これに接続
された複数の画素P3からそれぞれに対応する垂直信号
線SL(1)〜(m)に信号を読み出す。また、リセッ
ト選択線RS(1)を垂直選択回路43により選択し、
垂直選択線XS(1)に接続された画素内のフォトダイ
オ−ドの電位をリセットする。その後、期間tB(2)
に、水平選択線YSを順次選択することにより、信号を
水平信号線OLに順次読み出す。このような動作を繰り
返して、垂直選択線XSおよびリセット選択線RSを順
次選択することにより、1枚分の画像情報を得ることが
できる。
【0029】図28は、図26の固体撮像素子におい
て、垂直方向の複数の画素の信号を加算して読み出すモ
−ドに対応する動作タイムチャ−トである。図28で
は、隣接する2画素(ここでは、P3(1,1)とP3
(2,1)の2画素)の信号を加算して読み出してい
る。先ず、期間tA′(1)に隣合う2本の垂直選択線
XS(ここでは、XS(1)とXS(2))を垂直選択
線43により選択し、これらに接続された複数の画素P
3よりそれぞれに対応する垂直信号線SLに信号を読み
出す。このとき、2本の垂直選択線XSが選択されるの
で、1本の垂直信号線SLには2つの画素の信号が加算
されて読み出される。その後、期間tB′(1)で、水
平選択線YSを水平選択回路53により選択し、垂直信
号線SLに読み出された信号を水平信号線OLに読み出
す。次に、期間tA′(2)で、別の組み合わせの隣合
う2本の垂直選択線XS(2)とXS(3)を選択し、
これらに接続された複数の画素P3からそれぞれに対応
する垂直信号線SLに信号を加算して読み出す。また、
リセット選択線RS(1)を垂直選択回路43により選
択し、垂直選択線XS(1)に接続された画素内のフォ
トダイオ−ドの電位をリセットする。その後、期間t
B′(2)で、水平選択線YSを順次選択することによ
り、信号を水平信号線OLに順次読み出す。この動作を
垂直選択線XSおよびリセット選択線RSを順次選択し
て繰り返し行うことにより、1枚分の画像情報を得るこ
とができる。このように、加算して読み出す画素を1つ
ずつずらすことにより、垂直方向の解像度を劣化させる
ことなく、画素の信号の加算を行うことができ、大きな
信号量を得ることができる。ここでは、2画素を加算し
て読み出す例を示したが、垂直選択回路43により同時
に選択する垂直選択線XSの数を変化させることによ
り、加算させる画素の数を任意に設定することが可能で
ある。また、水平方向の画素の信号の加算は、図3に示
す実施例と同じであるので、説明を省略する。
【0030】図29は、本発明の第6の実施例を示す固
体撮像装置の構成図であって、固体撮像素子として増幅
型撮像素子13を用いた場合を示している。図26の構
成では、垂直方向の画素の信号の解像度を犠牲にするこ
となく、加算できることを説明した。しかし、水平方向
の画素の信号を加算しようとすると、図3の実施例と同
じように、解像度は低下する。これに対して、図29の
実施例では、水平選択スイッチYSAを改良することに
より、解像度の低下を防止することができる。すなわ
ち、図29に示すように、水平選択スイッチYSAを1
本の垂直信号線SLに対して2つのMOSトランジスタ
で構成する。これらのうち、MOSトランジスタQ3は
読み出す垂直信号線SLを選択するものであり、水平選
択線YSによりオン、オフの制御が行われる。また、M
OSトランジスタQ4は、垂直信号線SLに読み出され
た信号を水平信号線OLに読み出すためのもので、垂直
信号線SLにゲ−トが接続される。動作としては、垂直
信号線SLの電位に応じて固定電位VDDからMOSト
ランジスタQ3,Q4を介して電流が流れることによ
り、それを信号として読み出す。従って、垂直信号線S
Lを1回選択しても垂直信号線に読み出された信号は破
壊されることなく、画素と同じく何回も選択することが
可能である。なお、図29における固体撮像素子13の
上方に配置されているRSWは、垂直信号線SLをリセ
ットするためのリセット回路であって、リセット信号R
SLを高電位に設定することにより、垂直信号線SLが
リセット電位VRSにリセットされる。
【0031】図30は、図29における増幅型撮像素子
の動作タイミングチャ−トである。図29において、画
素P3に蓄積された信号を独立して読み出す場合には、
図26の場合と同じように、先ず期間tA(1)で、複
数の垂直選択線XSの1本を垂直選択回路43により選
択し(ここでは、XS(1))、これに接続された複数
の画素P3よりそれぞれに対応する垂直信号線SLに信
号を読み出す。その後、期間tB(1)で、水平選択線
YSを水平選択回路53により順次選択することによ
り、複数の垂直信号線SLに読み出された信号を水平信
号線OLに順次読み出す。読み出された信号は、増幅器
23に入力された後、画素1列分の画像情報として出力
される。その後、リセット信RSLを高電位にすること
により、垂直信号線SLをリセット電位VRSにリセッ
トする。次に、期間tA(2)で、垂直選択線XS
(2)を選択し、これに接続された複数の画素P3より
それぞれに対応する垂直信号線SLに信号を読み出す。
また、リセット選択線RS(1)を垂直選択回路43に
より選択し、垂直選択線XS(1)に接続された画素内
のフォトダイオ−ドの電位をリセットする。期間tB
(2)で、水平選択線YSを水平選択回路53により順
次選択することにより、信号を水平信号線OLに読み出
す。この動作を繰り返して、垂直選択線XSとリセット
選択線RSを順次選択することにより、1枚分の画像情
報を得ることができる。
【0032】図31は、図29において、2×2構成の
4画素の信号を加算して読み出す場合の動作タイミング
チャ−トである。垂直方向の画素の信号の加算は、図2
6の場合と同じである。すなわち、先ず期間tA′
(1)で、隣合う2本の垂直選択線XS(1)(2)を
垂直選択回路43により選択し、これらに接続された複
数の画素P3からそれぞれに対応する垂直信号線SLに
信号を読み出す。その後、期間tB′(1)で、隣合う
2本の水平選択線YS(1)(2)を水平選択回路53
により選択し、2本の垂直信号線SL(1)(2)に読
み出された信号を加算して、水平信号線OLに読み出
す。次に、別の組み合わせの隣合う2本の水平選択線Y
S(2)(3)を選択し、同じようにして2本の垂直信
号線SL(2)(3)に読み出された信号を加算して、
水平信号線OLに読み出す。このような動作を繰り返し
行う。その後、リセット信号RSLを高電位にすること
により、垂直信号線SLをリセット電位VRSにリセッ
トする。次に、期間tA′(2)で、別の組み合わせの
隣合う2本の垂直選択線XS(2)(3)を選択し、こ
れらに接続された複数の画素P3よりそれぞれに対応す
る垂直信号線SLに信号を加算して読み出す。また、リ
セット選択線RS(1)を垂直選択回路43により選択
し、垂直選択線XS(1)に接続された画素内のフォト
ダイオ−ドの電位をリセットする。次に、期間tB′
(2)で、水平選択線YSを選択することにより、信号
を水平信号線OLに読み出す。このような動作を繰り返
すことにより、1枚分の画像情報を得ることができる。
このように、加算して読み出す画素を、垂直方向と水平
方向に1個ずつずらすことにより、垂直方向と水平方向
の解像度を劣化させずに、画素の信号を加算することが
できるとともに、大きな信号量を得ることが可能とな
る。この例では、(垂直)2×(水平)2の4画素を加
算して読み出す場合を述べたが、垂直選択回路43と水
平選択回路53により同時に選択する垂直選択線XSと
水平選択線YSの数を変えることにより、加算する画素
数と垂直数×水平数の構成を任意に設定することができ
る。
【0033】図32は、本発明の第7の実施例を示す固
体撮像装置の加算画素の組み合わせの図である。第1〜
第6の実施例では、モノクロ固体撮像装置であるか、ま
たは赤、青、緑色をプリズムで分離する三板式ないし二
板式カラ−固体撮像装置を考慮した場合を説明してき
た。一方、単板方式では、図32に示すように、1枚の
固体撮像素子上で、ホワイト、グリ−ン、シァン、イェ
ロウの各色フィルタをそれぞれマトリクス状に配置する
方式であって、上記各方式とは画素の配置が異なってい
る。以下、固体撮像素子を1枚使用する単板方式のカラ
−固体撮像素子に、本発明を適用した場合について詳述
する。単板方式の固体撮像素子では、上述のように、素
子上に色フィルタが形成され、各画素はそれぞれ色フィ
ルタに対応した色の信号を蓄積する。例えば、図32の
ように、W(全色透過)、G(グリ−ン)、Cy(シァ
ン)、Y(イェロウ)の4色の色フィルタが素子上にモ
ザイク状に配列されている。そこで、この単板方式の固
体撮像素子において、各画素の信号を独立に読み出した
場合には、モノクロ固体撮像素子と同じように動作させ
ることが可能であり、各画素からそれぞれの色フィルタ
に対応した色の信号を読み出すことができる。従って、
固体撮像素子が有する解像度を得ることが可能である。
しかしながら、低照度での撮像の場合に、画素の信号を
加算して読み出そうとしても、隣合う画素では扱う色が
異なるため、離れた位置にある同色の信号を扱う画素ど
うしの信号を加算して読み出す必要がある。例えば、図
32では、2×2の構成の4画素を加算して読み出す場
合、同じWの色フィルタが形成されている画素P(i,
j+1),P(i+2,j+1),P(i,j+3),
P(i+2,j+3)の4画素の信号を加算して読み出
せばよい。
【0034】以下、本発明の他の実施例について、概説
する。これまでに述べたように、本発明では、画像情報
に応じて固体撮像素子の動作方法を変化させることによ
り、最適な画像情報を得ることに特徴がある。従って、
この趣旨を超越しない範囲で、次のような拡張実施例も
可能である。 (イ)これまでの実施例では、ノンインタ−レ−ス方式
の撮像素子を例に説明したが、走査線を1本置き、2本
置きに走査させるインタ−レ−ス方式の固体撮像素子に
も、本発明を適用することが可能である。 (ロ)また、撮像対象として、動画のみならず、静止画
を扱うことも可能である。一般的に静止画の方が高解像
度を必要とするため、静止画を扱う場合には固体撮像素
子の有する解像度を引き出せるように動作させ、動画を
扱う場合には感度(信号対雑音比)を優先させるように
すればよい。 (ハ)これまでの実施例では、1画面全体で同じ動作を
させるように制御しているが、1画面をいくつかの領域
に分割し、それぞれの領域で最適な動作を行わせること
も可能である。例えば、ある領域では各画素の信号を独
立に読み出し、別の領域では複数の画素の信号を加算し
て読み出すこともできる。このような動作の応用例とし
て、監視用カメラにおいて、非常に暗い部分と明るい部
分とを1画面で撮像する場合には、暗い部分の情報を扱
っている領域では複数の画素の信号を加算して読み出
し、明るい部分の情報を扱っている領域では各画素の信
号を独立に読み出すことにより、全体として鮮明な画像
情報が得られる。
【0035】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
画面の全体ないし一部の画素の信号を加算して読み出す
ことができるので、撮像条件または撮像対象に応じて最
適な画像情報を得ることができる。その結果、固体撮像
装置の利用範囲を拡大することが可能となる。
【0036】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す固体撮像装置のブロッ
ク構成図である。
【図2】従来の固体撮像装置の一例を示す構成図であ
る。
【図3】本発明の第1の実施例を示すMOS型固体撮像
装置の構成図である。
【図4】図3におけるMOS型固体撮像装置の動作タイ
ミングチャ−トである。
【図5】図3において画素の信号を加算する場合の動作
タイミングチャ−トである。
【図6】本発明において加算して読み出すための画素の
組み合わせの第1の例を示す図である。
【図7】本発明において加算して読み出すための画素の
組み合わせの第2の例を示す図である。
【図8】図3における選択回路の構成例を示す図であ
る。
【図9】図8の選択回路の動作タイミングチャ−トであ
る。
【図10】本発明の第2の実施例を示すMOS型撮像装
置の構成図である。
【図11】本発明の第3の実施例を示すCCD型撮像装
置の構成図である。
【図12】図11における垂直CCDの動作タイミング
チャ−トである。
【図13】図11における垂直CCDの動作を説明する
図である。
【図14】図11における垂直CCDの加算する場合の
動作タイミングチャ−トである。
【図15】図11における垂直CCDの加算する場合の
動作を説明する図である。
【図16】図11における水平CCDおよび信号検出回
路の断面構造図である。
【図17】図16の水平CCDおよび信号検出回路の動
作タイミングチャ−トである。
【図18】図16の水平CCDおよび信号検出回路の動
作を説明する図である。
【図19】図16の水平CCDおよび信号検出回路の加
算する場合の動作タイミングチャ−トである。
【図20】図16の水平CCDおよび信号検出回路の加
算する場合の動作を説明する図である。
【図21】本発明の第4の実施例を示すCCD型撮像装
置の構成図である。
【図22】図21における垂直CCDの動作タイミング
チャ−トである。
【図23】図21における垂直CCDの動作を説明する
図である。
【図24】図21における垂直CCDの加算する場合の
動作タイミングチャ−トである。
【図25】図21における垂直CCDの加算する場合の
動作を説明する図である。
【図26】本発明の第5の実施例を示す増幅型撮像装置
の構成図である。
【図27】図26における増幅型撮像素子の動作タイミ
ングチャ−トである。
【図28】図26における増幅型撮像素子の加算する場
合の動作タイミングチャ−トである。
【図29】本発明の第6の実施例を示す増幅型撮像装置
の構成図である。
【図30】図29における増幅型撮像素子の動作タイミ
ングチャ−トである。
【図31】図29における増幅型撮像素子の加算する場
合の動作タイミングチャ−トである。
【図32】本発明の第7の実施例を示す単板方式固体撮
像装置の加算画素の組み合わせを示す図である。
【符号の説明】
1 固体撮像素子 2,21,22,23 増幅器 3 制御手段 6 モ−ド判定回路 11,12 固体撮像素子 41,43 垂直選択回路 51,53 水平選択回路 30,31,33 タイミング発生回路 105〜108 水平CCDのゲ−ト電極 100 n型基板 101,102 埋め込み型電荷転送チャネルを形成す
るp(n)型不純物層 109 読み出し用ゲ−ト電極 110,103 リセットゲ−トを構成するゲ−ト電
極、ドレイン電極 VO 出力信号 SF ソ−スフォロワ回路 RD リセット電位 RG リセットゲ−ト信号

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光電変換手段と該光電変換手段の信号を
    読み出す手段とからなる複数個の画素を有する固体撮像
    素子と、該固体撮像素子の動作を制御する制御手段とを
    備えた固体撮像装置において、該固体撮像素子から読み
    出された画像出力情報を受けて、該固体撮像素子の最適
    動作を判定するモ−ド判定回路と、該モ−ド判定回路の
    判定結果を受けて、複数モ−ドのうちの1つを選択し、
    該モ−ドにより該固体撮像素子を制御する制御手段とを
    具備することを特徴とする固体撮像装置。
  2. 【請求項2】 請求項1に記載の固体撮像装置におい
    て、上記複数モ−ドとしては、複数の画素から構成され
    るブロック毎に画素の信号を加算して読み出す動作モ−
    ドと、各画素の信号を独立に読み出す通常動作モ−ドと
    を有することを特徴とする固体撮像装置。
  3. 【請求項3】 請求項1または2に記載の固体撮像装置
    において、上記複数モ−ドとしては、加算する画素の数
    および構成を複数種類の組み合わせただけ有することを
    特徴とする固体撮像装置。
  4. 【請求項4】 請求項1または2に記載の固体撮像装置
    において、上記複数モ−ドとしては、1画面全体で同じ
    動作をさせるモ−ドと、1画面をいくつかの領域に分割
    し、それぞれの領域で最適な動作をさせるモ−ドとを有
    することを特徴とする固体撮像装置。
  5. 【請求項5】 請求項1に記載の固体撮像装置におい
    て、上記光電変換手段の信号を読み出す手段は、垂直方
    向のCCD列と水平方向のCCD列と該水平方向のCC
    D列の端子に設けられた信号検出回路とで構成され、上
    記垂直方向の画素の信号は該水平方向のCCD列で加算
    され、該水平方向の画素の信号は該信号検出回路で加算
    されることを特徴とする固体撮像装置。
  6. 【請求項6】 固体撮像素子に入射された光情報を該固
    体撮像素子により電気信号に変換し、変換された信号を
    増幅器を介して画像情報として出力する固体撮像装置の
    制御方法において、モ−ド判定回路は、上記画像情報の
    出力を受け取り、該画像情報の信号の大きさを判定し
    て、該信号の大きさが予め定められたレベルより小さい
    場合には、解像度を落して、信号が該レベル以上になる
    ように該固体撮像素子を制御するように動作することを
    特徴とする固体撮像装置の制御方法。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の固体撮像装置の制御方
    法において、上記モ−ド判定回路は、2次元状に配列さ
    れた複数の画素から構成されるブロック毎に、該画素の
    信号を加算して読み出す動作モ−ドを選択することを特
    徴とする固体撮像装置の制御方法。
  8. 【請求項8】 請求項6に記載の固体撮像装置の制御方
    法において、上記モ−ド判定回路は、固体撮像装置の出
    力の空間周波数スペクトラムを観測することにより、固
    体撮像素子の制御方法を選択することを特徴とする固体
    撮像装置の制御方法。
  9. 【請求項9】 請求項6に記載の固体撮像装置の制御方
    法において、上記モ−ド判定回路は、固体撮像装置の出
    力信号量の平均値ないし最大値の大きさにより、固体撮
    像素子の制御方法を選択することを特徴とする固体撮像
    装置の制御方法。
  10. 【請求項10】 請求項6または7に記載の固体撮像装
    置の制御方法において、上記モ−ド判定回路は、固体撮
    像装置の出力信号量の平均値ないし最大値の大きさによ
    り、ブロックを構成する画素数を選択することを特徴と
    する固体撮像装置の制御方法。
  11. 【請求項11】 請求項6または7に記載の固体撮像装
    置の制御方法において、上記モ−ド判定回路は、固体撮
    像装置の出力の空間周波数スペクトラムにより、ブロッ
    クの垂直方向および水平方向の構成を選択することを特
    徴とする固体撮像装置の制御方法。
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