JPH05144251A - メモリーカード - Google Patents

メモリーカード

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Publication number
JPH05144251A
JPH05144251A JP3302210A JP30221091A JPH05144251A JP H05144251 A JPH05144251 A JP H05144251A JP 3302210 A JP3302210 A JP 3302210A JP 30221091 A JP30221091 A JP 30221091A JP H05144251 A JPH05144251 A JP H05144251A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dram
card
write
dram card
bank
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3302210A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiichi Kageyama
精一 影山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP3302210A priority Critical patent/JPH05144251A/ja
Publication of JPH05144251A publication Critical patent/JPH05144251A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 DRAMカードのメモリー空間に対する書き
込み禁止領域のハードウェア的な設定を可能にする。 【構成】 DRAMカードの各バンクを構成するDRA
M1〜8について、各々ライトイネーブル信号WE1〜
WE8を受けるための端子にDIPスイッチ20のスイ
ッチ接点9〜16を個々に介在させる。また、全てのD
RAM1〜8のライトイネーブル端子を、抵抗アレイ1
7を通してプルアップする。DIPスイッチ20は外装
部分に設けられ、DRAMカードをパーソナルコンピュ
ータのセット本体に接続した状態でのDIPスイッチ2
0のオン・オフ操作を通して、バンク毎の書き込み禁止
あるいは書き込み可能の設定ができるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、DRAM(ダイナミッ
クランダムアクセスメモリー)を記憶素子としたメモリ
ーカードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、DRAMを記憶素子としたメモリ
ーカード(以下、DRAMカードという。)が、主に薄
型パーソナルコンピュータの増設メモリーとして使用さ
れていた。
【0003】DRAMは、フロッピーディスク等の磁気
メモリーに比べて高速のアクセスが可能である反面、記
憶保持のためにリフレッシュを必要とする記憶素子であ
る。したがって、DRAMは、パーソナルコンピュータ
のセット本体に接続された状態で該セット本体からリフ
レッシュのための信号の供給を受けなければ、データを
保持することができない。
【0004】一方、例えばフロッピーディスクは、記憶
保持のためのリフレッシュを必要とせず、単独でデータ
の半永久保持が可能な記憶媒体である。
【0005】そこで、フロッピーディスクとDRAMカ
ードとを併用することとし、フロッピーディスク内のデ
ータを処理する際には、該データを一旦DRAMカード
に転送したうえでDRAMカード内のデータに処理を施
す方法を採用することにより、DRAMの高速性を生か
すようにしている。この場合、DRAMカードは、パー
ソナルコンピュータのセット本体から見たときにあたか
も高速のフロッピーディスク装置のように見えるので、
一般に「半導体ディスク装置」と呼ばれる。
【0006】このようにDRAMカードを半導体ディス
ク装置としてフロッピーディスクと併用する場合、フロ
ッピーディスクはハードウェア的に書き込みを禁止する
ことができたので、DRAMカード自身はその全メモリ
ー空間を書き込み可能としていたのが実情である。つま
り、従来のDRAMカードは、書き込み禁止のための手
段を全く備えていなかったのである。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来のDRAMカード
は、前記のとおり全メモリー空間が書き込み可能であっ
たため、例えばパーソナルコンピュータで文書の作成を
行う場合に次のような不都合があった。すなわち、パー
ソナルコンピュータで文書の作成を行う場合には、まず
ワードプロセッサ用のシステムソフトウェアをフロッピ
ーディスクからDRAMカードへ転送したうえで、該シ
ステムソフトウェアを用いてDRAMカード内に文書フ
ァイルを作成するのであるが、この文書ファイル作成作
業中にDRAMカード内の書き換えてはならないシステ
ムソフトウェアを書き換えてしまったり、DRAMカー
ド内の書き換えたくない文書ファイルを不注意から書き
換えてしまうことがあったのである。
【0008】本発明の目的は、このような不都合を解消
するために、DRAMカードのメモリー空間に対する書
き込み禁止領域のハードウェア的な設定を可能にするこ
とにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、DRAMカードの外装部分に記憶素子
としてのDRAMへの書き込みを特定のメモリー容量を
有するバンク毎に禁止するためのスイッチ手段を設けた
構成を採用したものである。
【0010】
【作用】本発明によれば、例えばシステムプログラム等
の書き換えてはならないプログラムや書き換えたくない
データのファイルをDRAMに書き込んだうえで、該書
き込みの領域を含むバンクに対応したスイッチ手段の操
作を通して、該当バンクを書き込み禁止領域として設定
することができる。しかも、このようにして書き込み禁
止の設定をしなかったバンクは依然として書き込みが可
能であるので、書き換えたいデータファイルは書き込み
可能領域に書き込んで処理を継続することができる。
【0011】つまり、DRAMカード上のメモリー空間
内にハードウェア的に書き込み禁止領域と書き込み可能
領域とを設けることによって、このDRAMカードの一
部を仮想的なROMとして、また他の部分をRAMとし
て使い分けることができるのである。しかも、書き込み
に関する禁止・許可の設定は、DRAMカードの外装部
分に設けられたスイッチ手段の操作によって容易に変更
可能である。
【0012】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図1〜図
3を参照しながら説明する。
【0013】図1は、本発明の一実施例に係るDRAM
カードの内部構成を示す回路図である。ただし、本実施
例の説明上不必要なアドレスバス等の信号は、図示を省
略してある。
【0014】図1に示すように本実施例では、各々のメ
モリー構成が256Kワード×16の8個のDRAM1
〜8を1枚のメモリーカードの内部に搭載して、2Mワ
ード×16の容量のDRAMカードを構成する。
【0015】各々256Kワード×16のメモリー容量
のバンクを構成する8個のDRAM1〜8の各ローアド
レスストローブ端子には、8個のローアドレスストロー
ブ信号RAS1〜RAS8が個々に印加される。また、
これら8個のDRAM1〜8の各ライトイネーブル端子
は、それぞれDIPスイッチ20の8つのスイッチ接点
9〜16を個々に介して8個のライトイネーブル信号W
E1〜WE8が個々に印加されるとともに、抵抗アレイ
17を通してプルアップされている。
【0016】各DRAM1〜8は、ライトイネーブル端
子がHレベルの状態で書き込み禁止となり、該ライトイ
ネーブル端子がHレベルからLレベルへ遷移した場合に
書き込み可能となるものである。
【0017】さて、例えば第1のスイッチ接点9をオフ
させると、第1バンクを構成するDRAM1のライトイ
ネーブル端子がプルアップ抵抗17を通してHレベル固
定となり、該第1バンクのDRAM1は書き込みが禁止
される。つまり、第1のスイッチ接点9をオフさせるこ
とにより、第1バンクのDRAM1を書き込み禁止領域
に設定することができるのである。
【0018】逆に第1のスイッチ接点9をオンさせる
と、第1のライトイネーブル信号WE1がHレベルから
Lレベルへ転じた際に該第1バンクを構成するDRAM
1のライトイネーブル端子がHレベルからLレベルへ遷
移するので、データバス上のデータが該第1バンクのD
RAM1中の指定されたアドレスに書き込まれる。つま
り、第1のスイッチ接点9をオンさせることにより、第
1バンクのDRAM1を書き込み可能領域に設定するこ
とができるのである。
【0019】同様にして第2〜第8のスイッチ接点10
〜16を操作することにより、第2〜第8バンクのDR
AM2〜8を各々書き込み禁止領域あるいは書き込み可
能領域に設定することも可能である。
【0020】以上のとおり、本実施例によれば、8個の
スイッチ接点9〜16のオン・オフ操作を通して、DR
AMカードの2Mワード×16の容量のメモリー空間を
256Kワード×16のメモリー容量のバンク単位に、
書き込み禁止領域あるいは書き込み可能領域として任意
に設定することができる。
【0021】図2は、以上の内部構成を有するDRAM
カード18の外形を示す平面図である。同図に示すとお
り、このDRAMカード18のプラスチック製の外装部
分には、パーソナルコンピュータのセット本体への接続
のためのコネクタ側19の反対側に、図1の8個のスイ
ッチ接点9〜16を備えたDIPスイッチ20が設けら
れている。このDRAMカード18は、点線21で示し
た箇所より左側の部分がパーソナルコンピュータのセッ
ト本体に挿入されるものである。
【0022】図3は、以上に説明したDRAMカード1
8をパーソナルコンピュータのセット本体22に接続し
た状態を示す平面図である。DRAMカード18は、セ
ット本体22に設けられたスロットに挿入された状態で
使用に供せられるものであるが、この状態でもDRAM
カード18の外装部分に設けられたDIPスイッチ20
はオン・オフ操作が可能である。
【0023】このようにしてDRAMカード18をパー
ソナルコンピュータのセット本体22に接続した状態
で、ワードプロセッサ用のシステムソフトウェア等の書
き換えてはならないプログラムや書き換えたくない文書
ファイル等をDRAMカード18に書き込んだうえで、
前記DIPスイッチ20の8個のスイッチ接点9〜16
のうちの該書き込み領域を含むバンクに対応したスイッ
チ接点をオフ操作することによって、該当バンクを書き
込み禁止とすることができる。また、これら8個のスイ
ッチ接点9〜16のうちのオン状態のスイッチ接点が接
続されたバンクは前記のとおり書き込みが可能であるの
で、書き換えたい文書ファイル等は書き込み可能領域に
書き込んで処理を継続することができる。
【0024】しかも、このような書き込みに関する禁止
・許可の設定は、DRAMカード18の外装部分に設け
られたDIPスイッチ20のオン・オフ操作によって容
易に変更可能である。ただし、図3に示す例では不用意
な設定変更の防止を目的として、DIPスイッチ20を
覆うための保護カバー23を用意してある。
【0025】
【発明の効果】以上説明してきたとおり、本発明によれ
ば、DRAMカードの外装部分に記憶素子としてのDR
AMへの書き込みを特定のメモリー容量を有するバンク
毎に禁止するためのスイッチ手段を設けた構成を採用し
たので、外装部分のスイッチ手段の操作を通して、DR
AMカードのメモリー空間に対して書き込み禁止領域を
ハードウェア的に設定することができることとなる。し
たがって、DRAMカードの一部を仮想的なROMとし
て、また他の部分をRAMとして使い分けることが可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例に係るDRAMカードの内部
構成を示す回路図である。
【図2】図1のDRAMカードの外形を示す平面図であ
る。
【図3】図1及び図2のDRAMカードをパーソナルコ
ンピュータのセット本体に接続した状態を示す平面図で
ある。
【符号の説明】
1〜8 DRAM 9〜16 スイッチ接点 17 抵抗アレイ 18 DRAMカード 20 DIPスイッチ(スイッチ手段) 22 パーソナルコンピュータのセット本体 23 保護カバー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11C 11/401

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイナミックランダムアクセスメモリー
    を記憶素子としたメモリーカードであって、外装部分に
    前記ダイナミックランダムアクセスメモリーへの書き込
    みを特定のメモリー容量を有するバンク毎に禁止するた
    めのスイッチ手段を備えたことを特徴とするメモリーカ
    ード。
JP3302210A 1991-11-19 1991-11-19 メモリーカード Withdrawn JPH05144251A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3302210A JPH05144251A (ja) 1991-11-19 1991-11-19 メモリーカード

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3302210A JPH05144251A (ja) 1991-11-19 1991-11-19 メモリーカード

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05144251A true JPH05144251A (ja) 1993-06-11

Family

ID=17906283

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3302210A Withdrawn JPH05144251A (ja) 1991-11-19 1991-11-19 メモリーカード

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JP (1) JPH05144251A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09180431A (ja) * 1995-12-26 1997-07-11 Nec Niigata Ltd シングルインラインメモリモジュールシステム
EP0887742A2 (en) * 1997-06-04 1998-12-30 Sony Corporation External storage apparatus, control apparatus therefor, and data transmission/reception apparatus
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JP2006277266A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Seiko Epson Corp 非接触タグ

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Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 19990204