JPH05143956A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 非磁性支持体上に磁気層及び磁気シールド層
を有する磁気記録媒体において、前記磁気シールド層の
塗膜密度が2.0〜6.0g/cm3の範囲にあることを特
徴とする磁気記録媒体。 【効果】 本発明の磁気記録媒体は、従来の磁気記録媒
体に対して高磁気シールド化と高分解能化を実現しうる
ものである。その結果、偽造防止に優れ、また、多層構
造化にも対応可能となるため、磁気記録媒体としての利
用範囲が拡大する。
を有する磁気記録媒体において、前記磁気シールド層の
塗膜密度が2.0〜6.0g/cm3の範囲にあることを特
徴とする磁気記録媒体。 【効果】 本発明の磁気記録媒体は、従来の磁気記録媒
体に対して高磁気シールド化と高分解能化を実現しうる
ものである。その結果、偽造防止に優れ、また、多層構
造化にも対応可能となるため、磁気記録媒体としての利
用範囲が拡大する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体及びその
製造方法に関し、更に詳しくは、偽造防止機能を有する
磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
製造方法に関し、更に詳しくは、偽造防止機能を有する
磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気カードは、通常カード支持体上に磁
性層を設けて構成され、銀行のCDカード、クレジット
カード等として広く使用されている。一方、これらの磁
気カードの普及につれて、カードに記録された信号を読
み取る技術も発達し、カードの偽造、変造も容易となっ
てきており、社会問題化している。
性層を設けて構成され、銀行のCDカード、クレジット
カード等として広く使用されている。一方、これらの磁
気カードの普及につれて、カードに記録された信号を読
み取る技術も発達し、カードの偽造、変造も容易となっ
てきており、社会問題化している。
【0003】磁気カードの偽造又は変造を防止する技術
としては、例えば、特公昭58−47531号公報、特
公昭58−50494号公報に開示された技術もその一
つである。これらの技術は、磁気カード基板上の磁気記
録再生用の磁性膜の上部もしくは上下に低保磁力の軟磁
性材料から成る合金を金属膜化し上記磁気膜に積層する
ことにより、もしくは、粉末化した低保磁力の軟磁性材
料から成る合金を溶剤により溶解された結合剤中に分散
させてなる塗布液を上記磁性膜に塗布することにより、
磁気的に保護し一般のヘッドでは上記磁気膜への記録再
生が不可能となるものである。しかし、一般的には特公
昭58−47531号公報に開示されているように、信
頼性、生産性の観点より低保磁力の軟磁性材料から成る
合金粉末を溶剤により溶解された結合剤中に分散させて
なる塗布液を塗布することにより、磁気膜を磁気的に保
護する方法を行なっている。
としては、例えば、特公昭58−47531号公報、特
公昭58−50494号公報に開示された技術もその一
つである。これらの技術は、磁気カード基板上の磁気記
録再生用の磁性膜の上部もしくは上下に低保磁力の軟磁
性材料から成る合金を金属膜化し上記磁気膜に積層する
ことにより、もしくは、粉末化した低保磁力の軟磁性材
料から成る合金を溶剤により溶解された結合剤中に分散
させてなる塗布液を上記磁性膜に塗布することにより、
磁気的に保護し一般のヘッドでは上記磁気膜への記録再
生が不可能となるものである。しかし、一般的には特公
昭58−47531号公報に開示されているように、信
頼性、生産性の観点より低保磁力の軟磁性材料から成る
合金粉末を溶剤により溶解された結合剤中に分散させて
なる塗布液を塗布することにより、磁気膜を磁気的に保
護する方法を行なっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例に記載の磁
気記録媒体は、磁気記録再生用の磁気膜を、低保磁力の
軟磁性材料から成る合金を結合剤中に分散させて成る磁
気シールド層により磁気的に保護する必要性から、磁気
シールド層内の低保磁力の軟磁性材料から成る合金粉末
を所定量必要とする為、磁気シールド層を20μm前後
塗布する必要があった。
気記録媒体は、磁気記録再生用の磁気膜を、低保磁力の
軟磁性材料から成る合金を結合剤中に分散させて成る磁
気シールド層により磁気的に保護する必要性から、磁気
シールド層内の低保磁力の軟磁性材料から成る合金粉末
を所定量必要とする為、磁気シールド層を20μm前後
塗布する必要があった。
【0005】しかしながら、磁気的に十分保護する為磁
気シールド層を厚くしていくと、低保磁力の軟磁性材料
から成る合金粉末以外の成分(例えば、結合剤等)が増
していく為、スペーシングロスが増加し、再生時の再生
出力が指数関数的に低下し、また、分解能も低くなる傾
向が見受けられる。
気シールド層を厚くしていくと、低保磁力の軟磁性材料
から成る合金粉末以外の成分(例えば、結合剤等)が増
していく為、スペーシングロスが増加し、再生時の再生
出力が指数関数的に低下し、また、分解能も低くなる傾
向が見受けられる。
【0006】これは、上記記載の特公昭58−4753
1号公報に開示された技術の問題点である。
1号公報に開示された技術の問題点である。
【0007】一方、最近の磁気カードは、磁気記録層の
上部に印刷層や印字層を設ける傾向があり、今まで以上
に分解能に優れた磁気カードを求められている。
上部に印刷層や印字層を設ける傾向があり、今まで以上
に分解能に優れた磁気カードを求められている。
【0008】以上のことから、上記従来の磁気記録媒体
では、磁気カードとしての利用範囲が非常に限られてし
まい、汎用性がないという問題点を有していた。
では、磁気カードとしての利用範囲が非常に限られてし
まい、汎用性がないという問題点を有していた。
【0009】本発明が解決しようとする課題は、高磁気
シールド性で、かつ高出力、高分解能の磁気記録媒体を
提供することにある。
シールド性で、かつ高出力、高分解能の磁気記録媒体を
提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、磁気シールド層
の塗膜密度を所定の範囲に限定することにより、所定の
磁気シールド性及び再生出力、分解能が得られることを
見い出し、本発明を解決するに至った。
題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、磁気シールド層
の塗膜密度を所定の範囲に限定することにより、所定の
磁気シールド性及び再生出力、分解能が得られることを
見い出し、本発明を解決するに至った。
【0011】即ち、本発明は、非磁性支持体上に磁気層
及び磁気シールド層を有する磁気記録媒体において、前
記磁気シールド層の塗膜密度が2.0〜6.0g/cm3の
範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
及び磁気シールド層を有する磁気記録媒体において、前
記磁気シールド層の塗膜密度が2.0〜6.0g/cm3の
範囲にあることを特徴とする磁気記録媒体を提供する。
【0012】以下、図面を用いて、本発明について詳し
く説明する。
く説明する。
【0013】図1及び図2に本発明の磁気記録媒体の代
表的な構成を記載した。
表的な構成を記載した。
【0014】図中、1は非磁性体から成る基材、1aは
カード表面、1bはカード裏面、2は磁気層、3、3a
及び3bは磁気シールド層を夫々表わす。
カード表面、1bはカード裏面、2は磁気層、3、3a
及び3bは磁気シールド層を夫々表わす。
【0015】図1に記載の磁気シールド層3、3a及び
3bは、磁気層2の全面あるいは部分的に設けられてい
る。
3bは、磁気層2の全面あるいは部分的に設けられてい
る。
【0016】非磁性体から成る基材1は、シート状ある
いは板状を呈しており、この基材の材料としては、例え
ば、塩化ビニル、ナイロン、セルロースジアセテート、
セルローストリアセテート、ポリスチレン、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
カーボネート等のプラスチック類もしくは、;銅、アル
ミニウム等の金属;紙、含浸紙;及びこれらの材料の複
合体が挙げられ、これら以外であっても、磁気カードに
必要な強度、剛性、隠蔽性、光透過性を有するものであ
れば、特に制限なく使用できる。
いは板状を呈しており、この基材の材料としては、例え
ば、塩化ビニル、ナイロン、セルロースジアセテート、
セルローストリアセテート、ポリスチレン、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリアミド、ポリ
カーボネート等のプラスチック類もしくは、;銅、アル
ミニウム等の金属;紙、含浸紙;及びこれらの材料の複
合体が挙げられ、これら以外であっても、磁気カードに
必要な強度、剛性、隠蔽性、光透過性を有するものであ
れば、特に制限なく使用できる。
【0017】磁気層2は、例えば、γ−Fe2O3、Co
被着γ−Fe2O3、Fe3O4、CrO2、 Fe、Fe−
Cr、Fe−Co、Co−Cr、Co−Ni、MnA
l、Baフェライト、Srフェライト等の従来公知の磁
性粉を溶剤により溶解された結合剤中に分散させてなる
塗布液をグラビア方式、リバース方式、ナイフエッジ方
式等の公知の方法によって塗布した後、乾燥前あるいは
乾燥中に磁場配向処理を施すことによって、非磁性体か
ら成る基材上に形成することができる。磁気層は、一層
でも良いが、このようにして形成されたものを重層した
ものでも良い。
被着γ−Fe2O3、Fe3O4、CrO2、 Fe、Fe−
Cr、Fe−Co、Co−Cr、Co−Ni、MnA
l、Baフェライト、Srフェライト等の従来公知の磁
性粉を溶剤により溶解された結合剤中に分散させてなる
塗布液をグラビア方式、リバース方式、ナイフエッジ方
式等の公知の方法によって塗布した後、乾燥前あるいは
乾燥中に磁場配向処理を施すことによって、非磁性体か
ら成る基材上に形成することができる。磁気層は、一層
でも良いが、このようにして形成されたものを重層した
ものでも良い。
【0018】磁気シールド層3、3a、3bは、例え
ば、Ni−Fe−α(αはMo、Cu、Mn、Nb、T
aの少なくとも1種類を含んでいる系)の如きNi−F
e系;Fe−Al−Si−α(αはCr、Ti、Cuの
少なくとも1種類を含んでいる系)の如きFe−Al−
Si系;Fe−Si−B−α(αはNb、Cr、Ni、
Cu、Znの少なくとも1種類を含んでいる系)の如き
Fe−Si−B系;CoFeSiB系、Co−Zr−N
b系、Co−Zr−Ta系の如きアモルファス合金系;
FeCo系、FeCoSiAl系、Fe−(Al,G
a)−(Si,Ge)系、FeGaSiRu系の如きF
e系等の従来公知の低保磁力の軟磁性材料から成る合金
粉末を、溶剤により溶解された結合剤中に分散させてな
る塗布液を調製し、この塗布液をグラビア方式、リバー
ス方式、ナイフエッジ方式等の公知の方法によって磁気
層の上部に塗布した後、乾燥前あるいは乾燥中に磁場配
向処理を施すことによって、非磁性体から成る基材上に
形成することができる。このようにして得られた磁気シ
ールド層に対して、更に後行程として、磁気シールド層
に加熱加圧処理を施すこともできる。
ば、Ni−Fe−α(αはMo、Cu、Mn、Nb、T
aの少なくとも1種類を含んでいる系)の如きNi−F
e系;Fe−Al−Si−α(αはCr、Ti、Cuの
少なくとも1種類を含んでいる系)の如きFe−Al−
Si系;Fe−Si−B−α(αはNb、Cr、Ni、
Cu、Znの少なくとも1種類を含んでいる系)の如き
Fe−Si−B系;CoFeSiB系、Co−Zr−N
b系、Co−Zr−Ta系の如きアモルファス合金系;
FeCo系、FeCoSiAl系、Fe−(Al,G
a)−(Si,Ge)系、FeGaSiRu系の如きF
e系等の従来公知の低保磁力の軟磁性材料から成る合金
粉末を、溶剤により溶解された結合剤中に分散させてな
る塗布液を調製し、この塗布液をグラビア方式、リバー
ス方式、ナイフエッジ方式等の公知の方法によって磁気
層の上部に塗布した後、乾燥前あるいは乾燥中に磁場配
向処理を施すことによって、非磁性体から成る基材上に
形成することができる。このようにして得られた磁気シ
ールド層に対して、更に後行程として、磁気シールド層
に加熱加圧処理を施すこともできる。
【0019】また、磁気シールド層3、3a、3bは、
非磁性体から成る基材上に直接塗布した後、磁気層を形
成させ、その後、上記処置を施すこともできる。
非磁性体から成る基材上に直接塗布した後、磁気層を形
成させ、その後、上記処置を施すこともできる。
【0020】Fe−Al−Si系等の低保磁力の軟磁性
材料から成る合金粉末を分散させる結合剤としては、例
えば、ブチラール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系
樹脂、アクリル樹脂、スチレン−マレイン酸共重合樹脂
等が挙げられ、これら樹脂に、必要に応じて、ニトリル
ゴム等のゴム系樹脂あるいはウレタンエラストマー等を
添加することもできる。また、低保磁力の軟磁性材料か
ら成る合金粉末が上記樹脂中に分散されて成る塗布液中
に、必要に応じて、界面活性剤、各種カップリング剤、
可塑剤、ワックスシリコンオイル、カーボンその他の顔
料を添加することもできる。
材料から成る合金粉末を分散させる結合剤としては、例
えば、ブチラール樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
樹脂、ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、セルロース系
樹脂、アクリル樹脂、スチレン−マレイン酸共重合樹脂
等が挙げられ、これら樹脂に、必要に応じて、ニトリル
ゴム等のゴム系樹脂あるいはウレタンエラストマー等を
添加することもできる。また、低保磁力の軟磁性材料か
ら成る合金粉末が上記樹脂中に分散されて成る塗布液中
に、必要に応じて、界面活性剤、各種カップリング剤、
可塑剤、ワックスシリコンオイル、カーボンその他の顔
料を添加することもできる。
【0021】低保磁力の軟磁性材料から成る合金粉末を
分散させる樹脂の使用量は、低保磁力の軟磁性材料から
成る合金粉末100重量部当たり10〜30重量部の範
囲が好ましい。
分散させる樹脂の使用量は、低保磁力の軟磁性材料から
成る合金粉末100重量部当たり10〜30重量部の範
囲が好ましい。
【0022】磁場配向の方法としては、例えば、永久磁
石、ソレノイドコイル等で発生させた磁場の中に、1の
非磁性体から成る基材上、もしくは1の非磁性体から成
る基材上に2の磁気層が構成された状態の上に塗布され
た磁気シールドを通過させることによって行なう。
石、ソレノイドコイル等で発生させた磁場の中に、1の
非磁性体から成る基材上、もしくは1の非磁性体から成
る基材上に2の磁気層が構成された状態の上に塗布され
た磁気シールドを通過させることによって行なう。
【0023】磁場配向装置としては、ソレノイドコイル
もしくは、N.N及びS.S反発対向磁石が好ましい。
もしくは、N.N及びS.S反発対向磁石が好ましい。
【0024】また、配向磁場は、一般的に、磁性粉の保
磁力の3倍〜4倍の磁場強度で配向処理を行なう。これ
は、4倍で特性が飽和してしまうからである。しかし、
低保磁力から成る軟磁性合金粉の場合は、粉末形状等の
理由から磁場強度によって飽和しない。上記の理由か
ら、配向磁場は大きければ大きいほど良い。
磁力の3倍〜4倍の磁場強度で配向処理を行なう。これ
は、4倍で特性が飽和してしまうからである。しかし、
低保磁力から成る軟磁性合金粉の場合は、粉末形状等の
理由から磁場強度によって飽和しない。上記の理由か
ら、配向磁場は大きければ大きいほど良い。
【0025】加熱加圧の方法としては、カレンダー、プ
レス機等、例えば、5段カレンダー装置で処理する場
合、処理温度は、30〜150℃の範囲が好ましく、6
0〜100℃の範囲が特に好ましい。圧力は、10〜2
00kg/cm2 の範囲が好ましく、50〜100kg/cm2
の範囲が特に好ましい。また、処理速度は、1〜500
m/mmの範囲が好ましく、20〜200m/mmの範囲が
特に好ましい。
レス機等、例えば、5段カレンダー装置で処理する場
合、処理温度は、30〜150℃の範囲が好ましく、6
0〜100℃の範囲が特に好ましい。圧力は、10〜2
00kg/cm2 の範囲が好ましく、50〜100kg/cm2
の範囲が特に好ましい。また、処理速度は、1〜500
m/mmの範囲が好ましく、20〜200m/mmの範囲が
特に好ましい。
【0026】シールド層の膜厚については、シールド塗
料塗布後、乾燥厚で5〜50μmの範囲が好ましく、特
に10〜20μmの範囲が特に好ましい。
料塗布後、乾燥厚で5〜50μmの範囲が好ましく、特
に10〜20μmの範囲が特に好ましい。
【0027】また、加熱加圧処理を行なう場合の乾燥後
厚は、上記と同様に5〜50μmの範囲が好ましく特に
10〜20μmの範囲が特に好ましい。但し、加熱加圧
処理を行なった方がより好ましい。
厚は、上記と同様に5〜50μmの範囲が好ましく特に
10〜20μmの範囲が特に好ましい。但し、加熱加圧
処理を行なった方がより好ましい。
【0028】また、本発明の磁気記録媒体の磁気シール
ド層3、3a、3b上に必要に応じて、印字層、保護
層、印刷層等を設けることもできる。
ド層3、3a、3b上に必要に応じて、印字層、保護
層、印刷層等を設けることもできる。
【0029】
【実施例】以下に本発明を実施例により説明する。実施
例中、「%」及び「部」は、各々「重量%」及び「重量
部」を表わす。
例中、「%」及び「部」は、各々「重量%」及び「重量
部」を表わす。
【0030】<磁気シールド塗料の調製>「センダスト
粉末」(粉末組成:Al5%、Si10%、Fe85
%、粉末形状:鱗片状、平均粒径15μm)100部、
「Bykmen」(ビックケミー・ジャパン株式会社製
高分子量不飽和酸エステル)0.1部、「ビニライトV
YHH」(米国ユニオンカーバイド社製塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂)10部、「T−5206](大
日本インキ化学工業社製ウレタン樹脂)10部、トルエ
ン40部、メチルエチルケトン40部、及びシクロヘキ
サノン40部をボールミルに入れ、24時間分散混合し
て磁気シールド塗料を得た。
粉末」(粉末組成:Al5%、Si10%、Fe85
%、粉末形状:鱗片状、平均粒径15μm)100部、
「Bykmen」(ビックケミー・ジャパン株式会社製
高分子量不飽和酸エステル)0.1部、「ビニライトV
YHH」(米国ユニオンカーバイド社製塩化ビニル−酢
酸ビニル共重合体樹脂)10部、「T−5206](大
日本インキ化学工業社製ウレタン樹脂)10部、トルエ
ン40部、メチルエチルケトン40部、及びシクロヘキ
サノン40部をボールミルに入れ、24時間分散混合し
て磁気シールド塗料を得た。
【0031】<磁性塗料の調製>「MC−127](戸
田工業(株)社製バリウムフェライト磁性粉)100
部、「VAGH」(米国ユニオンカーバイド社製塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体樹脂)10部、「T−520
6」10部、トルエン100部、メチルエチルケトン1
00部、シクロヘキサノン100部をボールミルに入れ
24時間分散混合することによって、磁性塗料を得た。
田工業(株)社製バリウムフェライト磁性粉)100
部、「VAGH」(米国ユニオンカーバイド社製塩化ビ
ニル−酢酸ビニル共重合体樹脂)10部、「T−520
6」10部、トルエン100部、メチルエチルケトン1
00部、シクロヘキサノン100部をボールミルに入れ
24時間分散混合することによって、磁性塗料を得た。
【0032】(実施例1)厚さ188μmのポリエチレ
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
【0033】次に、上記磁気記録層上に、上記磁気シー
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μm、となるように塗布し、N.N反発対向磁
石にて印加磁場2,000Oeで配向処理した後、塗布
面をカレンダーで加熱加圧処理して磁気シールド層の塗
膜膜密度が4.0g/cm3の磁気記録媒体を得た。
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μm、となるように塗布し、N.N反発対向磁
石にて印加磁場2,000Oeで配向処理した後、塗布
面をカレンダーで加熱加圧処理して磁気シールド層の塗
膜膜密度が4.0g/cm3の磁気記録媒体を得た。
【0034】(実施例2)厚さ188μmのポリエチレ
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
【0035】次に、上記磁気記録層上に、上記磁気シー
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、ソレノイドコイルに
て印加磁場2,000Oeで配向処理した後、塗布面を
カレンダーで加熱加圧処理して磁気シールド層の塗膜密
度が4.2g/cm3の磁気記録媒体を得た。
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、ソレノイドコイルに
て印加磁場2,000Oeで配向処理した後、塗布面を
カレンダーで加熱加圧処理して磁気シールド層の塗膜密
度が4.2g/cm3の磁気記録媒体を得た。
【0036】(実施例3)厚さ188μmのポリエチレ
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
【0037】次に、上記磁気記録層上に、上記磁気シー
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、ソレノイドコイルに
て印加磁場7,000Oeで配向処理して磁気シールド
層の塗膜密度が4.0g/cm3の磁気記録媒体を得た。
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、ソレノイドコイルに
て印加磁場7,000Oeで配向処理して磁気シールド
層の塗膜密度が4.0g/cm3の磁気記録媒体を得た。
【0038】(実施例4)厚さ188μmのポリエチレ
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
【0039】次に、上記磁気記録層上に、上記磁気シー
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、N.N反発対向磁石
にて印加磁場6,000Oeで配向処理して磁気シール
ド層の塗膜密度が3.8g/cm3の磁気記録媒体を得た。
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、N.N反発対向磁石
にて印加磁場6,000Oeで配向処理して磁気シール
ド層の塗膜密度が3.8g/cm3の磁気記録媒体を得た。
【0040】(実施例5)厚さ188μmのポリエチレ
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
【0041】次に、上記磁気記録層上に、上記磁気シー
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、N.N反発対向磁石
にて印加磁場6,000Oeで配向処理した後、塗布面
をカレンダーで加熱加圧処理して磁気シールド層の塗膜
密度が5.3g/cm3の磁気記録媒体を得た。
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、N.N反発対向磁石
にて印加磁場6,000Oeで配向処理した後、塗布面
をカレンダーで加熱加圧処理して磁気シールド層の塗膜
密度が5.3g/cm3の磁気記録媒体を得た。
【0042】(実施例6)厚さ188μmのポリエチレ
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
【0043】次に、上記磁気記録層上に、上記磁気シー
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、ソレノイドコイルに
て印加磁場7,000Oeで配向処理した後、塗布面を
カレンダーで加熱加圧処理して磁気シールド層の塗膜密
度が5.5g/cm3の磁気記録媒体を得た。
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、ソレノイドコイルに
て印加磁場7,000Oeで配向処理した後、塗布面を
カレンダーで加熱加圧処理して磁気シールド層の塗膜密
度が5.5g/cm3の磁気記録媒体を得た。
【0044】(比較例1)厚さ188μmのポリエチレ
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
【0045】次に、上記磁気記録層上に、上記磁気シー
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布して磁気シールド層の塗
膜密度が2.0g/cm3の磁気記録媒体を得た。
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布して磁気シールド層の塗
膜密度が2.0g/cm3の磁気記録媒体を得た。
【0046】(比較例2)厚さ188μmのポリエチレ
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
ンテレタレートシート上に、上記磁性塗料をリバース方
式で、乾燥膜厚が6μmと成るように全面塗布し、磁場
印加による配向した後、加熱乾燥して磁気記録層を形成
した。
【0047】次に、上記磁気記録層上に、上記磁気シー
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、N.N反発対向磁石
にて印加磁場800Oeで配向処理して磁気シールド層
の塗膜密度が2.3g/cm3の磁気記録媒体を得た。
ルド塗料をリバース方式にて乾燥膜厚が5μm、15μ
m、25μmとなるように塗布し、N.N反発対向磁石
にて印加磁場800Oeで配向処理して磁気シールド層
の塗膜密度が2.3g/cm3の磁気記録媒体を得た。
【0048】実施例及び比較例で得られた各磁気記録媒
体をカード状に打ち抜き、磁気カードリーダーライタに
て、読み取り再生出力電圧及び漏洩出力電圧を測定し
た。
体をカード状に打ち抜き、磁気カードリーダーライタに
て、読み取り再生出力電圧及び漏洩出力電圧を測定し
た。
【0049】図3に、磁気記録層に記録した記録密度2
00FCI、記録電流1,000mAの読み取り再生出
力特性と磁気シールド層の膜厚との関係を示した。ま
た、図4に、磁気記録層に記録した記録密度200FC
I、記録電流1,000mAの漏洩出力特性と磁気シー
ルド層の膜厚密度の関係を示した。更に、図5及び図6
に読み取り出力及び漏洩出力における周波数特性を示し
た。ここでの周波数特性は、磁気シード層厚15μmの
データにした。
00FCI、記録電流1,000mAの読み取り再生出
力特性と磁気シールド層の膜厚との関係を示した。ま
た、図4に、磁気記録層に記録した記録密度200FC
I、記録電流1,000mAの漏洩出力特性と磁気シー
ルド層の膜厚密度の関係を示した。更に、図5及び図6
に読み取り出力及び漏洩出力における周波数特性を示し
た。ここでの周波数特性は、磁気シード層厚15μmの
データにした。
【0050】以上の結果から明らかなように、読み取り
再生出力、漏洩出力及び分解能が著しく向上した。
再生出力、漏洩出力及び分解能が著しく向上した。
【0051】
【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、従来の磁気記
録媒体に対して高磁気シールド化と高分解能化を実現し
得るものである。その結果、偽造防止に優れ、また、多
層構造化にも対応可能となるため、磁気記録媒体として
の利用範囲が拡大する。
録媒体に対して高磁気シールド化と高分解能化を実現し
得るものである。その結果、偽造防止に優れ、また、多
層構造化にも対応可能となるため、磁気記録媒体として
の利用範囲が拡大する。
【図1】本発明の磁気記録媒体の層構成の一例を示す断
面図である。
面図である。
1 支持体 2 一層及び多層の磁気層 3 磁気シールド層
【図2】本発明の磁気記録媒体の層構成の一例を示す断
面図である。
面図である。
1 支持体 1a カード表面 1b カード裏面 2 一層及び多層の磁気層 3a 磁気シールド層 3b 磁気シールド層
【図3】実施例及び比較例で得た各磁気記録媒体の磁気
シールド層の厚みと、記録されたデータの読み取り再生
出力電圧との関係を示した図表である。
シールド層の厚みと、記録されたデータの読み取り再生
出力電圧との関係を示した図表である。
【図4】実施例及び比較例で得た各磁気記録媒体の磁気
シールド層の厚みと、記録されたデータの漏洩出力電圧
の関係を示した図表である。
シールド層の厚みと、記録されたデータの漏洩出力電圧
の関係を示した図表である。
【図5】実施例及び比較例で得た各磁気記録媒体の各周
波数における再生出力電圧を示した図表である。
波数における再生出力電圧を示した図表である。
【図6】実施例及び比較例で得た各磁気記録媒体の各周
波数における漏洩出力電圧を示した図表である。
波数における漏洩出力電圧を示した図表である。
Claims (3)
- 【請求項1】 非磁性支持体上に磁気層及び磁気シール
ド層を有する磁気記録媒体において、前記磁気シールド
層の塗膜密度が2.0〜6.0g/cm3の範囲にあること
を特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 2,000〜10,000ガウスの範囲
にある磁場で配向処理された磁気シールド層を有するこ
とを特徴とする請求項1記載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 加熱加圧処理された磁気層及び磁気シー
ルド層を有することを特徴とする請求項1又は2記載の
磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3303255A JPH05143956A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3303255A JPH05143956A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05143956A true JPH05143956A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17918754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3303255A Pending JPH05143956A (ja) | 1991-11-19 | 1991-11-19 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05143956A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7111383B2 (en) * | 2000-09-01 | 2006-09-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a head assembly |
-
1991
- 1991-11-19 JP JP3303255A patent/JPH05143956A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7111383B2 (en) * | 2000-09-01 | 2006-09-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a head assembly |
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