JPH0513362A - 絶縁型半導体装置 - Google Patents
絶縁型半導体装置Info
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- JPH0513362A JPH0513362A JP3185588A JP18558891A JPH0513362A JP H0513362 A JPH0513362 A JP H0513362A JP 3185588 A JP3185588 A JP 3185588A JP 18558891 A JP18558891 A JP 18558891A JP H0513362 A JPH0513362 A JP H0513362A
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- Japan
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- resin
- heat sink
- heat dissipation
- semiconductor device
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】実質的な放熱面積が広められて放熱性、外観の
良好な絶縁型半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】銅等の比較的柔らかい金属製の放熱板１の一端
にはリード２が一体に設けられ、この放熱板１の他端寄
りには、シャーシ等に取り付ける止具挿通孔３を形成す
るための丸穴４が穿孔されている。半導体ペレット５の
下面と放熱板１表面とがダイボンディングされ、半導体
ペレット５の上面に形成された各電極と近接して配設さ
れた２本のリード６，６とがそれぞれ金属細線７でワイ
ヤーボンディングされ、支持ピン１４で放熱板表面側を
支持して水平に保った状態で全体をエポキシ樹脂等の外
装樹脂８で樹脂被覆し、樹脂モールド後に支持ピン１４
を抜き取った残孔９が形成されている。
良好な絶縁型半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】銅等の比較的柔らかい金属製の放熱板１の一端
にはリード２が一体に設けられ、この放熱板１の他端寄
りには、シャーシ等に取り付ける止具挿通孔３を形成す
るための丸穴４が穿孔されている。半導体ペレット５の
下面と放熱板１表面とがダイボンディングされ、半導体
ペレット５の上面に形成された各電極と近接して配設さ
れた２本のリード６，６とがそれぞれ金属細線７でワイ
ヤーボンディングされ、支持ピン１４で放熱板表面側を
支持して水平に保った状態で全体をエポキシ樹脂等の外
装樹脂８で樹脂被覆し、樹脂モールド後に支持ピン１４
を抜き取った残孔９が形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱板を含めて外装樹
脂でモールドされたパワートランジスタ等の絶縁型半導
体装置に関する。
脂でモールドされたパワートランジスタ等の絶縁型半導
体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】発熱量が大きいパワートランジスタ等の
半導体装置の中には、図４に示すような樹脂モールド装
置により形成されるものがある。即ち、この絶縁型半導
体装置は、リード１００と前側に延設された肉薄の受縁
１０２を有する肉厚の放熱板１０３の上に半導体ペレッ
ト１０４をダイボンディングし、半導体ペレット表面の
エミッタ電極とベース電極を放熱板のリード両側に配設
された２本のリードにそれぞれ金属細線１０４でワイヤ
ボンディングしてから、受縁１０２の端面や放熱板１０
３の裏面側を含めた全体が樹脂モールドされ、受縁１０
２を外部に導出させずに縁面距離を充分に確保して空間
放電等を解消したものである。
半導体装置の中には、図４に示すような樹脂モールド装
置により形成されるものがある。即ち、この絶縁型半導
体装置は、リード１００と前側に延設された肉薄の受縁
１０２を有する肉厚の放熱板１０３の上に半導体ペレッ
ト１０４をダイボンディングし、半導体ペレット表面の
エミッタ電極とベース電極を放熱板のリード両側に配設
された２本のリードにそれぞれ金属細線１０４でワイヤ
ボンディングしてから、受縁１０２の端面や放熱板１０
３の裏面側を含めた全体が樹脂モールドされ、受縁１０
２を外部に導出させずに縁面距離を充分に確保して空間
放電等を解消したものである。
【０００３】上記の樹脂モールド装置は、図４に示すよ
うに、リード１００を挟持する上下金型１１０，１１１
の上金型１００に前記受縁１０２を押さえる支持突起１
１２が突設されており、また、下金型１１１にはこの支
持突起１１２と対向して支持片１０２を支持して放熱板
１００の水平を保つための可動ピン１１３が上下動自在
に配置されたものとなっている。
うに、リード１００を挟持する上下金型１１０，１１１
の上金型１００に前記受縁１０２を押さえる支持突起１
１２が突設されており、また、下金型１１１にはこの支
持突起１１２と対向して支持片１０２を支持して放熱板
１００の水平を保つための可動ピン１１３が上下動自在
に配置されたものとなっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記絶
縁型半導体装置では、薄肉の受縁１０２が放熱板１００
の前方に延設されているので、この放熱板１００の裏面
側が封止された実質的な放熱面積が半導体装置の裏面全
体の外装樹脂の面積の割合に対して狭くなっており、放
熱性が不充分になるといった問題があった。そして、裏
面側の外装樹脂に可動ピン１０３の除去した残孔が形成
されるので、外観的にも不利であった。また、モールド
された樹脂が硬化する際には、放熱板１００の裏面側と
受縁１０２の裏面側の樹脂の厚みが大きく異なるため、
受縁１０２の裏面側の樹脂の収縮が強くなり、図４に一
点鎖線で示すように、裏面側前方に段差が形成されるよ
うになる。このように、半導体装置の裏面に段差が形成
されていると、シャーシ等に取り付けたときに、この段
差によって放熱板１０１を被覆した部分の外装樹脂がシ
ャーシ等に接触せずに離れてしまい、確実に放熱が行わ
れないといった問題があった。
縁型半導体装置では、薄肉の受縁１０２が放熱板１００
の前方に延設されているので、この放熱板１００の裏面
側が封止された実質的な放熱面積が半導体装置の裏面全
体の外装樹脂の面積の割合に対して狭くなっており、放
熱性が不充分になるといった問題があった。そして、裏
面側の外装樹脂に可動ピン１０３の除去した残孔が形成
されるので、外観的にも不利であった。また、モールド
された樹脂が硬化する際には、放熱板１００の裏面側と
受縁１０２の裏面側の樹脂の厚みが大きく異なるため、
受縁１０２の裏面側の樹脂の収縮が強くなり、図４に一
点鎖線で示すように、裏面側前方に段差が形成されるよ
うになる。このように、半導体装置の裏面に段差が形成
されていると、シャーシ等に取り付けたときに、この段
差によって放熱板１０１を被覆した部分の外装樹脂がシ
ャーシ等に接触せずに離れてしまい、確実に放熱が行わ
れないといった問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、放熱板上にマウントされた半導体ペレット
とその近傍に配設されたリードがワイヤーボンディング
され、外装樹脂にて全体が樹脂モールドされた絶縁型半
導体装置において、外装樹脂にて放熱板裏面側全面に亘
って肉薄に被覆すると共に、外装樹脂の表面側先端に、
樹脂モールドの際に放熱板を支える支持ピンを抜き取っ
たあとの残孔が形成されていることを特徴とする。
に本発明は、放熱板上にマウントされた半導体ペレット
とその近傍に配設されたリードがワイヤーボンディング
され、外装樹脂にて全体が樹脂モールドされた絶縁型半
導体装置において、外装樹脂にて放熱板裏面側全面に亘
って肉薄に被覆すると共に、外装樹脂の表面側先端に、
樹脂モールドの際に放熱板を支える支持ピンを抜き取っ
たあとの残孔が形成されていることを特徴とする。
【０００６】
【作用】上記構成の絶縁型半導体装置では、樹脂モール
ドの際に放熱板の裏面側を上方に位置させ、表面側先端
を支持ピンで支えることにより、放熱板裏面側の水平に
保った状態で樹脂モールドでき、放熱板裏面側全面を外
装樹脂にて被覆することにより、薄肉の外装樹脂で被覆
された放熱板の放熱面積が広くとれるようになる。ま
た、放熱板裏面に外装樹脂の硬化時の収縮による段差も
生じることがなくなり、外観も良く、シャーシ等に確実
に密着させて取り付けることができ、放熱性が充分に確
保される。また、樹脂モールド後に支持ピンを抜き取っ
たあとに形成された残孔は沿面距離が長くとれるため絶
縁耐圧の低下を招く心配もない。
ドの際に放熱板の裏面側を上方に位置させ、表面側先端
を支持ピンで支えることにより、放熱板裏面側の水平に
保った状態で樹脂モールドでき、放熱板裏面側全面を外
装樹脂にて被覆することにより、薄肉の外装樹脂で被覆
された放熱板の放熱面積が広くとれるようになる。ま
た、放熱板裏面に外装樹脂の硬化時の収縮による段差も
生じることがなくなり、外観も良く、シャーシ等に確実
に密着させて取り付けることができ、放熱性が充分に確
保される。また、樹脂モールド後に支持ピンを抜き取っ
たあとに形成された残孔は沿面距離が長くとれるため絶
縁耐圧の低下を招く心配もない。
【０００７】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の一実施例を説
明する。
明する。
【０００８】図１は本発明の一実施例に係る絶縁型半導
体装置の一部破断して示す概略斜視図であって、例え
ば、パワートランジスタを例示したものである。
体装置の一部破断して示す概略斜視図であって、例え
ば、パワートランジスタを例示したものである。
【０００９】第１図において、１は銅等の比較的柔らか
い金属製の放熱板であり、この放熱板１の一端にはリー
ド２が一体に設けられている。そして、この放熱板１の
他端寄りには、シャーシ等に取り付ける止具挿通孔３を
形成するための丸穴４が穿孔されている。
い金属製の放熱板であり、この放熱板１の一端にはリー
ド２が一体に設けられている。そして、この放熱板１の
他端寄りには、シャーシ等に取り付ける止具挿通孔３を
形成するための丸穴４が穿孔されている。
【００１０】この放熱板１の上面には、パワートランジ
スタ用の半導体ペレット５の下面のコレクタ電極と放熱
板１がダイボンディングされている。そして、この半導
体ペレット５の上面に形成されたエミッタ電極及びベー
ス電極と、放熱板１のリード２の両側に配設された２本
のリード６，６とがそれぞれ金属細線７でワイヤーボン
ディングされ、全体がエポキシ樹脂等の外装樹脂８で被
覆されている。
スタ用の半導体ペレット５の下面のコレクタ電極と放熱
板１がダイボンディングされている。そして、この半導
体ペレット５の上面に形成されたエミッタ電極及びベー
ス電極と、放熱板１のリード２の両側に配設された２本
のリード６，６とがそれぞれ金属細線７でワイヤーボン
ディングされ、全体がエポキシ樹脂等の外装樹脂８で被
覆されている。
【００１１】この外装樹脂８は、半導体ペレット５及び
金属細線７を封止する部分が厚肉化された段付き直方体
形状に成形され、放熱板１裏面の外装樹脂の厚みは、良
好な放熱性を発揮できるように肉薄に形成されている。
そして、前記丸孔４を被覆して止具挿通孔３が同心的に
形成され、更に、止具挿通孔３の前方側表面には樹脂モ
ールドの際に放熱板１を支える支持ピンを樹脂モールド
後に抜き取って形成された残孔９がテーパを持って形成
されている。
金属細線７を封止する部分が厚肉化された段付き直方体
形状に成形され、放熱板１裏面の外装樹脂の厚みは、良
好な放熱性を発揮できるように肉薄に形成されている。
そして、前記丸孔４を被覆して止具挿通孔３が同心的に
形成され、更に、止具挿通孔３の前方側表面には樹脂モ
ールドの際に放熱板１を支える支持ピンを樹脂モールド
後に抜き取って形成された残孔９がテーパを持って形成
されている。
【００１２】上記構成の絶縁型半導体装置は、図２及び
図３に示す上下金型１０，１１を用いて樹脂モールドさ
れる。即ち、この上下金型１０，１１間に直方体形状の
キャビティ１２が形成されており、下金型１１のキャビ
ティ１２には前記半導体ペレット５をマウントした放熱
板１が半導体ペレット５が下向きにしてセットされ、前
記のリード２，６，６が上下の金型１０，１１で挟持さ
れるようになっている。この下金型１１には、前記の丸
穴４を挿通し止具挿通孔３を成形するための円形ポール
１３が上向きに突設され、更に、放熱板１の前方側表面
側を支持し、この放熱板１を水平に保つため、回動動作
により上下動自在となる支持ピン１４が設けられてい
る。該支持ピン１４は、その先端がテーパ状に加工され
ており、この上端部１４ａによって放熱板１を支えるよ
うになっている。残孔９はこの支持ピン１４を樹脂モー
ルド後に抜き取った後のテーパをもった穴である。
図３に示す上下金型１０，１１を用いて樹脂モールドさ
れる。即ち、この上下金型１０，１１間に直方体形状の
キャビティ１２が形成されており、下金型１１のキャビ
ティ１２には前記半導体ペレット５をマウントした放熱
板１が半導体ペレット５が下向きにしてセットされ、前
記のリード２，６，６が上下の金型１０，１１で挟持さ
れるようになっている。この下金型１１には、前記の丸
穴４を挿通し止具挿通孔３を成形するための円形ポール
１３が上向きに突設され、更に、放熱板１の前方側表面
側を支持し、この放熱板１を水平に保つため、回動動作
により上下動自在となる支持ピン１４が設けられてい
る。該支持ピン１４は、その先端がテーパ状に加工され
ており、この上端部１４ａによって放熱板１を支えるよ
うになっている。残孔９はこの支持ピン１４を樹脂モー
ルド後に抜き取った後のテーパをもった穴である。
【００１３】一方、上金型１０のキャビティ１２内面は
平面状であり図示していないゲートから溶融状態の外装
樹脂をキャビティ１２内へ射出したときに、放熱板１の
裏面側に薄肉の外装樹脂８が均一に形成されるようにな
っている。
平面状であり図示していないゲートから溶融状態の外装
樹脂をキャビティ１２内へ射出したときに、放熱板１の
裏面側に薄肉の外装樹脂８が均一に形成されるようにな
っている。
【００１４】上記上下金型１０，１１を用いて樹脂モー
ルドを行う場合は、図２に示すように、まず上金型１０
を上昇させた状態で、半導体ペレット５を下向きにした
リード２，６，６を下金型１１に載置すると共に、円形
ポール１３を放熱板１の丸穴４に挿入し、支持ピン１４
の先端部１４ａにて放熱板１の前方側を支持する。この
とき、支持ピン１４をやや下降させておくと、一点鎖線
で示すように、放熱板１の前方側がやや下がった状態で
支持される。そこで、この放熱板１の上方に例えば、図
示していないが非接触状態で水平度が検出できる近接セ
ンサ等を配置して放熱板１の傾きを検出し、これに連動
させて支持ピン１４を回動して上昇させ、放熱板１を水
平状態に位置決めする。尚、この支持ピン１４の上下動
の範囲は上下に１ｍｍ程度あれば充分であり、放熱板１
の傾きは他の手段で検出してもよいものである。
ルドを行う場合は、図２に示すように、まず上金型１０
を上昇させた状態で、半導体ペレット５を下向きにした
リード２，６，６を下金型１１に載置すると共に、円形
ポール１３を放熱板１の丸穴４に挿入し、支持ピン１４
の先端部１４ａにて放熱板１の前方側を支持する。この
とき、支持ピン１４をやや下降させておくと、一点鎖線
で示すように、放熱板１の前方側がやや下がった状態で
支持される。そこで、この放熱板１の上方に例えば、図
示していないが非接触状態で水平度が検出できる近接セ
ンサ等を配置して放熱板１の傾きを検出し、これに連動
させて支持ピン１４を回動して上昇させ、放熱板１を水
平状態に位置決めする。尚、この支持ピン１４の上下動
の範囲は上下に１ｍｍ程度あれば充分であり、放熱板１
の傾きは他の手段で検出してもよいものである。
【００１５】次いで、上金型１０を下降させ、図３に示
すようにリード２，６，６を上下の金型１０，１１で挟
持固定する。これにより、キャビティ１２内に挟持固定
された放熱板１の裏面側には全面に亘って一定の隙間が
得られた状態で保持される。放熱板１の保持が完了する
と、図示していないゲートから溶融状態の外装樹脂をキ
ャビティ１２内へ注入して全体をモールドする。この状
態で外装樹脂を注入すると、放熱板１が露出することな
く裏面側略全面に亘って肉薄状態の外装樹脂８で被覆さ
れるようになる。
すようにリード２，６，６を上下の金型１０，１１で挟
持固定する。これにより、キャビティ１２内に挟持固定
された放熱板１の裏面側には全面に亘って一定の隙間が
得られた状態で保持される。放熱板１の保持が完了する
と、図示していないゲートから溶融状態の外装樹脂をキ
ャビティ１２内へ注入して全体をモールドする。この状
態で外装樹脂を注入すると、放熱板１が露出することな
く裏面側略全面に亘って肉薄状態の外装樹脂８で被覆さ
れるようになる。
【００１６】樹脂モールドが終わると、放熱板１の支持
ピン１４を若干下降させて抜き取ると共に、上金型１０
を上昇させて半導体装置が取り出される。
ピン１４を若干下降させて抜き取ると共に、上金型１０
を上昇させて半導体装置が取り出される。
【００１７】このようにして得られた絶縁型半導体装置
は、裏面側全面に亘って肉厚状態の放熱板１が露出する
ことなく肉薄の外装樹脂８にて被覆されるので、実質的
な放熱面積が従来のものと比べて広くなり、放熱性が向
上する。また、放熱板１の裏面全面に亘って肉薄の外装
樹脂８が形成されるため、外観も従来のものと比べて良
好となり、また、樹脂硬化時の収縮率の違いにより裏面
側の外装樹脂に従来のような段差が生じる心配がなく、
従って、シャーシ等に止具挿通孔３を介してビス止めし
た場合、シャーシ等に放熱板１の裏面側の外装樹脂８が
ぴったりと密着し、放熱性が低下することがなく、パワ
ーの高い半導体装置を構成することが可能となる。
は、裏面側全面に亘って肉厚状態の放熱板１が露出する
ことなく肉薄の外装樹脂８にて被覆されるので、実質的
な放熱面積が従来のものと比べて広くなり、放熱性が向
上する。また、放熱板１の裏面全面に亘って肉薄の外装
樹脂８が形成されるため、外観も従来のものと比べて良
好となり、また、樹脂硬化時の収縮率の違いにより裏面
側の外装樹脂に従来のような段差が生じる心配がなく、
従って、シャーシ等に止具挿通孔３を介してビス止めし
た場合、シャーシ等に放熱板１の裏面側の外装樹脂８が
ぴったりと密着し、放熱性が低下することがなく、パワ
ーの高い半導体装置を構成することが可能となる。
【００１８】また、外装樹脂８には、樹脂モールド時に
放熱板１を支持する支持ピン１４を抜き取ったあとの残
孔９が形成されいるが、この残孔９は外装樹脂８の上面
に僅かに開口しているので、シャーシ等に実装したとき
の沿面距離も充分とれ、空中放電等を生じ難く、絶縁耐
圧が低下することもない。
放熱板１を支持する支持ピン１４を抜き取ったあとの残
孔９が形成されいるが、この残孔９は外装樹脂８の上面
に僅かに開口しているので、シャーシ等に実装したとき
の沿面距離も充分とれ、空中放電等を生じ難く、絶縁耐
圧が低下することもない。
【００１９】尚、本発明の絶縁型半導体装置は、実施例
で示したパワートランジスタ以外に、放熱板を有する各
種半導体装置に適用できるものである。
で示したパワートランジスタ以外に、放熱板を有する各
種半導体装置に適用できるものである。
【００２０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の絶縁型半導体装置は、放熱板裏面側全面が外装樹脂に
て肉薄に被覆されて放熱板の放熱面積が広くとれると共
に、この部分での外装樹脂の硬化収縮による段差を生じ
ることがなく、外観も良好でシャーシ等に放熱板裏面側
を確実に密着させて取り付けることができ、放熱性が充
分に確保される。また、樹脂モールド後に支持ピンを抜
き取ったあとに形成された残孔は沿面距離が長くとれる
ため絶縁耐圧の低下を招く心配がないといった効果を奏
する。
の絶縁型半導体装置は、放熱板裏面側全面が外装樹脂に
て肉薄に被覆されて放熱板の放熱面積が広くとれると共
に、この部分での外装樹脂の硬化収縮による段差を生じ
ることがなく、外観も良好でシャーシ等に放熱板裏面側
を確実に密着させて取り付けることができ、放熱性が充
分に確保される。また、樹脂モールド後に支持ピンを抜
き取ったあとに形成された残孔は沿面距離が長くとれる
ため絶縁耐圧の低下を招く心配がないといった効果を奏
する。
【図１】本発明の一実施例に係る絶縁型半導体装置の一
部破断して示す概略斜視図。
部破断して示す概略斜視図。
【図２】本発明の絶縁型半導体装置を樹脂モールドする
際の下金型へのセット状態を示す概略断面図。
際の下金型へのセット状態を示す概略断面図。
【図３】型半導体装置を樹脂モールドする際の上下金型
間へのセット状態を示す概略断面図。
間へのセット状態を示す概略断面図。
【図４】従来の絶縁型半導体装置の樹脂モールド状態を
示す概略断面図。
示す概略断面図。
１ 放熱板 ５ 半導体ペレット ６ リード ８ 外装樹脂 ９ 残孔 １４ 支持ピン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】放熱板上にマウントされた半導体ペレット
とその近傍に配設されたリードがワイヤーボンディング
され、外装樹脂にて全体が樹脂モールドされた絶縁型半
導体装置において、 外装樹脂にて放熱板裏面側全面に亘って肉薄に被覆する
と共に、外装樹脂の表面側先端に、樹脂モールドの際に
放熱板を支える支持ピンを抜き取ったあとの残孔が形成
されていることを特徴とする絶縁型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185588A JPH0513362A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 絶縁型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3185588A JPH0513362A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 絶縁型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513362A true JPH0513362A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=16173433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3185588A Withdrawn JPH0513362A (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 絶縁型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513362A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014118052A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Autoliv Development Ab | スルーアンカおよびシートベルト装置 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP3185588A patent/JPH0513362A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014118052A (ja) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Autoliv Development Ab | スルーアンカおよびシートベルト装置 |
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