JPH0513334A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPH0513334A JPH0513334A JP16656191A JP16656191A JPH0513334A JP H0513334 A JPH0513334 A JP H0513334A JP 16656191 A JP16656191 A JP 16656191A JP 16656191 A JP16656191 A JP 16656191A JP H0513334 A JPH0513334 A JP H0513334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- temperature
- sputtering apparatus
- controls
- control unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板の温度を正確に制御し、膜質変動の
ない金属膜を形成する。 【構成】半導体基板５より放出する赤外線を捕捉する赤
外線センサ６と、熱媒体用ガスの流量を制御する流量コ
ントローラ３とを設け、赤外線センサ６により温度を検
出し、ヒータ電源部を制御して半導体基板５の温度を正
確に制御する。
ない金属膜を形成する。 【構成】半導体基板５より放出する赤外線を捕捉する赤
外線センサ６と、熱媒体用ガスの流量を制御する流量コ
ントローラ３とを設け、赤外線センサ６により温度を検
出し、ヒータ電源部を制御して半導体基板５の温度を正
確に制御する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に金属膜を
形成するスパッタリング装置に関するものである。
形成するスパッタリング装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のスパッタリング装置におけ
る主要部を示す模式断面図である。従来、この種のスパ
ッタリング装置は、例えば、図２に示すように、金属を
スパッタリングするターゲット７と、ターゲット７の裏
面側に配置され、ループ状の磁場を発生するマグネット
８と、半導体基板５を保持する熱伝導板４と、熱媒体不
活性ガスを半導体基板５に吹き付ける配管及びバルブ１
０と、熱伝導板４に埋設される熱電対９により温度を検
出し、配管を加熱するヒータ電源部２と熱伝導板４のヒ
ータとを制御する温度制御部１とを有していた。
る主要部を示す模式断面図である。従来、この種のスパ
ッタリング装置は、例えば、図２に示すように、金属を
スパッタリングするターゲット７と、ターゲット７の裏
面側に配置され、ループ状の磁場を発生するマグネット
８と、半導体基板５を保持する熱伝導板４と、熱媒体不
活性ガスを半導体基板５に吹き付ける配管及びバルブ１
０と、熱伝導板４に埋設される熱電対９により温度を検
出し、配管を加熱するヒータ電源部２と熱伝導板４のヒ
ータとを制御する温度制御部１とを有していた。
【０００３】このスパッタリング装置で、半導体基板５
に金属膜を形成する場合には、まず、陰極側である熱伝
導板４に半導体基板を取付け、陽極側であるターゲット
７に電圧を印加する。これと同時にマグネット８により
磁界をかけ、高密度のプラズマを発生させ、ターゲット
７より発生する金属スパッタを半導体基板５に堆積させ
る。このとき、半導体基板５に金属膜が均一の厚さに形
成されるように、半導体基板５に熱媒体不活性ガスを吹
き付けたり、熱伝導板４の熱伝達により半導体基板５を
加熱していた。
に金属膜を形成する場合には、まず、陰極側である熱伝
導板４に半導体基板を取付け、陽極側であるターゲット
７に電圧を印加する。これと同時にマグネット８により
磁界をかけ、高密度のプラズマを発生させ、ターゲット
７より発生する金属スパッタを半導体基板５に堆積させ
る。このとき、半導体基板５に金属膜が均一の厚さに形
成されるように、半導体基板５に熱媒体不活性ガスを吹
き付けたり、熱伝導板４の熱伝達により半導体基板５を
加熱していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
スパッタリング装置では、半導体基板の温度を測定する
のに、熱伝導板に埋設される熱電対を利用して測定して
いるので、半導体基板自体の温度を測定する方法ではな
い。このため、熱伝導板との接触不良により半導体基板
の温度に変動を起し、正確に温度制御が出来ず金属膜の
膜質が変化し、金属膜のエッチング残り等の問題が生ず
る。
スパッタリング装置では、半導体基板の温度を測定する
のに、熱伝導板に埋設される熱電対を利用して測定して
いるので、半導体基板自体の温度を測定する方法ではな
い。このため、熱伝導板との接触不良により半導体基板
の温度に変動を起し、正確に温度制御が出来ず金属膜の
膜質が変化し、金属膜のエッチング残り等の問題が生ず
る。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべ
く、半導体基板自身の温度を検出し、半導体基板の温度
を正確に制御して、膜質の変動のない金属膜を形成する
スパッタリング装置を提供することである。
く、半導体基板自身の温度を検出し、半導体基板の温度
を正確に制御して、膜質の変動のない金属膜を形成する
スパッタリング装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタリング
装置は、半導体基板を保持する熱伝導板と、半導体基板
に加熱される熱媒体ガス供給手段と、金属スパッタリン
グするターケットと、前記熱媒体ガス及び熱伝導板の温
度を制御する温度制御部とを有するスパッタリング装置
において、前記半導体基板から放射される赤外線を捕捉
する赤外線センサを備え、この赤外線センサの出力値を
前記温度制御部に入力し、前記半導体基板の温度を制御
することを特徴としている。
装置は、半導体基板を保持する熱伝導板と、半導体基板
に加熱される熱媒体ガス供給手段と、金属スパッタリン
グするターケットと、前記熱媒体ガス及び熱伝導板の温
度を制御する温度制御部とを有するスパッタリング装置
において、前記半導体基板から放射される赤外線を捕捉
する赤外線センサを備え、この赤外線センサの出力値を
前記温度制御部に入力し、前記半導体基板の温度を制御
することを特徴としている。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１は本発明の一実施例におけるスパッタ
リング装置の主要部を示す模式断面図である。この実施
例におけるスパッタリング装置は、図１に示すように、
加熱された半導体基板５より発生する赤外線を捕捉する
裏面側に赤外線センサ６と、熱媒体不活性ガスの流量と
制御す流量コントローラ３とを設けたことである。それ
以外は従来例と同じである。
リング装置の主要部を示す模式断面図である。この実施
例におけるスパッタリング装置は、図１に示すように、
加熱された半導体基板５より発生する赤外線を捕捉する
裏面側に赤外線センサ６と、熱媒体不活性ガスの流量と
制御す流量コントローラ３とを設けたことである。それ
以外は従来例と同じである。
【０００９】このように直接半導体基板の温度を測定出
来るようにしたので、赤外線センサ６からの出力値は制
御部１へ信号として送られ、この信号を基に温度制御部
１はヒータ電源部２及びガス流量コントローラ３のヒー
タ電流及び流量を制御する。そして、熱媒体不活性ガス
の流量及び温度を変化させることにより半導体基板の温
度を一定の温度に保つことが出来る。
来るようにしたので、赤外線センサ６からの出力値は制
御部１へ信号として送られ、この信号を基に温度制御部
１はヒータ電源部２及びガス流量コントローラ３のヒー
タ電流及び流量を制御する。そして、熱媒体不活性ガス
の流量及び温度を変化させることにより半導体基板の温
度を一定の温度に保つことが出来る。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、半導体基
板５からの赤外線放出を検知して半導体基板の温度を基
にして半導体基板の温度制御及び冷却媒体用ガスの流量
制御を行うことによって、半導体基板の温度を正確に制
御するので、温度変度に起因する成長金属膜の膜質変動
が防止できるスパッタリング装置が得られるという効果
がある。
板５からの赤外線放出を検知して半導体基板の温度を基
にして半導体基板の温度制御及び冷却媒体用ガスの流量
制御を行うことによって、半導体基板の温度を正確に制
御するので、温度変度に起因する成長金属膜の膜質変動
が防止できるスパッタリング装置が得られるという効果
がある。
【図１】本発明の一実施例におけるスパッタリング装置
の主要部を示す模式断面図である。
の主要部を示す模式断面図である。
【図２】従来のスパッタリング装置の一例における主要
部を示す模式断面図である。
部を示す模式断面図である。
１ 温度制御部 ２ ヒータ電源部 ３ 流量コントローラ ４ 熱伝導板 ５ 半導体基板 ６ 赤外線センサ ７ ターゲット ８ マグネット ９ 熱電対 １０ バルブ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体基板を保持する熱伝導板と、半導
体基板に加熱される熱媒体ガス供給手段と、金属スパッ
タリングするターケットと、前記熱媒体ガス及び熱伝導
板の温度を制御する温度制御部とを有するスパッタリン
グ装置において、前記半導体基板から放射される赤外線
を捕捉する赤外線センサを備え、この赤外線センサの出
力値を前記温度制御部に入力し、前記半導体基板の温度
を制御することを特徴とするスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16656191A JPH0513334A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16656191A JPH0513334A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | スパツタリング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513334A true JPH0513334A (ja) | 1993-01-22 |
Family
ID=15833547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16656191A Pending JPH0513334A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0513334A (ja) |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP16656191A patent/JPH0513334A/ja active Pending
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