JPH0513258A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH0513258A JPH0513258A JP15818791A JP15818791A JPH0513258A JP H0513258 A JPH0513258 A JP H0513258A JP 15818791 A JP15818791 A JP 15818791A JP 15818791 A JP15818791 A JP 15818791A JP H0513258 A JPH0513258 A JP H0513258A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- film forming
- deposition
- shielding mechanism
- substrate material
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- Granted
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜形成装置の斜蒸着時の遮蔽機構の改良に
より強固な薄膜を形成し、磁気テープの特性を改善す
る。 【構成】 遮蔽機構１５の先端部が防着構造１３の開口
部１４で内側に入り込む構成とし、基板材料１１上に飛
来する回析分子の付着を防ぎ、形成する蒸着膜の端部の
陰影を明瞭にする。この構成により、堅固な薄膜が形成
され、ビデオ用蒸着磁気テープではドロップアウト、ヘ
ッド目詰まり、スチル寿命、電磁変換特性などの特性が
飛躍的に向上する。
より強固な薄膜を形成し、磁気テープの特性を改善す
る。 【構成】 遮蔽機構１５の先端部が防着構造１３の開口
部１４で内側に入り込む構成とし、基板材料１１上に飛
来する回析分子の付着を防ぎ、形成する蒸着膜の端部の
陰影を明瞭にする。この構成により、堅固な薄膜が形成
され、ビデオ用蒸着磁気テープではドロップアウト、ヘ
ッド目詰まり、スチル寿命、電磁変換特性などの特性が
飛躍的に向上する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度な記録が可能なテ
ープ，ディスクなどの磁気記録媒体を製作するのに用い
る真空蒸着装置，スパッタ装置，イオンプレーティング
装置などの薄膜形成装置に関する。
ープ，ディスクなどの磁気記録媒体を製作するのに用い
る真空蒸着装置，スパッタ装置，イオンプレーティング
装置などの薄膜形成装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年薄膜形成装置には高精度化が益々要
求されている。例えば磁気テープでは、記録密度の向上
にともない真空蒸着法で作成した蒸着テープが実用化さ
れている。この蒸着テープは斜め蒸着法により製作され
るのが普通であるが、このとき、低入射角部を障害物に
より遮蔽し、蒸発源からの陰影部を形成する。この陰影
の境界部により蒸発源からの回析飛来分子を減少させ、
鮮鋭な陰影を形成することにより蒸着テープの性能を飛
躍的に向上させている。また遮蔽機構が動作した後、新
たに露出した部分からのアウトガスによる良質な薄膜の
形成に妨害が起こる。このように遮蔽機構の構造や機構
ができた蒸着テープの性能に大きな影響を与えることか
ら、種々の遮蔽装置を持った薄膜形成装置が検討されて
いる。
求されている。例えば磁気テープでは、記録密度の向上
にともない真空蒸着法で作成した蒸着テープが実用化さ
れている。この蒸着テープは斜め蒸着法により製作され
るのが普通であるが、このとき、低入射角部を障害物に
より遮蔽し、蒸発源からの陰影部を形成する。この陰影
の境界部により蒸発源からの回析飛来分子を減少させ、
鮮鋭な陰影を形成することにより蒸着テープの性能を飛
躍的に向上させている。また遮蔽機構が動作した後、新
たに露出した部分からのアウトガスによる良質な薄膜の
形成に妨害が起こる。このように遮蔽機構の構造や機構
ができた蒸着テープの性能に大きな影響を与えることか
ら、種々の遮蔽装置を持った薄膜形成装置が検討されて
いる。
【０００３】以下に従来の薄膜形成装置について図面を
参照しながら説明する。図６および図７に従来の薄膜形
成装置の一つである、真空蒸着装置の遮蔽機構の一例の
構成を示す。図６，図７に示すように、基板材料２１は
回転キャン２２により搬送されている。防着構造２３
は、開口部２４を有し、遮蔽機構２５は回転キャン２２
の外周部に沿って回動しながら防着構造２３の開口部２
４を開閉する。回転キャンの斜下方には２６がある。
参照しながら説明する。図６および図７に従来の薄膜形
成装置の一つである、真空蒸着装置の遮蔽機構の一例の
構成を示す。図６，図７に示すように、基板材料２１は
回転キャン２２により搬送されている。防着構造２３
は、開口部２４を有し、遮蔽機構２５は回転キャン２２
の外周部に沿って回動しながら防着構造２３の開口部２
４を開閉する。回転キャンの斜下方には２６がある。
【０００４】以上のように構成された薄膜形成装置につ
いて、以下にその動作について説明する。まず、基板材
料２１を冷却、搬送する回転キャン２２の周囲に、必要
部分以外に蒸発材料が付着するのを防ぐための防着構造
２３を設置する。そして、その防着構造２３の外側に開
閉式遮蔽機構２５を設ける。この遮蔽機構２５は基板材
料２１を蒸発源２６に対し、露出させるための防着構造
２３の開口部２４を遮蔽するために可動式となってい
る。通常は、開口部２４を隠ぺい遮蔽し、薄膜形成時に
は開口部２４が露出するように動作する。
いて、以下にその動作について説明する。まず、基板材
料２１を冷却、搬送する回転キャン２２の周囲に、必要
部分以外に蒸発材料が付着するのを防ぐための防着構造
２３を設置する。そして、その防着構造２３の外側に開
閉式遮蔽機構２５を設ける。この遮蔽機構２５は基板材
料２１を蒸発源２６に対し、露出させるための防着構造
２３の開口部２４を遮蔽するために可動式となってい
る。通常は、開口部２４を隠ぺい遮蔽し、薄膜形成時に
は開口部２４が露出するように動作する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の構成では、遮蔽機構２５が防着構造２３の外
側に位置するため、基板材料１１上に鮮鋭な陰影を形成
することが困難であった。そのため、蒸発源からの回析
飛来分子がスス状に基板材料１１に付着し、その付着力
の弱さに起因する脱落、再付着により形成薄膜の性能を
著しく損なうという問題を有していた。
うな従来の構成では、遮蔽機構２５が防着構造２３の外
側に位置するため、基板材料１１上に鮮鋭な陰影を形成
することが困難であった。そのため、蒸発源からの回析
飛来分子がスス状に基板材料１１に付着し、その付着力
の弱さに起因する脱落、再付着により形成薄膜の性能を
著しく損なうという問題を有していた。
【０００６】本発明はこのような課題を解決するもの
で、スス状の回析分子の付着を防止するために基板材料
にきわめて近接した位置で回析飛来分子を遮断すること
のできる遮蔽機構を備えた薄膜形成装置を提供すること
を目的とするものである。
で、スス状の回析分子の付着を防止するために基板材料
にきわめて近接した位置で回析飛来分子を遮断すること
のできる遮蔽機構を備えた薄膜形成装置を提供すること
を目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜形成装置は、遮蔽機構が回転キャンの防
着構造の外側にありながら、基板材料にきわめて近接し
た位置で蒸発源からの飛来分子を遮断できるよう、遮蔽
機構の先端が防着構造の内側に入り込み、回転キャンの
回転中心を中心とし、回転キャンの外周部に沿って円弧
運動をすることとによって防着構造の開口部を開閉する
よう構成したものである。
に本発明の薄膜形成装置は、遮蔽機構が回転キャンの防
着構造の外側にありながら、基板材料にきわめて近接し
た位置で蒸発源からの飛来分子を遮断できるよう、遮蔽
機構の先端が防着構造の内側に入り込み、回転キャンの
回転中心を中心とし、回転キャンの外周部に沿って円弧
運動をすることとによって防着構造の開口部を開閉する
よう構成したものである。
【０００８】
【作用】この構成によれば、適正な入射角を得るため、
遮蔽機構をどの位置でも止めても、また、遮蔽機構の移
動中でも遮蔽機構の先端部が基板材料にきわめて近い位
置を確保するため、基板材料に鮮鋭な陰影を形成し、そ
の結果、堅固な薄膜を生成することが可能となり、高性
能の蒸着磁気テープを得ることができることとなる。
遮蔽機構をどの位置でも止めても、また、遮蔽機構の移
動中でも遮蔽機構の先端部が基板材料にきわめて近い位
置を確保するため、基板材料に鮮鋭な陰影を形成し、そ
の結果、堅固な薄膜を生成することが可能となり、高性
能の蒸着磁気テープを得ることができることとなる。
【０００９】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１０】（実施例１）図１に本発明の一実施例の薄
膜形成装置の構成を示す。図に示すように、基板材料１
は、回転キャン２で搬送される。防着構造３には開口部
４があり遮蔽機構５は回転キャン２の外周部に沿って回
動しながら防着構造３の開口部４を開閉する。６は蒸発
源である。
膜形成装置の構成を示す。図に示すように、基板材料１
は、回転キャン２で搬送される。防着構造３には開口部
４があり遮蔽機構５は回転キャン２の外周部に沿って回
動しながら防着構造３の開口部４を開閉する。６は蒸発
源である。
【００１１】以上のように構成された薄膜形成装置につ
いて、図２および図３を用いてその動作を説明する。ま
ず、通常は防着構造３の開口部４が遮蔽機構５で閉じら
れており、基板材料１に蒸発材料が付着することはな
い。薄膜形成時には、回転キャン２の外周に沿って遮蔽
機構５が移動し、開口部４を露出させる。このとき、遮
蔽機構５は、その先端部７が防着構造３の内側に入り込
むよう構成されていて、基板材料１１にきわめて接近し
ており、かつ、回転キャン２の円周と同心円を描きなが
ら回転移動するため、移動中を含め、どの位置で停止さ
せてもその先端部７の位置は基板材料１に近接した状態
が維持される。
いて、図２および図３を用いてその動作を説明する。ま
ず、通常は防着構造３の開口部４が遮蔽機構５で閉じら
れており、基板材料１に蒸発材料が付着することはな
い。薄膜形成時には、回転キャン２の外周に沿って遮蔽
機構５が移動し、開口部４を露出させる。このとき、遮
蔽機構５は、その先端部７が防着構造３の内側に入り込
むよう構成されていて、基板材料１１にきわめて接近し
ており、かつ、回転キャン２の円周と同心円を描きなが
ら回転移動するため、移動中を含め、どの位置で停止さ
せてもその先端部７の位置は基板材料１に近接した状態
が維持される。
【００１２】本実施例による薄膜形成装置と従来の薄膜
形成装置を、ビデオ用蒸着磁気テープ製作に使用した場
合についてそれぞれの特性を測定し、（表１）に比較し
て示す。
形成装置を、ビデオ用蒸着磁気テープ製作に使用した場
合についてそれぞれの特性を測定し、（表１）に比較し
て示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】（表１）から明らかなように、本実施例に
よる薄膜形成装置によれば、磁気テープ性能のうち、特
にドロップアウト、ヘッド目詰まり、スチル寿命につい
て優れた効果が得られる。
よる薄膜形成装置によれば、磁気テープ性能のうち、特
にドロップアウト、ヘッド目詰まり、スチル寿命につい
て優れた効果が得られる。
【００１５】以上のように本実施例によれば、基板材料
に近接したまま回動する遮蔽機構を設けることにより、
この遮蔽機構を任意の位置で停止させて、低入射角を連
続的に選択することが可能であり、低入射角部により鮮
鋭な陰影で形成された薄膜を生成させることができる。
に近接したまま回動する遮蔽機構を設けることにより、
この遮蔽機構を任意の位置で停止させて、低入射角を連
続的に選択することが可能であり、低入射角部により鮮
鋭な陰影で形成された薄膜を生成させることができる。
【００１６】（実施例２）以下に本発明の第２の実施例
について図面を参照しながら説明する。図４，図５に本
発明の第２の実施例の薄膜形成装置の遮蔽機構部分の構
成を示す。図４に示すように、基板材料１１は回転キャ
ンで搬送される。防着構造１３には開口部１４があり、
遮蔽機構１５は回転キャン１２の外周部に沿って回動し
ながら防着構造１３の開口部１４を開閉する。１６は蒸
発源で、以上は図１の実施例１の構成と同様である。図
１の構成と異なるのは遮蔽機構１５を、開口部１４の１
辺についてのみ防着構造１３の内側に入り込ませるので
はなく、コの字状に３辺について防着構造１３の内側に
入り込む形状にした点である。
について図面を参照しながら説明する。図４，図５に本
発明の第２の実施例の薄膜形成装置の遮蔽機構部分の構
成を示す。図４に示すように、基板材料１１は回転キャ
ンで搬送される。防着構造１３には開口部１４があり、
遮蔽機構１５は回転キャン１２の外周部に沿って回動し
ながら防着構造１３の開口部１４を開閉する。１６は蒸
発源で、以上は図１の実施例１の構成と同様である。図
１の構成と異なるのは遮蔽機構１５を、開口部１４の１
辺についてのみ防着構造１３の内側に入り込ませるので
はなく、コの字状に３辺について防着構造１３の内側に
入り込む形状にした点である。
【００１７】上記のように構成された薄膜形成装置につ
いて、以下にその動作を説明する。まず、通常は防着構
造１３の開口部１４が遮蔽機構１５で閉じられており、
基板材料１１に蒸発材料が付着することはない。薄膜形
成時には、回転キャン１２の外周に沿って遮蔽機構１５
が移動し、開口部１４を露出させる。このとき、遮蔽機
構１５は、その先端のコの字状部分１７が防着構造１３
の内側に入り込む構造であるため、低入射角部及び基板
材料１１の耳端部において基板材料１１にきわめて近接
しており、かつ回転キャン１２の円周と同心円を描きな
らが回転移動するため、移動中を含め、どの位置で停止
させてもその先端のコの字状部分１７は基板材料１１に
近接した状態が維持される。
いて、以下にその動作を説明する。まず、通常は防着構
造１３の開口部１４が遮蔽機構１５で閉じられており、
基板材料１１に蒸発材料が付着することはない。薄膜形
成時には、回転キャン１２の外周に沿って遮蔽機構１５
が移動し、開口部１４を露出させる。このとき、遮蔽機
構１５は、その先端のコの字状部分１７が防着構造１３
の内側に入り込む構造であるため、低入射角部及び基板
材料１１の耳端部において基板材料１１にきわめて近接
しており、かつ回転キャン１２の円周と同心円を描きな
らが回転移動するため、移動中を含め、どの位置で停止
させてもその先端のコの字状部分１７は基板材料１１に
近接した状態が維持される。
【００１８】以上のように、先端がコの字状で防着構造
の内側に入り込む形状を設けることにより基板材料上に
鮮鋭な陰影部を形成するとともに、遮蔽機構の陰になっ
ていた防着構造が開口と同時に蒸発源からの輻射熱にさ
らされ、不用のアウトガスの発生を防止され、蒸着テー
プの電磁変換特性を改善することができる。
の内側に入り込む形状を設けることにより基板材料上に
鮮鋭な陰影部を形成するとともに、遮蔽機構の陰になっ
ていた防着構造が開口と同時に蒸発源からの輻射熱にさ
らされ、不用のアウトガスの発生を防止され、蒸着テー
プの電磁変換特性を改善することができる。
【００１９】実施例２の薄膜形成装置と従来の薄膜形成
装置を用いて作成した蒸着テープの特性を（表１）に比
較して示す。
装置を用いて作成した蒸着テープの特性を（表１）に比
較して示す。
【００２０】
【００２１】
【発明の効果】以上の実施例の発明からも明らかなよう
に本発明によれば、遮蔽機構の先端部分が基板材料に極
めて近接した状態のまま回動する構成にすることによ
り、堅固な蒸着薄膜が形成され、その結果として、電磁
特性の極めて優れた蒸着テープを製造する優れた薄膜形
成装置を実現できる。
に本発明によれば、遮蔽機構の先端部分が基板材料に極
めて近接した状態のまま回動する構成にすることによ
り、堅固な蒸着薄膜が形成され、その結果として、電磁
特性の極めて優れた蒸着テープを製造する優れた薄膜形
成装置を実現できる。
【図１】本発明の第１の実施例の薄膜形成装置の斜視図
【図２】同薄膜形成装置の断面図
【図３】同薄膜形成装置の遮蔽機構の拡大斜視図
【図４】本発明の第２の実施例の薄膜形成装置の斜視図
【図５】同薄膜形成装置の遮蔽機構の拡大斜視図
【図６】従来の薄膜形成装置の斜視図
【図７】同薄膜形成装置の断面図
１ 基板材料
２ 回転キャン
３ 防着構造
４ 開口部
５ 遮蔽機構
６ 蒸発源
７ 先端部
１１ 基板材料
１２ 回転キャン
１３ 防着構造
１４ 開口部
１５ 遮蔽機構
１６ 蒸発源
１７ コの字状部分
Claims (2)
- 【請求項１】 薄膜を付着形成させる帯状の基板材料を
搬送し、薄膜を形成する原料の発生源に対向して位置す
る回転キャンと、前記回転キャンの外縁部で、遮蔽機構
の先端部分がキャンにきわめて近接した状態で回動しな
がら基板材料と発生源を隔離する遮蔽機構とを備え、前
記遮蔽機構の回動により薄膜の付着面積を連続的に変化
させるか、もしくは薄膜の形成を中止することのできる
機能を備えた薄膜形成装置。 - 【請求項２】 両端につの状の延長部を有するコの字形
状の遮蔽機構を備えた請求項１記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15818791A JP2961960B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15818791A JP2961960B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0513258A true JPH0513258A (ja) | 1993-01-22 |
| JP2961960B2 JP2961960B2 (ja) | 1999-10-12 |
Family
ID=15666175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15818791A Expired - Lifetime JP2961960B2 (ja) | 1991-06-28 | 1991-06-28 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2961960B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013137107A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 日東電工株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 |
| KR101321914B1 (ko) * | 2012-11-15 | 2013-10-28 | 주식회사 진우엔지니어링 | 진공증착 코팅장치 |
| JP2020172706A (ja) * | 2020-07-03 | 2020-10-22 | デクセリアルズ株式会社 | 光学膜の製造方法 |
-
1991
- 1991-06-28 JP JP15818791A patent/JP2961960B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013137107A1 (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-19 | 日東電工株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 |
| JP2013196848A (ja) * | 2012-03-16 | 2013-09-30 | Nitto Denko Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法及び製造装置 |
| CN104170529A (zh) * | 2012-03-16 | 2014-11-26 | 日东电工株式会社 | 有机el元件的制造方法及制造装置 |
| KR101321914B1 (ko) * | 2012-11-15 | 2013-10-28 | 주식회사 진우엔지니어링 | 진공증착 코팅장치 |
| JP2020172706A (ja) * | 2020-07-03 | 2020-10-22 | デクセリアルズ株式会社 | 光学膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2961960B2 (ja) | 1999-10-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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