JPH05127030A - 基板型光導波路の形成方法 - Google Patents
基板型光導波路の形成方法Info
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- JPH05127030A JPH05127030A JP3311787A JP31178791A JPH05127030A JP H05127030 A JPH05127030 A JP H05127030A JP 3311787 A JP3311787 A JP 3311787A JP 31178791 A JP31178791 A JP 31178791A JP H05127030 A JPH05127030 A JP H05127030A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、基板上に石英系光導波路パターン
層を形成する方法であって、特にパターン制御性に優れ
た方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、基板１０１上にパターン成形法に
より石英系の光導波路パターン層を形成する方法におい
て、工程途中に、シリコン層１０５と当該シリコン層１
０５上に形成されかつその上にレジスト層１０８が施さ
れる極薄のシリコン酸化物層１０６の２層１組からなる
エッチング阻止層１０７を介在させて処理する基板型光
導波路の形成方法にあり、レジスト層１０８は薄くてよ
く、微細なパターンの正確な転写が可能となり、しか
も、侵食エッチングのない高精度の光導波路パターン層
が得られる。
層を形成する方法であって、特にパターン制御性に優れ
た方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明は、基板１０１上にパターン成形法に
より石英系の光導波路パターン層を形成する方法におい
て、工程途中に、シリコン層１０５と当該シリコン層１
０５上に形成されかつその上にレジスト層１０８が施さ
れる極薄のシリコン酸化物層１０６の２層１組からなる
エッチング阻止層１０７を介在させて処理する基板型光
導波路の形成方法にあり、レジスト層１０８は薄くてよ
く、微細なパターンの正確な転写が可能となり、しか
も、侵食エッチングのない高精度の光導波路パターン層
が得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に石英系光導波
路パターン層を形成する方法に係り、特にパターン制御
性に優れた方法に関するものである。
路パターン層を形成する方法に係り、特にパターン制御
性に優れた方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン基板や石英基板などに石
英系光導波路パターン層を形成するには、例えば、図１
３（ａ）〜（ｃ）や図１４（ａ）〜（ｃ）に示す如き方
法により行われてた。
英系光導波路パターン層を形成するには、例えば、図１
３（ａ）〜（ｃ）や図１４（ａ）〜（ｃ）に示す如き方
法により行われてた。
【０００３】図１３（ａ）〜（ｃ）の方法では、基板１
上に石英系の光導波路層２、レジスト層３を順次設け
（図１３（ａ））、この後、ホトリソグラフ法によりレ
ジスト層３部分にレジストパターン部３ａを設け（図１
３（ｂ））、引き続き、湿式エッチング法により光導波
路層２をエッチングして光導波路パターン層２ａ（図１
３（ｃ））を形成している。
上に石英系の光導波路層２、レジスト層３を順次設け
（図１３（ａ））、この後、ホトリソグラフ法によりレ
ジスト層３部分にレジストパターン部３ａを設け（図１
３（ｂ））、引き続き、湿式エッチング法により光導波
路層２をエッチングして光導波路パターン層２ａ（図１
３（ｃ））を形成している。
【０００４】一方、図１４（ａ）〜（ｃ）の方法でも、
やはり上記と同様、基板１上に石英系の光導波路層２と
レジスト層３を設けた後（図１４（ａ））、ホトリソグ
ラフ法によりレジスト層３部分にレジストパターン部３
ａを設け（図１４（ｂ））、この後、反応性イオンエッ
チング法（ＲＩＥ法）により光導波路層２をエッチング
して光導波路パターン層２ａ（図図１４（ｃ））を形成
している。
やはり上記と同様、基板１上に石英系の光導波路層２と
レジスト層３を設けた後（図１４（ａ））、ホトリソグ
ラフ法によりレジスト層３部分にレジストパターン部３
ａを設け（図１４（ｂ））、この後、反応性イオンエッ
チング法（ＲＩＥ法）により光導波路層２をエッチング
して光導波路パターン層２ａ（図図１４（ｃ））を形成
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記図１３
（ａ）〜（ｃ）の処理方法の場合、等方性エッチングの
ため、光導波路層２では横方向（基板平面方向）のエッ
チングが進行して、形成された光導波路パターン層２ａ
部分において、図示の如く横方向侵食部分（喰い込み部
分）２ｂが生じて、正確なパターン転写ができなかっ
た。この光導波路パターン層２ａの場合、その巾が１０
μｍ以下と微細であるため、エッチングによる上記侵食
の影響は大きく、所望の光導波路パターン層２ａが得ら
れないという問題があった。
（ａ）〜（ｃ）の処理方法の場合、等方性エッチングの
ため、光導波路層２では横方向（基板平面方向）のエッ
チングが進行して、形成された光導波路パターン層２ａ
部分において、図示の如く横方向侵食部分（喰い込み部
分）２ｂが生じて、正確なパターン転写ができなかっ
た。この光導波路パターン層２ａの場合、その巾が１０
μｍ以下と微細であるため、エッチングによる上記侵食
の影響は大きく、所望の光導波路パターン層２ａが得ら
れないという問題があった。
【０００６】また、上記図１４（ａ）〜（ｃ）の処理方
法の場合、光導波路層２における横方向への侵食エッチ
ング現象は殆どないものの、レジスト層３の材料がイオ
ン照射や反応性ガスに対して弱く、上面側のレジスト層
３ｂ部分がエッチングにより除去されるため、厚いレジ
スト層３が必要とされた。しかし、厚いレジスト層３で
は、ホトリソ工程において微細なパターンが得られず、
上記のような微細な光導波路パターン層２ａに対応する
ことが困難であった。つまり、微細な光導波路パターン
層２ａに対応するには、レジスト層３の厚さは、１μｍ
程度が好ましいわけであるが、このような１μｍ程度の
厚さでは、上記イオン照射や反応性ガスにより、消耗除
去される恐れがあった。
法の場合、光導波路層２における横方向への侵食エッチ
ング現象は殆どないものの、レジスト層３の材料がイオ
ン照射や反応性ガスに対して弱く、上面側のレジスト層
３ｂ部分がエッチングにより除去されるため、厚いレジ
スト層３が必要とされた。しかし、厚いレジスト層３で
は、ホトリソ工程において微細なパターンが得られず、
上記のような微細な光導波路パターン層２ａに対応する
ことが困難であった。つまり、微細な光導波路パターン
層２ａに対応するには、レジスト層３の厚さは、１μｍ
程度が好ましいわけであるが、このような１μｍ程度の
厚さでは、上記イオン照射や反応性ガスにより、消耗除
去される恐れがあった。
【０００７】本発明は、このような従来の湿式エッチン
グ法や反応性イオンエッチング法の問題点に鑑みてなさ
れたもので、その特徴とする点は、基板上に光導波路パ
ターン層を形成する際、シリコン層とシリコン酸化物層
の２層１組からなるエッチング阻止層を介在させること
により、上記従来の問題点を解消した光導波路の形成方
法を提供することを目的とする。
グ法や反応性イオンエッチング法の問題点に鑑みてなさ
れたもので、その特徴とする点は、基板上に光導波路パ
ターン層を形成する際、シリコン層とシリコン酸化物層
の２層１組からなるエッチング阻止層を介在させること
により、上記従来の問題点を解消した光導波路の形成方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】かゝる本発明は、基板上
にパターン成形法により石英系の光導波路パターン層を
形成する方法において、工程途中に、シリコン層と当該
シリコン層上に形成されかつその上にレジスト層が施さ
れる極薄のシリコン酸化物層の２層１組からなるエッチ
ング阻止層を介在させて処理する基板型光導波路の形成
方法にある。
にパターン成形法により石英系の光導波路パターン層を
形成する方法において、工程途中に、シリコン層と当該
シリコン層上に形成されかつその上にレジスト層が施さ
れる極薄のシリコン酸化物層の２層１組からなるエッチ
ング阻止層を介在させて処理する基板型光導波路の形成
方法にある。
【０００９】
【作用】この構成により、後述するように、レジスト層
は薄くてよく、微細なパターンの正確な転写が可能とな
り、しかも、侵食エッチングのない高精度の光導波路パ
ターン層が得られる。
は薄くてよく、微細なパターンの正確な転写が可能とな
り、しかも、侵食エッチングのない高精度の光導波路パ
ターン層が得られる。
【００１０】
【実施例】図１〜図１２は、本発明に係る基板型光導波
路の形成方法の一実施例を示したものである。
路の形成方法の一実施例を示したものである。
【００１１】先ず、図１に示したように、シリコンや石
英製などの基板１０１上に、特に、限定されないが、火
炎脱水堆積法（ＦＨＤ法）により、下から、石英ガラス
材料からなる、下部クラッド層１０２、コアとなる光導
波路層１０３および上部クラッド層１０４を形成する。
この後、図示しないが、これらの各層１０２、１０３、
１０４を焼結法などによって透明化（ガラス化）する。
英製などの基板１０１上に、特に、限定されないが、火
炎脱水堆積法（ＦＨＤ法）により、下から、石英ガラス
材料からなる、下部クラッド層１０２、コアとなる光導
波路層１０３および上部クラッド層１０４を形成する。
この後、図示しないが、これらの各層１０２、１０３、
１０４を焼結法などによって透明化（ガラス化）する。
【００１２】次に、図２に示したように、この透明化し
た上部クラッド層１０４上に、スパッタ堆積法などによ
り、α−シリコン（多結晶Ｓｉ）層１０５を形成する。
このシリコン層１０５の厚さは、５μｍ程度の厚さとす
る。引続き、このシリコン層１０５上には、図３に示し
たように、減圧ＣＶＤ法などにより、ＳｉＯ2 などのシ
リコン酸化物層１０６を形成する。このシリコン酸化物
層１０６は極めて薄くてよく、例えば０．１μｍ程度と
してある。このシリコン酸化物層１０６を上側とする上
記シリコン層１０５との２層が１組となって、本発明で
いうエッチング阻止層１０７が構成されている。
た上部クラッド層１０４上に、スパッタ堆積法などによ
り、α−シリコン（多結晶Ｓｉ）層１０５を形成する。
このシリコン層１０５の厚さは、５μｍ程度の厚さとす
る。引続き、このシリコン層１０５上には、図３に示し
たように、減圧ＣＶＤ法などにより、ＳｉＯ2 などのシ
リコン酸化物層１０６を形成する。このシリコン酸化物
層１０６は極めて薄くてよく、例えば０．１μｍ程度と
してある。このシリコン酸化物層１０６を上側とする上
記シリコン層１０５との２層が１組となって、本発明で
いうエッチング阻止層１０７が構成されている。
【００１３】このエッチング阻止層１０７上には、図４
に示したように、ホトリソグラフ法のためのレジスト層
１０８を塗布する。このレジスト層１０８には、図５に
示したように、マスク１０９を介して露光させ、現像
し、このホトリソグラフ法により、図６に示したよう
に、レジストパターン層１１０を形成する。この際、レ
ジスト層１０８の厚さは、上記したエッチング阻止層１
０７の存在により、薄くともよく、例えば１μｍ以下、
より薄くは０．１μｍ程度でも可能であるため、例えば
幅が１０μｍ程度の微細なパターンでも正確に転写する
ことができる。
に示したように、ホトリソグラフ法のためのレジスト層
１０８を塗布する。このレジスト層１０８には、図５に
示したように、マスク１０９を介して露光させ、現像
し、このホトリソグラフ法により、図６に示したよう
に、レジストパターン層１１０を形成する。この際、レ
ジスト層１０８の厚さは、上記したエッチング阻止層１
０７の存在により、薄くともよく、例えば１μｍ以下、
より薄くは０．１μｍ程度でも可能であるため、例えば
幅が１０μｍ程度の微細なパターンでも正確に転写する
ことができる。
【００１４】次に、このように形成されたレジストパタ
ーン層１１０をマスクとして、図７に示したように、例
えば７％緩衝フッ酸（ＢＯＥ処理）によりエッチング
（湿式エッチング法）し、薄膜のシリコン酸化物層１０
６を除去して、シリコン酸化物パターン層１０６ａを形
成する。この際のエッチングは、等方的に進行するが、
レジストとの選択性が高く、しかも、シリコン酸化物層
１０６の厚さが０．１μｍ程度と極めて薄いため、横方
向への広がりを抑えることが容易にできる。つまり、エ
ッチングによる横方向への侵食現象を容易に防止するこ
とができる。ただし、エッチング時間をコントロールす
れば、広目に形成しておいたパターン幅を目的の寸法幅
に微調整することも容易にできる。また、このとき、こ
のシリコン酸化物層１０６の下層になるシリコン層１０
５は、室温では緩衝フッ酸により殆どエッチングされな
い。ここで、エッチング法は、この湿式エッチング法に
限定されず、ＨＦガスやＣＦ4 などのフッ素化合物系ガ
スを用いたドライエッチング法とすることもできる。
ーン層１１０をマスクとして、図７に示したように、例
えば７％緩衝フッ酸（ＢＯＥ処理）によりエッチング
（湿式エッチング法）し、薄膜のシリコン酸化物層１０
６を除去して、シリコン酸化物パターン層１０６ａを形
成する。この際のエッチングは、等方的に進行するが、
レジストとの選択性が高く、しかも、シリコン酸化物層
１０６の厚さが０．１μｍ程度と極めて薄いため、横方
向への広がりを抑えることが容易にできる。つまり、エ
ッチングによる横方向への侵食現象を容易に防止するこ
とができる。ただし、エッチング時間をコントロールす
れば、広目に形成しておいたパターン幅を目的の寸法幅
に微調整することも容易にできる。また、このとき、こ
のシリコン酸化物層１０６の下層になるシリコン層１０
５は、室温では緩衝フッ酸により殆どエッチングされな
い。ここで、エッチング法は、この湿式エッチング法に
限定されず、ＨＦガスやＣＦ4 などのフッ素化合物系ガ
スを用いたドライエッチング法とすることもできる。
【００１５】この後、図８に示したように、レジストパ
ターン層１１０を除去する。ここで、このレジスト材料
を除去しておくと、後のエッチング工程中にレジスト材
料から放出されることのある酸素系ガスによる、エッチ
ング選択性の低下を防止することができる効果が得られ
る。このレジストパターン層１１０の除去により、シリ
コン酸化物パターン層１０６ａが残るため、この層をマ
スクとして、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）に
より、例えば高純度のＨＢｒガスを用いてエッチング
し、図９に示したように、シリコン層１０５を除去し
て、シリコンパターン層１０５ａを形成する。このと
き、シリコン層１０５のＳｉは、シリコン酸化物層１０
６のＳｉＯ2 に比較して、約２００倍以上もエッチング
され易いため、極薄の上記マスクによって、十分な深さ
までシリコン層１０５がエッチングされる。つまり、Ｓ
ｉＯ2 のシリコン酸化物パターン層１０６ａは、ＨＢｒ
ガスエッチングによっては、殆ど除去されず、実質的に
自己停止機能が働くため、シリコン層１０５のエッチン
グの終端制御は、時間による制御で十分であって、比較
的容易に行える。
ターン層１１０を除去する。ここで、このレジスト材料
を除去しておくと、後のエッチング工程中にレジスト材
料から放出されることのある酸素系ガスによる、エッチ
ング選択性の低下を防止することができる効果が得られ
る。このレジストパターン層１１０の除去により、シリ
コン酸化物パターン層１０６ａが残るため、この層をマ
スクとして、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）に
より、例えば高純度のＨＢｒガスを用いてエッチング
し、図９に示したように、シリコン層１０５を除去し
て、シリコンパターン層１０５ａを形成する。このと
き、シリコン層１０５のＳｉは、シリコン酸化物層１０
６のＳｉＯ2 に比較して、約２００倍以上もエッチング
され易いため、極薄の上記マスクによって、十分な深さ
までシリコン層１０５がエッチングされる。つまり、Ｓ
ｉＯ2 のシリコン酸化物パターン層１０６ａは、ＨＢｒ
ガスエッチングによっては、殆ど除去されず、実質的に
自己停止機能が働くため、シリコン層１０５のエッチン
グの終端制御は、時間による制御で十分であって、比較
的容易に行える。
【００１６】この後、反応性イオンエッチング法の導入
ガスを、例えばＣ2Ｆ6 ＋Ｃ2 Ｈ4 の混合ガスに替え、
図１０に示したように、シリコンパターン層１０５ａを
マスクとして、引続き、エッチングして、上部クラッド
層１０４、光導波路層１０３および下部クラッド層１０
２の一部を除去し、シリコンパターン層１０５ａに対応
した各パターン層１０４ａ、１０３ａ、１０２ａを形成
する。このとき、上部クラッド層１０４、光導波路層１
０３および下部クラッド層１０２のガラス層は、マスク
であるシリコンパターン層１０５ａのＳｉに対して、約
２〜３倍もエッチングされ易いため、上記マスクによっ
て、十分な深さまで効率的にエッチングされる。なお、
この際のエッチング深さは、上記のように下部クラッド
層１０２の一部が除去される深さまで行う。
ガスを、例えばＣ2Ｆ6 ＋Ｃ2 Ｈ4 の混合ガスに替え、
図１０に示したように、シリコンパターン層１０５ａを
マスクとして、引続き、エッチングして、上部クラッド
層１０４、光導波路層１０３および下部クラッド層１０
２の一部を除去し、シリコンパターン層１０５ａに対応
した各パターン層１０４ａ、１０３ａ、１０２ａを形成
する。このとき、上部クラッド層１０４、光導波路層１
０３および下部クラッド層１０２のガラス層は、マスク
であるシリコンパターン層１０５ａのＳｉに対して、約
２〜３倍もエッチングされ易いため、上記マスクによっ
て、十分な深さまで効率的にエッチングされる。なお、
この際のエッチング深さは、上記のように下部クラッド
層１０２の一部が除去される深さまで行う。
【００１７】次に、再度、反応性イオンエッチング法の
導入ガスを上記ＨＢｒガスに替え、このＨＢｒガスによ
りエッチングして、図１１に示したように、残留のシリ
コンパターン層１０５ａを除去する。このＨＢｒによる
シリコン除去工程も、実質的に自己停止機能を持ちた
め、比較的容易に制御が行える。
導入ガスを上記ＨＢｒガスに替え、このＨＢｒガスによ
りエッチングして、図１１に示したように、残留のシリ
コンパターン層１０５ａを除去する。このＨＢｒによる
シリコン除去工程も、実質的に自己停止機能を持ちた
め、比較的容易に制御が行える。
【００１８】そして、最後には、再度、ＦＨＤ法を用い
て、クラッド層１１１を形成すれば、図１２に示したよ
うに、上記各パターン層１０４ａ、１０３ａ、１０２ａ
からなる埋め込み型の光導波路パターン層１１２が、高
い寸法精度で得られる。
て、クラッド層１１１を形成すれば、図１２に示したよ
うに、上記各パターン層１０４ａ、１０３ａ、１０２ａ
からなる埋め込み型の光導波路パターン層１１２が、高
い寸法精度で得られる。
【００１９】なお、上記実施例では、基板１０１への下
部クラッド層１０２、光導波路層１０３および上部クラ
ッド層１０４の形成や、埋め込みクラッド層１１１の形
成にあたって、ＦＨＤ法を用いたが、本発明は、これに
限定されず、ＶＡＤ法（化学堆積法）スパッタ堆積法を
用いてもよい。また、本発明で用いるドライエッチング
法としては、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）の
みならず、反応性イオンビームエッチング法（ＲＩＢＥ
法）なども用いることができる。
部クラッド層１０２、光導波路層１０３および上部クラ
ッド層１０４の形成や、埋め込みクラッド層１１１の形
成にあたって、ＦＨＤ法を用いたが、本発明は、これに
限定されず、ＶＡＤ法（化学堆積法）スパッタ堆積法を
用いてもよい。また、本発明で用いるドライエッチング
法としては、反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）の
みならず、反応性イオンビームエッチング法（ＲＩＢＥ
法）なども用いることができる。
【００２０】以上の説明から明らかなように本発明に係
る基板型光導波路の形成方法によれば、次のような効果
が得られる。 （１）レジスト層の厚さが、本発明のエッチング阻止層
の存在により、相当薄くてもよいため、微細なパターン
でも正確な転写が可能となり、微細な光導波路の形成に
最適である。 （２）エッチング阻止層のシリコン酸化物層が、例えば
０．１μｍ程度と極薄の層であるため、エッチング時、
横方向への侵食現象を容易に防止することができる。こ
の結果、極めて寸法精度の高いパターン幅を確保するこ
とができる。もちろん、エッチング時間のコントロール
により、パターン幅の微調整も容易に行うことができ
る。 （３）ブロム系エッチングガスを用いた場合、エッチン
グ阻止層のシリコン層は、シリコン酸化物層に比較し
て、約２００倍以上もエッチングされ易いため、エッチ
ング時、極薄のシリコン酸化物層のマスクによって、十
分な深さでシリコン層をエッチングすることができる。 （４）また、フッ素系エッチングガスを用いた場合、エ
ッチング阻止層のシリコン層に対して、光導波路層など
をなすガラス層は、約２〜３倍程度エッチングされ易い
ため、エッチング時、シリコン層のマスクによって、効
率的なガラス層のエッチングが行える。 （５）さらに、工程中のエッチングをすべてドライエッ
チング法により行うことができるため、例えばドライエ
ッチングのみの反応性イオンエッチング法とすれば、導
入ガスの切り替えによる連続した一貫製造プロセス工程
が可能となり、大幅な生産性の向上を図ることができ
る。
る基板型光導波路の形成方法によれば、次のような効果
が得られる。 （１）レジスト層の厚さが、本発明のエッチング阻止層
の存在により、相当薄くてもよいため、微細なパターン
でも正確な転写が可能となり、微細な光導波路の形成に
最適である。 （２）エッチング阻止層のシリコン酸化物層が、例えば
０．１μｍ程度と極薄の層であるため、エッチング時、
横方向への侵食現象を容易に防止することができる。こ
の結果、極めて寸法精度の高いパターン幅を確保するこ
とができる。もちろん、エッチング時間のコントロール
により、パターン幅の微調整も容易に行うことができ
る。 （３）ブロム系エッチングガスを用いた場合、エッチン
グ阻止層のシリコン層は、シリコン酸化物層に比較し
て、約２００倍以上もエッチングされ易いため、エッチ
ング時、極薄のシリコン酸化物層のマスクによって、十
分な深さでシリコン層をエッチングすることができる。 （４）また、フッ素系エッチングガスを用いた場合、エ
ッチング阻止層のシリコン層に対して、光導波路層など
をなすガラス層は、約２〜３倍程度エッチングされ易い
ため、エッチング時、シリコン層のマスクによって、効
率的なガラス層のエッチングが行える。 （５）さらに、工程中のエッチングをすべてドライエッ
チング法により行うことができるため、例えばドライエ
ッチングのみの反応性イオンエッチング法とすれば、導
入ガスの切り替えによる連続した一貫製造プロセス工程
が可能となり、大幅な生産性の向上を図ることができ
る。
【図１】本発明方法により基板上に光導波路用のガラス
層を形成する工程図である。
層を形成する工程図である。
【図２】本発明方法により基板のガラス層上にシリコン
層を形成する工程図である。
層を形成する工程図である。
【図３】本発明方法により基板のシリコン層にシリコン
酸化物層を形成する工程図である。
酸化物層を形成する工程図である。
【図４】本発明方法により基板のシリコン酸化物層にレ
ジスト層を形成する工程図である。
ジスト層を形成する工程図である。
【図５】本発明方法により基板のレジスト層に露光処理
する工程図である。
する工程図である。
【図６】本発明方法により基板のシリコン酸化物層上に
レジストパターン層を形成する工程図である。
レジストパターン層を形成する工程図である。
【図７】本発明方法によりレジストパターン層をマスク
としてシリコン酸化物層をエッチングする工程図であ
る。
としてシリコン酸化物層をエッチングする工程図であ
る。
【図８】本発明方法によりレジストパターン層を除去す
る工程図である。
る工程図である。
【図９】本発明方法によりシリコン酸化物パターン層を
マスクとしてシリコン層をエッチングする工程図であ
る。
マスクとしてシリコン層をエッチングする工程図であ
る。
【図１０】本発明方法によりシリコンパターン層をマス
クとしてガラス層をエッチングする工程図である。
クとしてガラス層をエッチングする工程図である。
【図１１】本発明方法によりシリコンパターン層を除去
する工程図である。
する工程図である。
【図１２】本発明方法によりガラス層の光導波路パター
ン層をクラッド層中に埋め込む工程図である。
ン層をクラッド層中に埋め込む工程図である。
【図１３】従来方法により光導波路パターン層を形成す
る場合の各工程を示した工程図である。
る場合の各工程を示した工程図である。
【図１４】従来方法により他の光導波路パターン層を形
成する場合の各工程を示した工程図である。
成する場合の各工程を示した工程図である。
１０１ 基板、 １０２ 下部クラッド層 １０３ 光導波路層、 １０４ 上部クラッド層、 １０５ シリコン層、 １０６ シリコン酸化物層、 １０７ エッチング阻止層、 １０８ レジスト層、 １１２ 光導波路パターン層、
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にパターン成形法により石英系の
光導波路パターン層を形成する方法において、工程途中
に、シリコン層と当該シリコン層上に形成されかつその
上にレジスト層が施される極薄のシリコン酸化物層の２
層１組からなるエッチング阻止層を介在させて処理する
ことを特徴とする基板型光導波路の形成方法。 - 【請求項２】 エッチング工程において、連続ドライ処
理によることを特徴とする請求項１記載の基板型光導波
路の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311787A JPH05127030A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 基板型光導波路の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3311787A JPH05127030A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 基板型光導波路の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05127030A true JPH05127030A (ja) | 1993-05-25 |
Family
ID=18021461
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3311787A Pending JPH05127030A (ja) | 1991-10-30 | 1991-10-30 | 基板型光導波路の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05127030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2727768A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-07 | Alcatel Nv | Procede pour former une couche de silice a eliminer ulterieurement et procede pour rapporter un composant en optique integree |
| WO2004025342A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Fujitsu Limited | デバイス製造方法 |
-
1991
- 1991-10-30 JP JP3311787A patent/JPH05127030A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2727768A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-07 | Alcatel Nv | Procede pour former une couche de silice a eliminer ulterieurement et procede pour rapporter un composant en optique integree |
| EP0716321A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-12 | Alcatel N.V. | Procédé pour former une couche d'arrêt en silicium pour un composant en optique intégrée |
| US5736429A (en) * | 1994-12-05 | 1998-04-07 | Alcatel N.V. | Method of forming a layer of silica to be eliminated subsequently and method for mounting an integrated optical component |
| WO2004025342A1 (ja) * | 2002-09-11 | 2004-03-25 | Fujitsu Limited | デバイス製造方法 |
| US7141515B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-11-28 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing device |
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