JPH05123575A - 水蒸気の精製方法 - Google Patents
水蒸気の精製方法Info
- Publication number
- JPH05123575A JPH05123575A JP3310007A JP31000791A JPH05123575A JP H05123575 A JPH05123575 A JP H05123575A JP 3310007 A JP3310007 A JP 3310007A JP 31000791 A JP31000791 A JP 31000791A JP H05123575 A JPH05123575 A JP H05123575A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- steam
- copper
- catalyst
- water vapor
- oxygen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Gas Separation By Absorption (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】水蒸気または水蒸気を含有するガス中に不純物
として含まれる酸素を除去し、高純度の精製ガスをえ
る。 【構成】水蒸気単独、または、水素、窒素、アルゴンな
どのベースガスで希釈された水蒸気を銅を主成分とする
触媒と接触させる。
として含まれる酸素を除去し、高純度の精製ガスをえ
る。 【構成】水蒸気単独、または、水素、窒素、アルゴンな
どのベースガスで希釈された水蒸気を銅を主成分とする
触媒と接触させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は水蒸気の精製方法に関
し、さらに詳細には水蒸気中に不純物として含まれる酸
素を極低濃度まで除去しうる水蒸気の精製方法に関す
る。水蒸気はシリコンやアルミニウムの酸化膜形成など
半導体の製造時に使用されているが、成膜技術の進歩と
ともに不純物の極めて少ないものが要求されつつある。
し、さらに詳細には水蒸気中に不純物として含まれる酸
素を極低濃度まで除去しうる水蒸気の精製方法に関す
る。水蒸気はシリコンやアルミニウムの酸化膜形成など
半導体の製造時に使用されているが、成膜技術の進歩と
ともに不純物の極めて少ないものが要求されつつある。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体製造時に使用される水蒸気
の供給法としては蒸留水や脱イオン水などの精製水を一
端の開いたボトルに入れ、これを恒温槽に浸して適当な
温度に制御することによって発生させた水蒸気をマスフ
ローコントローラーで制御してリアクターに供給する方
法、精製水をバブラーに入れてＨ2 、Ｎ2 、Ｈｅなどに
よりバブリングしてリアクターに供給する方法などが用
いられる。このように発生させた水蒸気中には、原料精
製水をボトルやバブラーに仕込む場合に混入する酸素な
どが存在している。これらの水蒸気中には通常１０ｐｐ
ｍ前後の酸素が含まれており、水蒸気の使用に先立って
おこなわれる減圧パージや原料液体中での不活性ガスな
どによるパージだけではこれらの酸素を０．１ｐｐｍ以
下のような低濃度まで除去することは困難である。
の供給法としては蒸留水や脱イオン水などの精製水を一
端の開いたボトルに入れ、これを恒温槽に浸して適当な
温度に制御することによって発生させた水蒸気をマスフ
ローコントローラーで制御してリアクターに供給する方
法、精製水をバブラーに入れてＨ2 、Ｎ2 、Ｈｅなどに
よりバブリングしてリアクターに供給する方法などが用
いられる。このように発生させた水蒸気中には、原料精
製水をボトルやバブラーに仕込む場合に混入する酸素な
どが存在している。これらの水蒸気中には通常１０ｐｐ
ｍ前後の酸素が含まれており、水蒸気の使用に先立って
おこなわれる減圧パージや原料液体中での不活性ガスな
どによるパージだけではこれらの酸素を０．１ｐｐｍ以
下のような低濃度まで除去することは困難である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】最近、化合物半導体製
造時に水蒸気と同時に使用されるシランなどのガスは高
純度に精製することが可能となり、例えば不純物として
含有される酸素を０．０１ｐｐｍ以下まで除去すること
も可能となっている。このため水蒸気についても酸素含
有量が０．０１ｐｐｍ以下とすることが強く望まれてい
る。また、これら水蒸気はボトルの接続時や配管の切替
時など半導体装置への供給過程において空気など不純物
の混入による汚染もあるため、装置の直前で不純物を最
終的に除去することが望ましい。しかしながら、水蒸気
中に含有される酸素を効率よく除去して高純度の水蒸気
を半導体製造プロセスなどに供給する方法についての公
知技術はほとんど見あたらない。
造時に水蒸気と同時に使用されるシランなどのガスは高
純度に精製することが可能となり、例えば不純物として
含有される酸素を０．０１ｐｐｍ以下まで除去すること
も可能となっている。このため水蒸気についても酸素含
有量が０．０１ｐｐｍ以下とすることが強く望まれてい
る。また、これら水蒸気はボトルの接続時や配管の切替
時など半導体装置への供給過程において空気など不純物
の混入による汚染もあるため、装置の直前で不純物を最
終的に除去することが望ましい。しかしながら、水蒸気
中に含有される酸素を効率よく除去して高純度の水蒸気
を半導体製造プロセスなどに供給する方法についての公
知技術はほとんど見あたらない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、水蒸気中
に含有される酸素を極低濃度まで効率よく除去するべく
鋭意研究を重ねた結果、水蒸気を銅を主成分とする触媒
と接触させることにより、酸素濃度を０．１ｐｐｍ以
下、さらには０．０１ｐｐｍ以下まで除去しうることを
見いだし、本発明を完成した。すなわち本発明は、粗水
蒸気を銅を主成分とする触媒と接触させて、該粗水蒸気
中に含有される酸素を除去することを特徴とする水蒸気
の精製方法である。本発明は水蒸気単独、水素（水素ガ
スベース）および窒素、アルゴンなどの不活性ガス（不
活性ガスベース）で希釈された水蒸気（以下総称して粗
水蒸気と記す）中に含有される酸素の除去に適用され
る。
に含有される酸素を極低濃度まで効率よく除去するべく
鋭意研究を重ねた結果、水蒸気を銅を主成分とする触媒
と接触させることにより、酸素濃度を０．１ｐｐｍ以
下、さらには０．０１ｐｐｍ以下まで除去しうることを
見いだし、本発明を完成した。すなわち本発明は、粗水
蒸気を銅を主成分とする触媒と接触させて、該粗水蒸気
中に含有される酸素を除去することを特徴とする水蒸気
の精製方法である。本発明は水蒸気単独、水素（水素ガ
スベース）および窒素、アルゴンなどの不活性ガス（不
活性ガスベース）で希釈された水蒸気（以下総称して粗
水蒸気と記す）中に含有される酸素の除去に適用され
る。
【０００５】本発明において用いられる触媒は金属銅ま
たは銅の酸化物など還元され易い銅化合物を主成分とす
るものである。また、銅以外の金属成分としてクロム、
鉄、コバルトなどが少量含まれているものであってもよ
い。これらの銅触媒は単独で用いられてもよく、また、
触媒担体などに担持させた形で用いても良いが、銅の表
面とガスの接触効率を高める目的などから、触媒担体な
どに担持させた形態で使用することが好ましい。銅の酸
化物を得るには種々の方法があるが、例えば銅の硝酸
塩、硫酸塩、塩化物、有機酸塩などに苛性ソーダ、苛性
カリ、炭酸ナトリウム、アンモニアなどのアルカリを加
えて酸化物の中間体を沈澱させ、得られた沈澱物を焼成
するなどの方法がある。これらは、通常はアルミナ、シ
リカなどの触媒担体物質と混練し、押出成型、打錠成型
などで成型体とし、必要に応じてさらに適当な大きさに
破砕して使用される。成型方法としては乾式法あるいは
湿式法を用いることができ、その際、少量の水、滑剤な
どを使用してもよい。また、市販の酸化銅触媒など種々
なものがあるのでそれらから選択したものを使用しても
よい。要は、還元銅、酸化銅などが微細に分散されて、
その表面積が大きくガスとの接触効率の高い形態のもの
であればよい。
たは銅の酸化物など還元され易い銅化合物を主成分とす
るものである。また、銅以外の金属成分としてクロム、
鉄、コバルトなどが少量含まれているものであってもよ
い。これらの銅触媒は単独で用いられてもよく、また、
触媒担体などに担持させた形で用いても良いが、銅の表
面とガスの接触効率を高める目的などから、触媒担体な
どに担持させた形態で使用することが好ましい。銅の酸
化物を得るには種々の方法があるが、例えば銅の硝酸
塩、硫酸塩、塩化物、有機酸塩などに苛性ソーダ、苛性
カリ、炭酸ナトリウム、アンモニアなどのアルカリを加
えて酸化物の中間体を沈澱させ、得られた沈澱物を焼成
するなどの方法がある。これらは、通常はアルミナ、シ
リカなどの触媒担体物質と混練し、押出成型、打錠成型
などで成型体とし、必要に応じてさらに適当な大きさに
破砕して使用される。成型方法としては乾式法あるいは
湿式法を用いることができ、その際、少量の水、滑剤な
どを使用してもよい。また、市販の酸化銅触媒など種々
なものがあるのでそれらから選択したものを使用しても
よい。要は、還元銅、酸化銅などが微細に分散されて、
その表面積が大きくガスとの接触効率の高い形態のもの
であればよい。
【０００６】触媒の比表面積としては通常は、ＢＥＴ法
で１０〜３００ｍ2 ／ｇの範囲のもの、好ましくは３０
〜２５０ｍ2 ／ｇ程度の範囲のものである。また、銅の
含有量は金属銅換算で通常は、１〜９５ｗｔ％、好まし
くは２０〜９５ｗｔ％である。銅の含有量が１ｗｔ％よ
りも少なくなると脱酸素能力が低くなり、また、９５ｗ
ｔ％よりも高くなると水素による還元の際にシンタリン
グが生じて活性が低下する恐れがある。触媒は水蒸気の
精製に使用するに先立って活性化処理をおこなうが、通
常は水素還元が用いられる。水素還元に際しては、例え
ば３５０℃以下程度で窒素などで希釈した水素の混合ガ
スを空筒線速度（ＬＶ）５ｃｍ／ｓｅｃ程度で精製筒に
通すことによっておこなうことができるが、発熱反応で
あるため温度が急上昇しないよう注意が必要である。
で１０〜３００ｍ2 ／ｇの範囲のもの、好ましくは３０
〜２５０ｍ2 ／ｇ程度の範囲のものである。また、銅の
含有量は金属銅換算で通常は、１〜９５ｗｔ％、好まし
くは２０〜９５ｗｔ％である。銅の含有量が１ｗｔ％よ
りも少なくなると脱酸素能力が低くなり、また、９５ｗ
ｔ％よりも高くなると水素による還元の際にシンタリン
グが生じて活性が低下する恐れがある。触媒は水蒸気の
精製に使用するに先立って活性化処理をおこなうが、通
常は水素還元が用いられる。水素還元に際しては、例え
ば３５０℃以下程度で窒素などで希釈した水素の混合ガ
スを空筒線速度（ＬＶ）５ｃｍ／ｓｅｃ程度で精製筒に
通すことによっておこなうことができるが、発熱反応で
あるため温度が急上昇しないよう注意が必要である。
【０００７】水蒸気の精製は、通常は、還元処理した銅
を主成分とする触媒が充填された精製筒に粗水蒸気を通
すことによっておこなわれ、粗水蒸気が銅触媒と接触す
ることによって粗水蒸気中に不純物として含有される酸
素が除去される。本発明に適用される粗水蒸気中の酸素
濃度は通常は１００ｐｐｍ以下である。酸素濃度がこれ
よりも高くなると発熱量が増加するため条件によっては
除熱手段が必要となる。精製筒に充填される銅触媒の充
填長は、粗水蒸気中の酸素濃度、使用触媒の特性および
酸素除去条件などによって決められるが、通常は５０〜
１５００ｍｍである。充填長が５０ｍｍよりも短くなる
と酸素除去率が低下する恐れがあり、また１５００ｍｍ
よりも長くなると圧力損失が大きくなり過ぎる恐れが生
ずる。精製時の粗水蒸気の空筒線速度（ＬＶ）は供給さ
れる水蒸気中の酸素濃度および操作条件などによって異
なり一概に特定はできないが、通常は１００ｃｍ／ｓｅ
ｃ以下、好ましくは３０ｃｍ／ｓｅｃ以下である。水蒸
気と銅触媒の接触温度は精製筒の入口に供給されるガス
の温度で、２００℃以下、好ましくは１００℃以下であ
り、水蒸気の分圧が低い場合には常温でよく特に加熱を
必要としないが、分圧が高く結露を生ずる虞のある場合
などには精製筒を適当な温度に加熱しながら接触させる
ことが好ましい。接触時のガスの圧力には特に制限はな
く常圧、減圧、加圧のいずれでも処理が可能であるが、
通常は２０Ｋｇ／ｃｍ2 ａｂｓ以下、好ましくは０．１
Ｋｇ〜１０Ｋｇ／ｃｍ2 ａｂｓである。
を主成分とする触媒が充填された精製筒に粗水蒸気を通
すことによっておこなわれ、粗水蒸気が銅触媒と接触す
ることによって粗水蒸気中に不純物として含有される酸
素が除去される。本発明に適用される粗水蒸気中の酸素
濃度は通常は１００ｐｐｍ以下である。酸素濃度がこれ
よりも高くなると発熱量が増加するため条件によっては
除熱手段が必要となる。精製筒に充填される銅触媒の充
填長は、粗水蒸気中の酸素濃度、使用触媒の特性および
酸素除去条件などによって決められるが、通常は５０〜
１５００ｍｍである。充填長が５０ｍｍよりも短くなる
と酸素除去率が低下する恐れがあり、また１５００ｍｍ
よりも長くなると圧力損失が大きくなり過ぎる恐れが生
ずる。精製時の粗水蒸気の空筒線速度（ＬＶ）は供給さ
れる水蒸気中の酸素濃度および操作条件などによって異
なり一概に特定はできないが、通常は１００ｃｍ／ｓｅ
ｃ以下、好ましくは３０ｃｍ／ｓｅｃ以下である。水蒸
気と銅触媒の接触温度は精製筒の入口に供給されるガス
の温度で、２００℃以下、好ましくは１００℃以下であ
り、水蒸気の分圧が低い場合には常温でよく特に加熱を
必要としないが、分圧が高く結露を生ずる虞のある場合
などには精製筒を適当な温度に加熱しながら接触させる
ことが好ましい。接触時のガスの圧力には特に制限はな
く常圧、減圧、加圧のいずれでも処理が可能であるが、
通常は２０Ｋｇ／ｃｍ2 ａｂｓ以下、好ましくは０．１
Ｋｇ〜１０Ｋｇ／ｃｍ2 ａｂｓである。
【０００８】
実施例１ （酸化銅触媒の調製）硫酸銅の２０ｗｔ％水溶液に炭酸
ソーダの２０ｗｔ％水溶液をｐＨ９〜１０になるまで加
え、塩基性炭酸銅の結晶を析出させた。この結晶を繰り
返し濾過、洗浄し、空気気流中１３０℃で５時間乾燥さ
せた後、３００℃で５時間焼成して酸化銅を生成させ
た。この酸化銅にアルミナゾル（触媒化成工業（株）製
Ｃａｔａｌｏｉｄ−ＡＳ−２）を混合し、ニーダーで混
練した。続いて空気中１３０℃で５時間乾燥させ、さら
に、３５０℃で５時間焼成し、焼成物を破砕して顆粒状
とした。このものを打錠成型にて６ｍｍφ×４ｍｍＨの
円筒状のペレットに成型した。これを破砕してふるいに
かけ、６〜１２ｍｅｓｈのものを集めた。この触媒の比
表面積は３９ｍ2 ／ｇであった。内径１６．４ｍｍ、長
さ４００ｍｍのステンレス製の精製筒に６３．３ｍＬ
（１０１．３ｇ、充填密度１．６ｇ／ｍＬ、充填長３０
０ｍｍ）充填した。 （銅触媒の還元処理）この精製筒に１０ｖｏｌ％水素
（窒素ベース）を常圧で温度１８０℃、流量０．６３３
Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で６時間流し還元
処理をおこなった後、常温に冷却した。 （水蒸気の精製）引き続いて、水蒸気の精製をおこなっ
た。約５０ｍＬの蒸留水の入った内径５０ｍｍ、高さ１
７５ｍｍのステンレス製バブラーを４０℃に設定した恒
温槽に浸して水蒸気圧をコントロールし、窒素で水蒸気
をバブリングすることによって窒素ベースで約７．３ｖ
ｏｌ％水蒸気を含むガスを発生させた。次に、結露を防
止するため、配管を６０℃に加熱しながら上記のガスで
３０分間配管内のパージをおこなった後この水蒸気を含
むガス中の酸素濃度を黄燐発光式酸素分析計（測定下限
濃度０．０１ｐｐｍ）を用いて測定したところ０．２３
ｐｐｍであった。このガスを４０℃に加熱した精製筒に
０．６３３Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で流し
て出口ガス中の酸素濃度を測定した結果、０．０１ｐｐ
ｍ以下であった。精製を始めてから１００分後において
も出口ガスの酸素濃度は０．０１ｐｐｍ以下であった。
ソーダの２０ｗｔ％水溶液をｐＨ９〜１０になるまで加
え、塩基性炭酸銅の結晶を析出させた。この結晶を繰り
返し濾過、洗浄し、空気気流中１３０℃で５時間乾燥さ
せた後、３００℃で５時間焼成して酸化銅を生成させ
た。この酸化銅にアルミナゾル（触媒化成工業（株）製
Ｃａｔａｌｏｉｄ−ＡＳ−２）を混合し、ニーダーで混
練した。続いて空気中１３０℃で５時間乾燥させ、さら
に、３５０℃で５時間焼成し、焼成物を破砕して顆粒状
とした。このものを打錠成型にて６ｍｍφ×４ｍｍＨの
円筒状のペレットに成型した。これを破砕してふるいに
かけ、６〜１２ｍｅｓｈのものを集めた。この触媒の比
表面積は３９ｍ2 ／ｇであった。内径１６．４ｍｍ、長
さ４００ｍｍのステンレス製の精製筒に６３．３ｍＬ
（１０１．３ｇ、充填密度１．６ｇ／ｍＬ、充填長３０
０ｍｍ）充填した。 （銅触媒の還元処理）この精製筒に１０ｖｏｌ％水素
（窒素ベース）を常圧で温度１８０℃、流量０．６３３
Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で６時間流し還元
処理をおこなった後、常温に冷却した。 （水蒸気の精製）引き続いて、水蒸気の精製をおこなっ
た。約５０ｍＬの蒸留水の入った内径５０ｍｍ、高さ１
７５ｍｍのステンレス製バブラーを４０℃に設定した恒
温槽に浸して水蒸気圧をコントロールし、窒素で水蒸気
をバブリングすることによって窒素ベースで約７．３ｖ
ｏｌ％水蒸気を含むガスを発生させた。次に、結露を防
止するため、配管を６０℃に加熱しながら上記のガスで
３０分間配管内のパージをおこなった後この水蒸気を含
むガス中の酸素濃度を黄燐発光式酸素分析計（測定下限
濃度０．０１ｐｐｍ）を用いて測定したところ０．２３
ｐｐｍであった。このガスを４０℃に加熱した精製筒に
０．６３３Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で流し
て出口ガス中の酸素濃度を測定した結果、０．０１ｐｐ
ｍ以下であった。精製を始めてから１００分後において
も出口ガスの酸素濃度は０．０１ｐｐｍ以下であった。
【０００８】実施例２ （水蒸気の精製）実施例１で用いたと同じ精製筒を用い
て水蒸気の精製をおこなった。約５０ｍｌの蒸留水の入
った内径５０ｍｍ、高さ１７５ｍｍのステンレス製バブ
ラーを４０℃に設定した恒温槽に浸して水蒸気圧をコン
トロールし、水素で水蒸気をバブリングすることによっ
て水素ベースで約７．３ｖｏｌ％水蒸気を含むガスを発
生させた。実施例１と同様に配管を加熱しながら３０分
間パージした後、この水蒸気を含むガス中の酸素濃度を
黄燐発光式酸素分析計を用いて測定したところ約０．２
０ｐｐｍであった。このガスを４０℃に加熱した精製筒
に０．６３３Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で流
して出口ガス中の酸素濃度を測定した結果、０．０１ｐ
ｐｍ以下であった。精製を始めてから１００分後におい
ても出口ガスの酸素濃度は０．０１ｐｐｍ以下であっ
た。
て水蒸気の精製をおこなった。約５０ｍｌの蒸留水の入
った内径５０ｍｍ、高さ１７５ｍｍのステンレス製バブ
ラーを４０℃に設定した恒温槽に浸して水蒸気圧をコン
トロールし、水素で水蒸気をバブリングすることによっ
て水素ベースで約７．３ｖｏｌ％水蒸気を含むガスを発
生させた。実施例１と同様に配管を加熱しながら３０分
間パージした後、この水蒸気を含むガス中の酸素濃度を
黄燐発光式酸素分析計を用いて測定したところ約０．２
０ｐｐｍであった。このガスを４０℃に加熱した精製筒
に０．６３３Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で流
して出口ガス中の酸素濃度を測定した結果、０．０１ｐ
ｐｍ以下であった。精製を始めてから１００分後におい
ても出口ガスの酸素濃度は０．０１ｐｐｍ以下であっ
た。
【０００９】実施例３ （水蒸気の精製）実施例１で用いたと同じ精製筒を用い
て水蒸気の精製をおこなった。約５０ｍｌの蒸留水の入
った内径５０ｍｍ、高さ１７５ｍｍのステンレス製バブ
ラーを６０℃に設定した恒温槽に浸して水蒸気圧をコン
トロールし、マスフローコントローラーにより水蒸気流
量を０．１Ｌ／ｍｉｎに制御した。その際、マスフロー
コントローラーの下流に真空ポンプを設置することによ
り流量制御のための差圧を得た。実施例１と同様に配管
を加熱しながら３０分間パージした後、この水蒸気流に
酸素濃度が０．０１ｐｐｍ以下であることを確認した窒
素０．４Ｌ／ｍｉｎで添加しながら、この水蒸気を含む
ガス中の酸素濃度を黄燐発光式酸素分析計を用いて測定
したところ、約０．０６ｐｐｍであった。前述の窒素希
釈前の水蒸気０．１Ｌ／ｍｉｎを６０℃に加熱した精製
筒に通し出口ガスに酸素濃度０．０１ｐｐｍ以下の窒素
０．４Ｌ／ｍｉｎを加えたガス中の酸素濃度を測定した
結果、０．０１ｐｐｍ以下であった。精製を始めてから
１００分後においても出口ガスの酸素濃度は０．０１ｐ
ｐｍ以下であった。
て水蒸気の精製をおこなった。約５０ｍｌの蒸留水の入
った内径５０ｍｍ、高さ１７５ｍｍのステンレス製バブ
ラーを６０℃に設定した恒温槽に浸して水蒸気圧をコン
トロールし、マスフローコントローラーにより水蒸気流
量を０．１Ｌ／ｍｉｎに制御した。その際、マスフロー
コントローラーの下流に真空ポンプを設置することによ
り流量制御のための差圧を得た。実施例１と同様に配管
を加熱しながら３０分間パージした後、この水蒸気流に
酸素濃度が０．０１ｐｐｍ以下であることを確認した窒
素０．４Ｌ／ｍｉｎで添加しながら、この水蒸気を含む
ガス中の酸素濃度を黄燐発光式酸素分析計を用いて測定
したところ、約０．０６ｐｐｍであった。前述の窒素希
釈前の水蒸気０．１Ｌ／ｍｉｎを６０℃に加熱した精製
筒に通し出口ガスに酸素濃度０．０１ｐｐｍ以下の窒素
０．４Ｌ／ｍｉｎを加えたガス中の酸素濃度を測定した
結果、０．０１ｐｐｍ以下であった。精製を始めてから
１００分後においても出口ガスの酸素濃度は０．０１ｐ
ｐｍ以下であった。
【００１０】実施例４ （酸化銅触媒の調製）市販の酸化銅触媒（日産ガードラ
ー┻製、Ｇ１０８）を用いた。このものは担体としてＳ
ｉＯ2 を使用しＣｕとして３０ｗｔ％、比表面積が１２
０ｍ2 ／ｇであり、直径５ｍｍ、高さ４．５ｍｍの成型
体である。この酸化触媒を８〜１０ｍｅｓｈに破砕した
もの６３．３ｍ を内径１６．４ｍｍ、長さ４００ｍｍ
のステンレス製の精製筒に充填長３００ｍｍ（充填密度
１．０ｇ／ｍｌ）に充填した。 （触媒の還元処理）この精製筒に１０ｖｏｌ％の水素
（窒素ベース）を常圧で温度１８０℃、流量０．６３３
Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で６時間流し還元
処理をおこなった後、常温に冷却した。 （水蒸気の精製）引き続いて、水蒸気の精製をおこなっ
た。実施例１で使用した約０．２３ｐｐｍの酸素を含む
７．４ｖｏｌ％水蒸気（窒素ベース）を４０℃に加熱し
た精製筒に０．６３３Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅ
ｃ）で流して出口ガス中の酸素濃度を測定したところ、
０．０１ｐｐｍ以下であった。精製を始めてから１００
分後においても出口ガスの酸素濃度は０．０１ｐｐｍ以
下であった。
ー┻製、Ｇ１０８）を用いた。このものは担体としてＳ
ｉＯ2 を使用しＣｕとして３０ｗｔ％、比表面積が１２
０ｍ2 ／ｇであり、直径５ｍｍ、高さ４．５ｍｍの成型
体である。この酸化触媒を８〜１０ｍｅｓｈに破砕した
もの６３．３ｍ を内径１６．４ｍｍ、長さ４００ｍｍ
のステンレス製の精製筒に充填長３００ｍｍ（充填密度
１．０ｇ／ｍｌ）に充填した。 （触媒の還元処理）この精製筒に１０ｖｏｌ％の水素
（窒素ベース）を常圧で温度１８０℃、流量０．６３３
Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で６時間流し還元
処理をおこなった後、常温に冷却した。 （水蒸気の精製）引き続いて、水蒸気の精製をおこなっ
た。実施例１で使用した約０．２３ｐｐｍの酸素を含む
７．４ｖｏｌ％水蒸気（窒素ベース）を４０℃に加熱し
た精製筒に０．６３３Ｌ／ｍｉｎ（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅ
ｃ）で流して出口ガス中の酸素濃度を測定したところ、
０．０１ｐｐｍ以下であった。精製を始めてから１００
分後においても出口ガスの酸素濃度は０．０１ｐｐｍ以
下であった。
【００１１】比較例 活性炭（椰子殻炭）を８〜２４ｍｅｓｈに破砕したもの
４８ｇを実施例１に置けると同じ精製筒に３００ｍｍ
（充填密度０．５７ｇ／ｍｌ）充填し、ヘリウム気流中
２７０〜２９０℃で時間加熱処理した後、室温に冷却し
た。この精製筒に実施例１で用いたと同じ約０．２３ｐ
ｐｍの酸素を含む７．３ｖｏｌ％の水蒸気（窒素ベー
ス）を４０℃に加熱した精製筒に０．６３３Ｌ／ｍｉｎ
（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で流して出口ガス中の酸素濃
度を測定した結果、０．２３ｐｐｍであり、この状態で
２時間流し続けたが酸素濃度の変化はみられなかった。
４８ｇを実施例１に置けると同じ精製筒に３００ｍｍ
（充填密度０．５７ｇ／ｍｌ）充填し、ヘリウム気流中
２７０〜２９０℃で時間加熱処理した後、室温に冷却し
た。この精製筒に実施例１で用いたと同じ約０．２３ｐ
ｐｍの酸素を含む７．３ｖｏｌ％の水蒸気（窒素ベー
ス）を４０℃に加熱した精製筒に０．６３３Ｌ／ｍｉｎ
（ＬＶ＝５ｃｍ／ｓｅｃ）で流して出口ガス中の酸素濃
度を測定した結果、０．２３ｐｐｍであり、この状態で
２時間流し続けたが酸素濃度の変化はみられなかった。
【００１２】
【発明の効果】本発明によって、従来除去が困難であっ
た水蒸気中の酸素を０．１ｐｐｍ以下、さらには０．０
１ｐｐｍ以下のような極低濃度まで除去することがで
き、超高純度の水蒸気を得ることが可能となった。
た水蒸気中の酸素を０．１ｐｐｍ以下、さらには０．０
１ｐｐｍ以下のような極低濃度まで除去することがで
き、超高純度の水蒸気を得ることが可能となった。
Claims (3)
- 【請求項１】粗水蒸気を銅を主成分とする触媒と接触さ
せて、該粗水蒸気に含有される酸素を除去することを特
徴とする水蒸気の精製方法。 - 【請求項２】触媒が、金属換算で５〜９５ｗｔ％の銅を
含有し、かつ、比表面積がＢＥＴ法で１０〜３００ｍ2
／ｇである請求項１に記載の水蒸気の精製方法。 - 【請求項３】水蒸気と触媒との接触温度が２００℃以下
である請求項１に記載の水蒸気の精製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31000791A JP3260786B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 水蒸気の精製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31000791A JP3260786B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 水蒸気の精製方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05123575A true JPH05123575A (ja) | 1993-05-21 |
| JP3260786B2 JP3260786B2 (ja) | 2002-02-25 |
Family
ID=18000030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31000791A Expired - Lifetime JP3260786B2 (ja) | 1991-10-29 | 1991-10-29 | 水蒸気の精製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3260786B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391978A (en) * | 1977-01-21 | 1978-08-12 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | Centrifugal molding method |
| EP1205564A3 (en) * | 2000-11-14 | 2003-03-19 | Japan Pionics Co., Ltd. | Method of recovering a copper and/or a manganese component from a particulate gas cleaning agent |
| JP2009035480A (ja) * | 2008-09-22 | 2009-02-19 | Toyota Motor Corp | 水素ガス生成システムの運転停止方法 |
-
1991
- 1991-10-29 JP JP31000791A patent/JP3260786B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5391978A (en) * | 1977-01-21 | 1978-08-12 | Hitachi Shipbuilding Eng Co | Centrifugal molding method |
| EP1205564A3 (en) * | 2000-11-14 | 2003-03-19 | Japan Pionics Co., Ltd. | Method of recovering a copper and/or a manganese component from a particulate gas cleaning agent |
| JP2009035480A (ja) * | 2008-09-22 | 2009-02-19 | Toyota Motor Corp | 水素ガス生成システムの運転停止方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3260786B2 (ja) | 2002-02-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003500323A (ja) | 亜酸化窒素精製方法 | |
| JPH05123575A (ja) | 水蒸気の精製方法 | |
| JP2732262B2 (ja) | アルシンの精製方法 | |
| JP3410121B2 (ja) | アンモニアの精製方法 | |
| JP3522785B2 (ja) | 二酸化炭素の精製方法 | |
| JP3359928B2 (ja) | アンモニアの精製方法 | |
| JP3279608B2 (ja) | 水蒸気の精製方法 | |
| JP3292251B2 (ja) | 水蒸気の精製方法 | |
| JP2700412B2 (ja) | 水素化物ガスの精製方法 | |
| JP3260779B2 (ja) | 芳香族炭化水素蒸気の精製方法 | |
| JP2651611B2 (ja) | 水素化物ガスの精製方法 | |
| JP3154340B2 (ja) | 水素化ゲルマニウムの精製方法 | |
| JP3217854B2 (ja) | 有機金属の精製方法 | |
| JP2700413B2 (ja) | 水素化物ガスの精製方法 | |
| JP3292311B2 (ja) | メタノールの精製方法 | |
| JP2640521B2 (ja) | 硫化水素の精製方法 | |
| JP3150788B2 (ja) | ハロゲン化炭化水素の精製方法 | |
| JP2700396B2 (ja) | ジボランの精製方法 | |
| JPH08290007A (ja) | 溶存酸素の除去方法 | |
| JP2640517B2 (ja) | セレン化水素の精製方法 | |
| JPH04144910A (ja) | ジシランの精製方法 | |
| JP2592312B2 (ja) | ホスフィンの精製方法 | |
| JP3154339B2 (ja) | 水素化ゲルマニウムの精製方法 | |
| JP2700398B2 (ja) | 水素化物ガスの精製方法 | |
| JP2627324B2 (ja) | シランの精製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081214 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091214 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101214 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111214 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |