JPH0511531U - 電力合成fet増幅器 - Google Patents

電力合成fet増幅器

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JPH0511531U
JPH0511531U JP5609591U JP5609591U JPH0511531U JP H0511531 U JPH0511531 U JP H0511531U JP 5609591 U JP5609591 U JP 5609591U JP 5609591 U JP5609591 U JP 5609591U JP H0511531 U JPH0511531 U JP H0511531U
Authority
JP
Japan
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fet
amplifier
hybrid
output
input
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Application number
JP5609591U
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Inventor
晴三 広瀬
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 入力レベルの変化に対して、合成効率の劣化
を少なくした電力合成増幅器を得る。 【構成】 電力合成増幅器の入力ハイブリッド1のアイ
ソレーション端子に検波器7を接続し、このレベルを検
出することにより入力レベルの値を知り、その出力によ
ってFET増幅器3a、3bヘのゲート電圧をゲート電
圧制御器9により制御し、FET増幅器を常に飽和領域
で動作させる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、高周波帯で大電力を発生させるための電力合成FET増幅器の構 成に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図2は、従来の電力合成FET増幅器の構成を示す図であり、図において、1 は入力端子、2は入力ハイブリッド、3a、3bはFET増幅器、4は出力ハイ ブリッド、5は出力端子、6a、6bは無反射終端器、10は電源入力端子であ る。
【0003】 次に動作について説明する。入力端子1から入った信号は、入力ハイブリッド 2で2信号に分割された後、FET増幅器3a、3bにより別々に増幅される。 出力ハイブリッド4では2つのFET増幅器3a、3bの出力信号を再び合成し て、出力端子5へ出力する。本構成の合成増幅器では、出力電力は、各FET増 幅器の和となるため、1台のFET増幅器では得られないような大電力を容易に 得ることができる。合成効率は、入力ハイブリッド2、FET増幅器3a、3b 及び出力ハイブリッド4を含めて両方の系の位相差及び振幅差がゼロのときに最 大となる。一般には何らかの位相及び振幅の不平衡が発生するため、それによる 損失電力を無反射終端器6a、6bで吸収させている。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
従来の電力合成FET増幅器は、以上のように構成されているので、増幅器の 入力レベルの変化によるFETの振幅、位相特性のズレが原因で、広いダイナミ ックレンジにわたって効率のよい合成ができないという課題があった。
【0005】 この考案は、上記のような課題を解決するためになされたもので、広い入力レ ベル範囲にわたって合成効率を最適に保つようにすることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この考案に係る電力合成FET増幅器は、入力レベルの変化に応じてFETの ゲート電圧を変化させるようにしたものである。
【0007】
【作用】
この考案における電力合成FET増幅器は、ゲート電圧を入力レベルに応じて 変化させることにより、FETを常に飽和領域で動作させ、振幅、位相の不平衡 を最小限とする。
【0008】
【実施例】
以下、この考案の一実施例を図について説明する。図1において、1は入力端 子、2は入力ハイブリッド、3a、3bはFET増幅器、4は出力ハイブリッド 、5は出力端子、6は無反射終端器、7は検波器、8はループフィルタ、9はゲ ート電圧制御器、10は電源入力端子である。
【0009】 検波器7への入力レベルは、本来2つのFET増幅器3a、3bの入力インピ ーダンスの不平衡による無効電力として扱われるものであるが、このレベルは一 度電力合成回路が調整されてしまった後では、ほぼ入力端子1への入力レベルと 比例した電力となる。従って、検波器7への入力レベルを知ることにより、電力 合成増幅器への入力レベルを知ることができる。
【0010】 また、一般にFET増幅器は、そのゲートに印加する電圧を変化することによ り、ある範囲内で飽和レベルを制御することができる。またこの時FETの出力 インピーダンスの変化は、飽和領域で使用する限りにおいては、線形領域の間で の変化よりもはるかに小さい。
【0011】 従って、この特性を利用して、上記検波器7の出力で、この電圧を制御するこ とにより、常にFET増幅器を入力レベルに応じた飽和出力に設定し、かつイン ピーダンス変化による合成効率の劣化を防ぐように動作させることができる。ル ープフィルタ8は、この制御の応答速度を決めるもので、通常の変化に対して悪 影響とならないように十分遅い応答としておく。
【0012】
【考案の効果】
以上のように、この考案によれば、入力電力を検出し、この電力に応じたゲー ト電圧をFETヘ印加するようにしたので、インピーダンス変化による無効電力 の増加を抑え、効率の良い合成を行うことができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例による電力合成FET増幅
器の構成を示す図である。
【図2】従来の電力合成FET増幅器の構成を示す図で
ある。
【符号の説明】
2 入力ハイブリッド 3 FET増幅器 4 出力ハイブリッド 7 検波器 8 ループフィルタ 9 ゲート電圧制御器

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 第1のハイブリッドと、第1のハイブリ
    ッドの2つの出力端に接続される2つのFET増幅器
    と、2つのFET増幅器の出力を合成する第2のハイブ
    リッドと、第1のハイブリッドの他の出力端に接続され
    た検波器と、検波器出力を増幅するループフィルタと、
    ループフィルタの出力により、上記の2つのFET増幅
    器のゲート電圧を制御する電圧制御器とで構成したこと
    を特徴とする電力合成FET増幅器。
JP5609591U 1991-07-18 1991-07-18 電力合成fet増幅器 Pending JPH0511531U (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003510874A (ja) * 1999-09-24 2003-03-18 サントル ナショナル デチュード スパシアル(セー.エヌ.ウー.エス) 増幅の自動適合バイアスを備えた変調無線信号送信器
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JP2007116694A (ja) * 2005-10-17 2007-05-10 Korea Electronics Telecommun 高効率混合モード電力増幅器

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