JPH052443U - 電力合成fet増幅器 - Google Patents

電力合成fet増幅器

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Publication number
JPH052443U
JPH052443U JP757291U JP757291U JPH052443U JP H052443 U JPH052443 U JP H052443U JP 757291 U JP757291 U JP 757291U JP 757291 U JP757291 U JP 757291U JP H052443 U JPH052443 U JP H052443U
Authority
JP
Japan
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fet
hybrid
output
amplifier
input
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Pending
Application number
JP757291U
Other languages
English (en)
Inventor
晴三 広瀬
Original Assignee
三菱電機株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 入力レベルの変化に対して合成効率の劣化を
少なくした電力合成FET増幅器を得る。 【構成】 電力合成増幅器の入力ハイブリッド1のアイ
ソレーション端子に検波器7を接続し、このアイソレー
ション端子の出力レベルを検出することにより入力レベ
ルの値を知り、その出力によって、FET増幅器3a,
3bへのドレイン電圧をドレイン電圧制御器9により制
御し、FET増幅器を常に飽和領域で動作させる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は高周波帯で大電力を発生させるための電力合成FET増幅器に関す るものである。
【0002】
【従来の技術】
図2は、従来の電力合成FET増幅器の構成を示す図であり、図において、1 は入力端子、2は第1のハイブリッドである入力ハイブリッド、3a,3bはF ET増幅器、4は第2のハイブリッドである出力ハイブリッド、5は出力端子、 6a,6bは無反射終端器、10は電源入力端子である。
【0003】 次に動作について説明する。入力端子1から入った信号は、入力ハイブリッド 2で、2信号に分割された後、FET増幅器3a,3bにより別々に増幅される 。出力ハイブリッド4では2つのFET増幅器3a,3bの出力信号を再び合成 して、出力端子5へ出力する。本構成の合成増幅器では、出力電力は、各FET 増幅器の和となるため、1台のFET増幅器では得られないような大電力を容易 に得ることができる。合成効率は、入力ハイブリッド2、FET増幅器3a,3 b及び出力ハイブリッド4を含めて両方の系の位相差並び振幅差が零の時に最大 となる。一般には何らかの位相及び振幅の不平衡が発生するため、それによる損 失電力を無反射終端器6a,6bで吸収させている。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
従来の電力合成FET増幅器は、以上のように構成されているので、増幅器の 入力レベルの変化によるFETの振幅、位相特性のズレが原因で、広いダイナミ ックレンジにわたって効率よい合成ができないという課題があった。
【0005】 この考案は、上記のような課題を解決するためになされたもので、広い入力レ ベル範囲にわたって合成効率を最適に保つようにすることを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
この考案に係る電力合成FET増幅器は、入力レベルの変化に応じてFETの ドレイン電圧を変化させるようにしたものである。
【0007】
【作用】
この考案における電力合成FET増幅器は、ドレイン電圧を入力レベルに応じ て変化させることにより、FETを常に飽和領域で動作させ、振幅、位相の不平 衡を最小限とする。
【0008】
【実施例】
実施例1. 以下、この考案の一実施例を図について説明する。図1において、1は入力端 子、2は入力ハイブリッド、3a,3bはFET増幅器、4は出力ハイブリッド 、5は出力端子、6は無反射終端、7は検波器、8はループフィルタ、9はドレ イン電圧制御器、10は電源入力端子である。
【0009】 検波器7への入力レベルは、本来2つのFET増幅器3a、3bの入力インピ ーダンスの不平衡による無効電力として扱われるものであるが、このレベルは、 一度電力合成回路が調整されてしまった後では、ほぼ入力端子1への入力レベル と比例した電力となる。従って、検波器7への入力レベルを知ることににより、 電力合成増幅器への入力レベルを知ることができる。
【0010】 また一般にFET増幅器は、そのドレインに印加する電圧を変化することによ り、ある範囲内で飽和出力レベルを制御することができる。また、この時、FE Tの出力インピーダンスの変化は、飽和領域で使用する限りにおいては、線形領 域から飽和領域の間での変化よりもはるかに小さい。
【0011】 従ってこの特性を利用して、上記検波器7の出力で、この電圧を制御すること により、常に、FET増幅器を入力レベルに応じた飽和出力に設定し、かつ、イ ンピーダンス変化による合成効率の劣化を防ぐように動作させることができる。 ループフィルタ8は、この制御の応答速度を決めるもので、通常の信号の変化に 対して悪影響とならないように十分遅い応答としておく。
【0012】
【考案の効果】
以上のようにこの考案によれば、入力電力を検出し、この電力に応じたドレイ ン電圧をFETへ印加するようにしたので、インピーダンス変化による無効電力 の増加を抑え、効率のよい合成を行うことができるとういう効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例による電力合成FET増幅
器の構成を示す図である。
【図2】従来の電力合成FET増幅器の構成を示す図で
ある。
【符号の説明】
2 入力ハイブリッド 3 FET増幅器 4 出力ハイブリッド 7 検波器 8 ループフィルタ 9 ドレイン電圧制御器

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 【請求項1】 第1のハイブリッドと、この第1のハイ
    ブリッドの2つの出力端に接続される2つのFET増幅
    器と、上記2つのFET増幅器の出力を合成する第2の
    ハイブリッドと、上記第1のハイブリッドの他の出力端
    に接続された検波器と、この検波器出力を増幅するルー
    プフィルタと、このループフィルタの出力により、上記
    の2つのFET増幅器のドレイン電圧を制御する電圧制
    御器とから構成することを特徴とする電力合成FET増
    幅器。
JP757291U 1991-02-20 1991-02-20 電力合成fet増幅器 Pending JPH052443U (ja)

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JPH052443U true JPH052443U (ja) 1993-01-14

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006333167A (ja) * 2005-05-27 2006-12-07 Japan Radio Co Ltd 高周波増幅回路
JP2007300400A (ja) * 2006-04-28 2007-11-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 送信回路、送信方法、及びそれを用いた通信機器
JP2014241538A (ja) * 2013-06-12 2014-12-25 株式会社東芝 送信装置

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