JPH05114111A - 磁気ヘツド - Google Patents

磁気ヘツド

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JPH05114111A
JPH05114111A JP30272491A JP30272491A JPH05114111A JP H05114111 A JPH05114111 A JP H05114111A JP 30272491 A JP30272491 A JP 30272491A JP 30272491 A JP30272491 A JP 30272491A JP H05114111 A JPH05114111 A JP H05114111A
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magnetic
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film
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JP30272491A
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English (en)
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Hironari Eguchi
裕也 江口
Tatsuo Hisamura
達雄 久村
Katsumi Sakata
勝美 坂田
Hiroshi Watari
浩 渡利
Yoichi Inmaki
洋一 印牧
Yukari Uchiumi
ゆかり 内海
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Sony Corp
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 少なくとも一方の磁気コア半体が磁性材料と
非磁性材料よりなる磁気コア基板3,4と金属磁性膜1
からなる磁気コア半体7対を突合わせ、閉磁路を構成し
てなる磁気ヘッドにおいて、上記磁気コア半体7の突合
わせ面7aが金属磁性膜1と非磁性基板3b,4bから
なる。 【効果】 ヘッドのインダクタンスの周波数特性及びQ
値並びにヘッドの再生特性が大幅に向上する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばディジタルビデ
オテープレコーダ(VTR)等に搭載される磁気ヘッド
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、記録
信号の高密度化が進行しており、高い抗磁力と高い残留
磁束密度を有する磁気記録媒体が使用されるようになっ
てきている。これに伴って、磁気ヘッドのコア材には高
飽和磁束密度を有するとともに高透磁率を有することが
要求されている。
【0003】このような要求を満たすため、従来から用
いられてきたフェライト等の酸化物磁性材料に代わっ
て、強磁性材料よりなる金属磁性膜を主コア材として用
いた金属薄膜型の磁気ヘッド、いわゆるメタル・イン・
ギャップ型の磁気ヘッドがメタルテープ等の高抗磁力媒
体用に開発されている。例えば、フェライトを補助コア
材とし磁気ギャップ部に金属磁性膜を配したヘッド(こ
れをヘッド1と称する。)や、非磁性材料よりなる磁気
コア基板に金属磁性膜を成膜してなるヘッド(これをヘ
ッド2と称する。)、或いはフェライトと非磁性材料を
複合化した磁気コア基板に金属磁性膜を成膜したヘッド
(これをヘッド3と称する。)等が挙げられる。
【0004】ところが、ヘッド1では、フェライト部の
飽和や磁性膜の特性が出難い等の問題により、出力が頭
打ちになってきている。また、リップル、ノイズの問題
もある。一方、ヘッド2では、インダクタンスLのf
(周波数)特性やQ値が悪く、ヘッド3では高いQ値及
び良好なf特性が得られるものの、摺動面全部を非磁性
材で構成する場合にはヘッド摩耗の問題やギャップ面の
鏡面加工時の研磨レートの違いによる磁性,非磁性材間
の段差から生じるギャップ不良や生産性の低下等の問題
がある。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明は、上述
の技術的な課題を解消するべく提案されたものであっ
て、生産性並びに耐久性に優れ、f特性及びQ値の高い
高出力の磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明は、少なくとも一方の磁気コア半体が磁性
材料と非磁性材料よりなる磁気コア基板と金属磁性膜か
らなる磁気コア半体対を突合わせ、閉磁路を構成してな
る磁気ヘッドにおいて、上記磁気コア半体の突合わせ面
が金属磁性膜と非磁性材料から構成されていることを特
徴とするものである。
【0007】
【作用】本発明に係る磁気ヘッドにおいては、磁気コア
半体が磁性材料と非磁性材料よりなる磁気コア基板と金
属磁性膜から構成されており、その磁気コア半体の突合
わせ面が金属磁性膜と非磁性材料からなるので、ヘッド
のインダクタンスのf特性及びQ値が大幅に向上する。
【0008】
【実施例】以下、本発明を適用した具体的な実施例につ
いて図面を参照しながら詳細に説明する。本実施例の磁
気ヘッドは、図1に示すように、金属磁性膜1,2を一
対の磁気コア基板3,4,5,6により膜厚方向で挟み
込み接合一体化してなる一対の磁気コア半体7,8から
なり、これら磁気コア半体7,8を金属磁性膜1,2の
端面同士を対向させるように突合わせ接合一体化したも
のである。
【0009】上記磁気コア半体7,8は、磁路を構成す
る金属磁性膜1,2と、この金属磁性膜1,2を膜厚方
向より挾み込み当該金属磁性膜1,2を補強する一対の
磁気コア基板3,4及び5,6とから構成される。上記
金属磁性膜1,2は、高出力化並びに高帯域での渦電流
損失を回避するために、強磁性金属材料よりなる薄膜の
磁性金属層1a,1b、2a,2bを絶縁膜(図示は省
略する。)を介して積層した多層構造とされている。な
お、本実施例では、磁性金属層を2層とした。
【0010】上記磁性金属層1a,1b、2a,2bに
使用される強磁性金属材料としては、従来より公知の高
飽和磁束密度且つ軟磁気特性に優れた強磁性合金材料が
使用され、結晶質,非結晶質を問わない。例示するなら
ば、Fe系合金、Co系合金、Fe−Ni系合金、Fe
−C系合金、Fe−Al−Si系合金、Fe−Ga−S
i系合金、Fe−Al−Ge系合金、Fe−Ga−Ge
系合金、Fe−Si−Ge系合金、Fe−Co−Si系
合金、Fe−Ru−Ga−Si系合金、Fe−Co−S
i−Al系合金等の結晶質合金材料や、Co−Zr−N
b,Co−Zr−Nb−Ta等のアモルファス合金等が
挙げられる。ももちろん、一般に使用されるアモルファ
ス合金(例えばFe,Ni,Coのうち1以上の元素と
P,C,B,Siのうち1以上の元素とからなる合金、
またはこれを主成分としAl,Be,Sn,In,M
o,W,Ti,Mn,Cr,Zr,Hf,Nb等を含ん
だ合金等のメタル−メタロイド系アモルファス合金、或
いはCo−Zr,Co−Hf等の遷移元素を主成分とす
る合金、またはこれらに希土類元素を添加した合金等の
メタル−メタル系アモルファス合金。)等も使用可能で
ある。
【0011】上記絶縁膜には、従来より多く使用されて
いるSiO2 の他、例えばSi、Al、Ti、Cr、Z
r、Ta等の窒化物、炭化物等の如き材料からなる膜が
使用される。これら磁性金属層1a,1b、2a,2b
及び絶縁膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、クラスター・イオ
ンビーム法等に代表される真空薄膜形成技術が挙げられ
る。
【0012】一方、磁気コア基板3,4,5,6は、磁
性材料よりなる磁性基板3a,4a,5a,6aと非磁
性材料よりなる非磁性基板3b,4b,5b,6bとか
ら構成されている。上記磁性基板3a,4a,5a,6
aは、例えばMn−ZnフェライトやNi−Znフェラ
イト等の酸化物磁性材料からなる。一方、非磁性基板3
b,4b,5b,6bは、結晶化ガラスやセラミックス
等の非磁性材料からなる。これら磁性基板3a,4a,
5a,6aと非磁性基板3b,4b,5b,6bは、当
該非磁性基板3b,4b,5b,6bがギャップ側に来
るように側面同士を熱圧着、ガラス融着、低温熱拡散接
合等の手法によって接合一体化されることにより、磁気
コア基板3,4,5,6を構成するようになっている。
【0013】なお、本実施例では、磁性基板3a,4
a,5a,6aにはフェライトを用い、非磁性基板3
b,4b,5b,6bには結晶化ガラスを用い、これら
を熱圧着によって接合一体化した。
【0014】そして、上記磁性基板3a,4a,5a,
6aと非磁性基板3b,4b,5b,6bよりなる磁気
コア基板3,4,5,6の間に金属磁性膜1,2をその
膜厚方向より挾み込むことによって磁気コア半体7,8
を構成するようになっている。なお、上記磁気コア基板
3,4,5,6の金属磁性膜1,2を挾み込む対向面
は、磁気ギャップgに対して斜めに傾斜されている。こ
のように構成された磁気コア半体7,8は、その一方の
みを図2に示すように、磁気ギャップ形成面となる突合
わせ面7aが金属磁性膜1と非磁性基板3b,4bのみ
から構成されている。逆の見方をすれば、突合わせ面7
aには磁性基板3a,4aが存在しないようになってい
る。
【0015】また、一方の磁気コア半体8の突合わせ面
8aも同様に金属磁性膜2と非磁性基板5b,6bのみ
の構成となっている。なお、この一方の磁気コア半体8
の突合わせ面8aには、記録情報に基づく電気信号をヘ
ッドに供給し、媒体からの磁気信号を電気信号として装
置側へ伝達するためのコイルを巻装させる巻線溝9が設
けられている。上記巻線溝9は、断面略コ字状の溝とし
て形成され、磁気ギャップg側に設けられる傾斜面11
によって上記磁気ギャップgのデプスを規制するように
なっている。
【0016】そして、上述のように構成された一対の磁
気コア半体7,8は、互いの金属磁性膜1,2の端面同
士をAu等の導電性金属材料よりなるギャップ膜(図示
は省略する。)を介して突合わせ、これらAu同士の低
温熱拡散接合により一体化されている。すなわち、これ
ら磁気コア半体7,8に10MPa以上の圧力を加え、
150度〜300度程度の温度で熱処理して接合されて
いる。上記金属層同士の熱拡散接合は、150度〜30
0度と極めて低温で行われるため、融着ガラスを用いた
場合の融着温度(550度程度)に比較して250度〜
400度も低い。このため、金属磁性膜1,2への高温
加熱による熱膨張に起因する歪みの影響が回避される。
特にアモルファス合金を用いた場合には磁気特性の劣化
が生じない。
【0017】上述のようにして構成された磁気ヘッドに
おいては、それぞれの突合わせ面7a,8aが金属磁性
膜1,2と非磁性基板3b,4b,5b,6bからのみ
なるため、ヘッドのインダクタンスのf特性及びQ値が
大幅に向上する。また、上記金属磁性膜1,2間に構成
される磁気ギャップgのトラック幅Twは、これら金属
磁性膜1,2の対向幅によって規制されるため、狭ギャ
ップ化が容易に行える利点を持つ。さらに、磁気ギャッ
プ近傍部以外は磁性基板3a,4a,5a,6aからな
るので、バック側のコア断面積が確保されヘッド出力の
向上が望める。さらには、磁気記録媒体摺動面10が非
磁性材料と磁性材料及び金属磁性膜1,2によって構成
されるため、ヘッド摩耗が少なくヘッド寿命が格段に伸
びる。また、非磁性基板3b,4b,5b,6bに金属
磁性膜1,2の摩耗特性に合わせた材料を選択して使用
すれば、磁気ギャップ形成面となる突合わせ面7a,8
aの鏡面加工時における磁性,非磁性材間の段差が抑制
で、ギャップ不良を防止することができる。
【0018】ところで、上述の磁気ヘッドを作製するに
は、以下のようにして行う。先ず、図3に示すように、
フェライトよりなる磁性基板12と結晶化ガラスよりな
る非磁性基板13を用意する。そして、図4に示すよう
に、これら磁性基板12と非磁性基板13とを接合一体
化する。
【0019】これらの接合には、熱圧着、ガラス融着、
低温熱拡散接合等の手法がいずれも採用できる。なお、
本実施例では、熱圧着法を採用した。次に、図4に示す
ように、磁性基板12と非磁性基板13の接合ブロック
の一主面にCo系アモルファス合金をSiO2 を介して
積層し、当該アモルファス合金よりなる磁性金属層を2
層積層とした金属磁性膜14を形成した。
【0020】次いで、このブロック15を幾つか作製
し、これらブロック15を図6に示すように配列して接
合一体化する。上記ブロック15同士の接合には、金属
磁性膜14がアモルファス合金であることから低温熱拡
散接合を用いた。具体的には、一方のブロック15の金
属磁性膜14と他方のブロック15の金属磁性膜14と
は反対の面にそれぞれCrとAuを順次スパッタリング
した後、これらAu同士を突合わせて一定の温度条件下
で圧力を加えることで接合一体化した。
【0021】このAu同士による低温熱拡散接合によれ
ば、極めて低温で接合できるため、上記金属磁性膜14
への高温加熱による熱膨張に起因する歪みの影響を回避
することができ、磁気特性の劣化が生じない。
【0022】次に、上述のようにして接合一体化した磁
気コアブロック16を図7に示すように2分する。そし
て、2分された磁気コア半体ブロック17,18のう
ち、一方の磁気コア半体ブロック18に巻線溝19を形
成する。上記巻線溝19は、非磁性基板13側に断面略
コ字状の溝として形成する。
【0023】次に、これら磁気コア半体ブロック17,
18の突合わせ面を鏡面加工する。このとき、突合わせ
面は、金属磁性膜14と非磁性基板13より構成される
ため、上記非磁性基板13に金属磁性膜14の摩耗特性
に合わせた材料を使用すれば、磁性,非磁性間の研磨レ
ートの違いにより生ずる段差が減少でき、ギャップ不良
を無くすことができる。
【0024】次に、上記磁気コア半体ブロック17,1
8のそれぞれの突合わせ面にCrとAuを順次スパッタ
リングする。次いで、これら磁気コア半体ブロック1
7,18を、図8に示すように互いの金属磁性膜14,
14同士が対向するようにトラック位置合わせしながら
突合わせ、上記Au同士の低温熱拡散接合によって接合
一体化する。
【0025】そして最後に、アジマス角度分だけ傾けて
スライシングし、ヘッドチップに切り出して磁気ヘッド
を完成する。
【0026】以上のようにして作製された磁気ヘッドの
インダクタンスL及びQ値を測定した。なお、比較例と
して一対の非磁性基板によって金属磁性膜をラミネート
してなる磁気ヘッドのインダクタンスLとQ値も併せて
測定した。その結果を図9及び図10に示す。なお、コ
イルの巻数は、5MHzのインダクタンスLが同じにな
るようにした。
【0027】これら図9及び図10からわかるように、
周波数が高くなっても高出力が得られ、またQ値が高い
ことから、高いC/N比が得られることがわかる。
【0028】また、実際にメタルテープに対して相対ス
ピード約12m/sで、前述したヘッド1及びヘッド2
並びに本実施例のヘッドで再生した場合、本実施例のヘ
ッドではヘッド2に比べて18MHzで+1dB、ヘッ
ド1に比べて+3dB向上するという結果が得られた。
したがって、本実施例の磁気ヘッドをハイビジョンVT
RやディジタルVTR用のビデオヘッドに用いて極めて
有用なものとなる。
【0029】以上、本発明を適用した具体的な実施例に
ついて説明したが、本発明は上述の実施例に限定される
ことなく種々の変更が可能である。例えば、前述の磁気
ヘッドでは、金属磁性膜1,2を膜厚の薄い磁性金属層
を絶縁膜を介して積層した多層膜構造としたが、単層の
金属磁性膜であっても同様の作用効果がある。
【0030】また、以下に示す図11ないし図16に示
す構造の磁気ヘッドに対しても本発明を適用でき、その
作用効果は先の実施例のヘッドと同じである。なお、こ
れら磁気ヘッドは、いずれも突合わせ面が金属磁性膜と
非磁性基板からなる。例えば、図11に示す磁気ヘッド
では、図1に示す磁気ヘッドの磁気コア半体7,8の突
合わせ面7a,8aを斜めに傾斜させ、磁気ギャップg
にアジマスを付与したものである。
【0031】図12に示す磁気ヘッドでは、図11の磁
気ヘッドの非磁性基板3b,4b,5b,6bのうち一
方の非磁性基板4b,5bの磁性基板4a,5aとの対
向面を磁気ギャップgと非平行となるような形成した例
である。図13に示す磁気ヘッドでは、図11の磁気ヘ
ッドの非磁性基板3b,4b,5b,6bの磁性基板3
a,4a,5a,6aとの対向面のすべてを磁気ギャッ
プgと非平行となるように形成した例である。
【0032】図14に示す磁気ヘッドは、図11に示す
磁気ヘッドの磁気コア基板3,4及び5,6の厚みを同
一とした例である。図15に示す磁気ヘッドは、図12
に示す磁気ヘッドの磁気コア基板3,4及び5,6の厚
みを同一とした例である。図16に示す磁気ヘッドは、
図13に示す磁気ヘッドの磁気コア基板3,4及び5,
6の厚みを同一とした例である。
【0033】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の磁気ヘッドにおいては、閉磁路を構成する磁気コア
半体が磁性材料と非磁性材料よりなる磁気コア基板と金
属磁性膜から構成されており、その磁気コア半体の突合
わせ面が金属磁性膜と非磁性材料からなるので、ヘッド
のインダクタンスのf特性及びQ値を大幅に向上させる
ことができる。したがって、ヘッド出力が向上し、より
高い抗磁力を有する磁気記録媒体に対しても良好に記録
再生することができる。
【0034】また、磁気コア半体の突合わせ面が金属磁
性膜と非磁性材料からなるので、上記非磁性材料に金属
磁性膜の摩耗特性に合わせたものを使用すれば、当該突
合わせ面(磁気ギャップ形成面)の磁性,非磁性間の摩
耗による段差が抑制され、ギャップ不良を無くすことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す斜視
図である。
【図2】本発明を適用した磁気ヘッドの一方の磁気コア
半体を示す斜視図である。
【図3】本発明を適用した磁気ヘッドを作製する工程を
順次示すもので、磁性基板と非磁性基板の接合工程を示
す斜視図である。
【図4】磁性基板と非磁性基板を接合した状態を示す斜
視図である。
【図5】本発明を適用した磁気ヘッドを作製する工程を
順次示すもので、金属磁性膜形成工程を示す斜視図であ
る。
【図6】本発明を適用した磁気ヘッドを作製する工程を
順次示すもので、磁気コアブロック作製工程を示す斜視
図である。
【図7】本発明を適用した磁気ヘッドを作製する工程を
順次示すもので、磁気コア半体ブロック作製工程を示す
斜視図である。
【図8】本発明を適用した磁気ヘッドを作製する工程を
順次示すもので、ブロックの接合工程を示す斜視図であ
る。
【図9】本発明を適用した磁気ヘッドのインダクタンス
の周波数依存性を示す特性図である。
【図10】本発明を適用した磁気ヘッドのQ値の周波数
依存性を示す特性図である。
【図11】本発明を適用した磁気ヘッドの他の例を示す
斜視図である。
【図12】本発明を適用した磁気ヘッドのさらに他の例
を示す斜視図である。
【図13】本発明を適用した磁気ヘッドのさらに他の例
を示す斜視図である。
【図14】本発明を適用した磁気ヘッドのさらに他の例
を示す斜視図である。
【図15】本発明を適用した磁気ヘッドのさらに他の例
を示す斜視図である。
【図16】本発明を適用した磁気ヘッドのさらに他の例
を示す斜視図である。
【符号の説明】
1,2・・・金属磁性膜 1a,1b、2a,2b・・・磁性金属層 3,4,5,6・・・磁気コア基板 3a,4a,5a,6a・・・磁性基板 3b,4b,5b,6b・・・非磁性基板 7,8・・・磁気コア半体 9・・・巻線溝 7a,8a・・・突合わせ面(磁気ギャップ形成面)
フロントページの続き (72)発明者 渡利 浩 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 印牧 洋一 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内 (72)発明者 内海 ゆかり 東京都品川区北品川6丁目5番6号 ソニ ー・マグネ・プロダクツ株式会社内

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも一方の磁気コア半体が磁性材
    料と非磁性材料よりなる磁気コア基板と金属磁性膜から
    なる磁気コア半体対を突合わせ、閉磁路を構成してなる
    磁気ヘッドにおいて、 上記磁気コア半体の突合わせ面が金属磁性膜と非磁性材
    料から構成されていることを特徴とする磁気ヘッド。
JP30272491A 1991-10-23 1991-10-23 磁気ヘツド Withdrawn JPH05114111A (ja)

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Date Code Title Description
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Effective date: 19990107