JPH05109754A - ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 - Google Patents
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法Info
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- JPH05109754A JPH05109754A JP29363191A JP29363191A JPH05109754A JP H05109754 A JPH05109754 A JP H05109754A JP 29363191 A JP29363191 A JP 29363191A JP 29363191 A JP29363191 A JP 29363191A JP H05109754 A JPH05109754 A JP H05109754A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベース層の膜厚を精度良く調整することがで
き、且つ製造歩留りを向上させることのできるヘテロ接
合バイポーラトランジスタの製造方法を提供することに
ある。 【構成】 ＧａＡｓから成る半導体基板２の上側に、ベ
ース層６と、ＩｎXＧａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ、０
＜Ｙ≦１）から成る半導体層７と、エミッタ層８とを順
次設け、ベース層６を硫酸、又は硫酸を含むエッチング
溶液でエッチングした後、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y
（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層７を塩
酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチングし、し
かる後、エミッタ層８を硫酸、又は硫酸を含むエッチン
グ溶液でエッチングすることを特徴とする。
き、且つ製造歩留りを向上させることのできるヘテロ接
合バイポーラトランジスタの製造方法を提供することに
ある。 【構成】 ＧａＡｓから成る半導体基板２の上側に、ベ
ース層６と、ＩｎXＧａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ、０
＜Ｙ≦１）から成る半導体層７と、エミッタ層８とを順
次設け、ベース層６を硫酸、又は硫酸を含むエッチング
溶液でエッチングした後、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y
（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層７を塩
酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチングし、し
かる後、エミッタ層８を硫酸、又は硫酸を含むエッチン
グ溶液でエッチングすることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高速、高電流利得で動
作するヘテロ接合バイポーラ（双極性型）トランジスタ
の製造方法に関するもので、特にメサ型ヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタに有益な製造方法に関するものであ
る。
作するヘテロ接合バイポーラ（双極性型）トランジスタ
の製造方法に関するもので、特にメサ型ヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタに有益な製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来技術】近年、化合物半導体を用いた半導体装置は
高集積化、高速化に向けて精力的に研究開発が行われて
いる。特に、化合物半導体のヘテロ接合を利用したヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタ（以下、ＨＢＴと記
す。）は、エミッタ注入効率が高く、高利得化、高速化
等が期待され、次世代半導体素子として活発に研究開発
が行われている。
高集積化、高速化に向けて精力的に研究開発が行われて
いる。特に、化合物半導体のヘテロ接合を利用したヘテ
ロ接合バイポーラトランジスタ（以下、ＨＢＴと記
す。）は、エミッタ注入効率が高く、高利得化、高速化
等が期待され、次世代半導体素子として活発に研究開発
が行われている。
【０００３】特に、ＧａＡｓ系（半導体基板がＧａＡｓ
から形成されていること。）のＨＢＴにおいては、ベー
ス層に混入（ドープ）する材料（ドーパント）として、
従来の亜鉛（Ｚｎ）、Ｂｅ（ベリリウム）、およびマグ
ネシウム（Ｍｇ）と比較して拡散係数が非常に小さい炭
素（Ｃ）が用いられるようになり、これより、ＨＢＴの
作製上難題とされてきたベース層からのドーパントの拡
散が抑制され、良好な特性のＨＢＴが安定して得られる
ようになってきた。
から形成されていること。）のＨＢＴにおいては、ベー
ス層に混入（ドープ）する材料（ドーパント）として、
従来の亜鉛（Ｚｎ）、Ｂｅ（ベリリウム）、およびマグ
ネシウム（Ｍｇ）と比較して拡散係数が非常に小さい炭
素（Ｃ）が用いられるようになり、これより、ＨＢＴの
作製上難題とされてきたベース層からのドーパントの拡
散が抑制され、良好な特性のＨＢＴが安定して得られる
ようになってきた。
【０００４】また、このようなドーパントの出現によ
り、高速性をより一層向上させる目的で、ベース層の抵
抗低減を狙ったベース層の高濃度化が可能となってき
た。しかし一方でこのベース層の高濃度化はベース層中
の少数電子のオージェ再結合の割合の増加を導いてしま
い、結果として、ライフタイムを減少させ、且つ電流利
得の低下をもたらす原因となっている。そこでＨＢＴで
は、通常ベース層の膜厚は１０００オングストローム程
度であるにもかかわらず、電流利得を向上させるために
その膜厚を５００オングストローム以下にしなければな
らない。一方、メサ型ＨＢＴにおいては、コレクタ層、
ベース層、およびエミッタ層（以下、各半導体層と言
う。）上に電極を設ける際に、ウエット、あるいはドラ
イを問わず時間でエッチング量を制御して各半導体層を
露出させ、しかる後、その露出部に電極を取り付けてい
た。
り、高速性をより一層向上させる目的で、ベース層の抵
抗低減を狙ったベース層の高濃度化が可能となってき
た。しかし一方でこのベース層の高濃度化はベース層中
の少数電子のオージェ再結合の割合の増加を導いてしま
い、結果として、ライフタイムを減少させ、且つ電流利
得の低下をもたらす原因となっている。そこでＨＢＴで
は、通常ベース層の膜厚は１０００オングストローム程
度であるにもかかわらず、電流利得を向上させるために
その膜厚を５００オングストローム以下にしなければな
らない。一方、メサ型ＨＢＴにおいては、コレクタ層、
ベース層、およびエミッタ層（以下、各半導体層と言
う。）上に電極を設ける際に、ウエット、あるいはドラ
イを問わず時間でエッチング量を制御して各半導体層を
露出させ、しかる後、その露出部に電極を取り付けてい
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前述したように、各半
導体層のエッチング量は時間で制御されていたが、エッ
チング時間の誤差、制御時間のミス、又はエッチング溶
液の拡はん方法、温度、濃度、あるいは対流等のバラツ
キにより、各半導体層の膜厚を精度良く調整しながらの
エッチングが極めて困難になっていた。特に、ベース層
のような膜厚の薄い半導体層の露出工程においてはこの
問題が顕著に現れてしまい、最悪の場合にはベース層に
までエッチングが進んで所望の特性を有するヘテロ接合
バイポーラトランジスタの製造歩留りを大幅に低下させ
ていた。
導体層のエッチング量は時間で制御されていたが、エッ
チング時間の誤差、制御時間のミス、又はエッチング溶
液の拡はん方法、温度、濃度、あるいは対流等のバラツ
キにより、各半導体層の膜厚を精度良く調整しながらの
エッチングが極めて困難になっていた。特に、ベース層
のような膜厚の薄い半導体層の露出工程においてはこの
問題が顕著に現れてしまい、最悪の場合にはベース層に
までエッチングが進んで所望の特性を有するヘテロ接合
バイポーラトランジスタの製造歩留りを大幅に低下させ
ていた。
【０００６】
【発明の目的】請求項１〜３記載の本発明は、前記問題
点に鑑みなされたものでその目的とするところは、ベー
ス層の膜厚を精度良く調整することができ、且つ製造歩
留りを向上させることのできるヘテロ接合バイポーラト
ランジスタの製造方法を提供することにある。
点に鑑みなされたものでその目的とするところは、ベー
ス層の膜厚を精度良く調整することができ、且つ製造歩
留りを向上させることのできるヘテロ接合バイポーラト
ランジスタの製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明の構成は、ＧａＡｓから成る半導体基板上側
に、ＧａＡｓから成るベース層と、ＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ
Y Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層
と、ＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層とを順次設け、前
記ＧａＡｓから成るベース層を硫酸、又は硫酸を含むエ
ッチング溶液でエッチングした後、前記ＩｎX Ｇａ1-X
ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導
体層を塩酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチン
グし、しかる後、前記ＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層
を硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッチングす
ることを特徴とする。
の本発明の構成は、ＧａＡｓから成る半導体基板上側
に、ＧａＡｓから成るベース層と、ＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ
Y Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層
と、ＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層とを順次設け、前
記ＧａＡｓから成るベース層を硫酸、又は硫酸を含むエ
ッチング溶液でエッチングした後、前記ＩｎX Ｇａ1-X
ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導
体層を塩酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチン
グし、しかる後、前記ＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層
を硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッチングす
ることを特徴とする。
【０００８】また、請求項２記載の発明は、ＧａＡｓか
ら成る半導体基板上側に、ＧａＡｓから成るベース層
と、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ
≦１）から成る半導体層と、ＧａＡｓから成るエミッタ
層とを順次設け、前記ＧａＡｓから成るベース層を硫
酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッチングした
後、前記ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０
＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩酸、又は塩酸を含むエ
ッチング溶液でエッチングし、しかる後、前記ＧａＡｓ
から成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング
溶液でエッチングすることを特徴とする。
ら成る半導体基板上側に、ＧａＡｓから成るベース層
と、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ
≦１）から成る半導体層と、ＧａＡｓから成るエミッタ
層とを順次設け、前記ＧａＡｓから成るベース層を硫
酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッチングした
後、前記ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０
＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩酸、又は塩酸を含むエ
ッチング溶液でエッチングし、しかる後、前記ＧａＡｓ
から成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング
溶液でエッチングすることを特徴とする。
【０００９】さらに、請求項３記載の発明は、ＧａＡｓ
から成る半導体基板上側に、ＡｌＧａＡｓから成るベー
ス層と、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０
＜Ｙ≦１）から成る半導体層と、ＧａＡｓから成るエミ
ッタ層とを順次設け、前記ＡｌＧａＡｓから成るベース
層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッチング
した後、前記ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜
１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩酸、又は塩酸を
含むエッチング溶液でエッチングし、しかる後、前記Ｇ
ａＡｓから成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸を含むエッ
チング溶液でエッチングすることを特徴とする。
から成る半導体基板上側に、ＡｌＧａＡｓから成るベー
ス層と、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０
＜Ｙ≦１）から成る半導体層と、ＧａＡｓから成るエミ
ッタ層とを順次設け、前記ＡｌＧａＡｓから成るベース
層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッチング
した後、前記ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜
１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩酸、又は塩酸を
含むエッチング溶液でエッチングし、しかる後、前記Ｇ
ａＡｓから成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸を含むエッ
チング溶液でエッチングすることを特徴とする。
【００１０】
【実施例】請求項１〜３記載の発明を図を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
【００１１】以下、請求項１記載の発明を図１〜図５を
用いて説明する。図１は本発明により製造されるメサ型
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１の断面図で、この
メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、ＧａＡ
ｓから成る半導体基板２上に、厚さ０．０５マイクロメ
ートルでノンドープのＧａＡｓから成るバッファ層３
と、厚さ０．０３マイクロメートルでｎ型のＧａＡｓか
ら成るサブコレクタ層４（不純物濃度：１×１０19ｃｍ
-3）と、厚さ０．０３マイクロメートルでｎ型のＧａＡ
ｓから成るコレクタ層５（不純物濃度：５×１０15ｃｍ
-3）と、厚さ０．０４マイクロメートルでｐ型のＧａＡ
ｓから成るベース層６（不純物濃度：７×１０19ｃ
ｍ-3）と、厚さ０．０１マイクロメートルでｎ型のＩｎ
0.49Ｇａ0.51Ａｓ（Ｘ＝０．４９，Ｙ＝１）から成る半
導体層７（不純物濃度：３×１０17ｃｍ-3）と、厚さ
０．０３マイクロメートルでｎ型のＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａ
ｓから成るエミッタ層８（不純物濃度：３×１０17ｃｍ
-3）と、厚さ０．０１マイクロメートルでｎ型のＧａＡ
ｓから成るキャップ層９（不純物濃度：１×１０19ｃｍ
-3）とが順次積層され、さらに、サブコレクタ層４上に
コレクタ電極１０、ベース層６上にベース電極１１、お
よびキャップ層９上にエミッタ電極１２が形成されてい
る。
用いて説明する。図１は本発明により製造されるメサ型
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１の断面図で、この
メサ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、ＧａＡ
ｓから成る半導体基板２上に、厚さ０．０５マイクロメ
ートルでノンドープのＧａＡｓから成るバッファ層３
と、厚さ０．０３マイクロメートルでｎ型のＧａＡｓか
ら成るサブコレクタ層４（不純物濃度：１×１０19ｃｍ
-3）と、厚さ０．０３マイクロメートルでｎ型のＧａＡ
ｓから成るコレクタ層５（不純物濃度：５×１０15ｃｍ
-3）と、厚さ０．０４マイクロメートルでｐ型のＧａＡ
ｓから成るベース層６（不純物濃度：７×１０19ｃ
ｍ-3）と、厚さ０．０１マイクロメートルでｎ型のＩｎ
0.49Ｇａ0.51Ａｓ（Ｘ＝０．４９，Ｙ＝１）から成る半
導体層７（不純物濃度：３×１０17ｃｍ-3）と、厚さ
０．０３マイクロメートルでｎ型のＡｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａ
ｓから成るエミッタ層８（不純物濃度：３×１０17ｃｍ
-3）と、厚さ０．０１マイクロメートルでｎ型のＧａＡ
ｓから成るキャップ層９（不純物濃度：１×１０19ｃｍ
-3）とが順次積層され、さらに、サブコレクタ層４上に
コレクタ電極１０、ベース層６上にベース電極１１、お
よびキャップ層９上にエミッタ電極１２が形成されてい
る。
【００１２】次に、図２〜図５を用いてヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタ１の製造方法を説明する。
ポーラトランジスタ１の製造方法を説明する。
【００１３】先ず、図２に示すように、半導体基板２上
にバッファ層３と、サブコレクタ層４と、コレクタ層５
と、ベース層６と、半導体層７と、エミッタ層８と、キ
ャップ層９とを有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等
のエピタキシャル成長法で順次積層して半導体ウエハ１
３を形成し、さらに、キャップ層９上のエミッタ領域に
相当する箇所にストライプ状のレジストマスク１４を設
ける。
にバッファ層３と、サブコレクタ層４と、コレクタ層５
と、ベース層６と、半導体層７と、エミッタ層８と、キ
ャップ層９とを有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等
のエピタキシャル成長法で順次積層して半導体ウエハ１
３を形成し、さらに、キャップ層９上のエミッタ領域に
相当する箇所にストライプ状のレジストマスク１４を設
ける。
【００１４】次に、図３に示すように、キャップ層９の
表面からベース層６の積層面１５に達するまでエッチン
グを施してメサ１６を形成し、その後、レジスト１４を
除去すると共にベース層６上のベース電極１１に相当す
る箇所にレジスト１７を形成する。ここで、ＧａＡｓか
ら成るキャップ層９と、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓから成る
エミッタ層８は、例えば硫酸、又は、硫酸と過酸化水素
水と水とを３：１：１の割り合で混合したエッチング溶
液を用いてエッチングし、また、Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ａｓ
（Ｘ＝０．４９，Ｙ＝１）から成る半導体層７は、例え
ば塩酸、又は、塩酸と燐酸とを１：３の割り合で混合し
たエッチング溶液を用いてエッチングする。
表面からベース層６の積層面１５に達するまでエッチン
グを施してメサ１６を形成し、その後、レジスト１４を
除去すると共にベース層６上のベース電極１１に相当す
る箇所にレジスト１７を形成する。ここで、ＧａＡｓか
ら成るキャップ層９と、Ａｌ0.3 Ｇａ0.7 Ａｓから成る
エミッタ層８は、例えば硫酸、又は、硫酸と過酸化水素
水と水とを３：１：１の割り合で混合したエッチング溶
液を用いてエッチングし、また、Ｉｎ0.49Ｇａ0.51Ａｓ
（Ｘ＝０．４９，Ｙ＝１）から成る半導体層７は、例え
ば塩酸、又は、塩酸と燐酸とを１：３の割り合で混合し
たエッチング溶液を用いてエッチングする。
【００１５】続いて、ベース層６の積層面１５からサブ
コレクタ層４の積層面１８に達するまでエッチングを施
し、図４に示すようにメサ１９を形成した後、レジスト
マスク１７を除去する。ここで、ＧａＡｓから成るベー
ス層６と、ＧａＡｓから成るコレクタ層５は、硫酸、又
は、例えば硫酸と過酸化水素水と水とを３：１：１の割
り合で混合したエッチング溶液を用いてエッチングす
る。
コレクタ層４の積層面１８に達するまでエッチングを施
し、図４に示すようにメサ１９を形成した後、レジスト
マスク１７を除去する。ここで、ＧａＡｓから成るベー
ス層６と、ＧａＡｓから成るコレクタ層５は、硫酸、又
は、例えば硫酸と過酸化水素水と水とを３：１：１の割
り合で混合したエッチング溶液を用いてエッチングす
る。
【００１６】最後に、図５に示すように、サブコレクタ
層４上にＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉから成るコレクタ電極１０
と、ベース層６上にＣｒ／Ａｕから成るベース電極１１
と、キャップ層９上にＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉから成るエミッ
タ電極１２とをそれぞれ蒸着法等により設け、これより
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１を完成させる。
層４上にＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉから成るコレクタ電極１０
と、ベース層６上にＣｒ／Ａｕから成るベース電極１１
と、キャップ層９上にＡｕ／Ｇｅ／Ｎｉから成るエミッ
タ電極１２とをそれぞれ蒸着法等により設け、これより
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ１を完成させる。
【００１７】従って、本実施例のヘテロ接合バイポーラ
トランジスタ１の製造方法によれば、メサ１６を形成す
る際にＧａＡｓから成るベース層６は、Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ａｓ（Ｘ＝０．４９，Ｙ＝１）から成る半導体層７
のエッチング溶液に対してはエッチング溶液の選択性か
ら殆どエッチングが進まないので、ベース層６の積層面
１５で正確にエッチングを停止させることができ、正確
にメサ１６を形成することが可能となる。従って、ベー
ス層の膜厚を精度良く調整することができ、且つ均一の
特性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ１を歩
留り良く作製することができる。
トランジスタ１の製造方法によれば、メサ１６を形成す
る際にＧａＡｓから成るベース層６は、Ｉｎ0.49Ｇａ
0.51Ａｓ（Ｘ＝０．４９，Ｙ＝１）から成る半導体層７
のエッチング溶液に対してはエッチング溶液の選択性か
ら殆どエッチングが進まないので、ベース層６の積層面
１５で正確にエッチングを停止させることができ、正確
にメサ１６を形成することが可能となる。従って、ベー
ス層の膜厚を精度良く調整することができ、且つ均一の
特性を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ１を歩
留り良く作製することができる。
【００１８】また、請求項２記載の発明により製造され
るヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、図１に於け
るエミッタ層８がＧａＡｓから形成されていることを除
いては、その他の構造、およびその製造方法の手順等は
請求項１記載の発明と同一である。従って図１、図２〜
図５と共通する箇所は同一の符号を用いて説明すると、
本発明により製造されるヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ１は、ＧａＡｓから成るベース層６上にＩｎ0.43Ｇ
ａ0.57Ａｓ0.12Ｐ0.88（Ｘ＝０．４３，Ｙ＝０．１２）
から成る半導体層７と、ＧａＡｓから成るエミッタ層８
とが順次設けられており、また、ベース層６と、エミッ
タ層８とは、例えば硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水と
水とを３：１：１の割り合で混合したエッチング溶液を
用いてエッチングし、また、半導体層７は、例えば塩
酸、又は、塩酸と燐酸とを１：３の割り合で混合したエ
ッチング溶液を用いてエッチングする。
るヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、図１に於け
るエミッタ層８がＧａＡｓから形成されていることを除
いては、その他の構造、およびその製造方法の手順等は
請求項１記載の発明と同一である。従って図１、図２〜
図５と共通する箇所は同一の符号を用いて説明すると、
本発明により製造されるヘテロ接合バイポーラトランジ
スタ１は、ＧａＡｓから成るベース層６上にＩｎ0.43Ｇ
ａ0.57Ａｓ0.12Ｐ0.88（Ｘ＝０．４３，Ｙ＝０．１２）
から成る半導体層７と、ＧａＡｓから成るエミッタ層８
とが順次設けられており、また、ベース層６と、エミッ
タ層８とは、例えば硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水と
水とを３：１：１の割り合で混合したエッチング溶液を
用いてエッチングし、また、半導体層７は、例えば塩
酸、又は、塩酸と燐酸とを１：３の割り合で混合したエ
ッチング溶液を用いてエッチングする。
【００１９】従って、本実施例によれば、メサ１６を形
成する際に、ＧａＡｓから成るベース層６は、Ｉｎ0.43
Ｇａ0.57Ａｓ0.12Ｐ0.88から成る半導体層７のエッチン
グ溶液に対してはエッチング溶液の選択性から殆どエッ
チングが進まないので、ベース層６の積層面１５で正確
にエッチングを停止させることができ、正確にメサ１６
を形成することが可能となる。従って、ベース層の膜厚
を精度良く調整することができ、且つ均一の特性を有す
るヘテロ接合バイポーラトランジスタ１を歩留り良く作
製することができる。
成する際に、ＧａＡｓから成るベース層６は、Ｉｎ0.43
Ｇａ0.57Ａｓ0.12Ｐ0.88から成る半導体層７のエッチン
グ溶液に対してはエッチング溶液の選択性から殆どエッ
チングが進まないので、ベース層６の積層面１５で正確
にエッチングを停止させることができ、正確にメサ１６
を形成することが可能となる。従って、ベース層の膜厚
を精度良く調整することができ、且つ均一の特性を有す
るヘテロ接合バイポーラトランジスタ１を歩留り良く作
製することができる。
【００２０】さらに、請求項３記載の発明により製造さ
れるヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、図１に於
けるベース層６がＡｌＧａＡｓから形成されていること
を除いては、その他の構造、および製造方法は請求項１
記載の発明と同一である。従って図１、図２〜図５と共
通する箇所は同一の符号を用いて説明すると、具体的に
は、ＡｌＧａＡｓから成るベース層６上にＩｎ0.43Ｇａ
0.57Ａｓ0.12Ｐ0.88（Ｘ＝０．４３，Ｙ＝０．１２）か
ら成る半導体層７と、ＧａＡｓから成るエミッタ層８と
が順次設けられており、ベース層６と、エミッタ層８と
は、例えば硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水と水とを
３：１：１の割り合で混合したエッチング溶液を用いて
エッチングし、また、半導体層７は、例えば塩酸、又
は、塩酸と燐酸とを１：３の割り合で混合したエッチン
グ溶液を用いてエッチングする。
れるヘテロ接合バイポーラトランジスタ１は、図１に於
けるベース層６がＡｌＧａＡｓから形成されていること
を除いては、その他の構造、および製造方法は請求項１
記載の発明と同一である。従って図１、図２〜図５と共
通する箇所は同一の符号を用いて説明すると、具体的に
は、ＡｌＧａＡｓから成るベース層６上にＩｎ0.43Ｇａ
0.57Ａｓ0.12Ｐ0.88（Ｘ＝０．４３，Ｙ＝０．１２）か
ら成る半導体層７と、ＧａＡｓから成るエミッタ層８と
が順次設けられており、ベース層６と、エミッタ層８と
は、例えば硫酸、又は、硫酸と過酸化水素水と水とを
３：１：１の割り合で混合したエッチング溶液を用いて
エッチングし、また、半導体層７は、例えば塩酸、又
は、塩酸と燐酸とを１：３の割り合で混合したエッチン
グ溶液を用いてエッチングする。
【００２１】従って、本実施例によれば、メサ１６を形
成する際に、ＡｌＧａＡｓから成るベース層６は、Ｉｎ
0.43Ｇａ0.57Ａｓ0.12Ｐ0.88から成る半導体層７のエッ
チング溶液に対してはエッチング溶液の選択性から殆ど
エッチングが進まないので、ベース層６の積層面１５で
正確にエッチングを停止させることができ、正確にメサ
１６を形成することが可能となる。従って、ベース層の
膜厚を精度良く調整することができ、且つ均一の特性を
有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ１を歩留り良
く作製することができる。
成する際に、ＡｌＧａＡｓから成るベース層６は、Ｉｎ
0.43Ｇａ0.57Ａｓ0.12Ｐ0.88から成る半導体層７のエッ
チング溶液に対してはエッチング溶液の選択性から殆ど
エッチングが進まないので、ベース層６の積層面１５で
正確にエッチングを停止させることができ、正確にメサ
１６を形成することが可能となる。従って、ベース層の
膜厚を精度良く調整することができ、且つ均一の特性を
有するヘテロ接合バイポーラトランジスタ１を歩留り良
く作製することができる。
【００２２】尚、請求項１〜３の各実施例により製造さ
れたヘテロ接合バイポーラトランジスタ１の電流増幅率
βは１５０であり、また製造歩留りは約７０％であっ
た。また、各半導体層の膜厚は本実施例に限られるもの
ではなく適宜変更することが可能であり、さらに、ベー
ス層６上に設けられ、且つＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y
（０＜Ｘ、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層７は、ベース
層６に格子整合できればどのような組成比で構成されて
いても構わない。
れたヘテロ接合バイポーラトランジスタ１の電流増幅率
βは１５０であり、また製造歩留りは約７０％であっ
た。また、各半導体層の膜厚は本実施例に限られるもの
ではなく適宜変更することが可能であり、さらに、ベー
ス層６上に設けられ、且つＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y
（０＜Ｘ、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層７は、ベース
層６に格子整合できればどのような組成比で構成されて
いても構わない。
【００２３】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、ＧａＡｓ
から成るベース層上にＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０
＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層とＡｌＧａＡ
ｓから成るエミッタ層とを順次設け、ＧａＡｓから成る
ベース層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッ
チングした後、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜
１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩酸、又は塩酸を
含むエッチング溶液でエッチングし、しかる後、ＡｌＧ
ａＡｓから成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸を含むエッ
チング溶液でエッチングするので、ベース層の膜厚を精
度良く調整することができ、且つ製造歩留りを向上させ
ることができる。
から成るベース層上にＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０
＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層とＡｌＧａＡ
ｓから成るエミッタ層とを順次設け、ＧａＡｓから成る
ベース層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッ
チングした後、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜
１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩酸、又は塩酸を
含むエッチング溶液でエッチングし、しかる後、ＡｌＧ
ａＡｓから成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸を含むエッ
チング溶液でエッチングするので、ベース層の膜厚を精
度良く調整することができ、且つ製造歩留りを向上させ
ることができる。
【００２４】また、請求項２記載の発明によれば、Ｇａ
Ａｓから成るベース層上にＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y
（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層とＧａＡ
ｓから成るエミッタ層とを順次設け、ＧａＡｓから成る
ベース層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッ
チングした後、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜
１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩酸、又は塩酸を
含むエッチング溶液でエッチングし、しかる後、ＧａＡ
ｓから成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸を含むエッチン
グ溶液でエッチングするので、ベース層の膜厚を精度良
く調整することができ、且つ製造歩留りを向上させるこ
とができる。
Ａｓから成るベース層上にＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y
（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層とＧａＡ
ｓから成るエミッタ層とを順次設け、ＧａＡｓから成る
ベース層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッ
チングした後、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜
１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩酸、又は塩酸を
含むエッチング溶液でエッチングし、しかる後、ＧａＡ
ｓから成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸を含むエッチン
グ溶液でエッチングするので、ベース層の膜厚を精度良
く調整することができ、且つ製造歩留りを向上させるこ
とができる。
【００２５】さらに、請求項３記載の発明によれば、Ａ
ｌＧａＡｓから成るベース層上にＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY
Ｐ1-Y（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層と
前記ＧａＡｓから成るエミッタ層とを順次設け、ＡｌＧ
ａＡｓから成るベース層を硫酸、又は硫酸を含むエッチ
ング溶液でエッチングした後、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ
1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩
酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチングし、し
かる後、ＧａＡｓから成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸
を含むエッチング溶液でエッチングするので、ベース層
の膜厚を精度良く調整することができ、且つ製造歩留り
を向上させることができる。
ｌＧａＡｓから成るベース層上にＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY
Ｐ1-Y（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層と
前記ＧａＡｓから成るエミッタ層とを順次設け、ＡｌＧ
ａＡｓから成るベース層を硫酸、又は硫酸を含むエッチ
ング溶液でエッチングした後、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ
1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩
酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチングし、し
かる後、ＧａＡｓから成るエミッタ層を硫酸、又は硫酸
を含むエッチング溶液でエッチングするので、ベース層
の膜厚を精度良く調整することができ、且つ製造歩留り
を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明により製造されるメサ型ヘテロ接合バイ
ポーラトランジスタの断面図である。
ポーラトランジスタの断面図である。
【図２】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図３】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図５】本発明の一実施例を示す断面図である。
１ ヘテロ接合バイポーラトランジスタ ２ 半導体基板 ３ バッファ層 ４ サブコレクタ層 ５ コレクタ層 ６ ベース層 ７ 半導体層 ８ エミッタ層 ９ キャップ層 １０ コレクタ電極 １１ ベース電極 １２ エミッタ電極
Claims (3)
- 【請求項１】 ＧａＡｓから成る半導体基板上側に、Ｇ
ａＡｓから成るベース層と、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ
1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層と、
ＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層とを順次設け、前記Ｇ
ａＡｓから成るベース層を硫酸、又は硫酸を含むエッチ
ング溶液でエッチングした後、前記ＩｎX Ｇａ1-X Ａｓ
Y Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層
を塩酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチング
し、しかる後、前記ＡｌＧａＡｓから成るエミッタ層を
硫酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッチングする
ことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの
製造方法。 - 【請求項２】 ＧａＡｓから成る半導体基板上側に、Ｇ
ａＡｓから成るベース層と、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ
1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層と、
ＧａＡｓから成るエミッタ層とを順次設け、前記ＧａＡ
ｓから成るベース層を硫酸、又は硫酸を含むエッチング
溶液でエッチングした後、前記ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY Ｐ
1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層を塩
酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチングし、し
かる後、前記ＧａＡｓから成るエミッタ層を硫酸、又は
硫酸を含むエッチング溶液でエッチングすることを特徴
とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法。 - 【請求項３】 ＧａＡｓから成る半導体基板上側に、Ａ
ｌＧａＡｓから成るベース層と、ＩｎX Ｇａ1-X ＡｓY
Ｐ1-Y（０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導体層
と、ＧａＡｓから成るエミッタ層とを順次設け、前記Ａ
ｌＧａＡｓから成るベース層を硫酸、又は硫酸を含むエ
ッチング溶液でエッチングした後、前記ＩｎX Ｇａ1-X
ＡｓY Ｐ1-Y （０＜Ｘ＜１、０＜Ｙ≦１）から成る半導
体層を塩酸、又は塩酸を含むエッチング溶液でエッチン
グし、しかる後、前記ＧａＡｓから成るエミッタ層を硫
酸、又は硫酸を含むエッチング溶液でエッチングするこ
とを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29363191A JPH05109754A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29363191A JPH05109754A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05109754A true JPH05109754A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17797211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29363191A Pending JPH05109754A (ja) | 1991-10-14 | 1991-10-14 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05109754A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462362B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-10-08 | Nec Corporation | Heterojunction bipolar transistor having prevention layer between base and emitter |
-
1991
- 1991-10-14 JP JP29363191A patent/JPH05109754A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6462362B1 (en) | 1999-11-15 | 2002-10-08 | Nec Corporation | Heterojunction bipolar transistor having prevention layer between base and emitter |
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