JPH05104307A - ダイヤモンド被覆切削工具 - Google Patents
ダイヤモンド被覆切削工具Info
- Publication number
- JPH05104307A JPH05104307A JP28705091A JP28705091A JPH05104307A JP H05104307 A JPH05104307 A JP H05104307A JP 28705091 A JP28705091 A JP 28705091A JP 28705091 A JP28705091 A JP 28705091A JP H05104307 A JPH05104307 A JP H05104307A
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- JP
- Japan
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- diamond
- crystal plane
- cutting tool
- coating layer
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐剥離性および耐摩耗性に優れた長寿命のダ
イヤモンド被覆切削工具を提供する。 【構成】 基体と、上記基体の表面に形成されたダイヤ
モンド被覆層とからなるダイヤモンド被覆切削工具にお
いて、基体の表面に接する内面は（１００）結晶面また
は（１１０）結晶面ダイヤモンドを主体としかつ外面は
（１１１）結晶面ダイヤモンドを主体として構成されて
おり、しかも上記（１１１）結晶面ダイヤモンドが占め
る割合が内面から外面に向かって漸増している気相合成
ダイヤモンド層を上記基体の表面に被覆してなるダイヤ
モンド被覆切削工具
イヤモンド被覆切削工具を提供する。 【構成】 基体と、上記基体の表面に形成されたダイヤ
モンド被覆層とからなるダイヤモンド被覆切削工具にお
いて、基体の表面に接する内面は（１００）結晶面また
は（１１０）結晶面ダイヤモンドを主体としかつ外面は
（１１１）結晶面ダイヤモンドを主体として構成されて
おり、しかも上記（１１１）結晶面ダイヤモンドが占め
る割合が内面から外面に向かって漸増している気相合成
ダイヤモンド層を上記基体の表面に被覆してなるダイヤ
モンド被覆切削工具
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、基体の表面に気相合
成ダイヤモンド被覆層を被覆してなるダイヤモンド被覆
切削工具に関するものである。
成ダイヤモンド被覆層を被覆してなるダイヤモンド被覆
切削工具に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、Ｃｏを結合相形成成分として含有
する通常の炭化タングステン（以下、ＷＣという）基超
硬合金、サーメット、窒化珪素、サイアロンなどの基体
表面に、気相合成ダイヤモンド被覆層を形成したダイヤ
モンド被覆切削工具が提供されており、このダイヤモン
ド被覆切削工具は、主としてＡｌまたはＡｌ合金などの
切削に用いられている。
する通常の炭化タングステン（以下、ＷＣという）基超
硬合金、サーメット、窒化珪素、サイアロンなどの基体
表面に、気相合成ダイヤモンド被覆層を形成したダイヤ
モンド被覆切削工具が提供されており、このダイヤモン
ド被覆切削工具は、主としてＡｌまたはＡｌ合金などの
切削に用いられている。
【０００３】このダイヤモンド被覆切削工具の表面に形
成される気相合成ダイヤモンド被覆層は、主に（１０
０）、（１１０）および（１１１）結晶面からなること
が知られているが、上記（１１１）結晶面ダイヤモンド
被覆層は基体との密着性が悪く剥離しやすいために、例
えば、特開昭６２−１０７０６８号公報では、基体の表
面に５０％以上の面積が（１００）結晶面または（１１
０）結晶面からなるダイヤモンド層を被覆した気相合成
ダイヤモンド被覆切削工具が提供されている。
成される気相合成ダイヤモンド被覆層は、主に（１０
０）、（１１０）および（１１１）結晶面からなること
が知られているが、上記（１１１）結晶面ダイヤモンド
被覆層は基体との密着性が悪く剥離しやすいために、例
えば、特開昭６２−１０７０６８号公報では、基体の表
面に５０％以上の面積が（１００）結晶面または（１１
０）結晶面からなるダイヤモンド層を被覆した気相合成
ダイヤモンド被覆切削工具が提供されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記（１０
０）結晶面ダイヤモンドおよび（１１０）結晶面ダイヤ
モンドは、（１１１）結晶面ダイヤモンドに比べて硬度
が低く、上記（１００）結晶面ダイヤモンドまたは（１
１０）結晶面ダイヤモンドが５０％以上を含有する気相
合成ダイヤモンド被覆層は、基体との密着性が優れてい
るものの、硬さが十分でないために磨耗が早く、したが
って、上記従来のダイヤモンド被覆切削工具では十分な
工具寿命が得られないという課題があった。
０）結晶面ダイヤモンドおよび（１１０）結晶面ダイヤ
モンドは、（１１１）結晶面ダイヤモンドに比べて硬度
が低く、上記（１００）結晶面ダイヤモンドまたは（１
１０）結晶面ダイヤモンドが５０％以上を含有する気相
合成ダイヤモンド被覆層は、基体との密着性が優れてい
るものの、硬さが十分でないために磨耗が早く、したが
って、上記従来のダイヤモンド被覆切削工具では十分な
工具寿命が得られないという課題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者は、従
来よりも一層使用寿命が長いダイヤモンド被覆切削工具
を得るべく研究を行った結果、基体の表面に接する内面
は（１００）結晶面または（１１０）結晶面ダイヤモン
ドを主体としかつ外面は（１１１）結晶面ダイヤモンド
を主体として構成されており、しかも上記（１１１）結
晶面ダイヤモンドが占める割合が内面から外面に向かっ
て漸増している気相合成ダイヤモンド層を上記基体の表
面に被覆してなるダイヤモンド被覆切削工具は、耐剥離
性および耐摩耗性に優れ従来よりも一層使用寿命が長く
なるという知見を得たのである。
来よりも一層使用寿命が長いダイヤモンド被覆切削工具
を得るべく研究を行った結果、基体の表面に接する内面
は（１００）結晶面または（１１０）結晶面ダイヤモン
ドを主体としかつ外面は（１１１）結晶面ダイヤモンド
を主体として構成されており、しかも上記（１１１）結
晶面ダイヤモンドが占める割合が内面から外面に向かっ
て漸増している気相合成ダイヤモンド層を上記基体の表
面に被覆してなるダイヤモンド被覆切削工具は、耐剥離
性および耐摩耗性に優れ従来よりも一層使用寿命が長く
なるという知見を得たのである。
【０００６】この発明は、かかる知見に基づいて成され
たものであって、内面は（１００）結晶面または（１１
０）結晶面ダイヤモンドを主体としかつ外面は（１１
１）結晶面ダイヤモンドを主体として構成されており、
しかも上記（１１１）結晶面ダイヤモンドが占める割合
が内面から外面に向かって漸増している気相合成ダイヤ
モンド層を上記基体の表面に被覆してなるダイヤモンド
被覆切削工具工具に特徴を有するものである。
たものであって、内面は（１００）結晶面または（１１
０）結晶面ダイヤモンドを主体としかつ外面は（１１
１）結晶面ダイヤモンドを主体として構成されており、
しかも上記（１１１）結晶面ダイヤモンドが占める割合
が内面から外面に向かって漸増している気相合成ダイヤ
モンド層を上記基体の表面に被覆してなるダイヤモンド
被覆切削工具工具に特徴を有するものである。
【０００７】この発明において、「（１００）結晶面ダ
イヤモンドを主体とする」とはダイヤモンド被覆層をＸ
線回折した時に（１００）結晶面で最も強いピークがで
ることであり、「（１１０）結晶面ダイヤモンドを主体
とする」とは（１１０）結晶面がＸ線回折で最も強くピ
ークの出ることであり、さらに、「（１１１）結晶面を
主体とするとは」（１１１）結晶面がＸ線回折で最も強
くピークの出ることである。
イヤモンドを主体とする」とはダイヤモンド被覆層をＸ
線回折した時に（１００）結晶面で最も強いピークがで
ることであり、「（１１０）結晶面ダイヤモンドを主体
とする」とは（１１０）結晶面がＸ線回折で最も強くピ
ークの出ることであり、さらに、「（１１１）結晶面を
主体とするとは」（１１１）結晶面がＸ線回折で最も強
くピークの出ることである。
【０００８】この発明のダイヤモンド被覆層は、公知の
ＰＶＤ法により製造することができるが、ＣＶＤ法によ
り形成することが好ましく、通常の炭化水素ガスと水素
ガスとの混合ガスを反応容器に導入し、熱フィラメン
ト、高周波、マイクロ波などによって上記混合ガスを励
起させ、基体上にダイヤモンド層を形成することができ
る。
ＰＶＤ法により製造することができるが、ＣＶＤ法によ
り形成することが好ましく、通常の炭化水素ガスと水素
ガスとの混合ガスを反応容器に導入し、熱フィラメン
ト、高周波、マイクロ波などによって上記混合ガスを励
起させ、基体上にダイヤモンド層を形成することができ
る。
【０００９】上記（１１１）結晶面を主体とするダイヤ
モンドは、反応温度を６５０℃〜８５０℃に保持するこ
とにより形成することができ、一方、（１１０）結晶面
を主体とするダイヤモンドは反応温度を９５０℃〜１０
５０℃に保持することにより形成することができ、さら
に、結晶面が（１００）を主体とするダイヤモンドは反
応温度を１０５０℃超〜１２００℃に保持することによ
り形成することができる。
モンドは、反応温度を６５０℃〜８５０℃に保持するこ
とにより形成することができ、一方、（１１０）結晶面
を主体とするダイヤモンドは反応温度を９５０℃〜１０
５０℃に保持することにより形成することができ、さら
に、結晶面が（１００）を主体とするダイヤモンドは反
応温度を１０５０℃超〜１２００℃に保持することによ
り形成することができる。
【００１０】したがって、この発明のダイヤモンド被覆
層は、通常の炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを反
応容器に導入し、熱フィラメント、高周波、マイクロ波
などによって上記混合ガスを励起させるに際し、反応温
度を最初は６５０℃〜１０５０℃に保持したのち、反応
温度を次第に上昇させ、最終的に反応温度を１０５０℃
超〜１２００℃に保持することにより形成することがで
きる。
層は、通常の炭化水素ガスと水素ガスとの混合ガスを反
応容器に導入し、熱フィラメント、高周波、マイクロ波
などによって上記混合ガスを励起させるに際し、反応温
度を最初は６５０℃〜１０５０℃に保持したのち、反応
温度を次第に上昇させ、最終的に反応温度を１０５０℃
超〜１２００℃に保持することにより形成することがで
きる。
【００１１】このようにすると、内面が（１００）結晶
面または（１１０）結晶面を主体とし、外面が（１１
１）結晶面を主体とし、上記内面と外面の間は（１１
１）結晶面濃度が内側から外側に向かって漸増するよう
に傾斜分布している単一層からなるダイヤモンド被覆層
が得られる。その厚さは、２〜１００μｍ、好ましく
は、５〜５０μｍの範囲内にあることが必要である。
面または（１１０）結晶面を主体とし、外面が（１１
１）結晶面を主体とし、上記内面と外面の間は（１１
１）結晶面濃度が内側から外側に向かって漸増するよう
に傾斜分布している単一層からなるダイヤモンド被覆層
が得られる。その厚さは、２〜１００μｍ、好ましく
は、５〜５０μｍの範囲内にあることが必要である。
【００１２】また、上記基体は、Ｃｏ：４〜２０重量％
を含有し、さらに必要に応じて、Ｗを除く周期律表の４
ａ、５ａ，６ａ族金属の炭化物、またはこれら炭化物と
ＷＣとの固溶体：０．５〜３０重量％を含有し、残りが
ＷＣおよび不可避不純物からなる組成のＷＣ基超硬合金
であることが好ましいが、しかしこれに限定されるもの
ではなく、サーメット、窒化珪素、サイアロンなどを基
体として用いることもできる。
を含有し、さらに必要に応じて、Ｗを除く周期律表の４
ａ、５ａ，６ａ族金属の炭化物、またはこれら炭化物と
ＷＣとの固溶体：０．５〜３０重量％を含有し、残りが
ＷＣおよび不可避不純物からなる組成のＷＣ基超硬合金
であることが好ましいが、しかしこれに限定されるもの
ではなく、サーメット、窒化珪素、サイアロンなどを基
体として用いることもできる。
【００１３】
【実施例】つぎに、この発明の気相合成ダイヤモンド被
覆切削工具を実施例に基づいて具体的に説明する。
覆切削工具を実施例に基づいて具体的に説明する。
【００１４】実施例１ 原料粉末としていずれも平均粒径：０．８μｍのＷＣ粉
末、ＴｉＣ粉末、ＴａＣ粉末、（Ｔｉ、Ｗ）Ｃ粉末およ
びＣｏ粉末を用意し、これら原料粉末をＴｉＣ粉末：４
重量％、ＴａＣ粉末：１重量％、（Ｔｉ、Ｗ）Ｃ粉末：
１重量％、残部：ＷＣ粉末となるように配合し、この配
合粉末をボールミルで７２時間湿式混合し、乾燥したの
ち、１．５ｔｏｎ／cm2 の圧力で圧粉体にプレス成形
し、この圧粉体を通常の条件で焼結し、上記配合組成と
ほぼ同一の成分組成をもつ焼結体を製造した。
末、ＴｉＣ粉末、ＴａＣ粉末、（Ｔｉ、Ｗ）Ｃ粉末およ
びＣｏ粉末を用意し、これら原料粉末をＴｉＣ粉末：４
重量％、ＴａＣ粉末：１重量％、（Ｔｉ、Ｗ）Ｃ粉末：
１重量％、残部：ＷＣ粉末となるように配合し、この配
合粉末をボールミルで７２時間湿式混合し、乾燥したの
ち、１．５ｔｏｎ／cm2 の圧力で圧粉体にプレス成形
し、この圧粉体を通常の条件で焼結し、上記配合組成と
ほぼ同一の成分組成をもつ焼結体を製造した。
【００１５】この焼結体の表面を研削加工し、その形状
をＩＳＯ規格ＳＰＧＮ１２０３０８（Ｋ種）のチップに
成形し、このチップを金属Ｗフィラメントを備えた石英
製反応容器に装入し、上記石英製反応容器内を 雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、 反応ガス：メタンガス濃度：１容量％のメタンガスおよ
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、 となるように保持しながら反応温度を１１００℃から８
００℃に冷却速度：３℃／ｍｉｎ．で冷却することによ
り基体に接する内面を（１００）結晶面を主体とし、外
面を（１１１）結晶面を主体とする平均層厚：５μｍの
傾斜ダイヤモンド被覆層を形成し、本発明ダイヤモンド
被覆チップ１を作製した。
をＩＳＯ規格ＳＰＧＮ１２０３０８（Ｋ種）のチップに
成形し、このチップを金属Ｗフィラメントを備えた石英
製反応容器に装入し、上記石英製反応容器内を 雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、 反応ガス：メタンガス濃度：１容量％のメタンガスおよ
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、 となるように保持しながら反応温度を１１００℃から８
００℃に冷却速度：３℃／ｍｉｎ．で冷却することによ
り基体に接する内面を（１００）結晶面を主体とし、外
面を（１１１）結晶面を主体とする平均層厚：５μｍの
傾斜ダイヤモンド被覆層を形成し、本発明ダイヤモンド
被覆チップ１を作製した。
【００１６】実施例２ さらに、実施例１で用意した上記チップを金属Ｗフィラ
メントを備えた石英製反応容器に装入し、上記石英製反
応容器内を 雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、 反応ガス：メタンガス濃度：１容量％のメタンガスおよ
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、 の条件に保持しながら反応温度を１０５０℃から８００
℃に冷却速度：２℃／ｍｉｎ．で冷却することにより基
体に接する内面を（１１０）結晶面を主体とし、外面を
（１１１）結晶面を主体とする平均層厚：５μｍの傾斜
ダイヤモンド被覆層を形成し、本発明ダイヤモンド被覆
チップ２を作製した。
メントを備えた石英製反応容器に装入し、上記石英製反
応容器内を 雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、 反応ガス：メタンガス濃度：１容量％のメタンガスおよ
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、 の条件に保持しながら反応温度を１０５０℃から８００
℃に冷却速度：２℃／ｍｉｎ．で冷却することにより基
体に接する内面を（１１０）結晶面を主体とし、外面を
（１１１）結晶面を主体とする平均層厚：５μｍの傾斜
ダイヤモンド被覆層を形成し、本発明ダイヤモンド被覆
チップ２を作製した。
【００１７】なお、本発明ダイヤモンド被覆チップ１ま
たは本発明ダイヤモンド被覆チップ２に形成された傾斜
ダイヤモンド被覆層の結晶面は、本発明ダイヤモンド被
覆チップ１または本発明ダイヤモンド被覆チップ２の基
体を化学的に溶解することにより表面に形成されたダイ
ヤモンド被覆層を取り出し、表面および裏面をＸ線回折
することにより同定した。
たは本発明ダイヤモンド被覆チップ２に形成された傾斜
ダイヤモンド被覆層の結晶面は、本発明ダイヤモンド被
覆チップ１または本発明ダイヤモンド被覆チップ２の基
体を化学的に溶解することにより表面に形成されたダイ
ヤモンド被覆層を取り出し、表面および裏面をＸ線回折
することにより同定した。
【００１８】比較例１ 実施例１で用意したチップを金属Ｗフィラメントを備え
た石英製反応容器に装入し、下記の条件で内面および外
面ともに（１００）結晶面を主体とする平均層厚：５μ
ｍのダイヤモンド被覆層を形成し、比較ダイヤモンド被
覆チップ１を作製した。
た石英製反応容器に装入し、下記の条件で内面および外
面ともに（１００）結晶面を主体とする平均層厚：５μ
ｍのダイヤモンド被覆層を形成し、比較ダイヤモンド被
覆チップ１を作製した。
【００１９】雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、 反応温度：１１００℃ 反応ガス：メタンガス濃度：１容量％のメタンガスおよ
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、
【００２０】比較例２ 実施例１で用意したチップを金属Ｗフィラメントを備え
た石英製反応容器に装入し、上記石英製反応容器内を実
施例２で示される条件で内面および外面ともに（１１
０）結晶面を主体とする平均層厚：５μｍのダイヤモン
ド被覆層を形成し、比較ダイヤモンド被覆チップ２を作
製した。
た石英製反応容器に装入し、上記石英製反応容器内を実
施例２で示される条件で内面および外面ともに（１１
０）結晶面を主体とする平均層厚：５μｍのダイヤモン
ド被覆層を形成し、比較ダイヤモンド被覆チップ２を作
製した。
【００２１】雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、 反応温度：１０５０℃ 反応ガス：メタンガス濃度：１容量％のメタンガスおよ
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、 比較例３ 実施例１で用意したチップを金属Ｗフィラメントを備え
た石英製反応容器に装入し、下記の条件で内面および外
面ともに（１１１）結晶面を主体とする平均層厚：５μ
ｍのダイヤモンド被覆層を形成し、比較ダイヤモンド被
覆チップ３を作製した。
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、 比較例３ 実施例１で用意したチップを金属Ｗフィラメントを備え
た石英製反応容器に装入し、下記の条件で内面および外
面ともに（１１１）結晶面を主体とする平均層厚：５μ
ｍのダイヤモンド被覆層を形成し、比較ダイヤモンド被
覆チップ３を作製した。
【００２２】雰囲気圧力：３０Ｔｏｒｒ、 反応温度：８００℃ 反応ガス：メタンガス濃度：１容量％のメタンガスおよ
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、
び水素ガスからなる混合ガス、 ガス流量：１リットル／秒、
【００２３】これら本発明ダイヤモンド被覆チップ１〜
２および比較ダイヤモンド被覆チップ１〜３を用いて、 被削材：Ａｌ−１８％Ｓｉ、 切削速度Ｖ：３００ｍ／ｍｉｎ、 切込みｄ：１ｍｍ、 送りＳｚ：０．２ｍｍ／ｒｅｖ、 の条件にて湿式連続切削試験を行い、チップのダイヤモ
ンド被覆層が無くなるまでの連続切削時間を測定し、そ
の測定結果を表１に示した。
２および比較ダイヤモンド被覆チップ１〜３を用いて、 被削材：Ａｌ−１８％Ｓｉ、 切削速度Ｖ：３００ｍ／ｍｉｎ、 切込みｄ：１ｍｍ、 送りＳｚ：０．２ｍｍ／ｒｅｖ、 の条件にて湿式連続切削試験を行い、チップのダイヤモ
ンド被覆層が無くなるまでの連続切削時間を測定し、そ
の測定結果を表１に示した。
【００２４】さらに、上記本発明ダイヤモンド被覆チッ
プ１〜２および比較ダイヤモンド被覆チップ１〜３をそ
れぞれ１０個用いて、 被削材：Ａｌ−１８％Ｓｉ 切削速度Ｖ：２００ｍ／ｍｉｎ、 切込みｄ：１ｍｍ、 送りＳｚ：０．３ｍｍ／ｔｏｏｔｈ、 の条件にて、湿式フライス切削試験を行い、３０分後の
チップのダイヤモンド被覆層が剥離したチップの個数を
測定し、その測定結果を表１に示した。
プ１〜２および比較ダイヤモンド被覆チップ１〜３をそ
れぞれ１０個用いて、 被削材：Ａｌ−１８％Ｓｉ 切削速度Ｖ：２００ｍ／ｍｉｎ、 切込みｄ：１ｍｍ、 送りＳｚ：０．３ｍｍ／ｔｏｏｔｈ、 の条件にて、湿式フライス切削試験を行い、３０分後の
チップのダイヤモンド被覆層が剥離したチップの個数を
測定し、その測定結果を表１に示した。
【００２５】
【表１】
【００２６】
【発明の効果】上記本発明ダイヤモンド被覆チップ１〜
２および比較ダイヤモンド被覆チップ１〜３のダイヤモ
ンド被覆層の膜厚はいずれも５μｍであるが、本発明ダ
イヤモンド被覆チップ１〜２は、比較ダイヤモンド被覆
チップ１〜３よりもダイヤモンド被覆層が連続切削によ
り摩耗して無くなる時間が長く、また３０分フライス切
削してもダイヤモンド被覆層が剥離せず、使用寿命が長
いことがわかる。したがって、この発明の気相合成ダイ
ヤモンド被覆切削工具を用いることによりコストを下げ
ることができ、産業上優れた効果を奏するものである。
２および比較ダイヤモンド被覆チップ１〜３のダイヤモ
ンド被覆層の膜厚はいずれも５μｍであるが、本発明ダ
イヤモンド被覆チップ１〜２は、比較ダイヤモンド被覆
チップ１〜３よりもダイヤモンド被覆層が連続切削によ
り摩耗して無くなる時間が長く、また３０分フライス切
削してもダイヤモンド被覆層が剥離せず、使用寿命が長
いことがわかる。したがって、この発明の気相合成ダイ
ヤモンド被覆切削工具を用いることによりコストを下げ
ることができ、産業上優れた効果を奏するものである。
Claims (3)
- 【請求項１】 基体と、上記基体の表面に形成されたダ
イヤモンド被覆層とからなるダイヤモンド被覆切削工具
において、 上記ダイヤモンド被覆層は、基体に接する内面が（１０
０）結晶面を主体とするダイヤモンドで構成されてお
り、外面が（１１１）結晶面を主体とするダイヤモンド
で構成されていることを特徴とするダイヤモンド被覆切
削工具。 - 【請求項２】 基体と、上記基体の表面に形成されたダ
イヤモンド被覆層とからなるダイヤモンド被覆切削工具
において、 上記ダイヤモンド被覆層は、基体に接する内面が（１１
０）結晶面を主体とするダイヤモンドで構成されてお
り、外面が（１１１）結晶面を主体とするダイヤモンド
で構成されていることを特徴とするダイヤモンド被覆切
削工具。 - 【請求項３】 上記ダイヤモンド被覆層は、（１１１）
結晶面ダイヤモンドの占める割合が内面から外面に向か
って漸増していることを特徴とする請求項１または２記
載のダイヤモンド被覆切削工具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28705091A JPH05104307A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | ダイヤモンド被覆切削工具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28705091A JPH05104307A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | ダイヤモンド被覆切削工具 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05104307A true JPH05104307A (ja) | 1993-04-27 |
Family
ID=17712407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28705091A Withdrawn JPH05104307A (ja) | 1991-10-07 | 1991-10-07 | ダイヤモンド被覆切削工具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05104307A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010207947A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsubishi Materials Corp | ダイヤモンド被覆工具 |
-
1991
- 1991-10-07 JP JP28705091A patent/JPH05104307A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010207947A (ja) * | 2009-03-10 | 2010-09-24 | Mitsubishi Materials Corp | ダイヤモンド被覆工具 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990107 |