JPH05102137A - 窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法 - Google Patents
窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法Info
- Publication number
- JPH05102137A JPH05102137A JP26031091A JP26031091A JPH05102137A JP H05102137 A JPH05102137 A JP H05102137A JP 26031091 A JP26031091 A JP 26031091A JP 26031091 A JP26031091 A JP 26031091A JP H05102137 A JPH05102137 A JP H05102137A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- film
- nitride film
- light
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 低い温度で緻密な窒化シリコン膜を半導体装
置の表面に形成することにより、安定なパッシベーショ
ン膜を提供する。 【構成】 低温でプラズマＣＶＤ法により半導体装置の
表面に堆積した窒化シリコン膜に、波長１８０〜２００
ｎｍの遠紫外光を照射することにより、表面が緻密な窒
化シリコン膜に改質されることを見いだした。これを利
用して半導体装置の表面に窒化シリコン膜を堆積した後
で、表面近傍だけを緻密な窒化シリコン膜に変えること
を特徴としているので、低温プロセスの適用が可能とな
り、半導体装置の特性を損なう事なく安定な窒化シリコ
ン膜がパッシベーション膜として適用出来る。
置の表面に形成することにより、安定なパッシベーショ
ン膜を提供する。 【構成】 低温でプラズマＣＶＤ法により半導体装置の
表面に堆積した窒化シリコン膜に、波長１８０〜２００
ｎｍの遠紫外光を照射することにより、表面が緻密な窒
化シリコン膜に改質されることを見いだした。これを利
用して半導体装置の表面に窒化シリコン膜を堆積した後
で、表面近傍だけを緻密な窒化シリコン膜に変えること
を特徴としているので、低温プロセスの適用が可能とな
り、半導体装置の特性を損なう事なく安定な窒化シリコ
ン膜がパッシベーション膜として適用出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のパッシベ
ーション膜として用いる、プラズマＣＶＤ法により形成
された窒化シリコン膜の改善に関する方法であり、信頼
性に優れた半導体装置を提供するものである。
ーション膜として用いる、プラズマＣＶＤ法により形成
された窒化シリコン膜の改善に関する方法であり、信頼
性に優れた半導体装置を提供するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）や窒
化シリコン（ＳｉＮｘ）等の絶縁膜は、半導体装置の層
間絶縁やパッシベーション膜として用いられているが、
製膜方法としては処理温度を低く出来ること、膜質が均
一であること、段差の被覆性に優れていることから、プ
ラズマＣＶＤ法による堆積が一般的である。また、半導
体装置のパッシベーション膜の特性は、半導体装置の信
頼性に大きな影響を与え、特に水分等の侵入を防ぐため
の緻密な構造の膜形成が重要である。
化シリコン（ＳｉＮｘ）等の絶縁膜は、半導体装置の層
間絶縁やパッシベーション膜として用いられているが、
製膜方法としては処理温度を低く出来ること、膜質が均
一であること、段差の被覆性に優れていることから、プ
ラズマＣＶＤ法による堆積が一般的である。また、半導
体装置のパッシベーション膜の特性は、半導体装置の信
頼性に大きな影響を与え、特に水分等の侵入を防ぐため
の緻密な構造の膜形成が重要である。
【０００３】このようなパッシベーション膜に適した絶
縁膜は、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜の場
合、高温で堆積する事によって緻密な膜が形成されて、
水分の侵入を防ぐことが可能であるが、高温プロセスに
より半導体装置、とりわけＧａＡｓ（ガリウム砒素）等
の化合物半導体を用いた半導体装置の特性が損なわれる
可能性があり、出来るだけ低温プロセスが望まれてい
る。
縁膜は、プラズマＣＶＤ法による窒化シリコン膜の場
合、高温で堆積する事によって緻密な膜が形成されて、
水分の侵入を防ぐことが可能であるが、高温プロセスに
より半導体装置、とりわけＧａＡｓ（ガリウム砒素）等
の化合物半導体を用いた半導体装置の特性が損なわれる
可能性があり、出来るだけ低温プロセスが望まれてい
る。
【０００４】窒化シリコンの改質方法については特公平
３−２９２９７に述べられている発明がある。この発明
は窒化シリコン膜を２００〜３００℃の温度に昇温させ
た状態で該窒化シリコン膜にパワー強度１０Ｗ／ｃ
ｍ2、波長２００〜６００ｎｍの光を照射させることに
よって窒化シリコン膜のクラックを防止する方法であ
る。
３−２９２９７に述べられている発明がある。この発明
は窒化シリコン膜を２００〜３００℃の温度に昇温させ
た状態で該窒化シリコン膜にパワー強度１０Ｗ／ｃ
ｍ2、波長２００〜６００ｎｍの光を照射させることに
よって窒化シリコン膜のクラックを防止する方法であ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】プラズマＣＶＤ法によ
る窒化シリコン膜は、膜形成の簡便さ、均一性、基板に
及ぼす応力が小さいなどの点において優れているが、パ
ッシベーション膜として用いるためには低温で緻密な膜
を形成して半導体素子の信頼性を高めることが要求され
ている。
る窒化シリコン膜は、膜形成の簡便さ、均一性、基板に
及ぼす応力が小さいなどの点において優れているが、パ
ッシベーション膜として用いるためには低温で緻密な膜
を形成して半導体素子の信頼性を高めることが要求され
ている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、プラズマＣＶ
Ｄ法によって形成された窒化シリコン膜をパッシベーシ
ョン膜に用いた半導体装置において、窒化シリコン膜形
成後に波長１８０〜２００ｎｍの遠紫外光を照射して該
窒化シリコン膜の表面を硬化させることにより緻密な層
を形成することを特徴とする。
Ｄ法によって形成された窒化シリコン膜をパッシベーシ
ョン膜に用いた半導体装置において、窒化シリコン膜形
成後に波長１８０〜２００ｎｍの遠紫外光を照射して該
窒化シリコン膜の表面を硬化させることにより緻密な層
を形成することを特徴とする。
【０００７】
【作用】波長１８０〜２００ｎｍの遠紫外光は、窒化シ
リコン膜表面に照射されると表面から一定の深さの層に
対して光化学反応を生じさせて、膜構造を緻密化させる
作用がある。同様の緻密構造は膜の高温処理によっても
得られるが、本発明は低温条件下で光化学反応により緻
密な膜を形成される作用を応用したものである。
リコン膜表面に照射されると表面から一定の深さの層に
対して光化学反応を生じさせて、膜構造を緻密化させる
作用がある。同様の緻密構造は膜の高温処理によっても
得られるが、本発明は低温条件下で光化学反応により緻
密な膜を形成される作用を応用したものである。
【０００８】
【実施例】本発明を適用してショットキィダイオードを
試作した例を図１に記す。図１（ａ）は上面図、図１
（ｂ）は側面断面図を示す。ＧａＡｓ基板１にＭＢＥ法
によりｎ層（３×１０17ｃｍ-3；ドーパントＳｉ）２を
３０００Åの厚みに成長し、１素子当たり５００×５０
０μｍ2になるように、フォトレジストによりマスクし
て、リン酸：過酸化水素：水＝３：１：５０の溶液で、
露出したＧａＡｓ基板１をエッチングして素子となる部
分の活性層領域を残し他の素子と絶縁分離を行った。そ
れぞれの素子部分に図１に示すようなドーナツ状のパタ
ーンをフォトレジストにより形成し、Ａｕ−Ｇｅ（１２
％）およびＮｉをこの順序で蒸着し、リフトオフ法によ
り所望の領域にのみ金属層３（Ａｕ−Ｇｅ（１２％）／
Ｎｉ）を残した。この後に４００℃で５分間水素雰囲気
中で熱処理を行いオーミック接触をとった。
試作した例を図１に記す。図１（ａ）は上面図、図１
（ｂ）は側面断面図を示す。ＧａＡｓ基板１にＭＢＥ法
によりｎ層（３×１０17ｃｍ-3；ドーパントＳｉ）２を
３０００Åの厚みに成長し、１素子当たり５００×５０
０μｍ2になるように、フォトレジストによりマスクし
て、リン酸：過酸化水素：水＝３：１：５０の溶液で、
露出したＧａＡｓ基板１をエッチングして素子となる部
分の活性層領域を残し他の素子と絶縁分離を行った。そ
れぞれの素子部分に図１に示すようなドーナツ状のパタ
ーンをフォトレジストにより形成し、Ａｕ−Ｇｅ（１２
％）およびＮｉをこの順序で蒸着し、リフトオフ法によ
り所望の領域にのみ金属層３（Ａｕ−Ｇｅ（１２％）／
Ｎｉ）を残した。この後に４００℃で５分間水素雰囲気
中で熱処理を行いオーミック接触をとった。
【０００９】続いてフォトレジストによりオーミック電
極４の中にショットキィ接触を形成するために円形の抜
きパターンを設け、オーミック電極４上には、配線用の
抜きパターンを形成してＴｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順序で
１０００Å、１０００Å、３０００Åずつ蒸着しＴｉ層
５、Ｐｔ層６、Ａｕ層７を形成し、リフトオフ法により
不必要な部分の金属を取り除いた。このようにして形成
されたショットキィダイオードのチップサイズは５００
μｍ×５００μｍで電極面積は１７７０μｍ2（半径７
５μｍ）であった。
極４の中にショットキィ接触を形成するために円形の抜
きパターンを設け、オーミック電極４上には、配線用の
抜きパターンを形成してＴｉ、Ｐｔ、Ａｕをこの順序で
１０００Å、１０００Å、３０００Åずつ蒸着しＴｉ層
５、Ｐｔ層６、Ａｕ層７を形成し、リフトオフ法により
不必要な部分の金属を取り除いた。このようにして形成
されたショットキィダイオードのチップサイズは５００
μｍ×５００μｍで電極面積は１７７０μｍ2（半径７
５μｍ）であった。
【００１０】この素子にプラズマＣＶＤによりパッシベ
ーション用の窒化シリコン膜８を１１５９Å堆積した。
堆積条件は基板温度２５０℃、ＳｉＨ4：ＮＨ3：Ｎ2の
流量比が１０：１１０：５０（ＳＣＣＭ）で、反応室の
圧力は０．７５ｔｏｒｒで、ＲＦ周波数は１３．５６Ｍ
Ｈｚ、パワー密度は０．４５Ｗ／ｃｍ2であった。窒化
シリコン膜の堆積後にワイヤーボンディング用の穴９、
１０をショットキィ電極部分と、オーミック電極の配線
部分に開けた。その後、この素子に、光強度０．６６ｍ
Ｗ／ｃｍ2の低圧水銀灯光を９０分間照射して窒化シリ
コン膜の表面処理を行った。
ーション用の窒化シリコン膜８を１１５９Å堆積した。
堆積条件は基板温度２５０℃、ＳｉＨ4：ＮＨ3：Ｎ2の
流量比が１０：１１０：５０（ＳＣＣＭ）で、反応室の
圧力は０．７５ｔｏｒｒで、ＲＦ周波数は１３．５６Ｍ
Ｈｚ、パワー密度は０．４５Ｗ／ｃｍ2であった。窒化
シリコン膜の堆積後にワイヤーボンディング用の穴９、
１０をショットキィ電極部分と、オーミック電極の配線
部分に開けた。その後、この素子に、光強度０．６６ｍ
Ｗ／ｃｍ2の低圧水銀灯光を９０分間照射して窒化シリ
コン膜の表面処理を行った。
【００１１】作成したダイオードはφｂ＝Ｏ．７Ｖ、Ｖ
ｈｄ＝−１０Ｖ、ｎ値＝１．１と良好な特性を示した
が、パッシベーション膜を形成後に光照射を行わずに同
様の緻密な窒化シリコン膜を得るために、５００℃の熱
処理を水素雰囲気中で１分間加えて作成した比較サンプ
ルはφｂ＝０．３Ｖ、Ｖｈｄ＝−２Ｖ、ｎ値は１．６と
劣化しており、本発明によるパッシベーション膜の形成
方法を適用する方法は半導体装置に与える影響が極めて
少ないことが分かった。
ｈｄ＝−１０Ｖ、ｎ値＝１．１と良好な特性を示した
が、パッシベーション膜を形成後に光照射を行わずに同
様の緻密な窒化シリコン膜を得るために、５００℃の熱
処理を水素雰囲気中で１分間加えて作成した比較サンプ
ルはφｂ＝０．３Ｖ、Ｖｈｄ＝−２Ｖ、ｎ値は１．６と
劣化しており、本発明によるパッシベーション膜の形成
方法を適用する方法は半導体装置に与える影響が極めて
少ないことが分かった。
【００１２】本発明の効果について以下の実験を行っ
た。ＧａＡｓ半絶縁性基板に、プラズマＣＶＤによりパ
ッシベーション用の窒化シリコン膜を４個のサンプルに
対して表１の条件で形成させた。サンプルＮｏ１はショ
ットキィダイオードを作成した後に該窒化シリコン膜を
形成させたが、他のＮｏ２〜４は表面に何も素子を作っ
てない基板を用いた。
た。ＧａＡｓ半絶縁性基板に、プラズマＣＶＤによりパ
ッシベーション用の窒化シリコン膜を４個のサンプルに
対して表１の条件で形成させた。サンプルＮｏ１はショ
ットキィダイオードを作成した後に該窒化シリコン膜を
形成させたが、他のＮｏ２〜４は表面に何も素子を作っ
てない基板を用いた。
【００１３】これらのサンプルの窒化シリコン膜表面上
に低圧水銀灯光を９０分間照射した。照射時の光強度は
０．６６ｍＷ／ｃｍ2であった。この低圧水銀灯は波長
２００ｎｍ以下の光を透過する合成石英ランプを本体に
用いているために、波長１８０〜２００ｎｍ光が含まれ
ている。ランプとサンプルの距離は２０ｃｍで、雰囲気
は空気である。光照射前後の屈折率、膜厚をエリプソメ
トリーにより測定し、堆積速度を算出した。これらの数
値は各サンプルに対して表１に示されている。
に低圧水銀灯光を９０分間照射した。照射時の光強度は
０．６６ｍＷ／ｃｍ2であった。この低圧水銀灯は波長
２００ｎｍ以下の光を透過する合成石英ランプを本体に
用いているために、波長１８０〜２００ｎｍ光が含まれ
ている。ランプとサンプルの距離は２０ｃｍで、雰囲気
は空気である。光照射前後の屈折率、膜厚をエリプソメ
トリーにより測定し、堆積速度を算出した。これらの数
値は各サンプルに対して表１に示されている。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１から、絶縁膜の成膜条件により若干の
差異はあるが、遠紫外光処理後の屈折率、膜厚はいずれ
も処理前に比べて減少しており、遠紫外光の照射によっ
て絶縁膜に変化が起こっていることが推定される。比較
のために、波長２００ｎｍ以下の光をカットした光を上
記条件と同じ光強度０．６６ｍＷ／ｃｍ2、照射時間９
０分で、別に作成した窒化シリコン膜上に照射したが、
屈折率の変化と、膜厚の変化は全く生じておらず、本実
施例における方法で窒化シリコン膜が変化している原因
は波長１８０〜２００ｎｍの光であることが実証され
た。
差異はあるが、遠紫外光処理後の屈折率、膜厚はいずれ
も処理前に比べて減少しており、遠紫外光の照射によっ
て絶縁膜に変化が起こっていることが推定される。比較
のために、波長２００ｎｍ以下の光をカットした光を上
記条件と同じ光強度０．６６ｍＷ／ｃｍ2、照射時間９
０分で、別に作成した窒化シリコン膜上に照射したが、
屈折率の変化と、膜厚の変化は全く生じておらず、本実
施例における方法で窒化シリコン膜が変化している原因
は波長１８０〜２００ｎｍの光であることが実証され
た。
【００１６】図２は表１に示した各サンプルの紫外光照
射後の窒化シリコン膜を、バッファードフッ酸（０．０
５％）によりエッチングを加えて、エッチング時間に対
する膜厚の変化量を測定した結果を示す。図２から膜表
面から２００〜３００Å深さまではエッチング速度が遅
いことが認められる。即ち、遠紫外光の照射によって表
面付近の膜質が変化しエッチング速度が低下したと考え
られる。通常、バッファードフッ酸によるエッチング速
度の遅い膜は構造が緻密な膜といってもよく、この緻密
な膜はプラズマＣＶＤの場合は窒化シリコン膜を３５０
〜４００℃の高温で堆積した場合や、堆積後４００℃前
後の熱工程を経ることによって形成されるものである。
射後の窒化シリコン膜を、バッファードフッ酸（０．０
５％）によりエッチングを加えて、エッチング時間に対
する膜厚の変化量を測定した結果を示す。図２から膜表
面から２００〜３００Å深さまではエッチング速度が遅
いことが認められる。即ち、遠紫外光の照射によって表
面付近の膜質が変化しエッチング速度が低下したと考え
られる。通常、バッファードフッ酸によるエッチング速
度の遅い膜は構造が緻密な膜といってもよく、この緻密
な膜はプラズマＣＶＤの場合は窒化シリコン膜を３５０
〜４００℃の高温で堆積した場合や、堆積後４００℃前
後の熱工程を経ることによって形成されるものである。
【００１７】また、遠紫外光照射前後での窒化シリコン
膜をＦＴＩＲ（フーリエ変換ＩＲ）スペクトルを比較す
ると、Ｎ−Ｈ（窒素ー水素）結合のピークが遠紫外光の
照射によって減少していることが分かった。窒化シリコ
ン膜中のＮ−Ｈ結合は４００℃〜６００℃の処理温度を
必要とする熱工程により減少させることができるが、同
等の効果が本発明で得られている。
膜をＦＴＩＲ（フーリエ変換ＩＲ）スペクトルを比較す
ると、Ｎ−Ｈ（窒素ー水素）結合のピークが遠紫外光の
照射によって減少していることが分かった。窒化シリコ
ン膜中のＮ−Ｈ結合は４００℃〜６００℃の処理温度を
必要とする熱工程により減少させることができるが、同
等の効果が本発明で得られている。
【００１８】以上の実験からプラズマＣＶＤによって形
成された窒化シリコン膜に波長１８０〜２００ｎｍの遠
紫外光を照射することによって膜表面に緻密な層が低温
で形成されることが分かった。該遠紫外光は低圧水銀灯
によって容易に得ることができる。また本方法により水
分に対して信頼性の高い窒化シリコン膜が形成され、半
導体装置の保護膜として有効である。
成された窒化シリコン膜に波長１８０〜２００ｎｍの遠
紫外光を照射することによって膜表面に緻密な層が低温
で形成されることが分かった。該遠紫外光は低圧水銀灯
によって容易に得ることができる。また本方法により水
分に対して信頼性の高い窒化シリコン膜が形成され、半
導体装置の保護膜として有効である。
【００１９】
【発明の効果】以上の実施例に基づいて説明したよう
に、本発明によれば、プラズマＣＶＤ法により形成され
た窒化シリコン膜に波長１８０〜２００ｎｍの遠紫外光
を照射することにより、窒化シリコン膜の表面に緻密な
層を形成し、この層は水分の侵入を防ぐことが出来るた
めに有効な半導体装置の保護を形成することができる。
に、本発明によれば、プラズマＣＶＤ法により形成され
た窒化シリコン膜に波長１８０〜２００ｎｍの遠紫外光
を照射することにより、窒化シリコン膜の表面に緻密な
層を形成し、この層は水分の侵入を防ぐことが出来るた
めに有効な半導体装置の保護を形成することができる。
【図１】実施例で作成したショットキィダイオードの上
面図及び断面図である。
面図及び断面図である。
【図２】光照射後の窒化シリコン膜のエッチング特性で
ある。
ある。
１ ＧａＡｓ基板 ２ ｎ層 ３ Ａｕ−Ｇｅ／Ｎｉ金属層 ４ オーミック電極 ８ 窒化シリコン膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/31
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された窒化シリコン
膜に波長１８０〜２００ｎｍの遠紫外光を含む光を照射
し、表面を硬化させることを特徴とする窒化シリコンパ
ッシベーション膜形成方法。 - 【請求項２】 波長１８０〜２００ｎｍを含む光を発す
る低圧水銀灯光を窒化シリコン膜に照射してパッシベー
ション膜を処理することを特徴とする窒化シリコンパッ
シベーション膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26031091A JPH05102137A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26031091A JPH05102137A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05102137A true JPH05102137A (ja) | 1993-04-23 |
Family
ID=17346251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26031091A Pending JPH05102137A (ja) | 1991-10-08 | 1991-10-08 | 窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05102137A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008522405A (ja) * | 2004-11-16 | 2008-06-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体のための引張り及び圧縮応力をもたせた物質 |
| US8319308B2 (en) | 2009-09-08 | 2012-11-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing of the same |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130126A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 光気相成長法 |
| JPH01251723A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Sony Corp | 半導体装置の蓄積電荷低減方法 |
| JPH0252432A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03159991A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-09 | Nec Corp | シリコン窒化膜形成装置 |
-
1991
- 1991-10-08 JP JP26031091A patent/JPH05102137A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60130126A (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | Nec Corp | 光気相成長法 |
| JPH01251723A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Sony Corp | 半導体装置の蓄積電荷低減方法 |
| JPH0252432A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH03159991A (ja) * | 1989-11-17 | 1991-07-09 | Nec Corp | シリコン窒化膜形成装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008522405A (ja) * | 2004-11-16 | 2008-06-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体のための引張り及び圧縮応力をもたせた物質 |
| JP4903154B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2012-03-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板上に応力をもたせた物質を形成する方法 |
| KR101244863B1 (ko) * | 2004-11-16 | 2013-03-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인장 응력 및 압축 응력을 받은 반도체용 재료 |
| KR101244839B1 (ko) * | 2004-11-16 | 2013-03-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인장 응력 및 압축 응력을 받은 반도체용 재료 |
| US8319308B2 (en) | 2009-09-08 | 2012-11-27 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing of the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS58106833A (ja) | 半導体デバイス内に造形を形成する方法 | |
| US20100187545A1 (en) | Selectively doped semi-conductors and methods of making the same | |
| EP0469604A2 (en) | MIS electrode forming process | |
| JP2770544B2 (ja) | Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0519308B2 (ja) | ||
| WO2022165884A1 (zh) | 一种新型增强型GaN HEMT器件结构 | |
| JPH05102137A (ja) | 窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法 | |
| CN111477682A (zh) | 氮化镓晶体管及其制造方法 | |
| JP3038063B2 (ja) | 化合物半導体の表面不活性化方法 | |
| JP2732134B2 (ja) | ＧａＡｓ半導体の保護膜の形成方法 | |
| RU2793798C1 (ru) | Способ увеличения адгезии | |
| JP2775117B2 (ja) | 保護膜形成方法 | |
| TW514993B (en) | Method for making GaN MOSFET | |
| JPH0491435A (ja) | Ｍｉｓ構造電極の形成方法 | |
| JPS594174A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2917900B2 (ja) | Ｉｉｉ −ｖ族化合物半導体基板の表面処理方法 | |
| KR0168208B1 (ko) | 다중합체 제거방법 | |
| KR960042961A (ko) | 반도체 소자의 확산방지층 형성방법 | |
| JPS6180823A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100511129B1 (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 제조 방법 | |
| KR100431306B1 (ko) | 알루미늄산화막과 이트륨질산화막의 이중막으로 이루어진게이트산화막을 이용한 반도체 소자의 게이트 형성방법 | |
| KR100273388B1 (ko) | 갈륨비소 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법 | |
| KR100330840B1 (ko) | 플라즈마 처리를 이용한 질화갈륨계열 박막의 제조방법 | |
| KR950001145B1 (ko) | 헤테로접합 쌍극성 트랜지스터의 제조방법 | |
| TW396438B (en) | Method for the formation of an anti-reflection layer |