JPH01251723A - 半導体装置の蓄積電荷低減方法 - Google Patents
半導体装置の蓄積電荷低減方法Info
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- JPH01251723A JPH01251723A JP7843288A JP7843288A JPH01251723A JP H01251723 A JPH01251723 A JP H01251723A JP 7843288 A JP7843288 A JP 7843288A JP 7843288 A JP7843288 A JP 7843288A JP H01251723 A JPH01251723 A JP H01251723A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の蓄積電荷低減方法に関する。本
発明は、例えば、半導体集積回路プロセスで形成される
固定電荷の抑制法として利用することができる。
発明は、例えば、半導体集積回路プロセスで形成される
固定電荷の抑制法として利用することができる。
本発明は、半導体基板上に形成された第１の絶縁膜上に
プラズマＣＶＤによる第２の絶縁膜が形成された半導体
装置に、遠紫外線を照射することにより、蓄積電荷を低
減し、もって蓄積電荷による性能変動などの防止を可能
としたものである。
プラズマＣＶＤによる第２の絶縁膜が形成された半導体
装置に、遠紫外線を照射することにより、蓄積電荷を低
減し、もって蓄積電荷による性能変動などの防止を可能
としたものである。
従来より半導体装置の製造の過程において、半導体基体
上に形成した絶縁膜の上に、更に絶縁膜を形成すること
が行われている。ところがこのような場合、半導体基体
と絶縁膜との間の界面に固定電荷が形成され、これが半
導体装置の特性に影響を及ぼすことがある。
上に形成した絶縁膜の上に、更に絶縁膜を形成すること
が行われている。ところがこのような場合、半導体基体
と絶縁膜との間の界面に固定電荷が形成され、これが半
導体装置の特性に影響を及ぼすことがある。
例えばＭＯＳ）ランジスタの形成において、第３図に示
すように半導体基板ｌであるシリコン基板上に絶縁［１
（Ｓ ｉ Ｏｚ膜）１１を形成し、この上に平坦化膜の
作用を示す絶縁膜２１であるＡｓ５Ｇ膜を形成し、更に
その上にパッシベーション膜としての絶縁膜２２である
プラズマシリコンナイトライドを形成した構造について
アニール処理などの熱処理を行うと、固定電荷が形成さ
れることに伴うと考えられる寄生ＭＯ３）ランジスタの
ＶＦＩ値（ＦＢはフラットバンド）変動を誘起し、しき
い値（Ｖｔｈ）の変動をもたらすことがあった。
すように半導体基板ｌであるシリコン基板上に絶縁［１
（Ｓ ｉ Ｏｚ膜）１１を形成し、この上に平坦化膜の
作用を示す絶縁膜２１であるＡｓ５Ｇ膜を形成し、更に
その上にパッシベーション膜としての絶縁膜２２である
プラズマシリコンナイトライドを形成した構造について
アニール処理などの熱処理を行うと、固定電荷が形成さ
れることに伴うと考えられる寄生ＭＯ３）ランジスタの
ＶＦＩ値（ＦＢはフラットバンド）変動を誘起し、しき
い値（Ｖｔｈ）の変動をもたらすことがあった。
このような変動は、Ａｌシンターに相当するアニールで
生じ、また、低温アニールをくり返すことにより大きく
なるものである。また、固定電荷は、Ｓ ｉ −Ｓ ｉ
ＯＺ界面で生ずるものと考えられる。
生じ、また、低温アニールをくり返すことにより大きく
なるものである。また、固定電荷は、Ｓ ｉ −Ｓ ｉ
ＯＺ界面で生ずるものと考えられる。
上記Ａｓ５Ｇ（ヒ素シリケートガラス）膜は低温でのり
フローに適するので、より微細でより浅い結合が要求さ
れる近年の半導体技術にとってを利であり、また、上記
プラズマナイトライド膜は耐湿性等の点で優れるので有
利であるが、第３図のような構造をとると熱処理により
上述のような問題が生じるものであった。この対策とし
ては、Ａｓ５Ｇ膜である絶縁膜２１と５ｉｎ２膜１１と
の間に、プラズマナイトライド膜からの影響を防止する
高温ＣＶ Ｄ −Ｓ １ｚＮａ膜を形成する技術がある
（以上については、第３０回半導体集積回路シンポジウ
ム講演予稿集、１９８６年６月、参照）。
フローに適するので、より微細でより浅い結合が要求さ
れる近年の半導体技術にとってを利であり、また、上記
プラズマナイトライド膜は耐湿性等の点で優れるので有
利であるが、第３図のような構造をとると熱処理により
上述のような問題が生じるものであった。この対策とし
ては、Ａｓ５Ｇ膜である絶縁膜２１と５ｉｎ２膜１１と
の間に、プラズマナイトライド膜からの影響を防止する
高温ＣＶ Ｄ −Ｓ １ｚＮａ膜を形成する技術がある
（以上については、第３０回半導体集積回路シンポジウ
ム講演予稿集、１９８６年６月、参照）。
上記問題点の解決の一手段として、低温アニール後、Ｕ
Ｖ（紫外）光を照射すると、■、の変動が低減されるこ
とが見い出され、本出願人は先にこれについて特許出願
を行った（特願昭６２−２８５４号）。この技術は、第
４図にプロセスをフロー図で示すように、基板１上に５
ｉｎ２膜１１を形成する工程１ａ・の後、絶縁膜２１で
あるＡｓ５Ｇ膜を堆積する工程１′を行い、次いで、該
Ａｓ５Ｇ膜のりフロー処理工程１ｂ’ を行い、その後
絶縁膜２２であるプラズマナイトライド膜を形成する工
程■° を行い、更にアルミニウム電極形成工程ＩＶａ
’、アニール工程ＩＶｂ’ を経た後、ＵＶ光を照射す
る工程Ｖ・を行うものである（以上の技術については、
第３２回半導体集積回路シンポジウム予稿集、１９８６
年６月、参照）。
Ｖ（紫外）光を照射すると、■、の変動が低減されるこ
とが見い出され、本出願人は先にこれについて特許出願
を行った（特願昭６２−２８５４号）。この技術は、第
４図にプロセスをフロー図で示すように、基板１上に５
ｉｎ２膜１１を形成する工程１ａ・の後、絶縁膜２１で
あるＡｓ５Ｇ膜を堆積する工程１′を行い、次いで、該
Ａｓ５Ｇ膜のりフロー処理工程１ｂ’ を行い、その後
絶縁膜２２であるプラズマナイトライド膜を形成する工
程■° を行い、更にアルミニウム電極形成工程ＩＶａ
’、アニール工程ＩＶｂ’ を経た後、ＵＶ光を照射す
る工程Ｖ・を行うものである（以上の技術については、
第３２回半導体集積回路シンポジウム予稿集、１９８６
年６月、参照）。
しかし上記した低温アニール後のＵ■光照射の技術では
、照射後更にアニールを行うと、再び■Ｆｉｌの変動を
引き起こすという問題を有している。
、照射後更にアニールを行うと、再び■Ｆｉｌの変動を
引き起こすという問題を有している。
従って実際のプロセスで用いる場合は、例えば、アルミ
ニウムをパターニングしシンターを行った後、ＵＶ光を
照射するようにしなければならなかった。ＵＶ光を照射
した後にシンターに必要な熱処理を行うと、■、シフト
が生じてしまうからである。このように従来の技術は、
上記手順をとらなければならないことがプロセス上の制
限になっていた。また、アルミニウムの下は、８亥アル
ミニウムの遮光性のため、電荷の完全な低減は不可能で
あった。
ニウムをパターニングしシンターを行った後、ＵＶ光を
照射するようにしなければならなかった。ＵＶ光を照射
した後にシンターに必要な熱処理を行うと、■、シフト
が生じてしまうからである。このように従来の技術は、
上記手順をとらなければならないことがプロセス上の制
限になっていた。また、アルミニウムの下は、８亥アル
ミニウムの遮光性のため、電荷の完全な低減は不可能で
あった。
本発明は、上述の問題点を解決し、プロセス上の制限が
小さく、かつ電荷をどの位置でも完全に低減できる蓄積
電荷低減方法を提供せんとするものである。
小さく、かつ電荷をどの位置でも完全に低減できる蓄積
電荷低減方法を提供せんとするものである。
上記の問題を解決するため、本発明においては、半導体
基体上に形成された第１の絶縁膜上にプラズマＣＶＤに
よる第２の絶縁膜が形成された半導体装置に、遠紫外線
を照射することにより、蓄積電荷を低減する手段をとる
。
基体上に形成された第１の絶縁膜上にプラズマＣＶＤに
よる第２の絶縁膜が形成された半導体装置に、遠紫外線
を照射することにより、蓄積電荷を低減する手段をとる
。
例えば、後記詳述する本発明の一実施例を示す第１図を
参照して説明すると、次のとおりである。
参照して説明すると、次のとおりである。
即ち本発明は、第１図に例示の如きプロセスで具体化で
きるものであり、図示の工程■で第１の絶縁膜を形成し
、図示の工程■で第２の絶縁膜を形成し、これに工程■
で遠紫外線を照射する（例えばレーザー光を照射する）
態様で実施することができる。
きるものであり、図示の工程■で第１の絶縁膜を形成し
、図示の工程■で第２の絶縁膜を形成し、これに工程■
で遠紫外線を照射する（例えばレーザー光を照射する）
態様で実施することができる。
第１図に示すプロセスでは、その後工程ＩＶｂで低温ア
ニールを行っている。
ニールを行っている。
（作用〕
本発明の如く、プラズマＣＶＤによる第２の絶縁膜形成
後に遠紫外線を照射すると、その後に低温アニールを行
っても、ＶＦＩＩ値の変動は生じない。
後に遠紫外線を照射すると、その後に低温アニールを行
っても、ＶＦＩＩ値の変動は生じない。
これは実験的に確認できることであり、後記実施例の説
明においてもデータをもって例証する。但し、このよう
に上記第２の絶縁膜の堆積後に遠紫外線を照射すると、
なぜその後の低温アニールでＶＦａ値の変動が起こらな
いかという点については、その作用は明らかではない。
明においてもデータをもって例証する。但し、このよう
に上記第２の絶縁膜の堆積後に遠紫外線を照射すると、
なぜその後の低温アニールでＶＦａ値の変動が起こらな
いかという点については、その作用は明らかではない。
ＶＦｆｉ値の変動の原因はプラズマＣＶＤにより形成さ
れる第２の絶縁膜に含有される水素原子によるものでは
ないかと考えられているが、もしこれが事実とすれば、
該第２の絶縁膜（Ｐ−３ｉＮ）中の水素結合を遠紫外線
（例えばレーザー光）が切断し、一部水素原子を熔発す
ることによるのではないかと考えられる。
れる第２の絶縁膜に含有される水素原子によるものでは
ないかと考えられているが、もしこれが事実とすれば、
該第２の絶縁膜（Ｐ−３ｉＮ）中の水素結合を遠紫外線
（例えばレーザー光）が切断し、一部水素原子を熔発す
ることによるのではないかと考えられる。
しかしこれはあくまで推定であり、類推の域を出ない。
以下本発明の一実施例について、図面を参照して説明す
る。但し当然のことではあるが、本発明は図示の実施例
にのみ限定されるものではない。
る。但し当然のことではあるが、本発明は図示の実施例
にのみ限定されるものではない。
この実施例は、シリコン基板を用いてＭＩＳ型半導体装
置を製造する場合について、本発明を適用したものであ
る。
置を製造する場合について、本発明を適用したものであ
る。
本実施例では、半導体として、Ｐ型シリコン基板を用い
、この上に、第１図に示す工程Ｉａで熱酸化などにより
ＳｉＯ□膜を形成した。これは、ゲート絶縁膜となるも
のである。膜厚は６５ｎｍとした。なお第１図中のＱｓ
ｓは、シリコン基板上にＳ ｉ Ｏｚ膜を形成した時の
、Ｓ５１−３ｉｎ界面における電荷密度である。次いで
本実施例では、第１の絶縁膜として、平坦化膜であるＡ
ｓ５Ｇ膜（ここではヒ素含有率が２０．０ｗｔ％のもの
を使用）を２００ｎｍ堆積して形成した（工程Ｉ）。
、この上に、第１図に示す工程Ｉａで熱酸化などにより
ＳｉＯ□膜を形成した。これは、ゲート絶縁膜となるも
のである。膜厚は６５ｎｍとした。なお第１図中のＱｓ
ｓは、シリコン基板上にＳ ｉ Ｏｚ膜を形成した時の
、Ｓ５１−３ｉｎ界面における電荷密度である。次いで
本実施例では、第１の絶縁膜として、平坦化膜であるＡ
ｓ５Ｇ膜（ここではヒ素含有率が２０．０ｗｔ％のもの
を使用）を２００ｎｍ堆積して形成した（工程Ｉ）。
これを窒素雰囲気下、９００℃で１０分りフロー処理し
、平坦化を行う（工程Ｉａ）。次に、ＣＶＤにより形成
する第２の絶縁膜として、本実施例では、パッシベーシ
ョン膜としての作用をもつプラズマシリコンナイトライ
ド膜を形成した（１０Ｑｎｍ厚）。
、平坦化を行う（工程Ｉａ）。次に、ＣＶＤにより形成
する第２の絶縁膜として、本実施例では、パッシベーシ
ョン膜としての作用をもつプラズマシリコンナイトライ
ド膜を形成した（１０Ｑｎｍ厚）。
この第２の絶縁膜の形成後に遠紫外線を照射するのであ
るが、本実施例では、ＡｒＦレーザーを用いた（工程■
）。
るが、本実施例では、ＡｒＦレーザーを用いた（工程■
）。
これにより、第３図に示す如き基板１．Ｓｉ Ｏ□膜１
１、第１の絶縁膜２１、第２の絶縁膜２２から成る半導
体構造を得た。
１、第１の絶縁膜２１、第２の絶縁膜２２から成る半導
体構造を得た。
本実施例においては更に、工程ｒＶａでアルミニウム電
極を形成し、工程ＩＶｂで４００℃、１２０分の低温ア
ニールを行った。
極を形成し、工程ＩＶｂで４００℃、１２０分の低温ア
ニールを行った。
本実施例において、遠紫外線照射工程■で照射するＡｒ
Ｆレーザーのエネルギー密度を、〜１１０ ｍ Ｊ ／
ｃｒＡとした場合と、〜１２０ｍＪ／ｃ＋＋！とした
場合とについて、Ｃ−Ｖ曲線（容量−電圧曲線）より求
めたＶＦＩＩ値の変動を、第２図に示す。
Ｆレーザーのエネルギー密度を、〜１１０ ｍ Ｊ ／
ｃｒＡとした場合と、〜１２０ｍＪ／ｃ＋＋！とした
場合とについて、Ｃ−Ｖ曲線（容量−電圧曲線）より求
めたＶＦＩＩ値の変動を、第２図に示す。
合わせて、第２の絶縁膜形成（工程■）後、遠紫外線照
射（工程■）を行うことなくアニール（工程ＩＶｂ）し
た場合（比較実験）のＶＦａ値の変動を示す。各データ
とも、第１図のアニール工程ＩＶｂ後に、同図の工程■
で測定したものであり、測定は第３図に示すような、測
定電極Ｅを有する構造によって行った。
射（工程■）を行うことなくアニール（工程ＩＶｂ）し
た場合（比較実験）のＶＦａ値の変動を示す。各データ
とも、第１図のアニール工程ＩＶｂ後に、同図の工程■
で測定したものであり、測定は第３図に示すような、測
定電極Ｅを有する構造によって行った。
第２図は、横軸に照射したレーザーのエネルギー密度／
パルス（ｍＪ／ｃｏｔ）をとり、たて軸にＶＦａの変動
であるΔＶｒｓ（Ｖ）をとったものである。第２図から
理解されるように、エネルギー密度／パルスがＯである
場合、つまりレーザー照射せずにアニール工程に入った
場合のＶＦＩＩの変動に比し、レーザーを〜１１０ｍＪ
／−または〜１２０ ｍ Ｊ ／ ｃｄで照射した本実
施例の場合、■、値の変動は大幅に減少している。この
ことから、遠紫外線の射射によって蓄積電荷を低減でき
、もってＶＦＲ変動等を抑制できることがわかる。
パルス（ｍＪ／ｃｏｔ）をとり、たて軸にＶＦａの変動
であるΔＶｒｓ（Ｖ）をとったものである。第２図から
理解されるように、エネルギー密度／パルスがＯである
場合、つまりレーザー照射せずにアニール工程に入った
場合のＶＦＩＩの変動に比し、レーザーを〜１１０ｍＪ
／−または〜１２０ ｍ Ｊ ／ ｃｄで照射した本実
施例の場合、■、値の変動は大幅に減少している。この
ことから、遠紫外線の射射によって蓄積電荷を低減でき
、もってＶＦＲ変動等を抑制できることがわかる。
なお上記実施例では、ＣＶＤにより形成する第２の１色
緑膜としてプラズマシリコンナイトライド（Ｐ−３ｉＮ
）を用いたが、これに限らず、例えばＰ−３ｉＯＮや、
Ｐ−３ｉＯを用いるのでもよい。
緑膜としてプラズマシリコンナイトライド（Ｐ−３ｉＮ
）を用いたが、これに限らず、例えばＰ−３ｉＯＮや、
Ｐ−３ｉＯを用いるのでもよい。
また、第１の絶縁膜も任意であり、上記実施例の如＜Ａ
ｓ５Ｇの場合好適ではあるが、その他のもの、例えばＰ
ＳＧを用いることもできる。
ｓ５Ｇの場合好適ではあるが、その他のもの、例えばＰ
ＳＧを用いることもできる。
本発明において使用する遠紫外線としては、波長３５０
ｎｍ以下のものが好ましく用いられる。
ｎｍ以下のものが好ましく用いられる。
このようなものを用い、例えば上記実施例の如く、半導
体ウェハ全面を照射する態様で具体化できる。
体ウェハ全面を照射する態様で具体化できる。
遠紫外線照射のパラメーターとしては、波長、エネルギ
ー密度、照射時間がそのパラメーターとなる。波長とし
ては、波長３６５ｎｍである超高圧水銀ランプよりも波
長が短いものが好ましく、またエネルギー密度としては
、上記実施例の如く波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザーを
用いる場合でも、４０ ｍ Ｊ ／ｃｎｌを超える場合
が好ましく、更に、膜の変質などを防ぐために、１８０
ｍＪ／ｃＪを下まわることが好ましい。
ー密度、照射時間がそのパラメーターとなる。波長とし
ては、波長３６５ｎｍである超高圧水銀ランプよりも波
長が短いものが好ましく、またエネルギー密度としては
、上記実施例の如く波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザーを
用いる場合でも、４０ ｍ Ｊ ／ｃｎｌを超える場合
が好ましく、更に、膜の変質などを防ぐために、１８０
ｍＪ／ｃＪを下まわることが好ましい。
上記実施例では上述のように１、それぞれＡｒＦレーザ
ー（波長１９３ｎｍ）を用い、１パルス当たり１１０〜
ｌ ２０ｍＪ／ｃｎｉのエネルギー密度で照射を行った
。
ー（波長１９３ｎｍ）を用い、１パルス当たり１１０〜
ｌ ２０ｍＪ／ｃｎｉのエネルギー密度で照射を行った
。
遠紫外線照射後の工程としては、所望の半導体装置を得
るために必要な各ステップを行えばよい。
るために必要な各ステップを行えばよい。
例えば、第１層アルミニウム形成→パターニング−アル
ミニウムＲＩＢ−層間膜形成−第２層アルミニウム形成
→パターニング→アルミニウムＲＩＥ→パッシベーショ
ン、等とつづくプロセスなどを行うことができる。
ミニウムＲＩＢ−層間膜形成−第２層アルミニウム形成
→パターニング→アルミニウムＲＩＥ→パッシベーショ
ン、等とつづくプロセスなどを行うことができる。
いずれにしても、本発明を適用し、遠紫外線を照射した
ものについては、その後に低温アニールを施しても、Ｖ
ＦＩＩ値の変動はみられなかった。
ものについては、その後に低温アニールを施しても、Ｖ
ＦＩＩ値の変動はみられなかった。
なお本発明は、プラズマＣＶＤ時のプラズマダメージに
より誘起される固定電荷に対しても、効果があると思わ
れる。
より誘起される固定電荷に対しても、効果があると思わ
れる。
上述の如く本発明によれば、遠紫外線照射により蓄積電
荷を低減でき、これによりＶＦＩ！変動などを抑制でき
る。かつ、この効果は該遠紫外線照射後にアニール処理
などを行った場合でも失われないのでプロセス上の制限
がなく、アルミニウムなどの形成後に照射を行う必要も
ないので、必要な個所全域にこの効果を及ぼすことがで
きる。
荷を低減でき、これによりＶＦＩ！変動などを抑制でき
る。かつ、この効果は該遠紫外線照射後にアニール処理
などを行った場合でも失われないのでプロセス上の制限
がなく、アルミニウムなどの形成後に照射を行う必要も
ないので、必要な個所全域にこの効果を及ぼすことがで
きる。
第１図は、本発明の一実施例のプロセスを示すフロー図
である。第２図は、本発明の作用効果を説明するための
グラフである。第３図は、半導体装置の構造の一例を示
す断面図である。第４図は、従来例のプロセスを示すフ
ロー図である。 Ｉ・・・第１の絶縁膜形成工程、■・・・第２の絶縁膜
形成工程、■・・・遠紫外線照射工程。
である。第２図は、本発明の作用効果を説明するための
グラフである。第３図は、半導体装置の構造の一例を示
す断面図である。第４図は、従来例のプロセスを示すフ
ロー図である。 Ｉ・・・第１の絶縁膜形成工程、■・・・第２の絶縁膜
形成工程、■・・・遠紫外線照射工程。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上に形成された第１の絶縁膜上に、プラ
ズマＣＶＤによる第２の絶縁膜が形成された半導体装置
に、 遠紫外線を照射することにより蓄積電荷を低減する半導
体装置の蓄積電荷低減方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7843288A JP2794708B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体装置の蓄積電荷低減方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7843288A JP2794708B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体装置の蓄積電荷低減方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01251723A true JPH01251723A (ja) | 1989-10-06 |
| JP2794708B2 JP2794708B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=13661878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7843288A Expired - Fee Related JP2794708B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | 半導体装置の蓄積電荷低減方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2794708B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289125A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05102137A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Sharp Corp | 窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法 |
| US5543988A (en) * | 1993-04-30 | 1996-08-06 | International Business Machines Corporation | Hall sensor with high spatial resolution in two directions concurrently |
| JP2008522405A (ja) * | 2004-11-16 | 2008-06-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体のための引張り及び圧縮応力をもたせた物質 |
-
1988
- 1988-03-31 JP JP7843288A patent/JP2794708B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01289125A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体装置の製造方法 |
| JPH05102137A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Sharp Corp | 窒化シリコンパツシベーシヨン膜形成方法 |
| US5543988A (en) * | 1993-04-30 | 1996-08-06 | International Business Machines Corporation | Hall sensor with high spatial resolution in two directions concurrently |
| JP2008522405A (ja) * | 2004-11-16 | 2008-06-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体のための引張り及び圧縮応力をもたせた物質 |
| JP4903154B2 (ja) * | 2004-11-16 | 2012-03-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板上に応力をもたせた物質を形成する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2794708B2 (ja) | 1998-09-10 |
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