JPH049684A - 密封式ｓｑｕｉｄ磁束計 - Google Patents
密封式ｓｑｕｉｄ磁束計Info
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- JPH049684A JPH049684A JP2111140A JP11114090A JPH049684A JP H049684 A JPH049684 A JP H049684A JP 2111140 A JP2111140 A JP 2111140A JP 11114090 A JP11114090 A JP 11114090A JP H049684 A JPH049684 A JP H049684A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は例λば医療用、地下資源探索用、等の応用が可
能な高感度磁気センサである超電ｔ１．［を子）−を歩
素子 （ＳＱＩＪＩＤ：５ｕｐｅｒｃｎｎｄｕＣｔ、
ｉｎｇ ＱｕａｎｔｕｍＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅ ）に関するものである、［発明の＠瞥］ 本発明は、−枚のシリコン亭、板子にＳ Ｑ ＋Ｉ Ｉ
＋１本体、入カニフィル、検出：】イルど帰還変調コ
イルを薄膜で作製し、集積化し、た５ＱＵＩＩ）素子を
密封構造にしまたＳＱＩＪＩＤ磁束計に関する。
能な高感度磁気センサである超電ｔ１．［を子）−を歩
素子 （ＳＱＩＪＩＤ：５ｕｐｅｒｃｎｎｄｕＣｔ、
ｉｎｇ ＱｕａｎｔｕｍＩｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ Ｄ
ｅｖｉｃｅ ）に関するものである、［発明の＠瞥］ 本発明は、−枚のシリコン亭、板子にＳ Ｑ ＋Ｉ Ｉ
＋１本体、入カニフィル、検出：】イルど帰還変調コ
イルを薄膜で作製し、集積化し、た５ＱＵＩＩ）素子を
密封構造にしまたＳＱＩＪＩＤ磁束計に関する。
［従来の技４１・ｊＩ
ＳＱＬＩＩＤ磁束計は薄股集積枝術が進／１．できたこ
とにより、ジョセフソンジャンクションが作製し、８く
なっｔ二、子のｌこめ近年、ジ・ヨセフソンジへ・ニッ
クジョンを一個要するｒｆ−３ＱＵＩ［）磁束計よりも
２桁はど感度が良い、ジョセフソンジャンクションを個
要するｄｃ−５ＱＵＩＤｆｎ束計の開発が盛んに行なわ
れている。薄膜で作製した５ＱＵＩＤ ｌｌｆｌ束割は
、−枚のシリコン基板」゛（Ｊ”５ＱＵＩＤ本体、入力
コイル、検出コイルと帰還変調コイルを薄膜で集積した
ものである７このように薄膜で作製し、一体化したＳＱ
ＩＪＩＤ磁束計は（１）外部信号ど５Ｑ１１１ｒ１本体
どの結合効率が良い。■′コンパクトである、■寸法精
度の良い検出コイルの作製が司ａ）：。■多ヂャンネル
化が容易である、等の利点を刊し、ζ３シ）る、このよ
うに薄ｌｌ１Ｔ：′作製した５ＱＵＩＤ素了−は（呆護
膜どして５１０２膜て覆われでいるか、液体Ｉ（（？ど
常温間を叶イクルするため温度→ノイクルによる耐久性
に問題があっｌ−６特に金属膜（Ｎｂ）と絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ２）とびは応力やＩＩ！縮率に相違があるため、急激
に冷やしたり、常温に戻したりすると剥がれやすく、素
イが劣化する現象があった。また、液体Ｈｅから常温に
戻すとき、空気中の水分により保護膜が劣化する現象が
あった。
とにより、ジョセフソンジャンクションが作製し、８く
なっｔ二、子のｌこめ近年、ジ・ヨセフソンジへ・ニッ
クジョンを一個要するｒｆ−３ＱＵＩ［）磁束計よりも
２桁はど感度が良い、ジョセフソンジャンクションを個
要するｄｃ−５ＱＵＩＤｆｎ束計の開発が盛んに行なわ
れている。薄膜で作製した５ＱＵＩＤ ｌｌｆｌ束割は
、−枚のシリコン基板」゛（Ｊ”５ＱＵＩＤ本体、入力
コイル、検出コイルと帰還変調コイルを薄膜で集積した
ものである７このように薄膜で作製し、一体化したＳＱ
ＩＪＩＤ磁束計は（１）外部信号ど５Ｑ１１１ｒ１本体
どの結合効率が良い。■′コンパクトである、■寸法精
度の良い検出コイルの作製が司ａ）：。■多ヂャンネル
化が容易である、等の利点を刊し、ζ３シ）る、このよ
うに薄ｌｌ１Ｔ：′作製した５ＱＵＩＤ素了−は（呆護
膜どして５１０２膜て覆われでいるか、液体Ｉ（（？ど
常温間を叶イクルするため温度→ノイクルによる耐久性
に問題があっｌ−６特に金属膜（Ｎｂ）と絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ２）とびは応力やＩＩ！縮率に相違があるため、急激
に冷やしたり、常温に戻したりすると剥がれやすく、素
イが劣化する現象があった。また、液体Ｈｅから常温に
戻すとき、空気中の水分により保護膜が劣化する現象が
あった。
［発明が解決しようとする課題］
一枚のシリ−ノン基板上に５ＱＵＩＤ本体、入力°】イ
ル、検出コイルと帰還変調コイルを薄膜で簗積した５Ｑ
ＵＩＤ磁束計は薄膜で作製さねＣいるため温度ザイクル
による耐久性に問題があ−）た。
ル、検出コイルと帰還変調コイルを薄膜で簗積した５Ｑ
ＵＩＤ磁束計は薄膜で作製さねＣいるため温度ザイクル
による耐久性に問題があ−）た。
［課舵を解決するだめの１段］
本発明は上記のような課題を解決するｔ：め（１”、杜
のシリコン基板上に５ＱＵＩＤ本体、入カニ１１１ イ
ル、検出コイルと帰還変調コイルを薄膜で梁構化した５
ＱＩＪＩＤ素了を密Ｉ＝ｌ Ｌ、た構造内に封入ｔ、
ｌニー。
のシリコン基板上に５ＱＵＩＤ本体、入カニ１１１ イ
ル、検出コイルと帰還変調コイルを薄膜で梁構化した５
ＱＩＪＩＤ素了を密Ｉ＝ｌ Ｌ、た構造内に封入ｔ、
ｌニー。
［作用１
ト訃〕のように５ＱＬｉｌＤ暑；ｆを叱１１シた構造の
中（、゛封入した構成にする乙とに４Ｊ−リ、ン晶度勺
イクル、１．．：よる耐久・ｈの問題や、液体１１ｅか
ら常温に戻すときの″仝゛気中の水分によりイ犀護膜が
劣化′６る問題を解決でることが可能口あ）る。
中（、゛封入した構成にする乙とに４Ｊ−リ、ン晶度勺
イクル、１．．：よる耐久・ｈの問題や、液体１１ｅか
ら常温に戻すときの″仝゛気中の水分によりイ犀護膜が
劣化′６る問題を解決でることが可能口あ）る。
［実施例］
以ト°に本発明の一実施例について図面をな！１石しで
説明する。第１図は、薄膜で作製し、たＳＱｌ、、ＩＩ
Ｄ素Ｂ”１をユボＡシ樹脂２に張りイづ（づ、端子３は
樹脂の一辺の中心からでる構造を示している。イし。
説明する。第１図は、薄膜で作製し、たＳＱｌ、、ＩＩ
Ｄ素Ｂ”１をユボＡシ樹脂２に張りイづ（づ、端子３は
樹脂の一辺の中心からでる構造を示している。イし。
で、第２図のように１７のｊボキシ樹脂のト（、Ｔユボ
ギジ樹脂の箱４で蓋をし、エボギシの熱硬化＋３ Ｆ３
で接着する。このとき封入は減圧状態中で行なう６また
は気体１（ｅ中で行なう、このような構造にすることに
より、液体Ｈｅ温度から常温に戻しでも空気中の水分で
保護膜が劣化することを防くことが出来る。ま］：：、
急激に冷えたり、温１ｔが上か−）たり１．ないため温
度ザイクルにＪる素子の劣化も防くことが出来る。
ギジ樹脂の箱４で蓋をし、エボギシの熱硬化＋３ Ｆ３
で接着する。このとき封入は減圧状態中で行なう６また
は気体１（ｅ中で行なう、このような構造にすることに
より、液体Ｈｅ温度から常温に戻しでも空気中の水分で
保護膜が劣化することを防くことが出来る。ま］：：、
急激に冷えたり、温１ｔが上か−）たり１．ないため温
度ザイクルにＪる素子の劣化も防くことが出来る。
［発明の効果ｌ
Ｌｕ−ト説明［、たように本発明（、゛よれは、−枚の
ミ・コン基板上に薄１！！Ｔ：′イ１製し、た５ＱＬＩ
ＩＤ素子を密１・１したＩＦｌ造の中に１人することに
Ｊ、す、温度ザイクルによる耐久性の問題や、液体１（
（？から常温に戻すときの空気中の水分により保護膜が
劣化オる問題を解決することが可能である。
ミ・コン基板上に薄１！！Ｔ：′イ１製し、た５ＱＬＩ
ＩＤ素子を密１・１したＩＦｌ造の中に１人することに
Ｊ、す、温度ザイクルによる耐久性の問題や、液体１（
（？から常温に戻すときの空気中の水分により保護膜が
劣化オる問題を解決することが可能である。
第１図は本発明による密封式５ＱＵＩＤ磁束計の連封面
を示す構成図。第２図は本発明による密封式５ＱＵＩＤ
磁束入」の密封後を示す構成図、５ＱＵＩＤ素子 エボ禿ン樹脂 端子 エボギシ樹脂の箱 以、上
を示す構成図。第２図は本発明による密封式５ＱＵＩＤ
磁束入」の密封後を示す構成図、５ＱＵＩＤ素子 エボ禿ン樹脂 端子 エボギシ樹脂の箱 以、上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、微小磁場を検出するＳＱＵＩＤ磁束計において、薄
膜で形成されたＳＱＵＩＤ素子を密封する密封構造を有
することを特徴とするＳＱＵＩＤ磁束計。 ２、上記密封構造の中は減圧されている請求項１記載の
ＳＱＵＩＤ磁束計。 ３、上記密封構造の中は不活性ガスで置換されている請
求項１記載のＳＱＵＩＤ磁束計。４、上記密封構造はセ
ラミック材料、ポリカーボネイト、エポキシ樹脂、ＦＲ
Ｐでできている請求項１記載のＳＱＵＩＤ磁束計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111140A JPH049684A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 密封式ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2111140A JPH049684A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 密封式ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH049684A true JPH049684A (ja) | 1992-01-14 |
Family
ID=14553473
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2111140A Pending JPH049684A (ja) | 1990-04-26 | 1990-04-26 | 密封式ｓｑｕｉｄ磁束計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH049684A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07191116A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄ磁気センサ |
| JP2005322831A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Kanazawa Inst Of Technology | 超伝導素子の封止剤及び封止方法並びに超伝導素子 |
| CN108011033A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-08 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种squid平面梯度计芯片的封装结构及封装方法 |
-
1990
- 1990-04-26 JP JP2111140A patent/JPH049684A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07191116A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄ磁気センサ |
| JP2005322831A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Kanazawa Inst Of Technology | 超伝導素子の封止剤及び封止方法並びに超伝導素子 |
| CN108011033A (zh) * | 2017-12-22 | 2018-05-08 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种squid平面梯度计芯片的封装结构及封装方法 |
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