JPS58164278A - 薄膜ブリツジ型ｓｑｕｉｄ素子 - Google Patents
薄膜ブリツジ型ｓｑｕｉｄ素子Info
- Publication number
- JPS58164278A JPS58164278A JP57047010A JP4701082A JPS58164278A JP S58164278 A JPS58164278 A JP S58164278A JP 57047010 A JP57047010 A JP 57047010A JP 4701082 A JP4701082 A JP 4701082A JP S58164278 A JPS58164278 A JP S58164278A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- thin film
- holes
- junction
- josephson junction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/10—Junction-based devices
- H10N60/12—Josephson-effect devices
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜ブリッジＪｌｉ８ＱＵＩＤ＄子番こ関する
。
。
超高感度磁束針である８ＱＵＩＤ磁束針の８ＱＵＩＤｌ
／＆子は、ジョセフソン接合を有する超伝導体リングか
ら成る素子本体と、それに電磁的に結合された共振Ｕ路
用コイルおよび磁束入力用コイルから構成されており、
素子本体は、そのジョセフソン結合部の構造から、普遍
、点接触製、トンネル接合部および薄膜ブリッジ型に分
けられる。
／＆子は、ジョセフソン接合を有する超伝導体リングか
ら成る素子本体と、それに電磁的に結合された共振Ｕ路
用コイルおよび磁束入力用コイルから構成されており、
素子本体は、そのジョセフソン結合部の構造から、普遍
、点接触製、トンネル接合部および薄膜ブリッジ型に分
けられる。
薄膜ブリッジ＃ＭｓＱｕｉＤ本子本体は、絶縁基体上に
超伝導物質（通常ニオブまたはニオブを主成分とする合
金）を数百オングストロームのオーダーのＮＩＬさに蒸
着形成され、その主姿部であるジョセフソン接合部の躯
もまたｌ Ｊａｍのオーダーである。この薄膜製の素子
本体は機械的には比軟的安定ではあるか、ジョセフソン
接合部の抵抗値が、陽極鹸化法によって薄膜表面に形成
された酸化被膜の厚さにより一隻されているため、その
酸化被膜の犀さの経時変化から素子本体の麹命にａｔｎ
があった。しかも、ａｍ的に安定であるとはいえ、素子
本体は上記のようなディメンジョンの起伝導＊ａで４１
１成されているので、共振回路用コイルおよびｉｉｎ人
力人力用コイル取り付け、素子全体の保−ケースへの収
納など、素子の組み立て作業の際、ビンセットなどの工
具の軽い接触が素子本体Ｖ−嶺伽を与えることになりか
ねない。このことはジョセフソン接合部において特に１
に？である。
超伝導物質（通常ニオブまたはニオブを主成分とする合
金）を数百オングストロームのオーダーのＮＩＬさに蒸
着形成され、その主姿部であるジョセフソン接合部の躯
もまたｌ Ｊａｍのオーダーである。この薄膜製の素子
本体は機械的には比軟的安定ではあるか、ジョセフソン
接合部の抵抗値が、陽極鹸化法によって薄膜表面に形成
された酸化被膜の厚さにより一隻されているため、その
酸化被膜の犀さの経時変化から素子本体の麹命にａｔｎ
があった。しかも、ａｍ的に安定であるとはいえ、素子
本体は上記のようなディメンジョンの起伝導＊ａで４１
１成されているので、共振回路用コイルおよびｉｉｎ人
力人力用コイル取り付け、素子全体の保−ケースへの収
納など、素子の組み立て作業の際、ビンセットなどの工
具の軽い接触が素子本体Ｖ−嶺伽を与えることになりか
ねない。このことはジョセフソン接合部において特に１
に？である。
本発明は、上記のような欠点を除去するため、特にジョ
セフソン接合部の酸化促進を抑え、かつ、その部分Ｖ−
概械的保験手段をほどこした、薄膜ブリッジＪｉｉｊ８
ＱＩＪ１１）素子を提供することを目的としている。
セフソン接合部の酸化促進を抑え、かつ、その部分Ｖ−
概械的保験手段をほどこした、薄膜ブリッジＪｉｉｊ８
ＱＩＪ１１）素子を提供することを目的としている。
本発明は、絶縁体から成る基体と、その上に蒸着形成さ
れ、少なくとも１個のジョセフソン接合部を有する、超
伝導薄膜から成る薄膜ブリッジ型８ＱＵＩＤｇ子本体と
、少なくとも上記ジョセフソン接合部を扱って上記８Ｑ
ＵＩＤ素子本体上に、例えば、熱伝導性のよい耐高衝撃
性の常温硬化エポキシ樹脂を用いて貼着された石英、サ
ファイヤ、シリコン等の絶縁体とから構成されている。
れ、少なくとも１個のジョセフソン接合部を有する、超
伝導薄膜から成る薄膜ブリッジ型８ＱＵＩＤｇ子本体と
、少なくとも上記ジョセフソン接合部を扱って上記８Ｑ
ＵＩＤ素子本体上に、例えば、熱伝導性のよい耐高衝撃
性の常温硬化エポキシ樹脂を用いて貼着された石英、サ
ファイヤ、シリコン等の絶縁体とから構成されている。
以下に本発明の実施例を図に基づいて説明する。
先づｓ１図は従来の薄膜ブリッジ製ＩＱＵＩＬ）３に子
の構造を示す斜視図である。図において１Ｉｋｆ１１麩
体ｌの上にｌＩｋ看形酸形成た素子本体２は、ジョセフ
ソン接合部３を挾んで両側に１つづつ大を有し、全体で
メガネ状の超伝導リングを形成している。
の構造を示す斜視図である。図において１Ｉｋｆ１１麩
体ｌの上にｌＩｋ看形酸形成た素子本体２は、ジョセフ
ソン接合部３を挾んで両側に１つづつ大を有し、全体で
メガネ状の超伝導リングを形成している。
各々の穴には馳々に共振回路用コイル４と、磁束入力用
コイル６がそれぞれ挿入されている。共振回路用コイル
４には共振用コンデンサ５か並列に接続されている。こ
れを回路図で示したものが第２ａＱで、全体は破線７で
示した保−ケースに密封した後、超伝導シールド・ケー
スに納給る。本発明の１つの実施例番こよる８ＱＬＩ
Ｉ Ｄ素子は、上記薄ｉＩ型８ＱＵＩＤ素子本体２の上
に、さらに絶縁体からなる保Ｓ＆を貼着したものであり
、第１図はその斜視透視図である。図において上記保Ｍ
板８には素子本体の超伝導リングの穴に対応させて上記
の各コイルを挿入するための大があけられている（図で
はコイルは省略されている）。このような構造により超
伝導薄膜は外気から１ｌｌｌｌｒされるので酸化の進行
が阻止され、また機械的にも保験される。さらに、必ｔ
ＬＶ一応じてこの保験板８を各コイルのリード線並びに
端子の１定に利用することも可能で、素子全体の小製化
にも役立つ。なお、塾４図は第３図に示す素子の＠面図
で、保験板８か接着剤９で超伝導薄膜２に貼着されてい
ることを示す。
コイル６がそれぞれ挿入されている。共振回路用コイル
４には共振用コンデンサ５か並列に接続されている。こ
れを回路図で示したものが第２ａＱで、全体は破線７で
示した保−ケースに密封した後、超伝導シールド・ケー
スに納給る。本発明の１つの実施例番こよる８ＱＬＩ
Ｉ Ｄ素子は、上記薄ｉＩ型８ＱＵＩＤ素子本体２の上
に、さらに絶縁体からなる保Ｓ＆を貼着したものであり
、第１図はその斜視透視図である。図において上記保Ｍ
板８には素子本体の超伝導リングの穴に対応させて上記
の各コイルを挿入するための大があけられている（図で
はコイルは省略されている）。このような構造により超
伝導薄膜は外気から１ｌｌｌｌｒされるので酸化の進行
が阻止され、また機械的にも保験される。さらに、必ｔ
ＬＶ一応じてこの保験板８を各コイルのリード線並びに
端子の１定に利用することも可能で、素子全体の小製化
にも役立つ。なお、塾４図は第３図に示す素子の＠面図
で、保験板８か接着剤９で超伝導薄膜２に貼着されてい
ることを示す。
次に、本発明の他の実施例を説明す、る。この実施例で
は保験板に各コイル挿入用の穴を設けず、保−板の向上
、超伝導リングの穴に対応する場所に、スパイラル状の
コイルを１以ってＭｌないし埋め込んでおき、この面を
下にして超伝導ｉ！膜上・こ貼着する。第５図は保−板
にコイル１０を蒸着ないし皺め込んで構成された薄膜ｇ
８ＱＵＩＤ３に子を示す。図においてリード線１１はコ
イルを設けた面と反対側の伽から導出されている。
は保験板に各コイル挿入用の穴を設けず、保−板の向上
、超伝導リングの穴に対応する場所に、スパイラル状の
コイルを１以ってＭｌないし埋め込んでおき、この面を
下にして超伝導ｉ！膜上・こ貼着する。第５図は保−板
にコイル１０を蒸着ないし皺め込んで構成された薄膜ｇ
８ＱＵＩＤ３に子を示す。図においてリード線１１はコ
イルを設けた面と反対側の伽から導出されている。
以上説明したよう曇こ、本発明・こよれは、超伝導薄膜
から成る素子本体の酸化の進行が阻止され、ａｍ的にも
保−されているばかりでなく、保＠板を利用して各コイ
ルのリード線および端子の処理かできるので素子全体の
小製化か容易で、かつ、機械的振動に対しても安定な、
薄膜製８ＱＵ ｌ ｉ）素子か得られる。
から成る素子本体の酸化の進行が阻止され、ａｍ的にも
保−されているばかりでなく、保＠板を利用して各コイ
ルのリード線および端子の処理かできるので素子全体の
小製化か容易で、かつ、機械的振動に対しても安定な、
薄膜製８ＱＵ ｌ ｉ）素子か得られる。
１８１図は従来の薄膜ｇａＱＵＩＤ累子を示す図、１１
８２図は８ＱＵ １ ［）素子の回路図である。第３図
。 第４図およびｓ５図は本発明の詳細な説明する図である
。 ｌ・・・蒸暑Ｊｉｋ＆ ２・・・超伝導薄膜から成る素子本体 ３・・・ジョセフソン接合 ４・・・発振回路用コイル ５・・・発振回路用コンデンサー ６・・・磁束入力用コイル ７・・・保−ケース ８・・・保躾鈑 ９・・・接着剤の層 １０・・・スパイラル状に形成されたコイル１１・・・
リード線 特許出願人 株式会社島津勢作所 代理人 弁理士 西 １） 新
８２図は８ＱＵ １ ［）素子の回路図である。第３図
。 第４図およびｓ５図は本発明の詳細な説明する図である
。 ｌ・・・蒸暑Ｊｉｋ＆ ２・・・超伝導薄膜から成る素子本体 ３・・・ジョセフソン接合 ４・・・発振回路用コイル ５・・・発振回路用コンデンサー ６・・・磁束入力用コイル ７・・・保−ケース ８・・・保躾鈑 ９・・・接着剤の層 １０・・・スパイラル状に形成されたコイル１１・・・
リード線 特許出願人 株式会社島津勢作所 代理人 弁理士 西 １） 新
Claims (1)
- 絶縁体から成る基体と、その上に蒸着形成され、少なく
とも１個のジョセフソン接合部を有する、超伝導薄膜か
ら成る薄膜ブリッジ３８ＱＵＩＤ＄子本体と、少なくと
も上記ジョセフソン接合部を―つて上記８Ｑ［ＪＩＤｌ
子本体上に貼着された絶縁体とから構成された、薄膜ブ
リッジＩＮ！８ＱＵ ＩＤ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57047010A JPS58164278A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 薄膜ブリツジ型ｓｑｕｉｄ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57047010A JPS58164278A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 薄膜ブリツジ型ｓｑｕｉｄ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58164278A true JPS58164278A (ja) | 1983-09-29 |
| JPH0336314B2 JPH0336314B2 (ja) | 1991-05-31 |
Family
ID=12763193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57047010A Granted JPS58164278A (ja) | 1982-03-23 | 1982-03-23 | 薄膜ブリツジ型ｓｑｕｉｄ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58164278A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059981U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | 株式会社島津製作所 | 超伝導磁力計素子 |
| US4916116A (en) * | 1987-05-06 | 1990-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of adding a halogen element into oxide superconducting materials by ion injection |
| US4959345A (en) * | 1987-05-06 | 1990-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of adding oxygen into oxide superconducting materials by ion injection |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667979A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation method of josephson element |
-
1982
- 1982-03-23 JP JP57047010A patent/JPS58164278A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5667979A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | Preparation method of josephson element |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6059981U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | 株式会社島津製作所 | 超伝導磁力計素子 |
| US4916116A (en) * | 1987-05-06 | 1990-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of adding a halogen element into oxide superconducting materials by ion injection |
| US4959345A (en) * | 1987-05-06 | 1990-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of adding oxygen into oxide superconducting materials by ion injection |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336314B2 (ja) | 1991-05-31 |
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