JPH0493312A - 半導体封止用樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用樹脂組成物Info
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- JPH0493312A JPH0493312A JP21019190A JP21019190A JPH0493312A JP H0493312 A JPH0493312 A JP H0493312A JP 21019190 A JP21019190 A JP 21019190A JP 21019190 A JP21019190 A JP 21019190A JP H0493312 A JPH0493312 A JP H0493312A
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Landscapes
- Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)
- Silicon Polymers (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はガラス転移点(以下Tgという)が高く、耐湿
性、相溶性に優れ、かつ低応力特性に憬れた半導体封止
用樹脂組成物に関するものである。
性、相溶性に優れ、かつ低応力特性に憬れた半導体封止
用樹脂組成物に関するものである。
(従来技術)
近年IC,LSI、トランジスター、ダイオードなどの
半導体素子や電子回路等の封止には特性、コスト等の点
からエポキシ樹脂組成物が一般的1こ用いられている。
半導体素子や電子回路等の封止には特性、コスト等の点
からエポキシ樹脂組成物が一般的1こ用いられている。
しかし、電子部品の量産性指向、高集積化や表面実装化
の方向に進んで来ておりこれに伴い封止樹脂に対する要
求は厳しくなってきている。
の方向に進んで来ておりこれに伴い封止樹脂に対する要
求は厳しくなってきている。
特に高集積化に伴うチップの大型化、パッケージの薄肉
化や表面実装時における半田浸漬(200〜300°C
)によって装置にクラックが発生し易くなっており、信
頼性向上のために半導体封止用樹脂としては低応力特性
と耐熱性が強く望まれている。
化や表面実装時における半田浸漬(200〜300°C
)によって装置にクラックが発生し易くなっており、信
頼性向上のために半導体封止用樹脂としては低応力特性
と耐熱性が強く望まれている。
半導体封止用樹脂としては現在エポキシ樹脂が主流であ
るが、耐熱性という点ではエポキシ樹脂を用いている限
り改良に限界があり、表面実装時の半田浸漬後の信頼性
の高いものが得られていない。
るが、耐熱性という点ではエポキシ樹脂を用いている限
り改良に限界があり、表面実装時の半田浸漬後の信頼性
の高いものが得られていない。
これらの半田耐熱性(二対処するには樹脂特性として低
応力であり、かつTgが高く半田浴温度以上であること
が望まれている。
応力であり、かつTgが高く半田浴温度以上であること
が望まれている。
エポキシ樹脂に代わる高耐熱性を有する樹脂としてはマ
レイミド樹脂が?上目されてきているが、ビスマレイミ
ドと芳香族ジアミンとの反応1こよって得られるアミン
変性マレイミド樹脂は、乾燥時の耐熱性には優れている
が、吸水率が大きく、吸湿時の半田浸漬でクラックを発
生し、信頼性に乏しい欠点がある。
レイミド樹脂が?上目されてきているが、ビスマレイミ
ドと芳香族ジアミンとの反応1こよって得られるアミン
変性マレイミド樹脂は、乾燥時の耐熱性には優れている
が、吸水率が大きく、吸湿時の半田浸漬でクラックを発
生し、信頼性に乏しい欠点がある。
マレイミド樹脂としては、この他に、ポリマレイミドと
フルケールフェノール類またはアルケニルフェニルエー
テル類などを重合触媒存在下で反応させる例(特開昭5
2−994.58−117219.61−95012.
62−11716.63−230728号公報)もある
が、アミン変性マレイミド樹脂と同様に硬化物は堅いた
め、低応力特性に劣る欠点がある。
フルケールフェノール類またはアルケニルフェニルエー
テル類などを重合触媒存在下で反応させる例(特開昭5
2−994.58−117219.61−95012.
62−11716.63−230728号公報)もある
が、アミン変性マレイミド樹脂と同様に硬化物は堅いた
め、低応力特性に劣る欠点がある。
低応力特性の改善策として各種シリコーン化合物の添加
が試みられているが、相溶性が著しく劣り、強度が低下
し、吸水率が大きくて、耐湿性、信頼性に欠け、実用上
問題点が多く残る。
が試みられているが、相溶性が著しく劣り、強度が低下
し、吸水率が大きくて、耐湿性、信頼性に欠け、実用上
問題点が多く残る。
(発明が解決しようとする課H)
本発明の目的とするところは相溶性が良く、般の特性を
低下させることなく、耐湿性、低応力特性に優れ、かつ
高耐熱性を有し、半田浸漬後の信頼性に非常に優れた半
導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
低下させることなく、耐湿性、低応力特性に優れ、かつ
高耐熱性を有し、半田浸漬後の信頼性に非常に優れた半
導体封止用樹脂組成物を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
本発明は、(1)(A)下記式〔I〕又は(IT )で
示されるポリフェノール類の単独又は共縮合物又は混合
物のプロパルギルエーテル化合物と、(R□コーB、−
CH3、−CF3、−()、又は−(D→叶R2: −
H,−CH3、又は−CF、 0≦n<30)(B)
下記式(Tll)で示されるポリシロキサンと、(X
: −H,+cH2h門壮2、+cH2h−O−CH2
−CH−CH2、\/ −CH”CH2又は −CH2−CH”CH2CH3ニ
ーCH3、−CF3、=(D、又はXの中からそれぞれ
独立に選択された基 :J=1〜100) を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、 (2)プロパルギルエーテル化合物(A)とボリシロキ
サン(B)とを予め反応させてプレボッマーとした特許
請求の範囲第1項記載の半導体封止用樹脂組成物である
。
示されるポリフェノール類の単独又は共縮合物又は混合
物のプロパルギルエーテル化合物と、(R□コーB、−
CH3、−CF3、−()、又は−(D→叶R2: −
H,−CH3、又は−CF、 0≦n<30)(B)
下記式(Tll)で示されるポリシロキサンと、(X
: −H,+cH2h門壮2、+cH2h−O−CH2
−CH−CH2、\/ −CH”CH2又は −CH2−CH”CH2CH3ニ
ーCH3、−CF3、=(D、又はXの中からそれぞれ
独立に選択された基 :J=1〜100) を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物、 (2)プロパルギルエーテル化合物(A)とボリシロキ
サン(B)とを予め反応させてプレボッマーとした特許
請求の範囲第1項記載の半導体封止用樹脂組成物である
。
(作用)
本発明において用いられるポリフェノール類のプロパル
ギルエーテル化合物は、式(1)又は式[: II )
で示されるポリフェノール類の単独又は共縮合物又は混
合物を、塩化プロパルギル又は臭化プロパルギルと反応
させ、プロパルギルエーテル化したものである。式〔I
〕又は式(II )のn。
ギルエーテル化合物は、式(1)又は式[: II )
で示されるポリフェノール類の単独又は共縮合物又は混
合物を、塩化プロパルギル又は臭化プロパルギルと反応
させ、プロパルギルエーテル化したものである。式〔I
〕又は式(II )のn。
mは、ボ17フエノール類が単一化合物の場合には、0
内に示された構造単位の繰返し数を示し、又分子量の異
なる2種以上の化合物から構成される場合には、平均繰
返し数を示し、縮合物の場合には、縮合物中に存在する
それぞれの構造単位の全体としての平均繰返し数を示し
、0≦n、m<30である。好ましくは、0≦n、m≦
10が良い。分子量が大き過ぎると、融点及び溶融粘度
が高くなって作業が困難になる。
内に示された構造単位の繰返し数を示し、又分子量の異
なる2種以上の化合物から構成される場合には、平均繰
返し数を示し、縮合物の場合には、縮合物中に存在する
それぞれの構造単位の全体としての平均繰返し数を示し
、0≦n、m<30である。好ましくは、0≦n、m≦
10が良い。分子量が大き過ぎると、融点及び溶融粘度
が高くなって作業が困難になる。
プロパルギルエーテル化率は、フェノール性OH基に対
し、50%以上100%以下が好ましい。50%未満で
はフェノール性叶基が多量に残存するため、吸水率が大
きくなり、耐湿性、耐半田クラック性が向上しない。
し、50%以上100%以下が好ましい。50%未満で
はフェノール性叶基が多量に残存するため、吸水率が大
きくなり、耐湿性、耐半田クラック性が向上しない。
本発明において用いられるポリシロキサンは、分子内に
2個以上の反応性の基を有するもので、式([I)で示
され、その重合度jは1〜100の範囲のものである。
2個以上の反応性の基を有するもので、式([I)で示
され、その重合度jは1〜100の範囲のものである。
重合度が100より大きい場合、相溶性が低下してしま
う。
う。
ポリシロキサンは、プロパルギルエーテル化合物100
重量部に対し、2〜100重量部が良い。少な過ぎると
、低応力特性が得られない。多過ぎると、機械強度、T
gが下がり、半田浸漬時にクラックを発生する。
重量部に対し、2〜100重量部が良い。少な過ぎると
、低応力特性が得られない。多過ぎると、機械強度、T
gが下がり、半田浸漬時にクラックを発生する。
プロパルギルエーテル化合物とポリシロキサンは予め必
要に応じて触媒を用い反応させておくことが望ましい。
要に応じて触媒を用い反応させておくことが望ましい。
上記反応の触媒は特に限定されるものではないが、−例
を示すと、(m)式におけるXが−Hの場合は、ヒドロ
シリル基とオレフィンとの反応に使用される触媒である
塩化白金酸などを用いることができ、Xが フェノールとの反応に使用される触媒である3級アミン
類、イミダゾール類、ホスフィン類などを用いることが
でき、Xが−CH:CH2、−CH2−CH”CH2の
場合は、有機化酸化物を用いることができる。
を示すと、(m)式におけるXが−Hの場合は、ヒドロ
シリル基とオレフィンとの反応に使用される触媒である
塩化白金酸などを用いることができ、Xが フェノールとの反応に使用される触媒である3級アミン
類、イミダゾール類、ホスフィン類などを用いることが
でき、Xが−CH:CH2、−CH2−CH”CH2の
場合は、有機化酸化物を用いることができる。
Xが−((: 82 升→H2の場合は、特に触媒を用
いなくでも加熱によって反応させることができる。
いなくでも加熱によって反応させることができる。
本発明の半導体封止用樹脂組成物を用いて成形材料化す
るには硬化促進剤、無機充填材、滑剤、難燃剤、離型剤
、シランカップリング剤等を必要に応じて適宜配合添加
し、加熱混練することによって材料化できる。
るには硬化促進剤、無機充填材、滑剤、難燃剤、離型剤
、シランカップリング剤等を必要に応じて適宜配合添加
し、加熱混練することによって材料化できる。
(実施例)
[プロパルギルエーテル化合物の合成〕合成例1〜3
撹拌装置、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを付けた
反応容器に、第1表の処方に従って、水酸化カリウムと
、水/アセトン(1/1)の混合溶媒を入れて溶解させ
、これにポリフェノール類を添加し、溶解させた。この
溶液を加熱し、塩化プロパルギルを滴下して、還流下3
時間反応させた。その後、塩酸で中和して、アセトンと
未反応の塩化プロパルギルを留去し、トルエン1゛1に
を添加した。分液ロートに移し、水洗を3回行い、エバ
ポレーターで溶媒を除去した。
反応容器に、第1表の処方に従って、水酸化カリウムと
、水/アセトン(1/1)の混合溶媒を入れて溶解させ
、これにポリフェノール類を添加し、溶解させた。この
溶液を加熱し、塩化プロパルギルを滴下して、還流下3
時間反応させた。その後、塩酸で中和して、アセトンと
未反応の塩化プロパルギルを留去し、トルエン1゛1に
を添加した。分液ロートに移し、水洗を3回行い、エバ
ポレーターで溶媒を除去した。
得られた化合物のプロパルギルエーテル化率(フェノー
ル性水酸基の反応率)を第1表に示した。
ル性水酸基の反応率)を第1表に示した。
実施例1〜2
撹拌装置、還流冷却器及び温度計を付けた反応容器に、
合成例1又は合成例2のプロパルギルエーテル化合物と
トルエンを第2表の処方に従って入れ、均一に溶解して
から、塩化白金酸溶液を添加した。これにジヒドロポリ
シロキサンを加え、80°Cで2時間反応させた。その
後、還流冷却器を減圧蒸留装置に代えて溶媒を除去し、
更に減圧下(約20miHg) 180°Cで4時間反
応させた。得られたポリシロキサン変性プロパルギルエ
ーテル化樹脂は、均質であった。
合成例1又は合成例2のプロパルギルエーテル化合物と
トルエンを第2表の処方に従って入れ、均一に溶解して
から、塩化白金酸溶液を添加した。これにジヒドロポリ
シロキサンを加え、80°Cで2時間反応させた。その
後、還流冷却器を減圧蒸留装置に代えて溶媒を除去し、
更に減圧下(約20miHg) 180°Cで4時間反
応させた。得られたポリシロキサン変性プロパルギルエ
ーテル化樹脂は、均質であった。
実施例3
撹拌装置、減圧蒸留装置及び温度計を付けた反応容器に
、合成例3のプロパルギルエーテル化合物とジアミノポ
リシロキサンとを第2表の処方に従って入れ、減圧下(
約20mmHg) 180℃で6時間反応させた。得ら
れたポリシロキサン変性プロパルギルエーテル化樹脂は
、均質であった。
、合成例3のプロパルギルエーテル化合物とジアミノポ
リシロキサンとを第2表の処方に従って入れ、減圧下(
約20mmHg) 180℃で6時間反応させた。得ら
れたポリシロキサン変性プロパルギルエーテル化樹脂は
、均質であった。
実施例4〜6
第3表に示す配合に従って、実施例1〜3で得たポリシ
ロキサン変性プロパルギルエーテル化樹脂lこ、硬化促
進剤、シリカ粉末、アミノシラン、着色剤および離型剤
を加え、熱ロールで混練して成形材料を得た。得られた
成形材料をトランスファー成形により180°C,3分
で成形しフクレの無い光沢の有る成形品が得られた。こ
の成形品をさらに180°C18時間後硬化を行い特性
を評価した。
ロキサン変性プロパルギルエーテル化樹脂lこ、硬化促
進剤、シリカ粉末、アミノシラン、着色剤および離型剤
を加え、熱ロールで混練して成形材料を得た。得られた
成形材料をトランスファー成形により180°C,3分
で成形しフクレの無い光沢の有る成形品が得られた。こ
の成形品をさらに180°C18時間後硬化を行い特性
を評価した。
結果を第3表に示す。
実施例1〜3の樹脂を用いた実施例4〜6の成形材料は
、シリコーンを含まない比較例1に比べ常温での曲げ弾
性率が小さく、低応力で、内部応力も小さい。しかも、
ガラス転移温度が高く、260°Cでの曲げ強度も大き
く、耐熱性、耐半田クラック性に優れ、吸水率も小さい
。
、シリコーンを含まない比較例1に比べ常温での曲げ弾
性率が小さく、低応力で、内部応力も小さい。しかも、
ガラス転移温度が高く、260°Cでの曲げ強度も大き
く、耐熱性、耐半田クラック性に優れ、吸水率も小さい
。
比較例1
ボ17シロキサンを含まない合成例1のプロパルギルエ
ーテル化合物を用い、実施例4と同様に行った。成形品
の外観、曲げ強度、耐熱性は良好であるが、曲げ弾性率
が大きく、耐半田クラック性は充分でない。
ーテル化合物を用い、実施例4と同様に行った。成形品
の外観、曲げ強度、耐熱性は良好であるが、曲げ弾性率
が大きく、耐半田クラック性は充分でない。
比較例2
エポキシ樹脂を用い、実施例4と同様に行った。
耐熱性が劣るため、耐半田クラック性が非常に悪い。
比較例3
マレイミド樹脂を用い、実施例4と同様に行った。耐熱
性は優れているが、曲げ弾性率と吸水率が大きく、耐半
田クラック性は充分でない。
性は優れているが、曲げ弾性率と吸水率が大きく、耐半
田クラック性は充分でない。
比較例4
マレイミド樹脂にポリシロキサンを配合して、実施例4
と同様)こ行った。マレイミド樹脂とポリシロキサンの
相溶性が悪く、成形品の外観は良くなかった。吸水率は
大きく、耐半田クラック性も不良であった。
と同様)こ行った。マレイミド樹脂とポリシロキサンの
相溶性が悪く、成形品の外観は良くなかった。吸水率は
大きく、耐半田クラック性も不良であった。
(発明の効果)
本発明による半導体封止用樹脂を用いた組成物の硬化物
は高Tgであり、耐湿性及び熱時の強度に優れているた
め封止体の耐半田クラック性が良く、かつ低応力であり
耐ヒートサイクル性にも優れており、半導体封止用樹脂
組成物として非常に信頼性の高い優れたものである。
は高Tgであり、耐湿性及び熱時の強度に優れているた
め封止体の耐半田クラック性が良く、かつ低応力であり
耐ヒートサイクル性にも優れており、半導体封止用樹脂
組成物として非常に信頼性の高い優れたものである。
Claims (2)
- (1)(A)下記式〔 I 〕又は〔II〕で示されるポリ
フェノール類の単独又は共縮合物又は混合物のプロパル
ギルエーテル化合物と、 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 (R_1:−H、−CH_3、−CF_3、▲数式、化
学式、表等があります▼、又は▲数式、化学式、表等が
あります▼R_2:−H、−CH_3、又は−CF_3
0≦n<30)▲数式、化学式、表等があります▼・・
・〔II〕 (0≦m<30) (B)下記式〔III〕で示されるポリシロキサンと、▲
数式、化学式、表等があります▼・・・・・・〔III〕 (X:−H、▲数式、化学式、表等があります▼、▲数
式、化学式、表等があります▼、 −CH=CH_2又は−CH_2−CH=CH_2R_
3:−CH_3、−CF_3、▲数式、化学式、表等が
あります▼、又はXの中からそれぞれ独立に選択された
基 j:1〜100) を含有することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 - (2)プロパルギルエーテル化合物(A)とポリシロキ
サン(B)とを予め反応させてプレポリマーとした特許
請求の範囲第1項記載の半導体封止用樹脂組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21019190A JPH0493312A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21019190A JPH0493312A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0493312A true JPH0493312A (ja) | 1992-03-26 |
Family
ID=16585294
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21019190A Pending JPH0493312A (ja) | 1990-08-10 | 1990-08-10 | 半導体封止用樹脂組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0493312A (ja) |
-
1990
- 1990-08-10 JP JP21019190A patent/JPH0493312A/ja active Pending
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