JPH044213A - 半導体封止用樹脂の製造方法 - Google Patents

半導体封止用樹脂の製造方法

Info

Publication number
JPH044213A
JPH044213A JP10544190A JP10544190A JPH044213A JP H044213 A JPH044213 A JP H044213A JP 10544190 A JP10544190 A JP 10544190A JP 10544190 A JP10544190 A JP 10544190A JP H044213 A JPH044213 A JP H044213A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin
reaction
formulas
parts
tables
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP10544190A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenichi Suzuki
憲一 鈴木
Hisafumi Enoki
尚史 榎
Hikari Okubo
光 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP10544190A priority Critical patent/JPH044213A/ja
Publication of JPH044213A publication Critical patent/JPH044213A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明はガラス転移点(以下Tgという)が高く、耐湿
性、相溶性に優れ、かつ低応力特性に優れた半導体封止
用樹脂の製造方法に関するものである。
(従来技術) 近年IC,LSI、トランジスター、ダイオードなどの
半導体素子や電子回路等の封止には特性、コスト等の点
からエポキシ樹脂組成物が一般的に用いられている。
しかし、電子部品の量産性指向、高集積化や表面実装化
の方向に・進んで来ておりこれに伴い封止樹脂に対する
要求は厳しくなってきている。
特に高集積化に伴うチップの大型化、パッケージの薄肉
化や表面実装時における半田浸漬(200〜300°C
)によって装置にクラックが発生し易くなっており、信
頼性向上のために半導体封止用樹脂としては低応力特性
と耐熱性が強く望まれている。
半導体封止用樹脂としては現在エポキシ樹脂が主流であ
るが、耐熱性という点ではエポキシ樹脂を用いている限
り改良に限界があり、表面実装時の半田浸漬後の信頼性
の高いものが得られていない。
これらの半田耐熱性に対処するには樹脂特性として低応
力であり、かつTgが高く半田浴温度以上であることが
望まれている。
エポキシ樹脂に変わる高耐熱性を有する樹脂としてはマ
レイミド樹脂が注目されてきているが、ビスマレイミド
と芳香族ジアミンとの反応によって得られるアミン変性
マレイミド樹脂は、乾燥時の耐熱性には優れているが、
吸水率が大きく、吸湿時の半田浸漬でクラックを発生し
、信頼性に乏しい欠点がある。
マレイミド樹脂としては、この他に、ポリマレイミドと
アルケニルフェノール類またはアルケニルフェニルエー
テル類などを重合触媒存在下で反応させる例(特開昭5
2−994.58−117219.61−95012.
62−11716.63−230728号公報)もある
が、アミン変性マレイミド樹脂と同様に硬化物は堅いた
め、低応力特性に劣る欠点がある。
低応力特性の改善策として各種シリコーン化合物の添加
が試みられているが、相溶性が著しく劣り、強度が低下
し、吸水率が大きくて、耐湿性、信頼性に欠け、実用上
問題点が多く残る。
(発明が解決しようとする課M) 本発明の目的とするところは相溶性が良く、殻の特性を
低下させることなく、耐湿性、低応力特性に優れ、かつ
高耐熱性を有し、半田浸漬後の信頼性に非常に優れた半
導体封止用樹脂の製造方法を提供することにある。
(課題を解決するための手段) 本発明は、(A)ポリマレイミド100重量部と、(B
、)下記式CI)で示されるジグリシジルポリシロキサ
ンと、下記式(II )で示されるジアリルビスフェノ
ール類とを、 「 (R4ニー0−1−CH2−1−C−1−(直接結合)
 )CH3 モル比が1.2:l〜0.8:1で、アニオン触媒の存
在下において、反応率が8C%以上になるまで反応させ
て得られる付加重合物5〜100重量部と、(C)下記
式(I[I)の組成で示されるアリル化フェノール樹脂
 10〜100重量部とを(R1:アルキレン基又はフ
ェニレン基R2、R3:アルキル基又はフェニル基n=
1〜100の整数) ・・・CI) (0< a、b 、c <100かッa + b + 
c = 100a、b、cは各組成の百分率を示す。)
生成樹脂の融点が50〜12Ω°Cピなるまで反応させ
ることを特徴とする半導体封止用樹脂の製造方法である
(作用) 本発明において用いられるポリマレイミドの具体例とし
ては、N、N’−m−フェニレンビスマレイミド、N、
N’−P−フェニレンビスマレイミド、N、N’−m−
トルイレンビスマレイミド、N、N’−4,4’−ビフ
ェニレンビスマレイミド、N、N’−4,4’−(3,
3’−ジメチルービフェニルン〕ビスマレイミド、N、
N’−4,4’−(3,3’−ジメチルジフェニルメタ
ン〕ビスマレイミド、N、N’−4,4’−(3,3’
−ジエチルジフェニルメタン〕ビスマレイミド、N、N
’−4,4’−ジフェニルメタンビスマレイミド、N、
N’−4,4’−ジフェニルプロパンビスマレイミド、
N、N’−’4.4’−ジフェニルエーテルビスマレイ
ミド、N、N’−3,3’−ジフェニルスルホンビスマ
レイミド、N、N’−4,4’−ジフェニルスルホンビ
スマレイミド、−船蔵(IV)又はCV)で示される多
官能マレイミドなどを挙げることができる。これらは2
種以上含まれていても何ら差し支えない。
(R5ニーH、アルキル基又はフェニル基0<i<10
) (Q<j<10) 本発明に用いられるジグリシジルポリシロキサンは下記
式(I)で示されるポリシロキサンであり、その重合度
nは1〜100の範囲のものである。
・・・CI) R2とじては炭素数1〜6のアルキレン基又はフェニレ
ン基が一般であり、R2、R3としては炭素数1〜4の
アルキル基又はフェニル基が一般である。
このジグリシジルポリシロキサンの重合度nが100よ
り大きい場合、相溶性が非常に低下してしまう。
ジアリルビスフェノール類は、下記式(II )で示さ
れるものである。
ジグリシジルポリシロキサンに対するジアリルビスフェ
ノール類の量は、モル比が1.2:1〜0.8:1、好
ましくは1:1が良い。ポリシロキサンとビスフェノー
ル類とのブロック共重合物は、ポリマレイミドとの相溶
性が良好で、マレイミド樹脂の耐熱性と機械強度を維持
して弾性率と吸水率を下げるのに有効である。
この反応において、触媒はアニオン触媒が用いられる。
無触媒系では反応に長時間を要し好ましくない。アニオ
ン触媒としてはトリエタノールアミン、トリブチルアミ
ン、ベンジル−ジメチルアミン、2,4.6−トワス(
ジメチルアミノメチル)フェノールなどの3級アミンも
使用できるが、反応時の安定性や保存性の点で有機ホス
フィン類が特に好ましい。有機ホスフィン類としては、
例えばトリフェニルホスフィン、トリーメトキシフェニ
ルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリオクチルホ
スフィン、トリー2−シアンエチルホスフィンなどを挙
げることができる。有機ホスフィン類は、ジグリシジル
ポリシロキサン・ジアリルビスフェノール類100重量
部に対して0.005〜5重量部が好ましい。0.00
5重量部以下であれば、反応に長時間を要し、また5重
量部以上であれば保存性が低下する。
反応は、100〜200°Cの温度で、反応率が少なく
とも80%以上になるまで行うのが良い。反応率が80
%未満のものを用いると成形品に遊離のポリシロキサン
成分が滲み出し、外観を損ねたり、金型くもりを発生す
る。また相溶性も向上しない。
アリル化フェノール樹脂は、フェノール樹脂を塩化アリ
ル又は臭化アリルと反応させ、アリル化したもので、下
記式(III )の組成で示されるもので、樹脂中にそ
れぞれの構造をもつ部分が全体としてa、b、cの比で
存在しているものである。
(0< a、b 、c <100かツa + b + 
c = 100a、b、cは、各組成の百分率(%)を
示す)好ましくは、20≦a≦80.10≦b≦50が
良い。
C成分は、熱時強度の向上と吸水率を下げるのに効果が
あるが、ポリマレイミドとの樹脂生成反応においては、
殆ど反応しないため、多過ぎると樹脂が固形化せず、相
溶性、作業性が悪化する。
b成分は、ポリマレイミドとの樹脂生成反応においてマ
レイミド基と反応し、ポリマレイミドとポリシロキサン
との相溶性を改善する重要な成分である。しかし、多過
ぎると硬化物中にフェノール性水酸基が増えるため、吸
水率が大きくなって好ましくない。
C成分は、少ないほど好ましい。
ポリマレイミド(A)とジグリシジルポリシロキサン・
ジアリルビスフェノール類の付加重合物(B)とアリル
化フェノール樹脂(C)との反応は、反応条件を特に限
定するものではないが、例を示すと、(B)と(C)と
を130〜150°Cに加熱し、これに(A)を添加し
て行うことができる。
ジアリルビスフェノール類の付加重合物は、ポリマレイ
ミド100重置部に対し、5〜100重量部、好ましく
は10〜80重量部が良い。少な過ぎると低応力特性が
得られない。多過ぎると機械強度、Tgが下がり、半田
浸漬時にクラックを発生する。
(C)のアリル化フェノール樹脂の量は、ポリマレイミ
ド100重量部に対し、10〜100重量部、好ましく
は10〜80重量部が良い。(A)と(B)との相溶性
を高め、溶融粘度を下げ、反応を円滑に進める。しかし
、多過ぎると耐熱性が低下し半田浸漬時にクラックが発
生し易くなる。
反応の終点は、得られた樹脂の融点が50〜120°C
となるまで行うことが好ましい。なお、反応の終点を確
認するには、反応系より少量の樹脂を取り出し、冷却し
、融点を測定し、確認する。
得られた樹脂を用いて成形材料化するには、この樹脂に
、エポキシ樹脂、硬化促進剤、無機充填材、滑剤、難燃
剤、離型剤やシランカップリング剤等を必要に応じて適
宜配合添加し、均一に混合した組成物をニーダ−1熱ロ
ール等により混線処理を行い、冷却後粉砕して成形材料
とする。
得られた成形材料を半導体の封止用として用いれば高T
gであり、しがも低応力特性に優れ、非常に信頼性の高
い半導体封止用樹脂組゛酸物を得ることができる。
(実施例) [アリル化フェノール樹脂の合成] 合成例1 撹拌装置、還流冷却器、温度計及び滴下ロートを付けた
反応容器に、水酸化カリウム76重量部と、水/アセト
ン(1/1)の混合浴! 500重量部とを入れて溶解
させ、これにフェノール樹脂PR−51470(住人デ
ュレズ■製)100重量部を添加し、溶解させた。
この溶液を加熱し、臭化アリル122重量部を添加して
、還流下3時間反応させた。その後、塩酸で中和して、
アセトンと未反応の臭化アリルを留去し、トルエン1リ
ツトルを添加した。分液ロートに移し、水洗を3回行い
、エバポレーターで溶媒を除去した。
更に、175°C12時間加熱処理をして、アリル化フ
ェノール樹脂を得た。生成物の紐或はであった。
実施例 実施例1〜2 撹拌装置、減圧装置及び温度計を付けた反応容器に、ジ
グリシジルポリシロキサンと0.0′−ジアリルビスフ
ェノールAとを第1表の処方に従って入れて溶解させた
加熱して100°Cに達した時、トリフェニルホスフィ
ンを添加し、その後150℃減圧下(約20mmHg)
で増粘して撹拌が困難になる直前まで反応させた。
反応時間は約45分、グリシジル基の反応率は約90%
であった。直ちにアリル化フェノール樹脂を添加して粘
度を下げ、ポリマレイミドを加えて30分間反応させた
。得られたシリコーン変性マレイミド樹脂は均質で、融
点を第1表に示した。
比較例1〜2 比較例1は、実施例1のモル比(ジグリシジルポリシロ
キサン10,0’−ジアリルビスフェノールA)を1/
3に、比較例2は実施例1のアリル化フェノール樹脂を
0.0′−ジアリルビスフェノールAに置き換えて同様
に反応させた。
比較例3 実施例1のアリル化フェノール樹脂を、ビスフェノール
Aジアリルエーテルに置き換えて、同様に反応させた。
アリルエーテルとマレイミド基の反応が非常に遅くて、
得られた樹脂は不均質で液状成分が滲み出していた。な
お、更に高温(200°C)で反応させると、急激に発
熱してゲル化し、反応の調節が困難であった。
比較例4 参考例1のジグリシジルポリシロキサンの重合度(n)
を大きくして、同様に反応させた。ポリマレイミドとの
相溶性が悪く、油状のポリシロキサンが分離して滲み出
し、不均質であった。
実施例3〜4 第2表に示すように、実施例1〜2で得たシリコーン変
性マレイミド樹脂に、シリカ粉末、硬化促進剤、アミノ
シラン、着色剤および離型剤を配合し、熱ロールで混練
して成形材料を得た。得られた成形材料をトランスファ
ー成形により180°C93分で成形しフクレの無い光
沢の有る成形品が得られた。この成形品をさらに180
 ’C18時間後硬化を行い特性を評価した。結果を第
2表に示す。
ポリシロキサン10,0′−ジアリルビスフェノールA
)が1/3のシリコーン変性マレイミド樹脂を用いたも
のである。耐熱性が低下し、吸水率も大きく、耐半田ク
ラック性も良くない。
比較例6は、実施例1のアリル化フェノール樹脂を0,
0′−ジアリルビスフェノールAに置き換えて反応させ
た。比較例2のシリコーン変性マレイミド樹脂を用いた
実施例1〜2の樹脂を用いた実施例3〜4の成形材料は
、シリコーンを含まない比較例10に比べ常温での曲げ
弾性率が小さく、低応力で、内部応力も小さい。しかも
、ガラス転移温度が高く、260°Cでの曲げ強度も大
きぐ、耐熱性、耐半田クラック性に優れ、吸水率も小さ
い。
比較例5〜10 実施例3〜4と比較のため、第2表に示す配合で同様に
成形材料を作成し成形した。
比較例5は、比較例1のモル比(ジグリシジル成分を含
まない。比較例5と同様に、耐熱性と吸水率が劣ってい
る。
比較例7は、実施例1のアリル化フェノール樹脂をビス
フェノールA−ジアリルエーテルに置き換えて反応させ
た。比較例3のシリコーン変性マレイミド樹脂を用いた
めで少ない。成形品の外観が悪く、金型くもりを生じ、
吸水率も大きい。
比較例8は、実施例3とほぼ同じ組成であるが、単に配
合時に混ぜたものである。比較例7と同様に成形品の外
観が悪く、金型くもりを生じ、吸水率も大きい。
比較例9は、重合度(n)の大きいポリシロキサンを用
いたものであるが、ポリマレイミドとの相溶性が悪く、
比較例7.8と同様に好ましい結果は得られなかった。
比較例10は、ポリシロキサンを含まないものである。
成形品の外観、曲げ強度、耐熱性は良好であるが、吸水
率が大きく、耐半田クラック性は充分でない。
(発明の効果) 本発明による半導体封止用樹脂を用いた組成物の硬化物
は高Tgであり、耐湿性及び熱時の強度に優れているた
め封止体の耐半田クラック性が良く、かつ低応力であり
耐ヒートサイクル性にも優れており、半導体封止用樹脂
組成物として非常に信頼性の高い優れたものである。
手続補正書 (1)特許請求の範囲を別紙の通りに補正する。
平成2年 7月 11日

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)(A)ポリマレイミド100重量部と、(B)下
    記式〔 I 〕で示されるジグリシジルポリシロキサンと
    、下記式〔II〕で示されるジアリルビスフェノール類と
    を、 ▲数式、化学式、表等があります▼ ・・・〔 I 〕 (R_1:アルキレン基又はフェニレン基 R_2、R_3:アルキル基又はフェニル基n=1〜1
    00の整数) ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 (R_4:−O−、−CH_2−、▲数式、化学式、表
    等があります▼、−(直接結合))モル比が1.2:1
    〜0.8:1で、アニオン触媒の存在下において、反応
    率が80%以上になるまで反応させて得られる付加重合
    物5〜100重量部と、(C)下記式〔III〕の組成で
    示されるアリル化フェノール樹脂10〜100重量部と
    を ▲数式、化学式、表等があります▼、▲数式、化学式、
    表等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼
    ・・・〔III〕 (0<a、b、c<100かつa+b+c=100a、
    b、cは各組成の百分率を示す。) 生成樹脂の融点が50〜120℃となるまで反応させる
    ことを特徴とする半導体封止用樹脂の製造方法。
JP10544190A 1990-04-23 1990-04-23 半導体封止用樹脂の製造方法 Pending JPH044213A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10544190A JPH044213A (ja) 1990-04-23 1990-04-23 半導体封止用樹脂の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10544190A JPH044213A (ja) 1990-04-23 1990-04-23 半導体封止用樹脂の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH044213A true JPH044213A (ja) 1992-01-08

Family

ID=14407683

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP10544190A Pending JPH044213A (ja) 1990-04-23 1990-04-23 半導体封止用樹脂の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH044213A (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764286A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Okamoto Kagaku Kogyo Kk 感光性組成物
US7163986B2 (en) 2003-06-02 2007-01-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Siloxane copolymer, making method, and thermosetting resin composition
WO2020022084A1 (ja) 2018-07-26 2020-01-30 三菱瓦斯化学株式会社 硬化性組成物、プリプレグ、レジンシート、金属箔張積層板及びプリント配線板
JPWO2023013716A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09
WO2023013715A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 硬化性組成物、プリプレグ、レジンシート、金属箔張積層板及びプリント配線板
JPWO2023013717A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09
WO2023013711A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ及びプリント配線板

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0764286A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Okamoto Kagaku Kogyo Kk 感光性組成物
US7163986B2 (en) 2003-06-02 2007-01-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Siloxane copolymer, making method, and thermosetting resin composition
CN100349962C (zh) * 2003-06-02 2007-11-21 信越化学工业株式会社 硅氧烷共聚物、其制备方法、和热固性树脂组合物
WO2020022084A1 (ja) 2018-07-26 2020-01-30 三菱瓦斯化学株式会社 硬化性組成物、プリプレグ、レジンシート、金属箔張積層板及びプリント配線板
US11499005B2 (en) 2018-07-26 2022-11-15 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Curable composition, prepreg, resin sheet, metal foil-clad laminate and printed wiring board
US11718708B2 (en) 2018-07-26 2023-08-08 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Curable composition, prepreg, resin sheet, metal foil-clad laminate and printed wiring board
WO2023013715A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 硬化性組成物、プリプレグ、レジンシート、金属箔張積層板及びプリント配線板
JPWO2023013717A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09
JPWO2023013715A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09
WO2023013717A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 硬化性組成物、プリプレグ、金属箔張積層板及びプリント配線板
WO2023013711A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 熱硬化性樹脂組成物、プリプレグ及びプリント配線板
WO2023013716A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09 三菱瓦斯化学株式会社 硬化性組成物、プリプレグ、レジンシート、金属箔張積層板及びプリント配線板
JPWO2023013716A1 (ja) * 2021-08-05 2023-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH044213A (ja) 半導体封止用樹脂の製造方法
JPS62136860A (ja) 半導体装置
JP2837503B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPH04117458A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP3201485B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP2857217B2 (ja) 半導体封止用樹脂の製造方法
JPH044214A (ja) 半導体封止用樹脂の製造方法
JP2825572B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP2872701B2 (ja) 半導体封止用樹脂の製造方法
JP2857216B2 (ja) 半導体封止用樹脂の製造方法
JP3201484B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP2680351B2 (ja) 封止用樹脂組成物
JPH0493345A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPH04224859A (ja) 樹脂組成物
JPH06128357A (ja) 半導体装置
KR100257377B1 (ko) 반도체소자봉지용 에폭시 수지조성물 및 이에 사용되는 저응력화 변성제
JPH04216818A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPH0582675A (ja) 半導体装置
JPH02102217A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2703045B2 (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2823652B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPH04185643A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JPH02187461A (ja) 封止用樹脂組成物
JPH02202910A (ja) 封止用樹脂組成物
JPH0493313A (ja) 半導体封止用樹脂組成物