JPH0493019A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0493019A JPH0493019A JP2209826A JP20982690A JPH0493019A JP H0493019 A JPH0493019 A JP H0493019A JP 2209826 A JP2209826 A JP 2209826A JP 20982690 A JP20982690 A JP 20982690A JP H0493019 A JPH0493019 A JP H0493019A
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- silicon
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 238000004886 process control Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 2
- -1 Arsenic ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
[従来の技術1
半導体集積回路の集積度の増加に伴い、MOSデバイス
のソース・ドレインを形成する不純物拡散層または、ゲ
ート電極を形成する多結晶シリコン層の低抵抗化が必要
となってきた。これについては、不純物拡散層及びゲー
ト電極」二に選択的にシリサイドを形成するシリサイド
技術が有効であるが、−刃保護抵抗等の高抵抗を形成し
たい部分にもシリサイドが形成され低抵抗になってしま
うという不都合が生じる。
のソース・ドレインを形成する不純物拡散層または、ゲ
ート電極を形成する多結晶シリコン層の低抵抗化が必要
となってきた。これについては、不純物拡散層及びゲー
ト電極」二に選択的にシリサイドを形成するシリサイド
技術が有効であるが、−刃保護抵抗等の高抵抗を形成し
たい部分にもシリサイドが形成され低抵抗になってしま
うという不都合が生じる。
このため従来は、公開特許公報「昭61.−43464
」に記載された如(、シリサイドを形成したくない部分
には、金属堆積前に酸化膜を形成しシリサイド化を妨げ
ていた。
」に記載された如(、シリサイドを形成したくない部分
には、金属堆積前に酸化膜を形成しシリサイド化を妨げ
ていた。
〔発明が解決しようとする課題1
しかし前述の従来技術では、シリサイド化を妨げる酸化
膜の膜厚の設定が非常に難しい。
膜の膜厚の設定が非常に難しい。
この酸化膜が薄いとシリサイドが形成されてしまい、ま
た厚いとエツチング除去(シリサイドを形成したい部分
は除去する必要がある。)時のオバーエッヂにより、素
子分離用絶縁膜が後退しジャンクションリークの原因と
なる。
た厚いとエツチング除去(シリサイドを形成したい部分
は除去する必要がある。)時のオバーエッヂにより、素
子分離用絶縁膜が後退しジャンクションリークの原因と
なる。
このように従来技術を用いるとプロセスコントロールが
非常に困難であるという課題を有していた。
非常に困難であるという課題を有していた。
そこで本発明はこのような課題を解決するもので、その
目的は、プロセスコン1−ロールが容易な半導体装置の
製造方法を提供することにある。
目的は、プロセスコン1−ロールが容易な半導体装置の
製造方法を提供することにある。
[課題を解決するための手段]
本発明の半導体装置の製造方法は、金属とシリコンもし
くは多結晶シリコンを熱反応させ金属シリサイドを形成
する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記金
属シリサイドを形成したくない部分には、前記金属堆積
の前に、前記シリコンまたは多結晶シリコンの表面に過
剰のN型不純物の注入を行う工程を具備したことを特徴
とする。
くは多結晶シリコンを熱反応させ金属シリサイドを形成
する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記金
属シリサイドを形成したくない部分には、前記金属堆積
の前に、前記シリコンまたは多結晶シリコンの表面に過
剰のN型不純物の注入を行う工程を具備したことを特徴
とする。
〔実 施 例]
以下図面により本発明の実施例を詳細に説明する。第1
図(a)〜(f)は本発明の製造方法を表わす工程断面
図である。
図(a)〜(f)は本発明の製造方法を表わす工程断面
図である。
工程(1) 第1図(a)
P型シリコン基板101上の一部に素子分離用絶縁膜1
02を4000〜7000人形成し、イオン注入透過用
酸化膜103を化学的気相成長法により]00〜200
人堆積させる。
02を4000〜7000人形成し、イオン注入透過用
酸化膜103を化学的気相成長法により]00〜200
人堆積させる。
工程(2) ・第1図(b)
ヒ素をDoSE量2−6X 10′5/cm2でイオン
注入し、900 ’C〜1000°Cで20〜30分ア
ニールし、高濃度N型不純物拡散層104.104′を
形成する。
注入し、900 ’C〜1000°Cで20〜30分ア
ニールし、高濃度N型不純物拡散層104.104′を
形成する。
工程(3)・・・第1図(c)
レジストパターンを用い、前記103′の表面の一部ニ
ヒ素をDO8E量1〜3X10”/cm2でイオン注入
し、1000°C前後の温度でハロゲンランプアニール
を行い、超高濃度N型不純物拡散層105を形成する。
ヒ素をDO8E量1〜3X10”/cm2でイオン注入
し、1000°C前後の温度でハロゲンランプアニール
を行い、超高濃度N型不純物拡散層105を形成する。
工程(4) 第1図(d)
前記イオン注入透過用酸化膜103を希フッ酸で除去し
た後、全面にTi106をスパッタ法で400〜800
人形成する。
た後、全面にTi106をスパッタ法で400〜800
人形成する。
工程(5) 第1図(e)
ハロゲンランプを用いて700℃前後30秒程度、窒素
雰囲気中でアニールを行う。この時前記素子分離用酸化
膜]、 02 J:はTiN107になり、また前記超
高濃度N型不純物拡散層105上の′「1は過剰N型不
純物がTiとシリコンの反応を妨げるためここもTiN
107となる。この他はすべて゛「1とシリコンが反応
しTiシリサイド108が形成される。
雰囲気中でアニールを行う。この時前記素子分離用酸化
膜]、 02 J:はTiN107になり、また前記超
高濃度N型不純物拡散層105上の′「1は過剰N型不
純物がTiとシリコンの反応を妨げるためここもTiN
107となる。この他はすべて゛「1とシリコンが反応
しTiシリサイド108が形成される。
工程(6) 第1図(f)
過酸化水素水、アンモニア水の混合液で処理し前記Ti
N107を除去した後、再びハロゲンランプを用いて8
00″C前後30秒程度、窒素雰囲気中でアニールを行
う。
N107を除去した後、再びハロゲンランプを用いて8
00″C前後30秒程度、窒素雰囲気中でアニールを行
う。
これにより低抵抗層及び高抵抗層が形成できる。
以」−述べたように発明によれば、過剰のN型不純物の
注入によりシリサイドの形成を容易に妨げる、つまりフ
ロセスコントロールが容易な半導体装置の製造方法を提
供できるという効果を有す
注入によりシリサイドの形成を容易に妨げる、つまりフ
ロセスコントロールが容易な半導体装置の製造方法を提
供できるという効果を有す
第1図(a)〜(f)は本発明の製造方法を表わす工程
断面図。 101・・・ ・・P型シリコン基板 +−02・・・・ ・素子分離用絶縁膜103・・・・
・イオン注入透過用酸化膜104.104′ ・高濃
度N型不純物拡散層105・・・・・・超高濃度N型不
純物拡散層106・・・・・・Ti 107 ・・・・・TiN 108・・・・・・T1シリサイド 以」ニ 出願人 セイコーエプソン株式会社
断面図。 101・・・ ・・P型シリコン基板 +−02・・・・ ・素子分離用絶縁膜103・・・・
・イオン注入透過用酸化膜104.104′ ・高濃
度N型不純物拡散層105・・・・・・超高濃度N型不
純物拡散層106・・・・・・Ti 107 ・・・・・TiN 108・・・・・・T1シリサイド 以」ニ 出願人 セイコーエプソン株式会社
Claims (1)
- 金属とシリコンもしくは多結晶シリコンを熱反応させ
金属シリサイドを形成する工程を含む半導体装置の製造
方法において、前記金属シリサイドを形成したくない部
分には、前記金属堆積の前に、前記シリコンまたは多結
晶シリコンの表面に過剰のN型不純物の注入を行う工程
を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2209826A JPH0493019A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2209826A JPH0493019A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0493019A true JPH0493019A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16579261
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2209826A Pending JPH0493019A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0493019A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08167657A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP2209826A patent/JPH0493019A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08167657A (ja) * | 1994-12-14 | 1996-06-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
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