JPH0492457A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0492457A JPH0492457A JP2208114A JP20811490A JPH0492457A JP H0492457 A JPH0492457 A JP H0492457A JP 2208114 A JP2208114 A JP 2208114A JP 20811490 A JP20811490 A JP 20811490A JP H0492457 A JPH0492457 A JP H0492457A
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- Japan
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- substrate
- cap
- face part
- sealed
- solder
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
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- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特に、気密型半導体装置
における封止技術に適用して有効な技術に関するもので
ある。
における封止技術に適用して有効な技術に関するもので
ある。
［従来技術〕
従来の気密型半導体装置、例えば、特開昭６２−２４９
４２９号公報に記載されるように、基板の上に半導体チ
ップをバンプ電極を介して搭載して両者を電気的に接続
し、パッケージの封止用キャップの裏面に熱良伝導性接
着層を介在させて半導体チップの背面を固定し、基板と
封止用キャップとの接合部に接着層を介在させて気密封
止したものである。
４２９号公報に記載されるように、基板の上に半導体チ
ップをバンプ電極を介して搭載して両者を電気的に接続
し、パッケージの封止用キャップの裏面に熱良伝導性接
着層を介在させて半導体チップの背面を固定し、基板と
封止用キャップとの接合部に接着層を介在させて気密封
止したものである。
しかしながら、本発明者は、前記従来の気密型半導体装
置を検討した結果、次の問題点を見い出した。
置を検討した結果、次の問題点を見い出した。
前記従来技術では、基板、キャップ等のパッケージ材料
として熱膨張係数の異なるものを用いた場合、封止構造
によって応力の吸収されないため、パッケージクラック
等の不良が発生するという問題があった。
として熱膨張係数の異なるものを用いた場合、封止構造
によって応力の吸収されないため、パッケージクラック
等の不良が発生するという問題があった。
また、封止部のリーク経路が短くリーク不良が多く発生
するという問題があった。
するという問題があった。
本発明の目的は、熱によるパッケージ材料の膨張により
生じる応力を封止部で吸収するパッケージ構造を提供す
ることにある。
生じる応力を封止部で吸収するパッケージ構造を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、半導体装置の封止部のリーク不良
を低減することができる技術を提供することにある。
を低減することができる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
基板の上に半導体チップを搭載して両者を電気的に接続
し、基板とキャップとの接合部にろう材を介在させて封
止する半導体装置においで、前記基板の外周面部とキャ
ップの内側の側面部とをろう材により接着封止した半導
体装置である。
し、基板とキャップとの接合部にろう材を介在させて封
止する半導体装置においで、前記基板の外周面部とキャ
ップの内側の側面部とをろう材により接着封止した半導
体装置である。
前記手段によれば、基板の外周面部とキャップの内側の
側面部とをろう材で接着封止することにより、基板の外
周面部とキャップの内側の側面部とがろう材を介して縦
方向（上下方向）に移動可能となるので、材料の熱膨張
係数差による応力を緩和することができる。
側面部とをろう材で接着封止することにより、基板の外
周面部とキャップの内側の側面部とがろう材を介して縦
方向（上下方向）に移動可能となるので、材料の熱膨張
係数差による応力を緩和することができる。
また、基板の外周面部とキャップの内側の側面部とをろ
う材で接着封止することにより、リーク経路が長くなる
ので、リーク不良が低減することができる。
う材で接着封止することにより、リーク経路が長くなる
ので、リーク不良が低減することができる。
以下、本発明の一実施例を図面を用いて具体的に説明す
る。
る。
なお、実施例を説明するための全図において、同一機能
を有するものは同一符号を付け２その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け２その繰り返しの説明は
省略する。
第１図は、本発明の半導体装置の一実施例の外観を示す
斜視図、 第２図は、第１図のＸ−Ｘ線で切った断面図である。
斜視図、 第２図は、第１図のＸ−Ｘ線で切った断面図である。
本実施例の半導体装置は、第１図及び第２図に示すよう
に、基板（ベース）１の上に半導体チップ２をバンプ電
極（例えば、半田バンプ）３を介して搭載して両者を電
気的に接続し、キャップ４に熱良伝導性接着層６を介在
させて半導体チップ２の背面を固定し、当該基板１の端
側面部（メタライズが施されている）を、キャップ４の
内側の側面部に半田（ろう材）５により接着させて封止
されている。
に、基板（ベース）１の上に半導体チップ２をバンプ電
極（例えば、半田バンプ）３を介して搭載して両者を電
気的に接続し、キャップ４に熱良伝導性接着層６を介在
させて半導体チップ２の背面を固定し、当該基板１の端
側面部（メタライズが施されている）を、キャップ４の
内側の側面部に半田（ろう材）５により接着させて封止
されている。
基板１の外周面部とキャップ４の内側の側面部とを半田
（ろう材）５で接着封止することにより、基板１の外周
面部とキャンプ４の内側の側面部とが半田（ろう材）５
を介して縦方向（上下方向）に移動可能となるので、材
料の熱膨張係数差による応力を緩和することができる。
（ろう材）５で接着封止することにより、基板１の外周
面部とキャンプ４の内側の側面部とが半田（ろう材）５
を介して縦方向（上下方向）に移動可能となるので、材
料の熱膨張係数差による応力を緩和することができる。
また、基板１の外周面部とキャップ４の内側の側面部と
をろう材で接着封止することにより、封止部のリーク経
路が長くなるので、封止部のリーク不良を低減すること
ができる。
をろう材で接着封止することにより、封止部のリーク経
路が長くなるので、封止部のリーク不良を低減すること
ができる。
次に、本実施例の半導体装置の組み立て製造方法につい
て説明する。
て説明する。
まず最初に、キャップ４に熱良伝導性接着剤（熱良伝導
性接着層６）により、半導体チップ２の背面が接着固定
される。次に、基板ｌの上に半導体チップ２がバンプ電
極（例えば、半田バンプ）３を介して電気的に接続され
るとともに、当該基板１の端側面部（メタライズが施さ
れている）を、キャップ４の内側の側面部に半田（ろう
材）５により接着させて封止される。
性接着層６）により、半導体チップ２の背面が接着固定
される。次に、基板ｌの上に半導体チップ２がバンプ電
極（例えば、半田バンプ）３を介して電気的に接続され
るとともに、当該基板１の端側面部（メタライズが施さ
れている）を、キャップ４の内側の側面部に半田（ろう
材）５により接着させて封止される。
前記実施例の変形例を第３図及び第４図に示す。
第３図は、前記キャップ４の内側の側面部に切り込み部
７を設け、この切り込み部７と基板１の外周面部とを半
田（ろう材）５で接着封止したものである。
７を設け、この切り込み部７と基板１の外周面部とを半
田（ろう材）５で接着封止したものである。
第４図は、前記基板１の外周面部に傾斜部８を設け、キ
ャップ４の内側の側面部とを半田（ろう材）５で接着封
止したものである。
ャップ４の内側の側面部とを半田（ろう材）５で接着封
止したものである。
このように構成することにより、前記実施例と同様の効
果を得ることができる。
果を得ることができる。
以上、本発明を実施例にもとづき具体的に説明したが、
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であること
は言うまでもない。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
パッケージの材料の熱膨張係数差による応力を緩和する
ことができる。これにより、材料選択の自由度も向上す
ることができる。
ことができる。これにより、材料選択の自由度も向上す
ることができる。
また、封止部のリーク経路が長くなるので、封止部のリ
ーク不良を低減することができる。
ーク不良を低減することができる。
第１図は、本発明の半導体装置の一実施例の外観を示す
斜視図。 第２図は、第１図のＸ−Ｘ線で切った断面図第３図及び
第４図は、実施例の変形例を説明するための図である。 図中、１・・・基板（ベース）、２・・・半導体チップ
、３・・バンプ電極、４・・・キャップ、５・・・半田
（ろう材）、６・・・熱良伝導性接着層、７・・切り込
み部、８・・傾斜部。 半導体チップ バンプ電極 第２図 熱良伝導性接着厚
斜視図。 第２図は、第１図のＸ−Ｘ線で切った断面図第３図及び
第４図は、実施例の変形例を説明するための図である。 図中、１・・・基板（ベース）、２・・・半導体チップ
、３・・バンプ電極、４・・・キャップ、５・・・半田
（ろう材）、６・・・熱良伝導性接着層、７・・切り込
み部、８・・傾斜部。 半導体チップ バンプ電極 第２図 熱良伝導性接着厚
Claims (1)
- １、基板の上に半導体チップを搭載して両者を電気的に
接続し、基板とキャップとの接合部にろう材を介在させ
て封止する半導体装置において、前記基板の外周面部と
キャップの内側の側面部とをろう材により接着封止した
ことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208114A JPH0492457A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2208114A JPH0492457A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492457A true JPH0492457A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16550868
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2208114A Pending JPH0492457A (ja) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492457A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531770B2 (en) * | 2000-11-28 | 2003-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic part unit attached to a circuit board and including a cover member covering the electronic part |
| US6949822B2 (en) * | 2000-03-17 | 2005-09-27 | International Rectifier Corporation | Semiconductor multichip module package with improved thermal performance; reduced size and improved moisture resistance |
-
1990
- 1990-08-08 JP JP2208114A patent/JPH0492457A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6949822B2 (en) * | 2000-03-17 | 2005-09-27 | International Rectifier Corporation | Semiconductor multichip module package with improved thermal performance; reduced size and improved moisture resistance |
| US6531770B2 (en) * | 2000-11-28 | 2003-03-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic part unit attached to a circuit board and including a cover member covering the electronic part |
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