JPH0492445A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0492445A JPH0492445A JP20896990A JP20896990A JPH0492445A JP H0492445 A JPH0492445 A JP H0492445A JP 20896990 A JP20896990 A JP 20896990A JP 20896990 A JP20896990 A JP 20896990A JP H0492445 A JPH0492445 A JP H0492445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- film thickness
- thickness
- measuring regions
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 21
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 5
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012369 In process control Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の工程又は製造装置の管理用にス
クライブライン領域に膜厚測定領域を有する半導体装置
に関する。
クライブライン領域に膜厚測定領域を有する半導体装置
に関する。
従来の薄膜を形成させる半導体装置の膜厚管理として製
品ウェーハー以外に膜厚測定用のシリコンウェーハーを
同時に処理し膜厚測定することによって工程及び製造装
置を管理している。
品ウェーハー以外に膜厚測定用のシリコンウェーハーを
同時に処理し膜厚測定することによって工程及び製造装
置を管理している。
しかし、前述の薄膜の膜厚管理方法では実際の製品ウェ
ーハー上に形成された膜厚値を代表するモニターとして
は信頼性に乏しく製品と膜厚測定用モニターの相関が取
れず、品質安定化に対して・問題点を有していた。
ーハー上に形成された膜厚値を代表するモニターとして
は信頼性に乏しく製品と膜厚測定用モニターの相関が取
れず、品質安定化に対して・問題点を有していた。
そこで本発明は従来のこのような問題点を解決するため
のもので実際の製品ウェーハーのスクライブライン領域
上に少なくとも一方向、数十μｍ〜数百μｍのシリコン
表面を出した膜厚測定領域をＩＣチップ領域間のスクラ
イブライン領域に配置することにより実際の製品の膜厚
を測定することができ品質安定化及び歩留まり向上を目
的とする〔課題を解決するための手段〕 （１） 本発明の半導体装置は、半導体装置上にＸＣチ
ップ領域とスクライブライン領域とを有する半導体装置
に於てスクライブライン領域に少なくとも１つ以上の膜
厚測定領域を有することを特徴とする。
のもので実際の製品ウェーハーのスクライブライン領域
上に少なくとも一方向、数十μｍ〜数百μｍのシリコン
表面を出した膜厚測定領域をＩＣチップ領域間のスクラ
イブライン領域に配置することにより実際の製品の膜厚
を測定することができ品質安定化及び歩留まり向上を目
的とする〔課題を解決するための手段〕 （１） 本発明の半導体装置は、半導体装置上にＸＣチ
ップ領域とスクライブライン領域とを有する半導体装置
に於てスクライブライン領域に少なくとも１つ以上の膜
厚測定領域を有することを特徴とする。
（２） 請求項１記載の本発明の半導体装置は膜厚測定
領域の最小寸法が１０μｍ以上であることを特徴とする
。
領域の最小寸法が１０μｍ以上であることを特徴とする
。
本発明の作用としては製品ウエーノ・−上ニ膜厚測定領
域を設けたことによって製品と膜厚モニターを区分けす
る必要がなくなり工程の簡略化と、実際の製品と対応し
た膜厚の管理及び品質の安定化を行なうことができる。
域を設けたことによって製品と膜厚モニターを区分けす
る必要がなくなり工程の簡略化と、実際の製品と対応し
た膜厚の管理及び品質の安定化を行なうことができる。
又高周波を用いた成膜精製装置のｉＫウェーハーのイン
ピーダンスによる影響を受け？すい物について明確に膜
厚を把握する口とができる。
ピーダンスによる影響を受け？すい物について明確に膜
厚を把握する口とができる。
以下、本発明について実施例に基づき詳細に説明する。
第１図は本発明の実施例でありＩＣチップ間のスクライ
ブライン領域上に膜厚測定領域を形成した図である。ま
ずＭＯＳ−ＬＳＩのバターニングする際同時に膜厚を管
理する工程の数だけマスクを介してフォトリソ及びエツ
チング工程をａつ返し常にシリコン表面が出ている状態
にして膜厚測定領域２を形成する。例えば第１図のＡは
酸化膜す用Ｂは窒化膜ａ用として使い分は順番に工程管
理用として用いることができる。
ブライン領域上に膜厚測定領域を形成した図である。ま
ずＭＯＳ−ＬＳＩのバターニングする際同時に膜厚を管
理する工程の数だけマスクを介してフォトリソ及びエツ
チング工程をａつ返し常にシリコン表面が出ている状態
にして膜厚測定領域２を形成する。例えば第１図のＡは
酸化膜す用Ｂは窒化膜ａ用として使い分は順番に工程管
理用として用いることができる。
次いで第２図は第１図のａ −ａ ’間の断面図である
。２の斜線部分が膜厚測定領域でありこの膜厚測定領域
２０部分を測定することによって製品に形成された薄膜
の膜厚値を知ることができる。応用例として例えばキャ
リアガスを用いて半導体装置上に絶縁膜を形成するよう
な工程（ＮＳＧ 、 ＰＳＧ 、 Ｓ ｉｎ 、 ＰＯ
ＬＹ−Ｓ ｉ ）では全て製品上にて膜厚が確認できる
。他に、ゲート酸化膜等にも応用できる。但しＰＯＬＹ
−Ｓｉの膜厚測定領域として用いる場合には第３図の様
にシリコンウェーハー４の上に酸化Ｍ６が必要である。
。２の斜線部分が膜厚測定領域でありこの膜厚測定領域
２０部分を測定することによって製品に形成された薄膜
の膜厚値を知ることができる。応用例として例えばキャ
リアガスを用いて半導体装置上に絶縁膜を形成するよう
な工程（ＮＳＧ 、 ＰＳＧ 、 Ｓ ｉｎ 、 ＰＯ
ＬＹ−Ｓ ｉ ）では全て製品上にて膜厚が確認できる
。他に、ゲート酸化膜等にも応用できる。但しＰＯＬＹ
−Ｓｉの膜厚測定領域として用いる場合には第３図の様
にシリコンウェーハー４の上に酸化Ｍ６が必要である。
又この実施例の膜厚測定領域２については、抜きパター
ンを示したものであるが残しパターンでも測定領域を形
成することができる。
ンを示したものであるが残しパターンでも測定領域を形
成することができる。
尚、白色光やレーザ光を用いた光波干渉式膜厚測定器に
より膜厚測定領域は最小寸法が１０μｍ以上が実用的で
ある。
より膜厚測定領域は最小寸法が１０μｍ以上が実用的で
ある。
本発明の膜厚測定用モニターは、実際の製品に形成され
た膜厚を測定できることでデバイスの信頼性と品質向上
ｆ工程管理及び製造装置の管理として効果がある。特に
高周波を用いた成膜精製装置の様にウェーハーのインピ
ーダンスの影響を受けやすい物について効果は大きい。
た膜厚を測定できることでデバイスの信頼性と品質向上
ｆ工程管理及び製造装置の管理として効果がある。特に
高周波を用いた成膜精製装置の様にウェーハーのインピ
ーダンスの影響を受けやすい物について効果は大きい。
第１図は、本発明の膜厚モニターをスクライブライン領
域へ配置した図である。 第２図は、膜厚測定領域部の断面図である。 第６図は、ＰＯＬＹ−８工用膜厚測定領域部の断面図で
ある。 １０．・・・・・・・スクライブライン領域２・・・・
・・・・・膜厚測定領域 ５１．・・・・・・ＩＣチップ内領域 ４・・・…・・・シリコンウェーハー ５・・・・・・・・・薄 膜 ６・・・・・・・・・酸化膜 以上
域へ配置した図である。 第２図は、膜厚測定領域部の断面図である。 第６図は、ＰＯＬＹ−８工用膜厚測定領域部の断面図で
ある。 １０．・・・・・・・スクライブライン領域２・・・・
・・・・・膜厚測定領域 ５１．・・・・・・ＩＣチップ内領域 ４・・・…・・・シリコンウェーハー ５・・・・・・・・・薄 膜 ６・・・・・・・・・酸化膜 以上
Claims (2)
- （１）半導体装置上に、ＩＣチップ領域とスクライブラ
イン領域とを有する半導体装置に於てスクライブライン
領域に少なくとも１つ以上の膜厚測定領域を有すること
を特徴とする半導体装置。 - （２）請求項１記載の、膜厚測定領域の最小寸法が１０
μｍ以上であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20896990A JPH0492445A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20896990A JPH0492445A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0492445A true JPH0492445A (ja) | 1992-03-25 |
Family
ID=16565163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20896990A Pending JPH0492445A (ja) | 1990-08-07 | 1990-08-07 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0492445A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10889224B2 (en) | 2017-02-10 | 2021-01-12 | Honda Motor Co., Ltd. | Vehicle seat control system, vehicle seat control method, and storage medium |
-
1990
- 1990-08-07 JP JP20896990A patent/JPH0492445A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10889224B2 (en) | 2017-02-10 | 2021-01-12 | Honda Motor Co., Ltd. | Vehicle seat control system, vehicle seat control method, and storage medium |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5633505A (en) | Semiconductor wafer incorporating marks for inspecting first layer overlay shift in global alignment process | |
| KR100519252B1 (ko) | 오버레이 마크, 오버레이 마크 형성방법 및 오버레이측정방법 | |
| JPH0321901B2 (ja) | ||
| JPS5846054B2 (ja) | フオトマスク | |
| JPH0492445A (ja) | 半導体装置 | |
| WO1999008314A1 (fr) | Dispositif de circuit integre a semi-conducteur et procede de fabrication correspondant | |
| JPS62155532A (ja) | 半導体ウエ−ハの位置合せマ−クの形成方法 | |
| JPH0795543B2 (ja) | エツチング方法 | |
| KR0172557B1 (ko) | 중첩마크가 구비된 반도체 장치 | |
| JP2767594B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11224850A (ja) | 重ね合わせ測定用マークを有する半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0613549A (ja) | 半導体装置 | |
| KR20020002926A (ko) | 반도체 소자의 오버레이 측정 패턴 형성 방법 | |
| KR100187661B1 (ko) | 반도체 소자의 임계치수 측정용 바아 형성방법 | |
| JPH03191509A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2001237291A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0727950B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3065022B2 (ja) | エッチングモニタパターン及びモニタ方法 | |
| KR20020045743A (ko) | 반도체 소자의 웨이퍼 정렬용 마크 및 이를 이용한 웨이퍼정렬 방법 | |
| JPS5951539A (ja) | 半導体装置 | |
| KR970013155A (ko) | 금속배선용 콘택식각 모니터링 방법 | |
| JPH021106A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH0212807A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6010626A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03198318A (ja) | 半導体装置の製造方法 |