JPH0488698A - 不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置 - Google Patents
不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置Info
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- JPH0488698A JPH0488698A JP20255090A JP20255090A JPH0488698A JP H0488698 A JPH0488698 A JP H0488698A JP 20255090 A JP20255090 A JP 20255090A JP 20255090 A JP20255090 A JP 20255090A JP H0488698 A JPH0488698 A JP H0488698A
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Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
この発明は、はんだ付け装置内に充満する不活性ガスが
外部へ流出するのを封止する不活性ガス封止装置を備え
たプリン１一基板のはんだ付け装置に関するものである
。
外部へ流出するのを封止する不活性ガス封止装置を備え
たプリン１一基板のはんだ付け装置に関するものである
。
従来、プリント基板を不活性ガスの中ではんだ付けを行
うプリント基板のはんだ付け装置は、予備加熱装置とは
んだ槽とをカバーで覆ってはんだ付け処理室を形成し、
このはんだ付け処理室内にボンベ等から供給される不活
性ガスを充満してはんだ付け処理を行うか、プリン１一
基板の搬送方向に対してはんだ付け装置の前段の搬入口
と後段の搬出口にンヤックー等による開閉装置を設けた
ものもあった。
うプリント基板のはんだ付け装置は、予備加熱装置とは
んだ槽とをカバーで覆ってはんだ付け処理室を形成し、
このはんだ付け処理室内にボンベ等から供給される不活
性ガスを充満してはんだ付け処理を行うか、プリン１一
基板の搬送方向に対してはんだ付け装置の前段の搬入口
と後段の搬出口にンヤックー等による開閉装置を設けた
ものもあった。
ところで、従来の不活性ガス内ではんだ付けを行うはん
だ付け装置は、はんだ付け処理室内の不活性ガスが加圧
された状態にあるため、プリント基板の搬入口や搬出口
から流出してしまうので、はんだ付け処理室内へ不活性
ガスを常時補充しなければならず、したがって、高価な
不活性ガスの使用量が多くなって製造コストが増大する
という問題点があった。
だ付け装置は、はんだ付け処理室内の不活性ガスが加圧
された状態にあるため、プリント基板の搬入口や搬出口
から流出してしまうので、はんだ付け処理室内へ不活性
ガスを常時補充しなければならず、したがって、高価な
不活性ガスの使用量が多くなって製造コストが増大する
という問題点があった。
この発明は、上記の問題点を解消するためになされたも
ので、はんだ付け処理室内に充満した不活性ガスが外部
へ流出するのを封止するために、はんだ付け処理室内の
前段と後段にはんだ付け処理室内の不活性ガスとは比重
の異なる他の不、活性ガスを滞留させた不活性ガス室を
設けるとともに、これらの不活性ガス室内にある不活性
ガスの中にブリ″Ｊ１一基板を下降または上昇させてか
ら水平方向に搬送し、さらに上昇させて搬送を行うこと
によりはんだ付け処理室内の不活性ガスの流出を封止す
るようにした不活性ガス封止装置を備えたプリン）、基
板のはんだ付け装置を得ることを目的とする。
ので、はんだ付け処理室内に充満した不活性ガスが外部
へ流出するのを封止するために、はんだ付け処理室内の
前段と後段にはんだ付け処理室内の不活性ガスとは比重
の異なる他の不、活性ガスを滞留させた不活性ガス室を
設けるとともに、これらの不活性ガス室内にある不活性
ガスの中にブリ″Ｊ１一基板を下降または上昇させてか
ら水平方向に搬送し、さらに上昇させて搬送を行うこと
によりはんだ付け処理室内の不活性ガスの流出を封止す
るようにした不活性ガス封止装置を備えたプリン）、基
板のはんだ付け装置を得ることを目的とする。
この発明に係るプリント基板のはんだ付け装置は、電子
部品を装着したプリント基板を搬送し、第２の不活性ガ
スを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け処理室を設
け、プリント基板の搬送方向に対してはんだ付け処理室
の前段と後段に空気および第２の不活性ガスよ秒も重い
第１の不活性ガスを下方に滞留させた第１の不活性ガス
室と第２の不活性ガス室とをプリント基板の搬送レベル
よりも下方に設け、これらの第１の不活性ガス室と第２
の不活性ガス室内にプリン）・基板をその搬送レベルか
ら下降させる下降装置と、下降したプリント基板を水平
方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に搬送されてき
たプリント基板を上昇させる上昇装置とをプリント基板
の搬送方向に対して順次設け、さらにはんだ付け処理室
内の第２の不活性ガスを外部へ流出するのを第１の不活
性ガスにより封止させるための仕切板を第１の不活性ガ
ス室と第２の不活性ガス室の各上面から下方に向けて各
下降装置と上昇装置との間に設けたものである。
部品を装着したプリント基板を搬送し、第２の不活性ガ
スを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け処理室を設
け、プリント基板の搬送方向に対してはんだ付け処理室
の前段と後段に空気および第２の不活性ガスよ秒も重い
第１の不活性ガスを下方に滞留させた第１の不活性ガス
室と第２の不活性ガス室とをプリント基板の搬送レベル
よりも下方に設け、これらの第１の不活性ガス室と第２
の不活性ガス室内にプリン）・基板をその搬送レベルか
ら下降させる下降装置と、下降したプリント基板を水平
方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に搬送されてき
たプリント基板を上昇させる上昇装置とをプリント基板
の搬送方向に対して順次設け、さらにはんだ付け処理室
内の第２の不活性ガスを外部へ流出するのを第１の不活
性ガスにより封止させるための仕切板を第１の不活性ガ
ス室と第２の不活性ガス室の各上面から下方に向けて各
下降装置と上昇装置との間に設けたものである。
また、電子部品を装着したブリシト基板を搬送し、第１
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、プリン）・基板の搬送方向に対してはん
だ付け処理室の前段と後段に空気および第１の不活性ガ
スよりも軽い第２の不活性ガスを上方に滞留させた第１
の不活性ガス室と第２の不活性ガス室とをブリット基板
の搬送レベルよりも上方に設け、これらの第１の不活性
ガス室と第２の不活性ガス室内にプリント基板をその搬
送しベルから上昇させる上昇装置と、上昇したプリント
基板を水平方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に搬
送されてきたプリント基板を下降させる下降装置とをプ
リント基板の搬送方向に対して順次設け、さらにはんだ
付け処理室内の第１の不活性ガスを外部へ流出するのを
第２の不活性ガスによゆ封止させるための仕切板を第１
の不活性ガス室と第２の不活性ガス室の各下面から上方
に向けて各上昇装置と下降装置との間に設けたものであ
る。
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、プリン）・基板の搬送方向に対してはん
だ付け処理室の前段と後段に空気および第１の不活性ガ
スよりも軽い第２の不活性ガスを上方に滞留させた第１
の不活性ガス室と第２の不活性ガス室とをブリット基板
の搬送レベルよりも上方に設け、これらの第１の不活性
ガス室と第２の不活性ガス室内にプリント基板をその搬
送しベルから上昇させる上昇装置と、上昇したプリント
基板を水平方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に搬
送されてきたプリント基板を下降させる下降装置とをプ
リント基板の搬送方向に対して順次設け、さらにはんだ
付け処理室内の第１の不活性ガスを外部へ流出するのを
第２の不活性ガスによゆ封止させるための仕切板を第１
の不活性ガス室と第２の不活性ガス室の各下面から上方
に向けて各上昇装置と下降装置との間に設けたものであ
る。
この発明の不活性ガス封止装置を備えたプリン）・基板
のはんだ付け装置は、搬送手段により搬送されるととも
に、はんだ付け処理が行われるはんだ付け処理室の前段
と後段に不活性ガスを滞留させた第１．第２の不活性ガ
ス室を設けたことによりはんだ付け処理室内の不活性ガ
スが外部へ流出するのが阻止される。
のはんだ付け装置は、搬送手段により搬送されるととも
に、はんだ付け処理が行われるはんだ付け処理室の前段
と後段に不活性ガスを滞留させた第１．第２の不活性ガ
ス室を設けたことによりはんだ付け処理室内の不活性ガ
スが外部へ流出するのが阻止される。
また、プリント基板は第１．第２の不活性ガス室内を下
降または上昇してから水平方向に搬送された後、上昇ま
たは下降することにより仕切板の下をくぐるか、または
上を乗り越えるようにして搬送される。
降または上昇してから水平方向に搬送された後、上昇ま
たは下降することにより仕切板の下をくぐるか、または
上を乗り越えるようにして搬送される。
第１図（ａ） （ｂ）はこの発明の一実施例を示す
平断面図と側断面図で、１ははんだ付け装置の全体を示
し、２は基台、３は前記基８２の上部を覆うカバー、４
は後述の不活性ガスを充満した第１の不活性ガス室、５
ははんだ付け処理室、６は第２の不活性ガス室、７は前
記第１．第２の不活性ガス室４，６内でその上面から下
方に向けて鉛直方向に形成された仕切板で、その下方の
部分は電子部品（図示せず）を装着したブＩＪ ：、
Ｉ・基板８が通過するようになっている。なお、各不活
性ガス室４，６はプリント基板８の搬送レベルよりも下
方で、かつ搬送方向に対してはんだ付け処理室５の前段
と後段に設けられている。１１は前記はんだ付け処理室
５内に設けた予備加熱装置、１２は同じくはんだ槽であ
る。２１，２４，２６゜２９は前記プリント基板８を載
置して搬送する手段としての搬送コンベア、２２，２７
は前記搬送コンベア２１．２６から搬送されてきたブリ
′Ｊ１・基板８を上下動する一対の無端状のチェーンに
設けた係合片に把持して下降させる搬送手段としての下
降装置、２３．２８は前記下降装置２２，２７から移送
されてきたプリシト基板８を上下動する一対の無端状の
チェーンの係合片に把持して上昇させる搬送手段として
の上昇装置で、プリシト基板８の搬送方向に対して順次
設けられ、かつ下降装置２２．２７と上昇装置２３．２
８との間には仕切板７により仕切られている。２５は前
記プ＋） ：、／１一基板８を保持爪（図示せず）に係
合して搬送する手段としての搬送チェーンである。なお
、搬送コシベア２１，２４，２６，２９および搬送チェ
ーン２５はプリント基板８の搬送レベルとなる。３１〜
３６は前記プリント基板８を搬送して次段へ乗り移らせ
る動作を行わせるシリンダで、主としてロッドレスシリ
ンダが使用される。４１゜５１．６ｉはボンベで、ボン
ベ４１，６１はいずれも外部の空気Ａｉｒおよび後述の
第２の不活性ガスＧａ５ｐよりも重いアルゴン等からな
る第１の不活性ガスＧａ５１が充填されている。ボンベ
５１は外部の空気Ａｉｒよりも軽いヘリウム等からなる
第２の不活性ガスＧａｓ、が充填されている。４２，５
２．６２はガス量調整用バルブ、４３゜５３．６３は切
換弁、４４，５４，６４，６５は前記第１．第２の不活
性ガスＧａ５Ｌ、Ｇａ５２のｆＲ度を検出するガス七、
すである。
平断面図と側断面図で、１ははんだ付け装置の全体を示
し、２は基台、３は前記基８２の上部を覆うカバー、４
は後述の不活性ガスを充満した第１の不活性ガス室、５
ははんだ付け処理室、６は第２の不活性ガス室、７は前
記第１．第２の不活性ガス室４，６内でその上面から下
方に向けて鉛直方向に形成された仕切板で、その下方の
部分は電子部品（図示せず）を装着したブＩＪ ：、
Ｉ・基板８が通過するようになっている。なお、各不活
性ガス室４，６はプリント基板８の搬送レベルよりも下
方で、かつ搬送方向に対してはんだ付け処理室５の前段
と後段に設けられている。１１は前記はんだ付け処理室
５内に設けた予備加熱装置、１２は同じくはんだ槽であ
る。２１，２４，２６゜２９は前記プリント基板８を載
置して搬送する手段としての搬送コンベア、２２，２７
は前記搬送コンベア２１．２６から搬送されてきたブリ
′Ｊ１・基板８を上下動する一対の無端状のチェーンに
設けた係合片に把持して下降させる搬送手段としての下
降装置、２３．２８は前記下降装置２２，２７から移送
されてきたプリシト基板８を上下動する一対の無端状の
チェーンの係合片に把持して上昇させる搬送手段として
の上昇装置で、プリシト基板８の搬送方向に対して順次
設けられ、かつ下降装置２２．２７と上昇装置２３．２
８との間には仕切板７により仕切られている。２５は前
記プ＋） ：、／１一基板８を保持爪（図示せず）に係
合して搬送する手段としての搬送チェーンである。なお
、搬送コシベア２１，２４，２６，２９および搬送チェ
ーン２５はプリント基板８の搬送レベルとなる。３１〜
３６は前記プリント基板８を搬送して次段へ乗り移らせ
る動作を行わせるシリンダで、主としてロッドレスシリ
ンダが使用される。４１゜５１．６ｉはボンベで、ボン
ベ４１，６１はいずれも外部の空気Ａｉｒおよび後述の
第２の不活性ガスＧａ５ｐよりも重いアルゴン等からな
る第１の不活性ガスＧａ５１が充填されている。ボンベ
５１は外部の空気Ａｉｒよりも軽いヘリウム等からなる
第２の不活性ガスＧａｓ、が充填されている。４２，５
２．６２はガス量調整用バルブ、４３゜５３．６３は切
換弁、４４，５４，６４，６５は前記第１．第２の不活
性ガスＧａ５Ｌ、Ｇａ５２のｆＲ度を検出するガス七、
すである。
次に、動作について説明する。
まず、ボンベ５１のバルブ５２を開いて第２の不活性ガ
スＧａ５ｚを噴出して、はんだ付け処理室５内の空気Ａ
ｉｒを追い出して第２の不活性ガスＧａ５２で充満させ
る。次いで、ボンベ４１゜６−１のバルブＡ２，６２を
開いて第１の不活性ガスＧａｓ、を噴出して第１．第２
の不活性ガス室４．６内の空気Ａ ｉ ｒを追い出して
空気より重い第１の活性ガスＧａｓ、て充満させ、第１
の不活性ガスＧａ５１と、第２の不活性ガスＧａ５２と
外部の空気Ａｉｒとの境界となるレベルが第１図（ｂ）
の中の破線で示す位置になるように各不活性ガスＧａ５
ｔ Ｇａ５＝の噴出量を調整する。
スＧａ５ｚを噴出して、はんだ付け処理室５内の空気Ａ
ｉｒを追い出して第２の不活性ガスＧａ５２で充満させ
る。次いで、ボンベ４１゜６−１のバルブＡ２，６２を
開いて第１の不活性ガスＧａｓ、を噴出して第１．第２
の不活性ガス室４．６内の空気Ａ ｉ ｒを追い出して
空気より重い第１の活性ガスＧａｓ、て充満させ、第１
の不活性ガスＧａ５１と、第２の不活性ガスＧａ５２と
外部の空気Ａｉｒとの境界となるレベルが第１図（ｂ）
の中の破線で示す位置になるように各不活性ガスＧａ５
ｔ Ｇａ５＝の噴出量を調整する。
次に、搬送コンベア２１に載置されたプリント基板８は
矢印Ａ方向に搬送された後、シリング３１の駆動により
第１の不活性ガス室４内に入り、下降装置２２に係合さ
れる。次いで、プリンＩ・基板８は下降し、第１の不活
性ガスＧａｓ、の中に入る。次いで、シリシダ３２の駆
動により仕切板７の下方を通過し、上昇装置２３へ搬送
されてから上昇し、第２の不活性ガスＧａ５２が充満さ
れているはんだ付け処理室５の中に入る。次いで、プリ
ント基板８はシリシダ３３の駆動により搬送コンベア２
４へ移送された後、搬送チェーン２５の保持爪に係合し
て走行し、予備加熱装置１１で加熱された後、はんだ槽
１２ではんだ付けされる。
矢印Ａ方向に搬送された後、シリング３１の駆動により
第１の不活性ガス室４内に入り、下降装置２２に係合さ
れる。次いで、プリンＩ・基板８は下降し、第１の不活
性ガスＧａｓ、の中に入る。次いで、シリシダ３２の駆
動により仕切板７の下方を通過し、上昇装置２３へ搬送
されてから上昇し、第２の不活性ガスＧａ５２が充満さ
れているはんだ付け処理室５の中に入る。次いで、プリ
ント基板８はシリシダ３３の駆動により搬送コンベア２
４へ移送された後、搬送チェーン２５の保持爪に係合し
て走行し、予備加熱装置１１で加熱された後、はんだ槽
１２ではんだ付けされる。
次いで、搬送コンベア２６に載置されてから、さらにシ
リシダ３４の駆動で第２の不活性ガス室ｓ内に入り、下
降装置２７に係合されて下降し、第１の不活性ガスＧａ
５１の中に入る。次いで、シリンダ３５により仕切板７
の下方を通過し、上昇装置２８で搬送され、第１の不活
性ガスＧａ５１から脱出して空気Ａｉｒの中に入り、シ
リンダ３６によりｗ！送コンベア２９へ載置され、送出
される。
リシダ３４の駆動で第２の不活性ガス室ｓ内に入り、下
降装置２７に係合されて下降し、第１の不活性ガスＧａ
５１の中に入る。次いで、シリンダ３５により仕切板７
の下方を通過し、上昇装置２８で搬送され、第１の不活
性ガスＧａ５１から脱出して空気Ａｉｒの中に入り、シ
リンダ３６によりｗ！送コンベア２９へ載置され、送出
される。
第２図はこの発明の他の実施例を示す側断面図で、第１
図と同一符号は同一部分を示し、７１ははんだ付け装置
の全体を示す。７２は基台、７３はカバー ７４は仕切
板である。なお、第１図に示すボシベ４１，５１，６１
関係の図示は省略しである。
図と同一符号は同一部分を示し、７１ははんだ付け装置
の全体を示す。７２は基台、７３はカバー ７４は仕切
板である。なお、第１図に示すボシベ４１，５１，６１
関係の図示は省略しである。
このように、第２図においては、第１．第２の不活性ガ
ス室４，６の各下降装置２２，２７と各上昇装置２３，
２８とがブリシト基板８を搬送する搬送コンベア２１，
２４，２６，２９．搬送チェーン２５の搬送レベルより
上方に取り付けられている。このため、第１．第２の不
活性ガス室４゜６の内部には空気Ａ ｉ ｒおよび第１
の不活性ガスＧａｓ工よりも軽い第２の不活性ガスＧａ
５２が充満し、空気Ａｉｒと遮断されている。
ス室４，６の各下降装置２２，２７と各上昇装置２３，
２８とがブリシト基板８を搬送する搬送コンベア２１，
２４，２６，２９．搬送チェーン２５の搬送レベルより
上方に取り付けられている。このため、第１．第２の不
活性ガス室４゜６の内部には空気Ａ ｉ ｒおよび第１
の不活性ガスＧａｓ工よりも軽い第２の不活性ガスＧａ
５２が充満し、空気Ａｉｒと遮断されている。
また、はんだ付け処理室５内には空気Ａｉｒより重い第
１の不活性ガスＧａ５１で充満されている。
１の不活性ガスＧａ５１で充満されている。
動作については第１図と同様であるため、その説明を省
略する。
略する。
第３図はこの発明のさらに他の実施例を示す側断面図で
、第１図、第２図と同一符号は同一部分を示し、８１は
電子部品をはんだベースＩ・ではんだ付けを行うリフロ
ーはんだ付け装置の全体を示し、８２は１次子備加熱室
、８３は２次子備加熱室、８４ははんだベーストを融解
してはんだ付け処理を行うリフロー室、８５は搬送チェ
ーン、８６は送風機、８７はヒータ、８８は基台、８９
はカバー、９０は仕切板である。
、第１図、第２図と同一符号は同一部分を示し、８１は
電子部品をはんだベースＩ・ではんだ付けを行うリフロ
ーはんだ付け装置の全体を示し、８２は１次子備加熱室
、８３は２次子備加熱室、８４ははんだベーストを融解
してはんだ付け処理を行うリフロー室、８５は搬送チェ
ーン、８６は送風機、８７はヒータ、８８は基台、８９
はカバー、９０は仕切板である。
このように第１．第２の不活性ガス室４，６の部分の構
成と作用は第２図と同一符号であり、かつ空気Ａｉｒお
よび第１の不活性ガスＧａ５１よりも軽い第２の不活性
ガスＧａ５２により充満されている。
成と作用は第２図と同一符号であり、かつ空気Ａｉｒお
よび第１の不活性ガスＧａ５１よりも軽い第２の不活性
ガスＧａ５２により充満されている。
なお、第１．第２の不活性ガス室４，６の各下降装置２
２．２７と各上昇装置２３．２８とを第１図（ｂ）と同
様にプリント基板８を搬送チェーン２１，２９．８５の
搬送レベルよりも下方に設けても良い。
２．２７と各上昇装置２３．２８とを第１図（ｂ）と同
様にプリント基板８を搬送チェーン２１，２９．８５の
搬送レベルよりも下方に設けても良い。
以上説明したように、この発明に係る不活性ガス封止装
置を備えたプリント基板のはんだ付け装置は、電子部品
を装着した７°リシト基板を搬送し、第２の不活性ガス
を充満させてはノＬｆｉ付けを行うはんだ付け処理室を
設け、ブリット基板の搬送方向に対してはんだ付け処理
室の前段と後段に空気および第２の不活性ガスよりも重
い第１の不活性ガスを下方に滞留させた第１の不活性ガ
ス室と第２の不活性ガス室とをプリント基板の搬送レベ
ルよりも下方に設け、これらの第１の不活性ガス室と第
２の不活性ガス室内にプリント基板をその搬送し・ベル
から下降させる下降装置と、下降したブリット基板を水
軍方向に搬送させろ水平搬送装置と、水平に搬送されて
きたプリント基板を上昇させる上昇装置とをプリンＩ・
基板の搬送方向に対して順次設け、さ′らにはんだ付け
処理室内の第２の不活性ガスを外部へ流出するのを第１
の不活性ガスにより封止させるための仕切板を第１の不
活性ガス室と第２の不活性ガス室の各上面から下方に向
けて各下降装置と上昇装置との間に設けたことにより、
また、電子部品を装着したプリント基板を搬送し、第１
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、プリン）・基Ｗの搬送方向に対してはん
だ付け処理室の前段と後段に空気および第１の不活性ガ
スよりも軽い第２の不活性ガスを上方に滞留させた第１
の不活性ガス室と第２の不活性ガス室とをプリシト基板
の搬送レベルよりも上方に設け、これらの第１の不活性
ガス室と第２の不活性ガス室内にプリン１．基板をその
搬送レベルから上昇させる上昇装置と、上昇したプリン
ト基板を水平方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に
搬送されてきたブリット基板を下降させる下降装置とを
ブリット基板の搬送方向に対して順次設け、さらにはん
だ付け処理室内の第１の不活性ガスを外部へ流出するの
を第２の不活性ガスにより封止させるための仕切板を第
１の不活性ガス室と第２の不活性ガス室の各下面から上
方に向けて各上昇装置と下降装置との間に設けたので、
はんだ付け処理室内の不活性ガスの流出が阻止されるの
で、不活性ガスの補充による使用量が少なくて済み、プ
リント基板の製造コストの低減がはかれる等の利点を有
する。
置を備えたプリント基板のはんだ付け装置は、電子部品
を装着した７°リシト基板を搬送し、第２の不活性ガス
を充満させてはノＬｆｉ付けを行うはんだ付け処理室を
設け、ブリット基板の搬送方向に対してはんだ付け処理
室の前段と後段に空気および第２の不活性ガスよりも重
い第１の不活性ガスを下方に滞留させた第１の不活性ガ
ス室と第２の不活性ガス室とをプリント基板の搬送レベ
ルよりも下方に設け、これらの第１の不活性ガス室と第
２の不活性ガス室内にプリント基板をその搬送し・ベル
から下降させる下降装置と、下降したブリット基板を水
軍方向に搬送させろ水平搬送装置と、水平に搬送されて
きたプリント基板を上昇させる上昇装置とをプリンＩ・
基板の搬送方向に対して順次設け、さ′らにはんだ付け
処理室内の第２の不活性ガスを外部へ流出するのを第１
の不活性ガスにより封止させるための仕切板を第１の不
活性ガス室と第２の不活性ガス室の各上面から下方に向
けて各下降装置と上昇装置との間に設けたことにより、
また、電子部品を装着したプリント基板を搬送し、第１
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、プリン）・基Ｗの搬送方向に対してはん
だ付け処理室の前段と後段に空気および第１の不活性ガ
スよりも軽い第２の不活性ガスを上方に滞留させた第１
の不活性ガス室と第２の不活性ガス室とをプリシト基板
の搬送レベルよりも上方に設け、これらの第１の不活性
ガス室と第２の不活性ガス室内にプリン１．基板をその
搬送レベルから上昇させる上昇装置と、上昇したプリン
ト基板を水平方向に搬送させる水平搬送装置と、水平に
搬送されてきたブリット基板を下降させる下降装置とを
ブリット基板の搬送方向に対して順次設け、さらにはん
だ付け処理室内の第１の不活性ガスを外部へ流出するの
を第２の不活性ガスにより封止させるための仕切板を第
１の不活性ガス室と第２の不活性ガス室の各下面から上
方に向けて各上昇装置と下降装置との間に設けたので、
はんだ付け処理室内の不活性ガスの流出が阻止されるの
で、不活性ガスの補充による使用量が少なくて済み、プ
リント基板の製造コストの低減がはかれる等の利点を有
する。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示す平断
面図と側断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す
側断面図、第３図はこの発明のさらに他の実施例を示す
側断直図である。 図中、１ははんだ付け装置、２は基台、３はカバー、４
は第１の不活性ガス室、５ははんだ付け処理室、６は第
２の不活性ガス室、７は仕切板、８はプリント基板、１
１は予備加熱装置、１２ははんだ槽、２１，２４，２６
，２９は搬送コンベア、２２，２７は下降装置、２３．
２８は上昇装置、２５は搬送チェーン、３１〜３６はシ
リノダ、Ｇａｓ、は第１の不活性ガス、Ｇａｓ、は第２
の不活性ガス、Ａ ｉ ｒ′は空気である。
面図と側断面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す
側断面図、第３図はこの発明のさらに他の実施例を示す
側断直図である。 図中、１ははんだ付け装置、２は基台、３はカバー、４
は第１の不活性ガス室、５ははんだ付け処理室、６は第
２の不活性ガス室、７は仕切板、８はプリント基板、１
１は予備加熱装置、１２ははんだ槽、２１，２４，２６
，２９は搬送コンベア、２２，２７は下降装置、２３．
２８は上昇装置、２５は搬送チェーン、３１〜３６はシ
リノダ、Ｇａｓ、は第１の不活性ガス、Ｇａｓ、は第２
の不活性ガス、Ａ ｉ ｒ′は空気である。
Claims (2)
- （１）電子部品を装着したプリント基板を搬送し、第２
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、前記プリント基板の搬送方向に対して前
記はんだ付け処理室の前段と後段に空気および前記第２
の不活性ガスよりも重い第１の不活性ガスを下方に滞留
させた第１の不活性ガス室と第２の不活性ガス室とを前
記プリント基板の搬送レベルよりも下方に設け、これら
の第１の不活性ガス室と第２の不活性ガス室内に前記プ
リント基板をその搬送レベルから下降させる下降装置と
、前記下降したプリント基板を水平方向に搬送させる水
平搬送装置と、前記水平に搬送されてきたプリント基板
を上昇させる上昇装置とを前記プリント基板の搬送方向
に対して順次設け、さらに前記はんだ付け処理室内の前
記第２の不活性ガスを外部へ流出するのを前記第１の不
活性ガスにより封止させるための仕切板を前記第１の不
活性ガス室と第２の不活性ガス室の各上面から下方に向
けて前記各下降装置と上昇装置との間に設けたことを特
徴とする不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のは
んだ付け装置。 - （２）電子部品を装着したプリント基板を搬送し、第１
の不活性ガスを充満させてはんだ付けを行うはんだ付け
処理室を設け、前記プリント基盤の搬送方向に対して前
記はんだ付け処理室の前段と後段に空気および前記第１
の不活性ガスよりも軽い第２の不活性ガスを上方に滞留
させた第１の不活性ガス室と第２の不活性ガス室とを前
記プリント基板の搬送レベルよりも上方に設け、これら
の第１の不活性ガス室と第２の不活性ガス室内に前記プ
リント基板をその搬送レベルから上昇させる上昇装置と
、前記上昇したプリント基板を水平方向に搬送させる水
平搬送装置と、前記水平に搬送されてきたプリント基板
を下降させる下降装置とを前記プリント基板の搬送方向
に対して順次設け、さらに前記はんだ付け処理室内の前
記第１の不活性ガスを外部へ流出するのを前記第２の不
活性ガスにより封止させるための仕切板を前記第１の不
活性ガス室と第２の不活性ガス室の各下面から上方に向
けて前記各上昇装置と下降装置との間に設けたことを特
徴とする不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のは
んだ付け装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202550A JPH0828568B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2202550A JPH0828568B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488698A true JPH0488698A (ja) | 1992-03-23 |
| JPH0828568B2 JPH0828568B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=16459360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2202550A Expired - Fee Related JPH0828568B2 (ja) | 1990-08-01 | 1990-08-01 | 不活性ガス封止装置を備えたプリント基板のはんだ付け装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828568B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186060A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Oanesu:Kk | リフローハンダ付け装置 |
| EP1878527A1 (de) * | 2006-07-10 | 2008-01-16 | Linde Aktiengesellschaft | Lötverfahren und -vorrichtung zum Reflow-Löten mit zwei unterschiedlichen Gasen |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5093441B2 (ja) * | 2006-06-22 | 2012-12-12 | 関東冶金工業株式会社 | 炉内雰囲気ガスの封止装置を備えた加熱炉 |
| CN102514971A (zh) * | 2011-12-08 | 2012-06-27 | 深圳市鑫联达包装机械有限公司 | 一种能够连续传送纸张的传输系统及其传输方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3091195U (ja) * | 2002-07-04 | 2003-01-17 | 千蔵工業株式会社 | 扉の走行レール用清掃装置 |
-
1990
- 1990-08-01 JP JP2202550A patent/JPH0828568B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3091195U (ja) * | 2002-07-04 | 2003-01-17 | 千蔵工業株式会社 | 扉の走行レール用清掃装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006186060A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Oanesu:Kk | リフローハンダ付け装置 |
| EP1878527A1 (de) * | 2006-07-10 | 2008-01-16 | Linde Aktiengesellschaft | Lötverfahren und -vorrichtung zum Reflow-Löten mit zwei unterschiedlichen Gasen |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0828568B2 (ja) | 1996-03-21 |
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