JPH0488645A - 導電性ペーストと半導体装置の実装方法 - Google Patents
導電性ペーストと半導体装置の実装方法Info
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- JPH0488645A JPH0488645A JP20327990A JP20327990A JPH0488645A JP H0488645 A JPH0488645 A JP H0488645A JP 20327990 A JP20327990 A JP 20327990A JP 20327990 A JP20327990 A JP 20327990A JP H0488645 A JPH0488645 A JP H0488645A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置の導体パターンが形成された基板
への電気的接続方法に関するものであり、特に導電性ペ
ーストとそれを用いた半導体装置のフェースダウンボン
ディング法に関するものである。
への電気的接続方法に関するものであり、特に導電性ペ
ーストとそれを用いた半導体装置のフェースダウンボン
ディング法に関するものである。
従来の技術
従来、裸の半導体装置を導体パターンが形成された′！
ｓＦＬに電気的に接続する方法としては、メツキ技術に
より半導体装置の電極パッド上に形成した突出接点を用
いたものが知られている。
ｓＦＬに電気的に接続する方法としては、メツキ技術に
より半導体装置の電極パッド上に形成した突出接点を用
いたものが知られている。
特に、米国特許第４６６１１９２号公報においては、導
電性接着剤を用いてフェースダウンにより半導体装置を
基板に簡易的に接続する方法が述べられている。
電性接着剤を用いてフェースダウンにより半導体装置を
基板に簡易的に接続する方法が述べられている。
以下図面を参照しながら、従来の半導体装置の接続法に
付いて説明する。第５図は突出接点を形成する工程であ
り、第６図は突出接点を平坦化する工程であり、第７図
は導電エポキシ樹脂を転写する工程であり、第８図は基
板へ半導体！宜を接続する工程である。第５図において
、１５は半導体装置であり、１６は電極パッドである。
付いて説明する。第５図は突出接点を形成する工程であ
り、第６図は突出接点を平坦化する工程であり、第７図
は導電エポキシ樹脂を転写する工程であり、第８図は基
板へ半導体！宜を接続する工程である。第５図において
、１５は半導体装置であり、１６は電極パッドである。
１７はキャピラリであり、１８はボールである。１９は
金属ワイヤであり、２０は水素炎トーチである。
金属ワイヤであり、２０は水素炎トーチである。
２２は電極バッドに接続されたボールであり、２４は残
存した金属ワイヤである。第６図において、２６は平坦
化されたボールであり、２８は平坦面が形成された基材
である。第７図において、３０は導電性エポキシ樹脂で
あり、３２は支持基材である。第８図において、３６は
基板である。
存した金属ワイヤである。第６図において、２６は平坦
化されたボールであり、２８は平坦面が形成された基材
である。第７図において、３０は導電性エポキシ樹脂で
あり、３２は支持基材である。第８図において、３６は
基板である。
以上のように構成された従来の半導体装置の接続法につ
いて、以下その概略を説明する。まず、第５図に示すよ
うに金属ワイヤ１９の先端を水素炎トーチ２０によって
溶融させボール１８を形成し、キャピラリ１７によって
半導体装置１５の電極パッド１６に固着したのち、金属
ワイヤ１９を引っ張ることにより切断して、電極パッド
１６上にボール２２と残存する金属ワイヤ２４からなる
突出接点を形成する０次に第６図に示すように、半導体
装置１５を平坦面が形成された基材２８に押し付けるこ
とにより平坦化したボール２６を得る。さらに、第７図
に示すように、平坦化したボール２６を有する半導体装
置１５を、支持基材３２上に形成した導電性エポキシ樹
脂３０に押し当てることにより、平坦化したボール２６
上に導電性エポキシ樹脂３０を転写する。以上のように
して、電極パッド１６上の平坦化したボール２６上に導
電性エポキシ樹脂３０を形成した半導体装置１５を、第
８図に示すように、基板３６の導体の導体パターン３４
に位置合わせして固着することによって、電気的接続を
行うものである。
いて、以下その概略を説明する。まず、第５図に示すよ
うに金属ワイヤ１９の先端を水素炎トーチ２０によって
溶融させボール１８を形成し、キャピラリ１７によって
半導体装置１５の電極パッド１６に固着したのち、金属
ワイヤ１９を引っ張ることにより切断して、電極パッド
１６上にボール２２と残存する金属ワイヤ２４からなる
突出接点を形成する０次に第６図に示すように、半導体
装置１５を平坦面が形成された基材２８に押し付けるこ
とにより平坦化したボール２６を得る。さらに、第７図
に示すように、平坦化したボール２６を有する半導体装
置１５を、支持基材３２上に形成した導電性エポキシ樹
脂３０に押し当てることにより、平坦化したボール２６
上に導電性エポキシ樹脂３０を転写する。以上のように
して、電極パッド１６上の平坦化したボール２６上に導
電性エポキシ樹脂３０を形成した半導体装置１５を、第
８図に示すように、基板３６の導体の導体パターン３４
に位置合わせして固着することによって、電気的接続を
行うものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような半導体装置の接続方法では、
突出接点の形成において、金属ワイヤを引っ張ることに
より切断するため、電極パッド上に固着したボールに残
存する金属ワイヤが一定でなく、ボールを平坦化する工
程において、残存する金属ワイヤによって隣接するボー
ルと短絡するという課題を有していた。
突出接点の形成において、金属ワイヤを引っ張ることに
より切断するため、電極パッド上に固着したボールに残
存する金属ワイヤが一定でなく、ボールを平坦化する工
程において、残存する金属ワイヤによって隣接するボー
ルと短絡するという課題を有していた。
また、平坦化したボールの平坦面の全面に導電性エポキ
シ樹脂を形成するため、基板の導体パターンに接続した
際に、導電性エポキシ樹脂が広がって、隣接する導体パ
ターンと短絡するという課題を有している。
シ樹脂を形成するため、基板の導体パターンに接続した
際に、導電性エポキシ樹脂が広がって、隣接する導体パ
ターンと短絡するという課題を有している。
さらに、導電性エポキシ樹脂接着剤により接続すること
は、電気的抵抗が高（、熱に対する応力にも弱いという
課題を有している。さらに、樹脂であるため耐熱性に乏
しく１２０℃以上の高温での信頼性に欠けるという課題
を有している。
は、電気的抵抗が高（、熱に対する応力にも弱いという
課題を有している。さらに、樹脂であるため耐熱性に乏
しく１２０℃以上の高温での信頼性に欠けるという課題
を有している。
本発明は上記課題に鑑み、半導体装置を導体パターンが
形成された基板に信頼性よく電気的接続を行うことがで
きる金属接合用導電性ペーストと、それを用いた半導体
装置の実装方法を提供するものである。
形成された基板に信頼性よく電気的接続を行うことがで
きる金属接合用導電性ペーストと、それを用いた半導体
装置の実装方法を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するため、半導体装置の導体パターンが
形成された基板への実装方法において、金属ワイヤの先
端に熱エネルギーによってボールを形成する工程と、前
記ボールをキャピラリにより半導体装置の電極バッド上
に圧着した後、キャピラリをループ状軌道をもって移動
した後金属ワイヤを切断する事により二段突出形状の突
出電極を形成する工程と、平坦面が形成された基材を半
導体装置の突出接点に押し当てることによって突出接点
を平坦化させる工程と、平坦化した突出接点を別に用意
した支持基材上に、平均粒径が１０μｍ以下のＡｕ粉末
にＳｉ粉末もしくはＧｅ粉末を加えた無機成分に、少な
（とも溶剤を加えてなる導電性ペーストを塗工し前記塗
工面に合わせて前記突出接点上のみに前記導電性ペース
トを転写する工程と、半導体装置を導体パターンが形成
された基板の所望の位置に搭載する工程と、前記半導体
装置を搭載した基板を熱処理することにより前記導電性
ペーストを溶解させ、前記突出接点と基板導体パターン
との電気的接合を行う工程とを含むことによって、半導
体装置の実装を実現するものである。
形成された基板への実装方法において、金属ワイヤの先
端に熱エネルギーによってボールを形成する工程と、前
記ボールをキャピラリにより半導体装置の電極バッド上
に圧着した後、キャピラリをループ状軌道をもって移動
した後金属ワイヤを切断する事により二段突出形状の突
出電極を形成する工程と、平坦面が形成された基材を半
導体装置の突出接点に押し当てることによって突出接点
を平坦化させる工程と、平坦化した突出接点を別に用意
した支持基材上に、平均粒径が１０μｍ以下のＡｕ粉末
にＳｉ粉末もしくはＧｅ粉末を加えた無機成分に、少な
（とも溶剤を加えてなる導電性ペーストを塗工し前記塗
工面に合わせて前記突出接点上のみに前記導電性ペース
トを転写する工程と、半導体装置を導体パターンが形成
された基板の所望の位置に搭載する工程と、前記半導体
装置を搭載した基板を熱処理することにより前記導電性
ペーストを溶解させ、前記突出接点と基板導体パターン
との電気的接合を行う工程とを含むことによって、半導
体装置の実装を実現するものである。
作用
本発明は、上記した構成によって、半導体装置の電極パ
ッド上に２段突出状の突出接点を信頼性よく形成するこ
とができ、かつ前記導電性ペーストにより低音金属合金
で、突出接点と導体パターンを接合するため、接合抵抗
も低いものとなる。
ッド上に２段突出状の突出接点を信頼性よく形成するこ
とができ、かつ前記導電性ペーストにより低音金属合金
で、突出接点と導体パターンを接合するため、接合抵抗
も低いものとなる。
実施例
以下本発明の一実施例の導電性ペーストおよびそれを用
いた半導体装置の実装方法について、図面を参照しなが
ら説明する。第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第一の実
施例における突出接点を形成する工程図であり、第２図
は、本発明の一実施例の突出接点を平坦化する工程図で
あり、第３図は本発明の一実施例の導電性ペーストを転
写する工程図であり、第４図は本発明の一実施例の基板
へ半導体装置を接続する工程図である。
いた半導体装置の実装方法について、図面を参照しなが
ら説明する。第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第一の実
施例における突出接点を形成する工程図であり、第２図
は、本発明の一実施例の突出接点を平坦化する工程図で
あり、第３図は本発明の一実施例の導電性ペーストを転
写する工程図であり、第４図は本発明の一実施例の基板
へ半導体装置を接続する工程図である。
まず、導電性ペーストは、第１表に示す無機組成の粉末
を用いた。
を用いた。
（以 下 余 白）
第１表 導電性ペースト組成 （重量％）Ａｕ粉末の粒
径は約１μｍ、Ｓｉ粉末は約３μｍ、Ｃ；ｅ粉末粒径は
約４μｍのものを用いた。
径は約１μｍ、Ｓｉ粉末は約３μｍ、Ｃ；ｅ粉末粒径は
約４μｍのものを用いた。
次に、第１表に示す無機組成の粉末に、溶剤としてテル
ピネオールを加え３段ロールにてペースト状に混練した
。なお導電性ペーストの無機組成はＡｕとＳｔもしくは
Ｇｅの共晶点組成とその近辺の組成とした。
ピネオールを加え３段ロールにてペースト状に混練した
。なお導電性ペーストの無機組成はＡｕとＳｔもしくは
Ｇｅの共晶点組成とその近辺の組成とした。
次に、本発明の半導体装置の実装方法について詳細に述
べる。第１図において、１は半導体装置であり、２は、
電極パッドである。３はキャピラリであり、４は孔であ
る。５はＡｕワイヤであり、７は電極バッドに固着した
ボールであり、８はボール上に残存するＡｕワイヤであ
る。第２図において、９は平坦化された突出接点であり
、１０は平坦面が形成された基材である。第３図におい
て、１１は前記導電性ペーストであり、１２は支持基材
である。第４図において、１３は導体パターンであり、
１４は基板である。
べる。第１図において、１は半導体装置であり、２は、
電極パッドである。３はキャピラリであり、４は孔であ
る。５はＡｕワイヤであり、７は電極バッドに固着した
ボールであり、８はボール上に残存するＡｕワイヤであ
る。第２図において、９は平坦化された突出接点であり
、１０は平坦面が形成された基材である。第３図におい
て、１１は前記導電性ペーストであり、１２は支持基材
である。第４図において、１３は導体パターンであり、
１４は基板である。
以上のように構成された半導体装置の実装方法について
、以下図面を用いて説明する。まず、第１Ｍ（ａ）（７
＞様にボールを形成する。このボール６は公知のように
ガス炎または、静電放電等によって形成される０次に第
１図（ｂ）の様に半導体装置１の電極パッド２に超音波
振動もしくは熱圧着する。
、以下図面を用いて説明する。まず、第１Ｍ（ａ）（７
＞様にボールを形成する。このボール６は公知のように
ガス炎または、静電放電等によって形成される０次に第
１図（ｂ）の様に半導体装置１の電極パッド２に超音波
振動もしくは熱圧着する。
次に、第１図（Ｃ）の欅にＡｕワイヤ５をキャピラリ３
の孔に通した状態でキャピラリ３を第１図（イ）に示す
ようにループ状軌道に移動させ、第１図（ｅ）に示すよ
うに電極に固着したボール７の上部に逆Ｕ字状にＡｕワ
イヤを残存させてキャピラリ３を降下してＡｕワイヤ５
を切断する０以上の工程により、半導体装置１の電極バ
ッド２上に２段突出形状の突出接点が形成される。半導
体装置ｌのすべての電極パッド２上に突出接点を形成し
た後、第２図に示すように表面が粗であるような基材１
０に押しあてることにより、上部が平坦化し、その表面
が粗であるような突出接点９が得られる。つぎに第３図
に示すように、平坦化し表面が粗である欅な突出接点９
を有する半導体装Ｗ１を、支持基材上に塗布した前記導
電性ペースト１１に当てることにより、前記突出接点上
に転写する。このとき、導電性ベース）１１の膜厚は、
２段突出形状の突出接点の２段目程度であることが望ま
しい。
の孔に通した状態でキャピラリ３を第１図（イ）に示す
ようにループ状軌道に移動させ、第１図（ｅ）に示すよ
うに電極に固着したボール７の上部に逆Ｕ字状にＡｕワ
イヤを残存させてキャピラリ３を降下してＡｕワイヤ５
を切断する０以上の工程により、半導体装置１の電極バ
ッド２上に２段突出形状の突出接点が形成される。半導
体装置ｌのすべての電極パッド２上に突出接点を形成し
た後、第２図に示すように表面が粗であるような基材１
０に押しあてることにより、上部が平坦化し、その表面
が粗であるような突出接点９が得られる。つぎに第３図
に示すように、平坦化し表面が粗である欅な突出接点９
を有する半導体装Ｗ１を、支持基材上に塗布した前記導
電性ペースト１１に当てることにより、前記突出接点上
に転写する。このとき、導電性ベース）１１の膜厚は、
２段突出形状の突出接点の２段目程度であることが望ま
しい。
次に、導電性ペーストを塗布した半導体装置ｌを、第４
図に示すように、基板１４の導体パターン１３に位置合
わせして搭載し、窒素中で約４００℃に加熱して前記導
電性ペーストを溶解させ導体パターンと前記突出接点を
電気的に接合させる。
図に示すように、基板１４の導体パターン１３に位置合
わせして搭載し、窒素中で約４００℃に加熱して前記導
電性ペーストを溶解させ導体パターンと前記突出接点を
電気的に接合させる。
第１表の無機組成による導電性ペーストでの接合におい
てペースト障１〜４のすべての組成で良好な接合が得ら
れた。このことは、前記の様な温度でＡｔＪ合金が生成
されたことを示すもので、サーマルシタツク試験におい
ても良好な結果が得られた。また本発明の導電性ペース
トは、低融点合金によって接合を形成するため、共晶点
から太きくずれる組成では良好な接合が得られないこと
は言うまでもない。
てペースト障１〜４のすべての組成で良好な接合が得ら
れた。このことは、前記の様な温度でＡｔＪ合金が生成
されたことを示すもので、サーマルシタツク試験におい
ても良好な結果が得られた。また本発明の導電性ペース
トは、低融点合金によって接合を形成するため、共晶点
から太きくずれる組成では良好な接合が得られないこと
は言うまでもない。
このとき、導体パターンおよび突出接点の材料は、導電
性ペーストとの濡れ性からＡｕ導体が望ましい、また前
記導電性ペーストの塗布後、導通チエツクにより半導体
装置が不良品の場合は、熱処理前であれば交換が可能で
ある。さらに、本発明では、使用する基板に制約がある
。すなわち、４００℃で溶解させるためシリコンと基板
との熱膨張が一致していることが必要であるためである
。
性ペーストとの濡れ性からＡｕ導体が望ましい、また前
記導電性ペーストの塗布後、導通チエツクにより半導体
装置が不良品の場合は、熱処理前であれば交換が可能で
ある。さらに、本発明では、使用する基板に制約がある
。すなわち、４００℃で溶解させるためシリコンと基板
との熱膨張が一致していることが必要であるためである
。
このような性能を満足させるものとしては、ガラスとセ
ラミックの複合による低温焼結セラミック基板がある。
ラミックの複合による低温焼結セラミック基板がある。
以上のように本実施例によれば、均一な形状の突出接点
が得られ、かつ金属合金による信頼性の高い接合かえら
れる。
が得られ、かつ金属合金による信頼性の高い接合かえら
れる。
発明の効果
以上のように本発明の導電性ペーストと半導体装置の実
装方法によれば、半導体装置の電極パッドに２段突出形
状の接点を従来のネイルヘッドボンディングの技術を用
いて形成でき、その突出接点上に選択的に転写した前記
導電性ペーストによって半導体装置を基板の導体パター
ンに電気的な接合を行うことができる。この接続は、金
属接合であり、電気的偉績性は言うに及ばず、機械的に
も強固な接続が得られる。これにより、極めて安定で、
信頼性の高い半導体装置の実装が実現でき、きわめて実
用価値の高いものである。
装方法によれば、半導体装置の電極パッドに２段突出形
状の接点を従来のネイルヘッドボンディングの技術を用
いて形成でき、その突出接点上に選択的に転写した前記
導電性ペーストによって半導体装置を基板の導体パター
ンに電気的な接合を行うことができる。この接続は、金
属接合であり、電気的偉績性は言うに及ばず、機械的に
も強固な接続が得られる。これにより、極めて安定で、
信頼性の高い半導体装置の実装が実現でき、きわめて実
用価値の高いものである。
第１１１（ａ）〜（ｅ）は本発明の第一の実施例の突出
接点を形成する工程図、第２図は本発明の一実施例の突
出接点を平坦化する工程図、第３図は本発明の一実施例
の導電性ペーストを転写する工程図、第４図は本発明の
一実施例の基板へ半導体装置を接続する工程図、第５図
は突出接点を形成する工程図、第６図は突出接点を平坦
化する工程図、第７図は導電性エポキシ樹脂を転写する
工程図、第８図は基板へ半導体装置を接続する工程図で
ある。 １．１５・・・・・・半導体装置、２，１６・・・・・
・電極パッド、３．１７・・・・・・キャピラリ、４・
・・・・・孔、５゜１９・・・・・・Ａｕワイヤ、６，
１８・・・・・・ボール、７゜２２・・・・・・電極パ
ッドに固着したボール、８．２４・・・・・・ボール上
に残存するＡｕワイヤ、９．２６・・・・・・平坦化さ
れた突出接点、ｔｏ、２Ｂ・・・・・・平坦面が形成さ
れた基材、１１・・・・・・導電性ペースト、１２．３
２・・・・・・支持基材、１３．３４・・・・・・導体
パターン、１４．３６・・・・・・基板、２ｏ・・・・
・・水素炎トーチ、３０・・・・・・導電性エポキシ樹
脂。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名↓ 番 番 番 （−・手鞠１！ ！・−４Ｌ′にハ゛１．ド ５−−−Ａｕ ”７１丁 ｃ −−−Ｆ−ル
接点を形成する工程図、第２図は本発明の一実施例の突
出接点を平坦化する工程図、第３図は本発明の一実施例
の導電性ペーストを転写する工程図、第４図は本発明の
一実施例の基板へ半導体装置を接続する工程図、第５図
は突出接点を形成する工程図、第６図は突出接点を平坦
化する工程図、第７図は導電性エポキシ樹脂を転写する
工程図、第８図は基板へ半導体装置を接続する工程図で
ある。 １．１５・・・・・・半導体装置、２，１６・・・・・
・電極パッド、３．１７・・・・・・キャピラリ、４・
・・・・・孔、５゜１９・・・・・・Ａｕワイヤ、６，
１８・・・・・・ボール、７゜２２・・・・・・電極パ
ッドに固着したボール、８．２４・・・・・・ボール上
に残存するＡｕワイヤ、９．２６・・・・・・平坦化さ
れた突出接点、ｔｏ、２Ｂ・・・・・・平坦面が形成さ
れた基材、１１・・・・・・導電性ペースト、１２．３
２・・・・・・支持基材、１３．３４・・・・・・導体
パターン、１４．３６・・・・・・基板、２ｏ・・・・
・・水素炎トーチ、３０・・・・・・導電性エポキシ樹
脂。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名↓ 番 番 番 （−・手鞠１！ ！・−４Ｌ′にハ゛１．ド ５−−−Ａｕ ”７１丁 ｃ −−−Ｆ−ル
Claims (4)
- （１）平均粒径が１０μｍ以下のＡｕ粉末９０．０〜９
９．０重量％に、平均粒径１０μｍ以下のＳｉ粉末を１
．０〜１０．０重量％含有した無機成分に、少なくとも
溶剤を加えてなることを特徴とする導電性ペースト。 - （２）半導体装置の導体パターンが形成された基板への
実装方法において、金属ワイヤの先端に熱エネルギーに
よってボールを形成する工程と、前記ボールをキャピラ
リにより半導体装置の電極パッド上に圧着した後、キャ
ピラリをループ状軌道をもって移動した後金属ワイヤを
切断する事により二段突出形状の突出電極を形成する工
程と、平坦面が形成された基材を半導体装置の突出接点
に押し当てることによって突出接点を平坦化させる工程
と、平坦化した突出接点を別に用意した支持基材上に、
平均粒径が １０μｍ以下のＡｕ粉末９０．０〜９９．０重量％に、
平坦粒径１０μｍ以下のＳｉ粉末を１．０〜１０．０重
量％含有した無機成分に、少なくとも溶剤を加えてなる
導電性ペーストを塗工し前記塗工面に合わせて前記突出
接点上のみに前記導電性ペーストを転写する工程と、半
導体装置を導体パターンが形成された基板の所望の位置
に搭載する工程と、前記半導体装置を搭載した基板を熱
処理することにより前記導電性ペーストを溶解させ、前
記突出接点と基板導体パターンとの電気的接合を行う工
程とを含むことを特徴とする半導体装置の実装方法。 - （３）平均粒径が１０μｍ以下のＡｕ粉末８０．０〜９
５．０重量％に、平均粒径１０μｍ以下のＧｅ粉末を５
．０〜２０．０重量％含有した無機成分に、少なくとも
溶剤を加えてなることを特徴とする導電性ペースト。 - （４）半導体装置の導体パターンが形成された基板への
実装方法において、金属ワイヤの先端に熱エネルギーに
よってボールを形成する工程と、前記ボールをキャピラ
リにより半導体装置の電極パッド上に圧着した後、キャ
ピラリをループ状軌道をもって移動した後金属ワイヤを
切断する事により二段突出形状の突出電極を形成する工
程と、平坦面が形成された基材を半導体装置の突出接点
に押し当てることによって突出接点を平坦化させる工程
と、平坦化した突出接点を別に用意した支持基材上に平
均粒径が１０μｍ以下のＡｕ粉末８０．０〜９５．０重
量％に、平均粒径１０μｍ以下のＧｅ粉末を５．０〜２
０．０重量％含有した無機成分に、少なくとも溶剤を加
えてなる導電性ペーストを塗工し、前記塗工面に合わせ
て前記突出接点上のみに前記導電ペーストを転写する工
程と、半導体装置を導体パターンが形成された基板の所
望の位置に搭載する工程と、前記半導体装置を搭載した
基板を熱処理することにより前記導電性ペーストを溶解
させ、前記突出接点と基板導体パターンとの電気的接合
を行う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の実装
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20327990A JPH0488645A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 導電性ペーストと半導体装置の実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20327990A JPH0488645A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 導電性ペーストと半導体装置の実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0488645A true JPH0488645A (ja) | 1992-03-23 |
Family
ID=16471423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20327990A Pending JPH0488645A (ja) | 1990-07-31 | 1990-07-31 | 導電性ペーストと半導体装置の実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0488645A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858941B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Multi-chip stack and method of fabrication utilizing self-aligning electrical contact array |
-
1990
- 1990-07-31 JP JP20327990A patent/JPH0488645A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858941B2 (en) * | 2000-12-07 | 2005-02-22 | International Business Machines Corporation | Multi-chip stack and method of fabrication utilizing self-aligning electrical contact array |
| US6921018B2 (en) | 2000-12-07 | 2005-07-26 | International Business Machines Corporation | Multi-chip stack and method of fabrication utilizing self-aligning electrical contact array |
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