JPH0487244A - 走査型電子顕微鏡 - Google Patents
走査型電子顕微鏡Info
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- JPH0487244A JPH0487244A JP20084890A JP20084890A JPH0487244A JP H0487244 A JPH0487244 A JP H0487244A JP 20084890 A JP20084890 A JP 20084890A JP 20084890 A JP20084890 A JP 20084890A JP H0487244 A JPH0487244 A JP H0487244A
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- electron
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- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims abstract description 31
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- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 23
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は走査型電子顕微鏡(S E M : S ca
nningE 1ectron M 1croscop
e)に関する。特に、本発明はコールドフィールドエミ
ッション型電子銃(以下、コールドFE電子銃)を内蔵
する走査型電子顕微鏡に適用して有効な技術に関するも
のである。
nningE 1ectron M 1croscop
e)に関する。特に、本発明はコールドフィールドエミ
ッション型電子銃(以下、コールドFE電子銃)を内蔵
する走査型電子顕微鏡に適用して有効な技術に関するも
のである。
コールドFE電子銃を内蔵する走査型電子顕微鏡は、電
子ビームの集束密度が高く、分解性能が高い特徴がある
。この種の走査型電子顕微鏡は鏡体内に設けられた電子
銃から試料室内に配置された試料(例えば半導体ウェー
ハ)の表面に電子ビームを照射する。鏡体内、試料室の
夫々は、真空装置に連結され、所定の真空度が保持され
る。
子ビームの集束密度が高く、分解性能が高い特徴がある
。この種の走査型電子顕微鏡は鏡体内に設けられた電子
銃から試料室内に配置された試料(例えば半導体ウェー
ハ)の表面に電子ビームを照射する。鏡体内、試料室の
夫々は、真空装置に連結され、所定の真空度が保持され
る。
前記走査型電子顕微鏡は、主に鏡体内に存在するガスが
経時的に電子銃の表面に吸着され、電子銃から照射され
る電子ビームのビーム電流量が低下する。この電子ビー
ムのビーム電流量の低下は、像のコントラスト不良、雑
音比の悪化、エツジ検出性能の低下等、走査型電子顕微
鏡の分解性能を低下させる。したがって、この種の走査
型電子顕微鏡は、電子銃の表面に吸着したガスを除去す
るフラッシング動作を行うメンテナンス作業が不可欠と
なる。
経時的に電子銃の表面に吸着され、電子銃から照射され
る電子ビームのビーム電流量が低下する。この電子ビー
ムのビーム電流量の低下は、像のコントラスト不良、雑
音比の悪化、エツジ検出性能の低下等、走査型電子顕微
鏡の分解性能を低下させる。したがって、この種の走査
型電子顕微鏡は、電子銃の表面に吸着したガスを除去す
るフラッシング動作を行うメンテナンス作業が不可欠と
なる。
フラッシング動作後、4〜10時間は走査型電子顕微鏡
の電子ビームのビーム電流の変化量が実用上問題ないレ
ベルにある。このため、フラッシング動作は、通常、所
定のマニアルに基づき例えば約8時間に1回の割合で定
期的に行われる。このフラッシング動作は走査型電子顕
微鏡を操作する作業者が手動により行う。
の電子ビームのビーム電流の変化量が実用上問題ないレ
ベルにある。このため、フラッシング動作は、通常、所
定のマニアルに基づき例えば約8時間に1回の割合で定
期的に行われる。このフラッシング動作は走査型電子顕
微鏡を操作する作業者が手動により行う。
前記コールドFE電子銃を内蔵する走査型電子顕微鏡に
おいて、フラッシング動作は、本来電子ビームの照射時
間に対応させて行うことが理想であるが、現状は作業者
の作業時間のサイクルに合せて行われている。例えば、
1日24時間の連続した作業時間中に走査型電子顕微鏡
を稼働する場合、作業者の労働条件に制約され、8時間
毎に作業者を3回文代する必要があるので、作業者の交
代毎にフラッシング動作が行われる。このため、電子ビ
ームの設定された照射時間に対して、フラッシング動作
の時期にずれが生じるので、分解性能等、走査型電子顕
1[の性能にばらつきを生じる。
おいて、フラッシング動作は、本来電子ビームの照射時
間に対応させて行うことが理想であるが、現状は作業者
の作業時間のサイクルに合せて行われている。例えば、
1日24時間の連続した作業時間中に走査型電子顕微鏡
を稼働する場合、作業者の労働条件に制約され、8時間
毎に作業者を3回文代する必要があるので、作業者の交
代毎にフラッシング動作が行われる。このため、電子ビ
ームの設定された照射時間に対して、フラッシング動作
の時期にずれが生じるので、分解性能等、走査型電子顕
1[の性能にばらつきを生じる。
また、作業者の作業内容にフラッシング動作を行う作業
が付加されるので、作業者の負担が増大する。
が付加されるので、作業者の負担が増大する。
また、作業者がフラッシング動作を忘れる等の人為的な
ミスが発生する。
ミスが発生する。
本発明の目的は、コールドFE電子銃を内蔵する走査型
電子顕微鏡において、分解性能を維持するメンテナンス
(フラッシング動作)を定期的にかつ自動的に行うこと
が可能な技術を提供することにある。
電子顕微鏡において、分解性能を維持するメンテナンス
(フラッシング動作)を定期的にかつ自動的に行うこと
が可能な技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記走査型電子顕微鏡の操作を行
う作業者の作業内容の省力化を図ることが可能な技術を
提供することにある。
う作業者の作業内容の省力化を図ることが可能な技術を
提供することにある。
本発明の他の目的は、前記走査型電子顕微鏡の作業者の
作業時間のサイクルに律則されることなく、それに対し
て独立にメンテナンスを行うことが可能な技術を提供す
ることにある。
作業時間のサイクルに律則されることなく、それに対し
て独立にメンテナンスを行うことが可能な技術を提供す
ることにある。
本発明の他の目的は、前記走査型電子顕微鏡t鏡の作業
者がメンテナンスを忘れる等のメンテナンス不備を削減
し、常時、分解性能を維持することが可能な技術、・を
提供することにある。
者がメンテナンスを忘れる等のメンテナンス不備を削減
し、常時、分解性能を維持することが可能な技術、・を
提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろ
う。
本腰において開示される発明のうち1代表的なものの概
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
(1)鏡体内のコールドFE電子銃から試料室内に配置
される試料に電子ビームを照射する走査型電子顕微鏡に
おいて、前記電子銃の電子ビームの照射を制御する電子
ビーム発生回路と、前記電子銃から試料に向って照射さ
れる電子ビームの照射経路を間欠的に偏向するサンプリ
ング回路と、このサンプリング回路で間欠的に偏向され
た電子ビームのビーム電流量を検出する電子ビームセン
サと、前記電子銃にフラッシング動作を行うフラッシン
グ起動回路と、前記サンプリング回路を間欠的に起動し
、このサンプリング回路を起動した際に前記電子ビーム
センサで検出されるビーム電流の変化量をビーム電流の
フラッシング後の初期領域の変化量又はビーム電流の安
定領域での変化量に対して比較し、前記初期領域又は安
定領域の変化量に対して検出された変化量が正の場合に
、前記電子ビーム発生回路に電子ビームの照射を停止す
る信号を出力すると共に、前記フラッシング起動回路を
起動する自動フラッシング回路とを備える。
される試料に電子ビームを照射する走査型電子顕微鏡に
おいて、前記電子銃の電子ビームの照射を制御する電子
ビーム発生回路と、前記電子銃から試料に向って照射さ
れる電子ビームの照射経路を間欠的に偏向するサンプリ
ング回路と、このサンプリング回路で間欠的に偏向され
た電子ビームのビーム電流量を検出する電子ビームセン
サと、前記電子銃にフラッシング動作を行うフラッシン
グ起動回路と、前記サンプリング回路を間欠的に起動し
、このサンプリング回路を起動した際に前記電子ビーム
センサで検出されるビーム電流の変化量をビーム電流の
フラッシング後の初期領域の変化量又はビーム電流の安
定領域での変化量に対して比較し、前記初期領域又は安
定領域の変化量に対して検出された変化量が正の場合に
、前記電子ビーム発生回路に電子ビームの照射を停止す
る信号を出力すると共に、前記フラッシング起動回路を
起動する自動フラッシング回路とを備える。
(2)1体内のコールドFE電子銃から試料室内に配置
される試料に電子ビームを照射する走査型電子顕微鏡に
おいて、前記電子銃の電子ビームの照射を制御する電子
ビーム発生回路と、前記電子銃から試料に向って照射さ
れる電子ビームの照射経路を間欠的に偏向するサンプリ
ング回路と、このサンプリング回路で間欠的に偏向され
た電子ビームのビーム電流量を検出する電子ビームセン
サと、前記電子銃にフラッシング動作を行うフラッシン
グ起動回路と、このフラッシング起動回路の操作時期を
作業者に警告する警告手段と、前記サンプリング回路を
間欠的に起動し、このサンプリング回路を起動した際に
前記電子ビームセンサで検出されるビーム電流の変化量
をビーム電流のフラッシング後の初期領域の変化量又は
ビーム電流の安定領域での変化量に対して比較し、前記
初期領域又は安定領域の変化量に対して検出された変化
量が正の場合に、前記警告手段を起動する自動フラッシ
ング回路とを備える。
される試料に電子ビームを照射する走査型電子顕微鏡に
おいて、前記電子銃の電子ビームの照射を制御する電子
ビーム発生回路と、前記電子銃から試料に向って照射さ
れる電子ビームの照射経路を間欠的に偏向するサンプリ
ング回路と、このサンプリング回路で間欠的に偏向され
た電子ビームのビーム電流量を検出する電子ビームセン
サと、前記電子銃にフラッシング動作を行うフラッシン
グ起動回路と、このフラッシング起動回路の操作時期を
作業者に警告する警告手段と、前記サンプリング回路を
間欠的に起動し、このサンプリング回路を起動した際に
前記電子ビームセンサで検出されるビーム電流の変化量
をビーム電流のフラッシング後の初期領域の変化量又は
ビーム電流の安定領域での変化量に対して比較し、前記
初期領域又は安定領域の変化量に対して検出された変化
量が正の場合に、前記警告手段を起動する自動フラッシ
ング回路とを備える。
上述した手段(1)によれば、前記コールドFE電子銃
を有する走査型電子M微鏡において、電子ビームのビー
ム電流の変化量を間欠的に検出し、この検出されたビー
ム電流の変化量を前記初期領域又は安定領域の変化量と
比較し、検出されたビーム電流の変化量が正の場合(電
子ビームのビーム電流量が低下しかつ不安定な場合)に
、自動的に電子銃にフラッシングを行い、自動的に電子
ビームのビーム電流の変化量を前記初期領域又は安定領
域のビーム電流の変化量に近接できる。この結果、分解
性能を維持するメンテナンス(フラッシング動作)を定
期的にかつ自動的に行える。また、走査型電子顕微鏡の
操作を行う作業者の作業内容の省力化を図れると共に、
作業者の作業時間のサイクルに律則されることなく、そ
れに対して独立にメンテナンスが行える。また、前記作
業者がメンテナンスを忘れる等のメンテナンス不備を削
減できるので、常時、分解性能が維持された走査型電子
顕微鏡を使用できる。
を有する走査型電子M微鏡において、電子ビームのビー
ム電流の変化量を間欠的に検出し、この検出されたビー
ム電流の変化量を前記初期領域又は安定領域の変化量と
比較し、検出されたビーム電流の変化量が正の場合(電
子ビームのビーム電流量が低下しかつ不安定な場合)に
、自動的に電子銃にフラッシングを行い、自動的に電子
ビームのビーム電流の変化量を前記初期領域又は安定領
域のビーム電流の変化量に近接できる。この結果、分解
性能を維持するメンテナンス(フラッシング動作)を定
期的にかつ自動的に行える。また、走査型電子顕微鏡の
操作を行う作業者の作業内容の省力化を図れると共に、
作業者の作業時間のサイクルに律則されることなく、そ
れに対して独立にメンテナンスが行える。また、前記作
業者がメンテナンスを忘れる等のメンテナンス不備を削
減できるので、常時、分解性能が維持された走査型電子
顕微鏡を使用できる。
上述した手段(2)によれば、前記コールドFE電子銃
を有する走査型電子顕微鏡において、電子ビームのビー
ム電流の変化量を間欠的に検出し、この検出されたビー
ム電流の変化量を前記初期領域又は安定領域の変化量と
比較し、検出されたビーム電流の変化量が正の場合に、
自動的に作業者に警告しく知らせ)、この警告に基づい
て作業者が電子銃にフラッシングを行い(半自動的にフ
ラッシングを行い)、電子ビームのビーム電流の変化量
を前記初期領域又は安定領域のビーム電流の変化量に近
接できる。
を有する走査型電子顕微鏡において、電子ビームのビー
ム電流の変化量を間欠的に検出し、この検出されたビー
ム電流の変化量を前記初期領域又は安定領域の変化量と
比較し、検出されたビーム電流の変化量が正の場合に、
自動的に作業者に警告しく知らせ)、この警告に基づい
て作業者が電子銃にフラッシングを行い(半自動的にフ
ラッシングを行い)、電子ビームのビーム電流の変化量
を前記初期領域又は安定領域のビーム電流の変化量に近
接できる。
以下、本発明の構成について、コールドFE電子銃を内
蔵する走査型電子顕微鏡に本発明を適用した一実施例と
ともに説明する。
蔵する走査型電子顕微鏡に本発明を適用した一実施例と
ともに説明する。
なお、実施例を説明するための全回において、同一機能
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は
省略する。
本発明の一実施例であるコールドFE電子銃を内蔵する
走査型電子顕微鏡を第1図(概略構成図)で示す。
走査型電子顕微鏡を第1図(概略構成図)で示す。
第1図に示すように、コールドFE電子銃を内蔵する走
査型電子顕微鏡1は主に鏡体2及び試料室3で構成され
る。鏡体2には図示しない真空装置が連結され、鏡体2
内を真空状態に保持できる6鏡体2、試料室3の夫々は
開閉バルブ8を介在させて連結される。
査型電子顕微鏡1は主に鏡体2及び試料室3で構成され
る。鏡体2には図示しない真空装置が連結され、鏡体2
内を真空状態に保持できる6鏡体2、試料室3の夫々は
開閉バルブ8を介在させて連結される。
前記鏡体2内にはコールドFE電子銃(チップ)4が配
置される。この電子銃4はビーム発生回路11で電子ビ
ームの照射及び停止が制御される。また、電子銃4はフ
ラッシング起動回路12に接続される。フラッシング起
動回路12は電子銃4の表面に経時的に吸着された鏡体
2内のガスを除去するフラッシング動作を制御する。
置される。この電子銃4はビーム発生回路11で電子ビ
ームの照射及び停止が制御される。また、電子銃4はフ
ラッシング起動回路12に接続される。フラッシング起
動回路12は電子銃4の表面に経時的に吸着された鏡体
2内のガスを除去するフラッシング動作を制御する。
また、鏡体2内において、電子銃4から照射される電子
ビームのビーム経路9の途中には偏向コイル5が配置さ
れる。偏向コイル5は正規のビーム経路9からそれ以外
の経路(電子ビームセンサへの経路)に電子ビームを偏
向する。偏向コイル5はサンプリング回路13で制御さ
れ、このサンプリング回路13は電子ビームを間欠的に
偏向する。
ビームのビーム経路9の途中には偏向コイル5が配置さ
れる。偏向コイル5は正規のビーム経路9からそれ以外
の経路(電子ビームセンサへの経路)に電子ビームを偏
向する。偏向コイル5はサンプリング回路13で制御さ
れ、このサンプリング回路13は電子ビームを間欠的に
偏向する。
前記偏向コイル5で偏向された電子ビームは電子ビーム
センサ7でそのビーム電流量が検出される。電子ビーム
センサ7は、基本的に電子ビームのビーム電流量を電気
的に検出できるものであればよく、例えばファラデーカ
ップ等で構成する。
センサ7でそのビーム電流量が検出される。電子ビーム
センサ7は、基本的に電子ビームのビーム電流量を電気
的に検出できるものであればよく、例えばファラデーカ
ップ等で構成する。
電子ビームセンサ7は鏡体2内に配置される。
前記ビーム発生回路11、フラッシング起動回路12、
サンプリング回路13の夫々は自動フラッシング回路1
0で制御される。自動フラッシング回路10は、タイマ
ーが内蔵され、所定時間毎(例えば数分毎、数十分毎、
数時間毎)にサンプリング回路!3を起動する。また、
自動フラッシング回路10は、前記電子ビームセンサ7
で検出されたビーム電流量を設定値と比較し、設定値を
越えている場合にはビーム発生回路11を介して電子ビ
ームの照射を停止すると共に、フラッシング起動回路1
2を介して電子銃4にフラッシングを行う。
サンプリング回路13の夫々は自動フラッシング回路1
0で制御される。自動フラッシング回路10は、タイマ
ーが内蔵され、所定時間毎(例えば数分毎、数十分毎、
数時間毎)にサンプリング回路!3を起動する。また、
自動フラッシング回路10は、前記電子ビームセンサ7
で検出されたビーム電流量を設定値と比較し、設定値を
越えている場合にはビーム発生回路11を介して電子ビ
ームの照射を停止すると共に、フラッシング起動回路1
2を介して電子銃4にフラッシングを行う。
前記試料室3には試料6例えば半導体ウェーハが配置さ
れる。試料6の表面にはビーム経路9を通して前記電子
銃4からの電子ビームが照射される。試料6の表面に電
子ビーム(−次電子)が照射されると、試料6の表面か
ら二次電子が放出され、この二次電子は図示しない検出
センサで検出される。
れる。試料6の表面にはビーム経路9を通して前記電子
銃4からの電子ビームが照射される。試料6の表面に電
子ビーム(−次電子)が照射されると、試料6の表面か
ら二次電子が放出され、この二次電子は図示しない検出
センサで検出される。
次に、このように構成されるコールドFE電子銃を内蔵
する走査型電子顕微鏡lの動作について、第1図及び第
2図(動作フロー図)を使用して、簡単に説明する。
する走査型電子顕微鏡lの動作について、第1図及び第
2図(動作フロー図)を使用して、簡単に説明する。
まず、走査型電子顕微鏡1の稼働を開始しく20〉、電
子銃4から電子ビームを試料6の表面に照射する。この
電子ビームの照射時間は自動フラッシング回路10に内
蔵されたタイマでカウントされる。
子銃4から電子ビームを試料6の表面に照射する。この
電子ビームの照射時間は自動フラッシング回路10に内
蔵されたタイマでカウントされる。
次に、電子ビームの照射時間が所定のサンプリング時間
に達した際<2!〉に、電子ビームが照射中であること
を確認しり22〉、サンプリング回路13を起動する(
24>、このサンプリング回路13の起動は自動フラッ
シング回路10で自動的に行われる。また、サンプリン
グ時間に達した際に、電子ビームの照射が停止されてい
る場合には、自動フラッシング回路10でビーム発生回
路11が起動され<23〉、電子ビームの照射が開始さ
れる。
に達した際<2!〉に、電子ビームが照射中であること
を確認しり22〉、サンプリング回路13を起動する(
24>、このサンプリング回路13の起動は自動フラッ
シング回路10で自動的に行われる。また、サンプリン
グ時間に達した際に、電子ビームの照射が停止されてい
る場合には、自動フラッシング回路10でビーム発生回
路11が起動され<23〉、電子ビームの照射が開始さ
れる。
前記サンプリング回路13が起動されると、偏向コイル
5により電子ビームが偏向され、電子ビームセンサ7に
電子ビームが照射される〈25〉。電子ビームセンサ7
では電子ビームのビーム電流量が検出される。このビー
ム電流量の検出が確認されると、自動フラッシング回路
lOはサンプリング回路13の動作を停止させる〈26
〉。
5により電子ビームが偏向され、電子ビームセンサ7に
電子ビームが照射される〈25〉。電子ビームセンサ7
では電子ビームのビーム電流量が検出される。このビー
ム電流量の検出が確認されると、自動フラッシング回路
lOはサンプリング回路13の動作を停止させる〈26
〉。
次に、前記電子ビームセンサ7で検出されたビーム電流
量、所定の設定値の夫々が自動フラッシング回路10で
比較される〈27〉。第3図(電子ビームの照射時間に
対するビーム電流値の変化を示す図)に示すように、電
子銃4から照射される電子ビームはフラッシング後の初
期領域でのビーム電流の変化量が負となる。また、この
初期領域から約4〜10時間は安定領域となり、電子ビ
ームのビーム電流の変化量が実質的に0となる。この安
定領域を越えると、電子ビームのビーム電流の変化量が
正となり、ビーム電流量が低下し或は不安定になる。し
たがって、自動フラッシング回路10において、電子ビ
ームのビーム電流量は、フラッシング後の初期領域での
ビーム電流の変化量又は安定領域でのビーム電流の変化
量(所定の設定値)と比較される。
量、所定の設定値の夫々が自動フラッシング回路10で
比較される〈27〉。第3図(電子ビームの照射時間に
対するビーム電流値の変化を示す図)に示すように、電
子銃4から照射される電子ビームはフラッシング後の初
期領域でのビーム電流の変化量が負となる。また、この
初期領域から約4〜10時間は安定領域となり、電子ビ
ームのビーム電流の変化量が実質的に0となる。この安
定領域を越えると、電子ビームのビーム電流の変化量が
正となり、ビーム電流量が低下し或は不安定になる。し
たがって、自動フラッシング回路10において、電子ビ
ームのビーム電流量は、フラッシング後の初期領域での
ビーム電流の変化量又は安定領域でのビーム電流の変化
量(所定の設定値)と比較される。
この電子ビームのビーム電流量を設定値と比較した結果
、設定値を越えない場合(初期領域又は安定領域にビー
ム電流の変化量が存在する場合)。
、設定値を越えない場合(初期領域又は安定領域にビー
ム電流の変化量が存在する場合)。
再度、自動フラッシング回路10に内蔵されたタイマで
電子ビームの照射時間のカウントを行う。設定値を越え
た場合(ビーム電流の変化量が正の場合)、自動フラッ
シング回路10からビーム発生回路11に電子ビームの
照射を停止する信号を出力し、電子銃4からの電子ビー
ムの照射を停止する<30〉。
電子ビームの照射時間のカウントを行う。設定値を越え
た場合(ビーム電流の変化量が正の場合)、自動フラッ
シング回路10からビーム発生回路11に電子ビームの
照射を停止する信号を出力し、電子銃4からの電子ビー
ムの照射を停止する<30〉。
そして、この電子ビームの照射の停止を行った後、自動
フラッシング回路10からフラッシング起動回路12に
フラッシング動作を行う信号を出力し、電子銃4にフラ
ッシングを行う<31〉。このフラッシング動作は電子
ビームのビーム電流量の変化に基づき自動的にしかも定
期的に行われる。このフラッシング動作が終了すると、
このフラッシング動作の自動制御が終了する(32)。
フラッシング回路10からフラッシング起動回路12に
フラッシング動作を行う信号を出力し、電子銃4にフラ
ッシングを行う<31〉。このフラッシング動作は電子
ビームのビーム電流量の変化に基づき自動的にしかも定
期的に行われる。このフラッシング動作が終了すると、
このフラッシング動作の自動制御が終了する(32)。
また、同第2図に示すように、電子ビームのビーム電流
量を自動フラッシング回路!0で比較判定した後、警告
するか否かを判定しく28>、ビーム電流量が設定値を
越えた場合に作業者に警告してもよい。この警告は、ア
ラーム、ブザ、ベル等の聴覚に訴える警告、或は点滅灯
等の視覚に訴える警告のいずれかで行う。これらの警告
を行う装置は走査型電子顕微鏡、その操作制御装置等に
備えればよい。前記警告が発せられた場合、作業者はフ
ラッシング起動回路12を起動し、電子銃4にフラッシ
ングを行う、つまり、このフラッシング動作は、前記警
告までが自動的に行われ、これ以後は作業者の手動にて
行われる(半自動的に行われる)。
量を自動フラッシング回路!0で比較判定した後、警告
するか否かを判定しく28>、ビーム電流量が設定値を
越えた場合に作業者に警告してもよい。この警告は、ア
ラーム、ブザ、ベル等の聴覚に訴える警告、或は点滅灯
等の視覚に訴える警告のいずれかで行う。これらの警告
を行う装置は走査型電子顕微鏡、その操作制御装置等に
備えればよい。前記警告が発せられた場合、作業者はフ
ラッシング起動回路12を起動し、電子銃4にフラッシ
ングを行う、つまり、このフラッシング動作は、前記警
告までが自動的に行われ、これ以後は作業者の手動にて
行われる(半自動的に行われる)。
このように、鏡体2内のコールドFE電子銃4から試料
室3内に配置される試料6に電子ビームを照射する走査
型電子顕微鏡lにおいて、前記電子銃4の電子ビームの
照射を制御する電子ビーム発生回路11と、前記電子銃
4から試料6に向って照射される電子ビームの照射経路
を間欠的に偏向するサンプリング回路13と、このサン
プリング回路13で間欠的に偏向された電子ビームのビ
ーム電流量を検出する電子ビームセンサ7と、前記電子
銃4にフラッシング動作を行うフラッシング起動回路1
2と、前記サンプリング回路13を間欠的に起動し、こ
のサンプリング回路13を起動した際に前記電子ビーム
センサ7で検出されるビーム電流の変化量をビーム電流
のフラッシング後の初期領域の変化量又はビーム電流の
安定領域での変化量に対して比較し、前記初期領域又は
安定領域の変化量に対して検出された変化量が正の場合
に、前記電子ビーム発生回路11に電子ビームの照射を
停止する信・号を出力すると共に、前記フラッシング起
動回路12を起動する自動フラッシング回路10とを備
える。この構成により、前記コールドFE電子銃4を有
する走査型電子顕微鏡1において、電子ビームのビーム
電流の変化量を間欠的に検出し、この検出されたビーム
電流の変化量を前記初期領域又は安定領域の変化量と比
較し、検出されたビーム電流の変化量が正の場合(電子
ビームのビーム電流量が低下しかつ不安定な場合)に、
自動的に電子銃4にフラッシングを行い、自動的に電子
ビームのビーム電流の変化量を前記初期領域又は安定領
域のビーム電流の変化量に近接できる。この結果、分解
性能を維持するメンテナンス(フラッシング動作)を定
期的にかつ自動的に行える。
室3内に配置される試料6に電子ビームを照射する走査
型電子顕微鏡lにおいて、前記電子銃4の電子ビームの
照射を制御する電子ビーム発生回路11と、前記電子銃
4から試料6に向って照射される電子ビームの照射経路
を間欠的に偏向するサンプリング回路13と、このサン
プリング回路13で間欠的に偏向された電子ビームのビ
ーム電流量を検出する電子ビームセンサ7と、前記電子
銃4にフラッシング動作を行うフラッシング起動回路1
2と、前記サンプリング回路13を間欠的に起動し、こ
のサンプリング回路13を起動した際に前記電子ビーム
センサ7で検出されるビーム電流の変化量をビーム電流
のフラッシング後の初期領域の変化量又はビーム電流の
安定領域での変化量に対して比較し、前記初期領域又は
安定領域の変化量に対して検出された変化量が正の場合
に、前記電子ビーム発生回路11に電子ビームの照射を
停止する信・号を出力すると共に、前記フラッシング起
動回路12を起動する自動フラッシング回路10とを備
える。この構成により、前記コールドFE電子銃4を有
する走査型電子顕微鏡1において、電子ビームのビーム
電流の変化量を間欠的に検出し、この検出されたビーム
電流の変化量を前記初期領域又は安定領域の変化量と比
較し、検出されたビーム電流の変化量が正の場合(電子
ビームのビーム電流量が低下しかつ不安定な場合)に、
自動的に電子銃4にフラッシングを行い、自動的に電子
ビームのビーム電流の変化量を前記初期領域又は安定領
域のビーム電流の変化量に近接できる。この結果、分解
性能を維持するメンテナンス(フラッシング動作)を定
期的にかつ自動的に行える。
また、走査型電子顕微[1の操作を行う作業者の作業内
容の省力化を図れると共に、作業者の作業時間のサイク
ルに律則されることなく、それに対して独立にメンテナ
ンスが行える。また、前記作業者がメンテナンスを忘れ
る等のメンテナンス不備を削減できるので、常時、分解
性能が維持された走査型電子顕微[1を使用できる。
容の省力化を図れると共に、作業者の作業時間のサイク
ルに律則されることなく、それに対して独立にメンテナ
ンスが行える。また、前記作業者がメンテナンスを忘れ
る等のメンテナンス不備を削減できるので、常時、分解
性能が維持された走査型電子顕微[1を使用できる。
また、m体2内のコールドFE電子銃4がら試料室3内
に配置される試料6に電子ビームを照射する走査型電子
顕微11において、前記電子銃4の電子ビームの照射を
制御する電子ビーム発生口Nrllと、前記電子銃4か
ら試料6に向って照射される電子ビームの照射経路を間
欠的に偏向するすンブリング回路13と、このサンプリ
ング回路13で間欠的に偏向された電子ビームのビーム
電流量を検出する電子ビームセンサ7と、前記電子銃4
にフラッシング動作を行うフラッシング起動回路12と
、このフラッシング起動回路12の操作時期を作業者に
警告する警告手段と、前記サンプリング回路13を間欠
的に起動し、このサンプリング回路13を起動した際に
前記電子ビームセンサ7で検出されるビーム電流の変化
量をビーム電流のフラッシング後の初期領域の変化量又
はビーム電流の安定領域での変化量に対して比較し、前
記初期領域又は安定領域の変化量に対して検出された変
化量が正の場合に、前記警告手段を起動する自動フラッ
シング回路10とを備える。この構成により、前記コー
ルドFE電子銃4を有する走査型電子顕微鏡1において
、電子ビームのビーム電流の変化量を間欠的に検出し、
この検出されたビーム電流の変化量を前記初期領域又は
安定領域の変化量と比較し、検出されたビーム電流の変
化量が正の場合に、自動的に作業者に警告しく知らせ)
、この警告に基づいて作業者が電子銃4にフラッシング
動作を行い(半自動的にフラッシングを行い)、電子ビ
ームのビーム電流の変化量を前記初期領域又は安定領域
のビーム電流の変化量に近接できる。
に配置される試料6に電子ビームを照射する走査型電子
顕微11において、前記電子銃4の電子ビームの照射を
制御する電子ビーム発生口Nrllと、前記電子銃4か
ら試料6に向って照射される電子ビームの照射経路を間
欠的に偏向するすンブリング回路13と、このサンプリ
ング回路13で間欠的に偏向された電子ビームのビーム
電流量を検出する電子ビームセンサ7と、前記電子銃4
にフラッシング動作を行うフラッシング起動回路12と
、このフラッシング起動回路12の操作時期を作業者に
警告する警告手段と、前記サンプリング回路13を間欠
的に起動し、このサンプリング回路13を起動した際に
前記電子ビームセンサ7で検出されるビーム電流の変化
量をビーム電流のフラッシング後の初期領域の変化量又
はビーム電流の安定領域での変化量に対して比較し、前
記初期領域又は安定領域の変化量に対して検出された変
化量が正の場合に、前記警告手段を起動する自動フラッ
シング回路10とを備える。この構成により、前記コー
ルドFE電子銃4を有する走査型電子顕微鏡1において
、電子ビームのビーム電流の変化量を間欠的に検出し、
この検出されたビーム電流の変化量を前記初期領域又は
安定領域の変化量と比較し、検出されたビーム電流の変
化量が正の場合に、自動的に作業者に警告しく知らせ)
、この警告に基づいて作業者が電子銃4にフラッシング
動作を行い(半自動的にフラッシングを行い)、電子ビ
ームのビーム電流の変化量を前記初期領域又は安定領域
のビーム電流の変化量に近接できる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。
基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは勿論である。
本願において開示される発明のうち代表的なものによっ
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
て得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりであ
る。
コールドFE電子銃を内蔵する走査型電子顕微鏡の分解
性能を向上できる。
性能を向上できる。
また、前記走査型電子顕微鏡の作業者の負担を軽くでき
る。
る。
また、前記作業者がフラッシング動作を忘れる等の人為
的なミスを低減できる6 また、前記走査型電子顕微鏡において、分解性能を維持
するメンテナンスを定期的にかつ自動的に行える。
的なミスを低減できる6 また、前記走査型電子顕微鏡において、分解性能を維持
するメンテナンスを定期的にかつ自動的に行える。
また、前記走査型電子顕微鏡の操作を行う作業者の作業
内容の省力化を図れる。
内容の省力化を図れる。
また、前記走査型電子顕微鏡の作業者の作業時開のサイ
クルに律則されることなく、それに対して独立にメンテ
ナンスを行うことができる。
クルに律則されることなく、それに対して独立にメンテ
ナンスを行うことができる。
また、前記走査型電子顕微鏡の作業者がメンテナンスを
忘れる等のメンテナンス不備を削減し、常時1分解性能
を維持することができる。
忘れる等のメンテナンス不備を削減し、常時1分解性能
を維持することができる。
第1図は、本発明の一実施例であるコールドFE電子銃
を内蔵する走査型電子顕微鏡の概略構成図、 第2図は、前記走査型電子顕微鏡の動作フローを示す図
、 第3図は、前記走査型電子顕微鏡の電子ビームの照射時
間とビーム電流量との関係を示す図である。 図中、1・・・走査型電子顕1#鏡、2・・・鏡体、8
・・・試料室、4・・・電子銃、5・・・偏向コイル、
6・・試料、7・・・電子ビームセンサ、10・・・自
動フラッシング回路、11・・電子ビーム発生回路、1
2・・・フラッシング起動回路、13・・・サンプリン
グ回路である。
を内蔵する走査型電子顕微鏡の概略構成図、 第2図は、前記走査型電子顕微鏡の動作フローを示す図
、 第3図は、前記走査型電子顕微鏡の電子ビームの照射時
間とビーム電流量との関係を示す図である。 図中、1・・・走査型電子顕1#鏡、2・・・鏡体、8
・・・試料室、4・・・電子銃、5・・・偏向コイル、
6・・試料、7・・・電子ビームセンサ、10・・・自
動フラッシング回路、11・・電子ビーム発生回路、1
2・・・フラッシング起動回路、13・・・サンプリン
グ回路である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、鏡体内のコールドフィールドエミッション型電子銃
から試料室内に配置される試料に電子ビームを照射する
走査型電子顕微鏡において、前記電子銃の電子ビームの
照射を制御する電子ビーム発生回路と、前記電子銃から
試料に向って照射される電子ビームの照射経路を間欠的
に偏向するサンプリング回路と、このサンプリング回路
で間欠的に偏向された電子ビームのビーム電流量を検出
する電子ビームセンサと、前記電子銃にフラッシング動
作を行うフラッシング起動回路と、前記サンプリング回
路を間欠的に起動し、このサンプリング回路を起動した
際に前記電子ビームセンサで検出されるビーム電流の変
化量をビーム電流のフラッシング後の初期領域の変化量
又はビーム電流の安定領域での変化量に対して比較し、
前記初期領域又は安定領域の変化量に対して検出された
変化量が正の場合に、前記電子ビーム発生回路に電子ビ
ームの照射を停止する信号を出力すると共に、前記フラ
ッシング起動回路を起動する自動フラッシング回路とを
備えたことを特徴とする走査型電子顕微鏡。 2、鏡体内のコールドフィールドエミッション型電子銃
から試料室内に配置される試料に電子ビームを照射する
走査型電子顕微鏡において、前記電子銃の電子ビームの
照射を制御する電子ビーム発生回路と、前記電子銃から
試料に向って照射される電子ビームの照射経路を間欠的
に偏向するサンプリング回路と、このサンプリング回路
で間欠的に偏向された電子ビームのビーム電流量を検出
する電子ビームセンサと、前記電子銃にフラッシング動
作を行うフラッシング起動回路と、このフラッシング起
動回路の操作時期を作業者に警告する警告手段と、前記
サンプリング回路を間欠的に起動し、このサンプリング
回路を起動した際に前記電子ビームセンサで検出される
ビーム電流の変化量をビーム電流のフラッシング後の初
期領域の変化量又はビーム電流の安定領域での変化量に
対して比較し、前記初期領域又は安定領域の変化量に対
して検出された変化量が正の場合に、前記警告手段を起
動する自動フラッシング回路とを備えたことを特徴とす
る走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20084890A JPH0487244A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 走査型電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20084890A JPH0487244A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 走査型電子顕微鏡 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0487244A true JPH0487244A (ja) | 1992-03-19 |
Family
ID=16431229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20084890A Pending JPH0487244A (ja) | 1990-07-27 | 1990-07-27 | 走査型電子顕微鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0487244A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1260367A2 (en) | 1998-04-17 | 2002-11-27 | Kabushiki Kaisha Isowa | Apparatus and method for preventing ink from getting dry |
EP2088614A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-12 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Beam current calibration system |
WO2015053300A1 (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
-
1990
- 1990-07-27 JP JP20084890A patent/JPH0487244A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1260367A2 (en) | 1998-04-17 | 2002-11-27 | Kabushiki Kaisha Isowa | Apparatus and method for preventing ink from getting dry |
EP2088614A1 (en) * | 2008-02-08 | 2009-08-12 | ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik Mbh | Beam current calibration system |
US7982179B2 (en) | 2008-02-08 | 2011-07-19 | ICT Intergrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbeiterprüftechnik mbH | Beam current calibration system |
WO2015053300A1 (ja) * | 2013-10-10 | 2015-04-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
JPWO2015053300A1 (ja) * | 2013-10-10 | 2017-03-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡 |
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