JPH03236214A - Ｘ線露光装置およびｘ線露光方法 - Google Patents

Ｘ線露光装置およびｘ線露光方法

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JPH03236214A JP2032809A JP3280990A JPH03236214A JP H03236214 A JPH03236214 A JP H03236214A JP 2032809 A JP2032809 A JP 2032809A JP 3280990 A JP3280990 A JP 3280990A JP H03236214 A JPH03236214 A JP H03236214A
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    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/207—Diffractometry using detectors, e.g. using a probe in a central position and one or more displaceable detectors in circumferential positions

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はＬＳＩ製造プロセスにおける光リソグラフィ
工程で用いられる角度検出装置に関するものである。
〔従来の技術〕
第３図は従来の角度検出装置を用いたシリコンウェハの
角度検出方法を説明する図である。同図において、３Ｇ
はシリコンウェハ、３１はシリコンウェハ３０の回転方
向、３２はシリコンウェハ３０のオリエンテーショナル
フラット、３３はレーザ発振器、３４はレーザ光、３５
は光センサでめる。
次に動作について説明する。レーザ発振器３３から発射
したレーザ光３４は、シリコンウェハ３０の周辺部を照
明するように配置されている。そこでレーザ光３４がウ
ェハ周辺部を照明している状態でシリコンウェハ３０を
回転方向３１へ回動させると、オリエンテーショナルフ
ラット３２の部分のみにレーザ光３４が通過し、光セン
サ３５まで達することができるので、光センサ３５出力
の信号強度のプロファイルによりシリコンウェハ３０の
方向を決定することができる。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながら、従来の角度検出装置は、シリコンウェハ
３０の結晶軸を間接的にのみ観測できないので、シリコ
ン結晶軸との一致が容易に得られないという問題があっ
た。また、角度設定後の移動回数も多いので、高い角度
設定精度が得られないなどの問題が６った。
この発明は、上述した問題を解消するためになされたも
ので、その目的は、シリコンウェハの結晶軸を直接観測
できるとともにシリコン結晶軸とレチクルの方向とを一
致させることができ、さらに角度設定精度が向上できる
角度検出装置を提供することにある。
〔課題を解決するだめの手段〕
このような課題を解決するためにこの発明は、シリコン
ウニ・・にＸ線を照射するＸ線照射手段と、Ｘ＠Ｃ）ラ
ウェ回折パターンを観測するラウェテレビとを有してい
る。
〔作用〕
本発明における角度検出装置は、Ｘ線のラウェ回折パタ
ーンを観測しているので、ラウェパターンの傾きから角
度検出ができ、ラウェパターンの非対称性から、シリコ
ンウェハのレベリング調整ができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を一用いて説明する
。
第１図は本発明による角度検出装置の一実施例による構
成を示す図である。同層において、１０はシンクロトロ
ン、１１はシンクロトロン１０から放射された露光用の
Ｘ線、１２は同様に角度検出用のＸ線、１３．１４はシ
リコン単結晶板、１５はラウェテレビ、１６はラウェ回
折光、１７はオリエンテーショナルフラットを有するシ
リコンウェハである。
このような構成において、シンクロトロン１０より放射
された光を露光用Ｘ線１１と角度検出用Ｘ線１２とに分
ける。オリエンテーショナルフラットを用いてシリコン
ウェハ１Ｔの上下方向を決定した後、角度検出用Ｘ！１
２はシリコン単結晶板１３．１４によシラウニテレビ１
５中を通過させた後、シリコンウェハ１Ｔの裏面を照射
する。
シリコンウェハ１Ｔからのラウェ回折光１６はラウェテ
レビ１５上に達する。
第２図は第１図の部分拡大図を示し、ラウェ回折法につ
いて説明する。同層において、２０〜２５はラウェテレ
ビ１５上のラウェパターンの各スポットであシ、角度検
出用Ｘ線１２はシリコンウェハ１Ｔを照明し、ラウェ回
折光１６はラウェテレビ１５上へ達する。このとき、ラ
ウェスポット２０゜２１を用いると、角度の検出が可能
上なる。また、ラウェスポット２２，２３，２４，２５
の非対称性を観測すると、シリコンウェハ１Ｔの水平の
傾きの情報が得られる。さらにシリコンウェハ１１はウ
ェハステージ上に載置した状態で角度補正ができるので
、角度設定後のシリコンウェハ１Ｔの移動をしないです
むので、設定精度の低下がなくなる。
なお、前述した実施例においては、光源としてシンクロ
トロン放射光を用いた場合について説明したが、他の放
射線源を用いても同様の効果が得られる。また、シリコ
ンウェハの裏面へ光を導く手段として他のミラーや光フ
ァイバを用いても良い。さらに角度検出用光源を他の手
段で発生させても同様の効果が得られる。また、シリコ
ンウェハの裏面を用いて角度を検出したが、シリコンウ
ェハ表面のチップを形成しない部分を用いても良い。
以上説明したように本発明によれば、シリコンウェハに
Ｘ線を照射し、ラウェ回折パターンをラウェテレビでモ
ニタすることによシ、シリコンウェハの結晶軸を直接的
に観測し角度が測定できるので、マスクのｘＹ軸と一致
させることができ、量子効果デバイスに対応できるとと
もに角度設定後のシリコンウェー・の移動が不要となシ
、角度設定精度が向上できるなどの極めて優れた効果が
得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による角度検出装置の一実施例による構
成を説明する図、第２図は角度検出方法を説明する図、
第３図は従来の角度検出方法を説明する図で６る。 １０・・−・シンクロトロン、１１・・・・露光用Ｘ線
、１２・・・・角度検出用Ｘ線、１３゜１４・ｅ・・シ
リコン単結晶板、１５・―・・ラウェテレビ、１６・・
＊４ウニ回折光、１７−・・・シリコンウェハ。 〔発明の効果〕

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコンウェハにＸ線を照射するＸ線照射手段と、前記
    Ｘ線のラウエ回折パターンを観測するラウエテレビとを
    備えたことを特徴とする角度検出装置。
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