JPH0487243A - 回転陽極x線管ターゲットの製造方法 - Google Patents

回転陽極x線管ターゲットの製造方法

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JPH0487243A
JPH0487243A JP20060890A JP20060890A JPH0487243A JP H0487243 A JPH0487243 A JP H0487243A JP 20060890 A JP20060890 A JP 20060890A JP 20060890 A JP20060890 A JP 20060890A JP H0487243 A JPH0487243 A JP H0487243A
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tungsten
conductive film
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ray tube
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Nobuatsu Watanabe
渡辺 信淳
Youhou Tei
容宝 鄭
Shinichi Kuroda
晋一 黒田
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Shimadzu Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、X線管用回転陽極ターゲット、特に回転可
能な放熱部材とその放熱部材に固着されて、陰極に対向
するX線発生体とを備えた大容量化に好適な回転陽極タ
ーゲットの製造方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来5回転陽liX線管のターゲットとしては。
X線放射性材料であるタングステン合金と、放熱部材ど
なるモリブデン又は、グラファイトとを重ね合わせたも
のが使用されてきたが、近年、窒rヒアルミニウムセラ
ミックスを放a部材に用いり提案が特開昭61−143
929号でされており。
また、放熱部材をタングステンで覆うことは、特開叩5
8−169853号でグラファイトを放熱部材として用
いたものが提案されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
タングステン、タングステン−モリブデンのターゲット
は、比重が大きいため、大型化して熱容量の増大を図る
とロータの軸受に作用する荷重が大きくなり機能させる
事が困難である。また、タングステン−グラファイトの
ターゲットは、グラファイトの比重が小さいため大型r
ヒして熱容量を増大させることはできるが、使用時の炭
化物等の反応層による接合界面強度の劣rヒが問題とな
る。
仮に、炭rヒ物の発生を抑制するバリア層を設けたとし
ても、基本的にグラファイト自体の機械的強度は低く、
高速回転に適用するのは困難である。
この放熱部材の材料による安全性を確認するために、第
5図に示す01000のターゲット形状のタングステン
、モリブデン、グラフアイ)、irヒアlレミニウム材
料を高速回転(21,00ORPM)した時の応力(遠
心力)を有限要素法で計算し。
(])式に示す安全率で比較した結果を表1に示す。
安全率=材料の引張シ最大強度/計算による最大応力−
・(1)表1 表よ’1.窒(eアルミニウムはタングステンの約12
倍、モリブデンの約2倍、グラファイトの約4倍許容強
度があることがわかる。
これらの結果からも、窒化アlレミニウムセラミックス
は、低比重、大きな比熱、高熱伝導率、しかも高融点物
質であるという特性?有していることによシ、放熱部材
としては理想のものと考えられる。しかしながら、窒化
アルミニウムがセラミックスであるが故に、その機械的
強度の信頼性は不安定である。また、セラミックスと金
属の接合はそれ自体極めて難しく、まだこれといった最
適な方法は確立できていない。特に新材料である窒rヒ
アルミニウムセラミックスについてhiおサラテある。
そのため、実際に回転陽極X線管ターゲットの放熱部材
としてM(ヒアルシミニウムセラミックスを機能させる
には1通常のろう付けや単なる物理蒸着法(PVD )
の様な接合方法では信頼性と高めるほど十分に着き回ら
ず適用不可能である。
本発明は前記にミみ、jij、熱部材の構成材料を窒(
1= 7ルミニウムセラミツクスとした事で生じる機械
的強度の信M性低下を改善し、セラミックスであるター
ゲットの機械的強度の信頼性全増大し5かり高速回転に
おいても従来のような剥離や破壊等が発生しないように
することのできる回転陽極X線管ターゲットの製造方法
を提供すること?目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記の課題を解決するために本発明の回〔陽極X線管タ
ーゲットの製造方法は、放熱部材と構成t ル窒化アル
ミニウムセラミックス全体e、cvDを用いてX線放射
性材料の金属またはそのrヒ合物からなる導電性膜で覆
うことを特徴とする。
〔作用〕
機械的強度の信頼性が不安定な窒fヒアルミニウム全体
1cVD’i用いてX線放射性材料の金属またはその1
ヒ合物からなる導電性膜で覆うことによって、窒化アル
ミニウム表面全体の微細なりラックを金属またはそのr
ヒ合物で埋めてしまうことができる。以上の結果より、
高速回転における機械的強度を高めることができるとと
もに、高電圧を印加した際、安定な電界を形成すること
が可能となる。
〔突施例〕
第1図は本発明の製造方法に使用する製造装置であり、
IVig(ヒアルシミニウムターゲット部材。
2は反応管、3は電気炉、4はターケラト挿入棒である
。反応管2に対しては、WF6ボンベ5 、 Hzボン
ベ6、ならびにArボンベ7をそれぞれマスフローメー
タ5a 、 6a 、 7aおよびパルプ類を介して並
列に接続している。Arは冷却用であり、8はWF6を
加熱するヒータである。また、この反応管2内を減圧す
るためN2)ラップ9を介して図外の油回転真空ポンプ
を接続し、その排気系の上流全ダイフロイル10を介し
て吸収塔に連通させている。
また、第2図は1本発明の製造方法に:り製造されたタ
ーゲットの一例?示し、ターゲン)lll’1窒〔ヒア
ルシミニウムセラミックス1およびタングステン]2で
構成されている。
次にタングステン導電性膜の生成手順について略述する
。反応管2内を油回転真空ポンプに工り減圧してH2ガ
スを流しながらタングステン導電性膜の生成温度例えば
500°Cに設定するとともに。
反応管2内へWF6に流通させる。この時のガスは。
例えばWF6= 20 cc/uR,H2= 1000
 CC/min 。
(WF6 : H2= 1 : 50 ) 、全圧は0
.5 Torr 〜760 Torrとする。
これにより。
WP6+ 3H2−W + 6HF なる水素還元反応がおこり、ターゲットIIO表面にタ
ングステン導電性膜が生成する。所望の厚み生成後、 
WF6 、 H2ガスをArガスに代替して流通させる
ことによシ室温まで冷却し、しかる彼2反応管2内をA
rガスで大気圧としてターゲット1を取υ出す。
第3図に上記の方法で得られた。タングステン−窒fヒ
アルミニウムターゲットの接合界面の状態写真を示す。
このように本手法では、極めて良好にタングステンが窒
rヒアlレミニウムセラミックスの表面に着き回ってい
るのがわかる。これによって高強度な窒rヒアルミニウ
ムセラミックス製のタゲットを得ることができる。
以上は、杓−な膜厚のタングステン膜の一例について記
述したが、第4図に示すように、必ずしもターゲット全
体?覆っているタングステン膜厚が均一である必要はな
(、X線発生層、いわゆるトラック層の部分のみに集中
してガスを供給し。
所望の厚さのタングステン層を生成させたり、その他の
部分の膜厚を研削等によって薄くシ、ターゲット全体と
軽Jl rbすることも可能であシ、また。
X線発生層にタングステン合金を生成させて耐高温特性
を向上させることも可能である。
また、放熱部材を覆う金属もタングステンやタングステ
ン合金に限らず、X線放射性材料の金属またはそのrヒ
合物ならば何全用いても良く1例えばモリブデン、モリ
ブデン合金等を用いることができる。
さらに1本冥施例に示した反応管内の温度や圧力、ガス
流量等は、金属にタングステンを用いた場合の一例であ
って、X線放射性材料の導電性膜が形成されれば、他の
条件でも可能である。
〔発明の効果〕
窒(ヒアルシミニウムは、比重が小さく、熱伝導率が高
く、また比熱が大きく、比強度の大きい、その物性から
回転陽極X線管ターゲットとしては理想的な条件を存し
ているが、窒rヒアルミニウムがセラミックスであるが
ため、その構造物としての信頼性は、そのままでは十分
とは言い難い。不発明の製造方法によれば2回転陽極X
線管ターゲットの構造物としての機械的強度に対しf 
そパり信頼性の大幅な向上を図ることができ、かつ、同
時に絶縁体である窒rヒアルミニウムに導電性を付与テ
キる。その際、絶縁体である窒rヒアルミニウムセラミ
ソクス全体を導電性膜で覆ったことによυ。
安定な電界が得られ1局所における異常な放電の発生を
防止できる。また、あわせて全体をタングステンで覆う
ことで、窒fヒアIレミニウム本体に比べ輻射による熱
放散tti高めることもできる。
これKより、従来の製造技術で造られた回転陽liX線
管ターゲットで得る事の出来なかった。高い機能を持っ
た回転陽極X@管メタ−ゲット製造が実際に可能となる
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造方法に使用するCVD装置を示す
図、第2図、第4図は本発明の製造方法により製造され
た回転陽liX線管ターゲットの断面図、第3図は本発
明によシ製造された回転陽極X II ?ターゲットの
窒rヒアルミニウムと、タングステンの接合部の拡大写
真、第5図は放熱部材の材料の安全性確認に使用したモ
デルのメツシー分割図である。 t7;−ノ/ス 華5 手 続 補 正 書 (方 式) %式% 1、事件の表示  平成2年特許願第200608号2
、発明の名称 回転陽極X線管ターゲットの製造方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 京都府長岡京市うぐいす台136氏名  渡辺 
信淳 4、代理人 住所 京都市中京区西ノ京桑原町1番地平成2年10月
30日 6、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄7、補
正の内容

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 放熱部材を構成する窒化アルミニウムセラミックス全体
    を、CVDを用いてX線放射性材料の金属またはそれら
    の化合物からなる導電性膜で覆うことを特徴とする回転
    陽極X線管ターゲットの製造方法。
JP2200608A 1990-07-27 1990-07-27 回転陽極x線管ターゲットの製造方法 Expired - Lifetime JPH0793099B2 (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61143929A (ja) * 1984-12-13 1986-07-01 コミユレクス・ソシエテ・プール・ラ・コンヴエルシオン・ドウ・ルラニウム・アン・メタル・エ・エクサフルオリユール X線管用回転陽極
JPS63174251A (ja) * 1987-01-14 1988-07-18 Hitachi Ltd X線管用回転陽極タ−ゲツト
JPH0294344A (ja) * 1988-09-30 1990-04-05 Shimadzu Corp X線管用回転陽極ターゲットおよびその製造方法

Patent Citations (3)

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