JPH0574392A - 回転陽極ｘ線管 - Google Patents
回転陽極ｘ線管Info
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- JPH0574392A JPH0574392A JP23671791A JP23671791A JPH0574392A JP H0574392 A JPH0574392 A JP H0574392A JP 23671791 A JP23671791 A JP 23671791A JP 23671791 A JP23671791 A JP 23671791A JP H0574392 A JPH0574392 A JP H0574392A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた熱放射特性をもち且つ高温での熱衝撃
や機械的強度に強いハイパワーな回転陽極Ｘ線管を提供
する。 【構成】 陽極基体の表面の全部または一部に、高融点
金属の針状ないし柱状多結晶組織をもつ熱放射膜を形成
させた回転陽極Ｘ線管。
や機械的強度に強いハイパワーな回転陽極Ｘ線管を提供
する。 【構成】 陽極基体の表面の全部または一部に、高融点
金属の針状ないし柱状多結晶組織をもつ熱放射膜を形成
させた回転陽極Ｘ線管。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主として医療用Ｘ線
装置例えばＸ線ＣＴ装置などに用いる回転陽極Ｘ線管に
関する。
装置例えばＸ線ＣＴ装置などに用いる回転陽極Ｘ線管に
関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線診断法、例えばデイジタル化Ｘ線写
真法またはＸ線コンピュータ断層撮影法（Ｘ線ＣＴ法）
では、長時間に亘って強力なＸ線曝射を必要とするの
で、Ｘ線管陽極の熱負荷が極めて大きくなる。
真法またはＸ線コンピュータ断層撮影法（Ｘ線ＣＴ法）
では、長時間に亘って強力なＸ線曝射を必要とするの
で、Ｘ線管陽極の熱負荷が極めて大きくなる。
【０００３】従ってＸ線管の容量を大きくしＸ線放射効
率を高めるためには、陽極の熱放射効率を高めることが
重要となる。
率を高めるためには、陽極の熱放射効率を高めることが
重要となる。
【０００４】一般に、Ｘ線ＣＴによる断層撮影期間中に
おけるＸ線管陽極での熱エネルギの吸収は約２メガジュ
ールにもなる。定常運転時にはこの熱量を熱放射によっ
て１５分位で放散しなければならない。
おけるＸ線管陽極での熱エネルギの吸収は約２メガジュ
ールにもなる。定常運転時にはこの熱量を熱放射によっ
て１５分位で放散しなければならない。
【０００５】周知のように、真空中における物体からの
熱放射はシュテファンーボルツマンの法則に則り、絶対
温度の４乗と表面積と熱放射率に比例する。
熱放射はシュテファンーボルツマンの法則に則り、絶対
温度の４乗と表面積と熱放射率に比例する。
【０００６】従ってＸ線管では陽極の運転温度が高いほ
ど熱放射は大きいわけであるが、陽極材料その他の制約
により現在すでに限界温度に達しており運転温度を今以
上に上げることはむつかしい。
ど熱放射は大きいわけであるが、陽極材料その他の制約
により現在すでに限界温度に達しており運転温度を今以
上に上げることはむつかしい。
【０００７】そこで従来から熱放射効率を高めるための
処置として、表面積を大きくすること、即ち陽極の直
径、厚さを大きくしたり、陽極の表面仕上げを粗くする
などが提案されているが、前者の方法は重量増加や機械
的強度の関係で限界があり、後者についてはこれを効率
的に実用化する手段がみつかっていない。
処置として、表面積を大きくすること、即ち陽極の直
径、厚さを大きくしたり、陽極の表面仕上げを粗くする
などが提案されているが、前者の方法は重量増加や機械
的強度の関係で限界があり、後者についてはこれを効率
的に実用化する手段がみつかっていない。
【０００８】また熱放射率を良くする手段としては、陽
極表面を黒い被膜で覆うなどの手段が提案されている。
通常の回転陽極基体であるモリブデン、タングステンの
熱放射率は、表面の粗さに応じて０．３５ないし０．５
（１０００℃において）であるが、この表面を例えば、
ＴｉＯ2 ・Ａｌ2 Ｏ3 の二元系金属酸化物あるいはＴｉ
Ｏ2 ・Ａｌ2 Ｏ3 ・ＺｒＯ3 の三元系金属酸化物（いづ
れもセラミックス）を混合した黒色被膜、遷移金属の炭
化物と窒化物、ホウ素と酸化物、グラファイトなどで被
覆することにより、その熱放射率は０．６ないし０．８
位まで向上させることが知られている。
極表面を黒い被膜で覆うなどの手段が提案されている。
通常の回転陽極基体であるモリブデン、タングステンの
熱放射率は、表面の粗さに応じて０．３５ないし０．５
（１０００℃において）であるが、この表面を例えば、
ＴｉＯ2 ・Ａｌ2 Ｏ3 の二元系金属酸化物あるいはＴｉ
Ｏ2 ・Ａｌ2 Ｏ3 ・ＺｒＯ3 の三元系金属酸化物（いづ
れもセラミックス）を混合した黒色被膜、遷移金属の炭
化物と窒化物、ホウ素と酸化物、グラファイトなどで被
覆することにより、その熱放射率は０．６ないし０．８
位まで向上させることが知られている。
【０００９】しかしながら、これらの被膜は普通、ろう
付け・燒結・溶射などの方法で基体に付着されるが、基
体材料と被膜物質間の熱膨脹係数の整合が十分でないた
め温度変化によって剥離が生じたり、被膜内部の温度勾
配のために被膜に亀裂が生ずるなど機械的強度において
問題があった。
付け・燒結・溶射などの方法で基体に付着されるが、基
体材料と被膜物質間の熱膨脹係数の整合が十分でないた
め温度変化によって剥離が生じたり、被膜内部の温度勾
配のために被膜に亀裂が生ずるなど機械的強度において
問題があった。
【００１０】また基体と被膜との密着が十分でないと
（熱膨脹係数の不整合などに起因して）その間の熱伝導
率が悪くなりそのために熱放散が阻害される原因にもな
る。
（熱膨脹係数の不整合などに起因して）その間の熱伝導
率が悪くなりそのために熱放散が阻害される原因にもな
る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は以上に鑑み、
Ｘ線管陽極基体に被覆する熱放射被膜の材料およびその
結晶組織について深く追求し、基体との密着性がよく且
つ機械的強度が高くしかも優れた熱放射特性をもつ被膜
組成を提供することを目的とするものである。
Ｘ線管陽極基体に被覆する熱放射被膜の材料およびその
結晶組織について深く追求し、基体との密着性がよく且
つ機械的強度が高くしかも優れた熱放射特性をもつ被膜
組成を提供することを目的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の回転陽極Ｘ線管
では、上記課題を解決すべくモリブデン合金、タングス
テン合金などの高融点金属、または窒化アルミニュー
ム、窒化硅素などのセラミックスから成る陽極基体上
に、この基体材料と熱膨脹係数が略等しい高融点金属か
らなる針状または柱状多結晶組織の熱放射膜を数μｍか
ら数十μｍの厚さに形成させることによって、放熱特性
の優れた回転陽極Ｘ線管を提供したものである。
では、上記課題を解決すべくモリブデン合金、タングス
テン合金などの高融点金属、または窒化アルミニュー
ム、窒化硅素などのセラミックスから成る陽極基体上
に、この基体材料と熱膨脹係数が略等しい高融点金属か
らなる針状または柱状多結晶組織の熱放射膜を数μｍか
ら数十μｍの厚さに形成させることによって、放熱特性
の優れた回転陽極Ｘ線管を提供したものである。
【００１３】
（実施例１）図１は本発明１実施例の回転陽極Ｘ線管の
陽極部分の断面を示したもので、１は陽極回転軸、２は
陽極基体で本実施例ではモリブデン合金で構成される。
３はこの基体の電子衝撃部分に形成されたＸ線放射部で
タングステン合金で構成される。以上の構成は従来のＸ
線管ターゲットと特に変りはない。
陽極部分の断面を示したもので、１は陽極回転軸、２は
陽極基体で本実施例ではモリブデン合金で構成される。
３はこの基体の電子衝撃部分に形成されたＸ線放射部で
タングステン合金で構成される。以上の構成は従来のＸ
線管ターゲットと特に変りはない。
【００１４】４は本発明によって形成された熱放射膜
で、陽極基体２の電子衝撃部３を除いた全面に形成され
ている。この熱放射膜４は図２に示すようなタングステ
ンの針状多結晶膜で、これはモリブデン基体上にＣＶＤ
（Chemical Vaper Deposition)法によって生成される。
で、陽極基体２の電子衝撃部３を除いた全面に形成され
ている。この熱放射膜４は図２に示すようなタングステ
ンの針状多結晶膜で、これはモリブデン基体上にＣＶＤ
（Chemical Vaper Deposition)法によって生成される。
【００１５】この膜４の生成方法およびその装置を図３
によって説明すると、５はＣＶＤ反応管で、この内部に
陽極基体２をターゲット挿入棒６を介して載置する。７
は反応管加熱コイルでこれによって反応管内温度を４０
０℃〜８００℃に加熱する。８はＷＦ6 ボンベ、８′は
ＲｅＦ6 ボンベ、９はその加熱ヒータ、１０はＨ2 ボン
ベ、１１はＡｒボンベで、各ボンベはバルブＶおよびマ
スフローメータ１２またはフローメータ１３を介して反
応管５に接続される。１４は排気ガス流路で、一方は液
体窒素１５で冷却されたＮ2 トラップ１６を介して油回
転真空ポンプ１７へ、他方は弗素系オイル１８などを満
したガストラップ１９を介して吸収塔２０へ接続され
る。
によって説明すると、５はＣＶＤ反応管で、この内部に
陽極基体２をターゲット挿入棒６を介して載置する。７
は反応管加熱コイルでこれによって反応管内温度を４０
０℃〜８００℃に加熱する。８はＷＦ6 ボンベ、８′は
ＲｅＦ6 ボンベ、９はその加熱ヒータ、１０はＨ2 ボン
ベ、１１はＡｒボンベで、各ボンベはバルブＶおよびマ
スフローメータ１２またはフローメータ１３を介して反
応管５に接続される。１４は排気ガス流路で、一方は液
体窒素１５で冷却されたＮ2 トラップ１６を介して油回
転真空ポンプ１７へ、他方は弗素系オイル１８などを満
したガストラップ１９を介して吸収塔２０へ接続され
る。
【００１６】以上の装置において反応管５内のターゲッ
ト棒６上に陽極基体２を図のごとくセットし、その電子
衝撃面を適当な物質でマスクしたのち、管内を０．５〜
７６０Torr程度に減圧し、Ｈ2 ボンベ１０のバルブを開
いてＨ2 ガスを流しながら、加熱コイル７に通電して管
内を７００℃程度に設定する。この状態でＷＦ6 ボンベ
８のバルブを開いてＷＦ6 ガスを管内に充満させる。こ
の時の反応ガスの流量はＷＦ6 ガス１０cc／min に対し
てＨ2 ガスを１０．０００cc／min 即ちＷＦ6 対Ｈ2 の
比は１対１０００に設定する。これにより管内では次式
(1) に示す水素還元反応が起り、陽極基体２の表面にタ
ングステンの結晶膜が生成する。
ト棒６上に陽極基体２を図のごとくセットし、その電子
衝撃面を適当な物質でマスクしたのち、管内を０．５〜
７６０Torr程度に減圧し、Ｈ2 ボンベ１０のバルブを開
いてＨ2 ガスを流しながら、加熱コイル７に通電して管
内を７００℃程度に設定する。この状態でＷＦ6 ボンベ
８のバルブを開いてＷＦ6 ガスを管内に充満させる。こ
の時の反応ガスの流量はＷＦ6 ガス１０cc／min に対し
てＨ2 ガスを１０．０００cc／min 即ちＷＦ6 対Ｈ2 の
比は１対１０００に設定する。これにより管内では次式
(1) に示す水素還元反応が起り、陽極基体２の表面にタ
ングステンの結晶膜が生成する。
【００１７】 ＷＦ6 ＋３Ｈ2 →Ｗ＋６ＨＦ …………… (1) 生成したＨＦガスはトラップ１９を通して吸収塔２０で
吸着除去される。この場合反応条件を前記の温度および
ガス濃度に調整すると生成するタングステン膜の組織は
図２に示したような針状多結晶組織となる。
吸着除去される。この場合反応条件を前記の温度および
ガス濃度に調整すると生成するタングステン膜の組織は
図２に示したような針状多結晶組織となる。
【００１８】約１分間この反応を継続させ、膜厚が５０
μｍに達した時点で、加熱を停止し、ＷＦ6 ガス、Ｈ2
ガスボンベのバルブを閉じ、Ａｒガスボンベ１１のバル
ブを開いて反応管内をＡｒガスで置換し、管内を大気圧
に戻して冷却する。その後反応管内から陽極基体を取り
出す。得られた熱放射膜の組織を図２に示す。
μｍに達した時点で、加熱を停止し、ＷＦ6 ガス、Ｈ2
ガスボンベのバルブを閉じ、Ａｒガスボンベ１１のバル
ブを開いて反応管内をＡｒガスで置換し、管内を大気圧
に戻して冷却する。その後反応管内から陽極基体を取り
出す。得られた熱放射膜の組織を図２に示す。
【００１９】図２は上記膜の断面を示したもので、タン
グステンの結晶がモリブデン基体の表面の結晶粒を核と
して垂直方向に生成した、針状多結晶組織を呈してい
る。即ちモリブデンの表面結晶粒を核として生成してい
るので基体との密着性が良く且つ多数の細長い針状にな
っているので放熱面積も大きく優れた熱放射特性をもつ
ものである。
グステンの結晶がモリブデン基体の表面の結晶粒を核と
して垂直方向に生成した、針状多結晶組織を呈してい
る。即ちモリブデンの表面結晶粒を核として生成してい
るので基体との密着性が良く且つ多数の細長い針状にな
っているので放熱面積も大きく優れた熱放射特性をもつ
ものである。
【００２０】図４．ａはこの針状多結晶膜の反射特性を
示すもので、縦軸に分光反射率、横軸に波長をとって実
測したもの、ｂはＣＶＤ法により別の条件で生成したタ
ングステンの微粒状多結晶膜の分光反射特性を示す。図
でも判るように針状多結晶膜ａのものは６００〜１００
０ｎｍの可視光域で分光反射率０．１５以下（平均幅射
率０．８５以上）、１０００〜１２００ｎｍの赤外領域
で０．２以下（平均幅射率０．８以上）という黒体に近
い反射率をもつのに対し、同じタングステンの微粒状多
結晶膜ｂでは全体に分光反射率０．３以上（平均幅射率
０．７以下）であった。
示すもので、縦軸に分光反射率、横軸に波長をとって実
測したもの、ｂはＣＶＤ法により別の条件で生成したタ
ングステンの微粒状多結晶膜の分光反射特性を示す。図
でも判るように針状多結晶膜ａのものは６００〜１００
０ｎｍの可視光域で分光反射率０．１５以下（平均幅射
率０．８５以上）、１０００〜１２００ｎｍの赤外領域
で０．２以下（平均幅射率０．８以上）という黒体に近
い反射率をもつのに対し、同じタングステンの微粒状多
結晶膜ｂでは全体に分光反射率０．３以上（平均幅射率
０．７以下）であった。
【００２１】ＣＶＤ法による成膜過程において、本発明
者の実験によれば膜成長時の結晶組織は、成膜温度とフ
ッ化ウランガス濃度の二つのパラメータによって種々の
組織に制御できることが判っている。
者の実験によれば膜成長時の結晶組織は、成膜温度とフ
ッ化ウランガス濃度の二つのパラメータによって種々の
組織に制御できることが判っている。
【００２２】即ち反応温度が低いと膜組織は、非晶質ま
たは極微細結晶となり、温度が上昇するに従って粒状多
結晶→柱状多結晶→針状多結晶→粗大結晶層→高温状態
では塊状単結晶または粉末状と変化する。一方原料ガス
濃度についても低い方（Ｈ2 比０．０１％）から非晶質
または極微細結晶→粒状多結晶→柱状多結晶→針状多結
晶→粗大結晶層→塊状単結晶または粉末状と変化し高濃
度域では完全に粉末状組織になってしまう。このように
膜の結晶組織は、前記二つのパラメータを調整すること
によって微妙に変化させ得るので、反応温度および原料
ガス濃度を適当に設定することにより本実施例のような
針状多結晶膜や第２の実施例に示すような柱状多結晶膜
を得ることができる。
たは極微細結晶となり、温度が上昇するに従って粒状多
結晶→柱状多結晶→針状多結晶→粗大結晶層→高温状態
では塊状単結晶または粉末状と変化する。一方原料ガス
濃度についても低い方（Ｈ2 比０．０１％）から非晶質
または極微細結晶→粒状多結晶→柱状多結晶→針状多結
晶→粗大結晶層→塊状単結晶または粉末状と変化し高濃
度域では完全に粉末状組織になってしまう。このように
膜の結晶組織は、前記二つのパラメータを調整すること
によって微妙に変化させ得るので、反応温度および原料
ガス濃度を適当に設定することにより本実施例のような
針状多結晶膜や第２の実施例に示すような柱状多結晶膜
を得ることができる。
【００２３】尚これらの結晶組織の状態変化は、原料ガ
スや基体の材質が変った場合は、その条件が変動するこ
とは当然である。
スや基体の材質が変った場合は、その条件が変動するこ
とは当然である。
【００２４】（実施例２）この実施例は、窒化アルミニ
ュームを主体とするセラミック製のＸ線管陽極基体の表
面に、その電子衝撃部分にはタングステンとレニウムの
合金の柱状多結晶膜を被覆してＸ線放射膜を作り、他の
面にはタングステンの針状多結晶膜を生成して熱放射膜
を形成した例である。
ュームを主体とするセラミック製のＸ線管陽極基体の表
面に、その電子衝撃部分にはタングステンとレニウムの
合金の柱状多結晶膜を被覆してＸ線放射膜を作り、他の
面にはタングステンの針状多結晶膜を生成して熱放射膜
を形成した例である。
【００２５】これらの膜の生成にはＣＶＤ法を用い、そ
の装置としては図３の装置を使用する。
の装置としては図３の装置を使用する。
【００２６】先ず反応管５内に電子衝撃部分以外の表面
部分をマスクしたセラミック製陽極基体２をセットし、
管内にＨ2 ガスを流しながら、これを４５０℃に加熱
し、次いでＷＦ6 ボンベ８、ＲｅＦ6 ボンベ８′のバル
ブを開いて、両ガスを同時に反応管内へ流入する。この
時の反応ガスの流量、反応圧力は次のようにする。
部分をマスクしたセラミック製陽極基体２をセットし、
管内にＨ2 ガスを流しながら、これを４５０℃に加熱
し、次いでＷＦ6 ボンベ８、ＲｅＦ6 ボンベ８′のバル
ブを開いて、両ガスを同時に反応管内へ流入する。この
時の反応ガスの流量、反応圧力は次のようにする。
【００２７】ＷＦ6 の流量……１８０cc／min ＲｅＦ6 の流量……２０cc／min （ＷＦ6 ＋ＲｅＦ6 ：
Ｈ2 ＝１：３） Ｈ2 の流量 ……６００cc／min 反応圧力 ……０．５〜７６０Torr これにより反応管内では次式(2)(3)に示す水素還元反応
が起りセラミック基体２の電子衝撃部上にタングステン
とレニウムの合金の柱状多結晶膜が生成する。
Ｈ2 ＝１：３） Ｈ2 の流量 ……６００cc／min 反応圧力 ……０．５〜７６０Torr これにより反応管内では次式(2)(3)に示す水素還元反応
が起りセラミック基体２の電子衝撃部上にタングステン
とレニウムの合金の柱状多結晶膜が生成する。
【００２８】 ＷＦ6 ＋３Ｈ2 →Ｗ＋６ＨＦ …………… (2) ＲｅＦ6 ＋３Ｈ2 →Ｒｅ＋６ＨＦ ……… (3) 適当な膜厚（１mm．約４時間）になった時点で、反応ガ
スを止め管内のガスをＡｒで追い出した後、陽極基体を
取り出して今までのマスクを外し、今度は電子衝撃部分
のみをマスクして再び反応管内にセットする。
スを止め管内のガスをＡｒで追い出した後、陽極基体を
取り出して今までのマスクを外し、今度は電子衝撃部分
のみをマスクして再び反応管内にセットする。
【００２９】次いで反応管内温度を７００℃に設定し、
管内へＨ2 ガスとともにＷＦ6 ガスのみを流入する。こ
のときの流量、圧力は次のようにする。
管内へＨ2 ガスとともにＷＦ6 ガスのみを流入する。こ
のときの流量、圧力は次のようにする。
【００３０】ＷＦ6 の流量……１０cc／min Ｈ2 の流量 ……１００００cc／min （ＷＦ6 ：Ｈ2 ＝
１：１０００） 反応圧力 ……０．５〜７６０Torr これにより前記式(2) に示す水素還元反応が起り、電子
衝撃面を除く基体の全表面にタングステンの針状多結晶
膜が生成する。所望の厚さ（約５０μｍ）が得られた
後、ＷＦ6 ガス、Ｈ2 ガスの導入を止め、管内をＡｒガ
スで置換し室温まで冷却する。
１：１０００） 反応圧力 ……０．５〜７６０Torr これにより前記式(2) に示す水素還元反応が起り、電子
衝撃面を除く基体の全表面にタングステンの針状多結晶
膜が生成する。所望の厚さ（約５０μｍ）が得られた
後、ＷＦ6 ガス、Ｈ2 ガスの導入を止め、管内をＡｒガ
スで置換し室温まで冷却する。
【００３１】このようにして得られた陽極基体は、その
電子衝撃面に柱状多結晶組織をもつタングステン．レニ
ウム合金膜（Ｘ線放射膜）が形成され、他の表面部分に
は針状多結晶組織をもつタングステン熱放射膜が形成さ
れる。
電子衝撃面に柱状多結晶組織をもつタングステン．レニ
ウム合金膜（Ｘ線放射膜）が形成され、他の表面部分に
は針状多結晶組織をもつタングステン熱放射膜が形成さ
れる。
【００３２】この熱放射膜の分光反射特性は図４．ａに
示したと同じように優れた分光反射特性および輻射率を
示し、黒体に近い良好な熱放射率をもっている。即ち大
部分の波長域で反射率０．２以下（輻射率０．８以上）
で通常の微粒状結晶の膜に較べ約２０％優れた反射率を
示した。
示したと同じように優れた分光反射特性および輻射率を
示し、黒体に近い良好な熱放射率をもっている。即ち大
部分の波長域で反射率０．２以下（輻射率０．８以上）
で通常の微粒状結晶の膜に較べ約２０％優れた反射率を
示した。
【００３３】尚柱状多結晶Ｘ線放射膜の分光反射特性は
図示しなかったが、図４．ａとｂとの中間ないしａに近
い特性を示し、またＸ線放射率も通常のバルク状タング
ステンのＸ線放射面と何ら変りがないことを確認した。
即ち柱状多結晶組織では膜の表面までタングステンが柱
状に密集して成長しているので、針状の組織に較べ膜表
面のタングステン結晶密度が高く、従ってＸ線変換効率
は低下しない。
図示しなかったが、図４．ａとｂとの中間ないしａに近
い特性を示し、またＸ線放射率も通常のバルク状タング
ステンのＸ線放射面と何ら変りがないことを確認した。
即ち柱状多結晶組織では膜の表面までタングステンが柱
状に密集して成長しているので、針状の組織に較べ膜表
面のタングステン結晶密度が高く、従ってＸ線変換効率
は低下しない。
【００３４】このようにして製造された、Ｘ線管は基体
がセラミックスであるので全般的に高い熱放射率をもつ
のに加え、さらにその表面が基体と略同じ熱膨脹係数を
もつタングステンの針状ないし柱状結晶膜で被覆されて
いるので、より優れた熱放射特性を備えており、パワー
の高いＸ線管が得られる。
がセラミックスであるので全般的に高い熱放射率をもつ
のに加え、さらにその表面が基体と略同じ熱膨脹係数を
もつタングステンの針状ないし柱状結晶膜で被覆されて
いるので、より優れた熱放射特性を備えており、パワー
の高いＸ線管が得られる。
【００３５】（変形実施例）以上の実施例では熱放射膜
材料としてタングステンを使用した例について説明した
がモリブデンやタンタル．レニウムまたはその合金の針
状ないし柱状多結晶膜であってもよく、これらの材料は
基体材料である高融点金属またはセラミックスと温度膨
脹係数が略等しいので基体との密着性もよく機械的強度
においても優れた熱放射膜が得られる。
材料としてタングステンを使用した例について説明した
がモリブデンやタンタル．レニウムまたはその合金の針
状ないし柱状多結晶膜であってもよく、これらの材料は
基体材料である高融点金属またはセラミックスと温度膨
脹係数が略等しいので基体との密着性もよく機械的強度
においても優れた熱放射膜が得られる。
【００３６】また実施例２では、ＣＶＤ成膜を行なう場
合マスキング手法によって電子衝撃部分にＷ．Ｒｅ合金
の柱状多結晶膜を作り、他の部分にＷの針状多結晶膜を
生成させたが、マスキングを用いずに各物質の気相成長
を適当に制御して同様の目的を達成してもよい。
合マスキング手法によって電子衝撃部分にＷ．Ｒｅ合金
の柱状多結晶膜を作り、他の部分にＷの針状多結晶膜を
生成させたが、マスキングを用いずに各物質の気相成長
を適当に制御して同様の目的を達成してもよい。
【００３７】尚熱放射特性は針状多結晶膜が最も優れて
いるが、柱状多結晶または針状と柱状が混在した組織で
あっても、従来の燒結膜や微粒多結晶膜よりはるかに優
れた熱放射特性が得られる。
いるが、柱状多結晶または針状と柱状が混在した組織で
あっても、従来の燒結膜や微粒多結晶膜よりはるかに優
れた熱放射特性が得られる。
【００３８】
【発明の効果】本発明の回転陽極管は優れた熱放射特性
をもちしかも高温における熱衝撃や高速回転時における
機械的強度も強く、膜の剥離や亀裂の恐れが全くないの
で、強力なＸ線負荷即ちハイパワーで長時間の連続運転
にも耐えるなど医療用．産業用として極めて有用なＸ線
管が得られる。
をもちしかも高温における熱衝撃や高速回転時における
機械的強度も強く、膜の剥離や亀裂の恐れが全くないの
で、強力なＸ線負荷即ちハイパワーで長時間の連続運転
にも耐えるなど医療用．産業用として極めて有用なＸ線
管が得られる。
【図１】この発明に基づくＸ線管回転陽極の１実施例の
断面図。
断面図。
【図２】本発明熱放射膜の断面の１例（針状多結晶膜）
を示す図。
を示す図。
【図３】本発明Ｘ線管陽極を製造するためのＣＶＤ装置
の動作説明図。
の動作説明図。
【図４】本発明の針状多結晶膜の分光反射率特性を示す
カーブで、従来の微粒状多結晶膜の特性を比較のために
併せて表示した。
カーブで、従来の微粒状多結晶膜の特性を比較のために
併せて表示した。
２…陽極基体 ３…Ｘ線放射部 ４…熱放射膜（針状多結晶膜） ５…ＣＶＤ反応管 ７…加熱コイル ８…ＷＦ6 ボンベ
１０…Ｈ2 ボンベ １１…Ａｒボンベ １６…Ｎ2 トラッ
プ １７…油回転真空ポンプ １９…トラップ
２０…吸収塔
１０…Ｈ2 ボンベ １１…Ａｒボンベ １６…Ｎ2 トラッ
プ １７…油回転真空ポンプ １９…トラップ
２０…吸収塔
Claims (2)
- 【請求項１】 陽極基体の表面全体またはその一部分
に、この基体材料と熱膨脹係数が略等しい高融点金属か
らなる針状ないし柱状多結晶組織の熱放射膜を形成させ
たことを特徴とする回転陽極Ｘ線管。 - 【請求項２】 高熱伝導率を有するセラミックスを主体
とする陽極基体の電子衝撃部分に、この基体材料と熱膨
脹係数が略等しい高融点Ｘ線放射金属の柱状多結晶組織
をもつＸ線放射膜を形成し、この部分を除く陽極基体表
面の全部または一部にこの基体材料と熱膨脹係数が略等
しい高融点金属からなる針状多結晶組織の熱放射膜を形
成させたことを特徴とする回転陽極Ｘ線管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23671791A JPH0574392A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 回転陽極ｘ線管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23671791A JPH0574392A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 回転陽極ｘ線管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574392A true JPH0574392A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17004735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23671791A Pending JPH0574392A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 回転陽極ｘ線管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574392A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-09-18 JP JP23671791A patent/JPH0574392A/ja active Pending
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