JPS63174251A - X線管用回転陽極タ−ゲツト - Google Patents

X線管用回転陽極タ−ゲツト

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JPS63174251A
JPS63174251A JP485187A JP485187A JPS63174251A JP S63174251 A JPS63174251 A JP S63174251A JP 485187 A JP485187 A JP 485187A JP 485187 A JP485187 A JP 485187A JP S63174251 A JPS63174251 A JP S63174251A
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JP
Japan
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target
graphite
ceramics
ray tube
reinforcing member
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Pending
Application number
JP485187A
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English (en)
Inventor
Akira Tanaka
明 田中
Satoshi Shimada
智 嶋田
Takeshi Yasuda
健 安田
Tadahiko Mitsuyoshi
忠彦 三吉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はX線管用回転陽極ターゲットに係り、特に、軽
量、大口径で高速回転に酎える大容量X線管用回転陽極
ターゲットの構造に関する。
〔従来の技術〕
XB管は陰極に対向した熱電子衝撃を受ける陽極がある
。医療用X線管の陽極は回転構造であり、ターゲット、
回転及び固定軸、軸受、ロータ等で構成されている。タ
ーゲットは回転軸の上部に取付けられて傘形円板状をな
す。この傘形傾斜部表面に陰極から放出された電子線が
照射して、X線を発生する。XlllA発生材料にはタ
ングステンあるいはタングステン合金が使用される。原
子番号が大きくX線の変換効率が高い、さらに融点が高
く耐熱性が優れる等の特性がある。
近年、医療機器の急激な進歩に伴い、X線CT(Com
putad T o+*ography)装置は患者の
診断効率の向上1画像の鮮明化を図るためCT用X線管
の高出力化が要求されている。このためにはターゲット
基板を大口径にして熱容量を大きくすること、高速回転
にして冷却効率を向上させること等が考えられる。
従来のターゲットは■電子照射面(X線発生面)がタン
グステン、あるいは、タングステン合金で、その他の部
分はタングステンより比重が小さく、且つ、比熱の大き
いモリブデンの全金属製のもの、■全金属製ターゲット
の熱輻射率を向上させるため電子照射面と反対側の面に
金属酸化物(例えばTiO2、A 1208、ZrO2
、Ca O)の混合粉末を容射法等で焼付けて黒化処理
したもの、さらに■全金属製ターゲットの裏面に黒鉛を
高融点金属ろうで接着したものが開発されてきた。また
、一方で、 軽量、且つ、耐熱性に優れ、金属にくらべて比熱の大き
い黒鉛基板にX線発生材料のタングステンやタングステ
ン合金をCV D (Chemical VaporD
eposition)法でつけたターゲットが研究され
ている。さらに、ターゲットが高速回転に耐えるように
、高強度セラミックス基板を用い、その基板の上下面に
黒鉛層をもつ複合ターゲットも考案されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来例のうち、タングステンやモリブデンを主体と
する金属製ターゲットは、比重が大きい(タングステン
の比重は19.3g/ad、また、モリブデンの比重は
、10.2g/cd)ため、ターゲット径を大きくして
回転数を上げることは、それを支持する回転軸、軸受等
の負荷が大きくなる一方、診断撮映時のターゲットのク
イック・スタート、ストップに限界が生じるという問題
点があった。
一方、黒鉛より成るターゲットは、黒鉛の比重が1.8
g/a(前後とモリブデンの約五分の−であり、大口径
ターゲット基板として適しているが、黒鉛は強度が低く
、回転数を上げ、大容量高輝度化を図ることは困難であ
るという問題点があったまた、高強度セラミックス基板
を主体としたターゲットは、熱容量を大きくするため基
板の肉厚を大きくするとセラミックス部が均一に焼結し
にくく適切な強度、熱伝導性が得難い。また、セラミッ
クス部を薄くし、黒鉛層とセラミックス層からなる多重
積層構造とした場合は、ターゲット製作工程が複雑とな
るため高価なものとなるという問題点があった。また、
このようなセラミックス基板を熱輻射率の大きい黒鉛を
上下面より挟み込んだ構造のターゲットは、金属、また
は、黒鉛製ターゲットよりは、高速回転が可能であるが
、ターゲットの中心部から破壊するという問題があった
〔問題点を解決するための手段〕
X線管の熱陰極から放出された電子線は回転陽極ターゲ
ットの表面でそのエネルギのほとんどが熱に変換される
。従って、ターゲット基板に要求される性質は耐熱性、
高熱伝導性で、且つ、軽量、高強度である。これらを満
足する材料としてセラミックスがある。特に、BaO入
りSiCは黒鉛にくらべて五〜十倍の曲げ強度があり、
熱伝導率も金属アルミニウムと同等で黒鉛の約二倍であ
る。
このセラミックスをターゲット基板として用い。
熱輻射率の大きい黒鉛を上下面より挟み込んだ構造のタ
ーゲットは、金属、または、黒鉛製ターゲットよりは、
高速回転が可能上なった。しかし、このターゲットは、
第4図に示すように、入力される熱は、直接電子線によ
る局所受熱EiOと。
電子線衝突後、反射して二次電子として全面に戻り受熱
するEis とがあり、これに対し冷却は、表面黒鉛、
セラミックスからの輻射、Eoz、Eoz、Eoaと軸
部を伝わるEoaとがあり、この加熱冷却システムによ
り、ターゲット内部には、図中の破線で示すような熱分
布が生じる。この熱分布状態により、ターゲットのセラ
ミックス部において、軸を通す内孔に近い部分、特に、
上面において、大きな引張りの熱応力が発生し、破壊す
るということが判明した。一方、黒鉛を主体としたーゲ
ットでも、軸を通す内孔に近い部分、特に、上面では、
大きな引張りの熱応力、又、下面では、大きな引張りの
遠心応力が発生し破壊するということが判明した。そこ
でこの問題点を解決するため、本発明は、中心に回転軸
を軸止めする取付は孔を設けると共に、上面の外周に傘
形傾斜部をもつX線管用回転陽極ターゲットにおいて、
ターゲットが電気伝導材と、その一部に形成したX線放
射部とから成り、実用負荷中にターゲット内部で発生す
る応力の最大となる部分、すなわち、少なくともターゲ
ット上部に補強部材として、環状体、好ましくは、高強
度高熱伝導セラミックスより成る環状体を用いることを
特徴としている。
本発明のターゲットは、従来の黒鉛/セラミックス積層
ターゲットに比べ、セラミックス部が小さくなることか
ら、実用負荷中において、セラミックス部の温度分布が
小さくなり、発生する熱応力が軽減され、より高速回転
化が可能となった。
また、ターゲットの製作も従来に比べ容易となった。一
方、黒鉛よりなるターゲットに比べても、黒鉛部に発生
する応力が最大となる部分を、約十倍強度が大きい補強
部材に置き換えたため、実用負荷中のターゲット自体の
強度も向上し、より高速回転化が可能となった。
〔実施例〕
以下、本発明の詳細な説明する。
〈実施例1〉 軽量且つ大口径で高速回転に耐えるX線管用回転陽極タ
ーゲットで黒鉛基板上面にセラミックス環状体を用いた
ターゲットを第1図に示す。
このターゲットの製作は、まず、セラミックスとして平
均粒径2μmの炭化珪素(SiC)と焼結助助剤として
、平均粒径0.2μmの酸化ベリラム(BaO)の粉末
をキシレン、シリコーン等の溶媒と混合し、造粒して圧
粉成形後、黒鉛の型材に充填して真空中でホットプレス
した。ホットプレス条件は、圧力300kgf/cd、
温度2100℃で、一時間である。黒鉛の型材は、引張
り強さ240kgf/cd 、比重1.78、熱膨張係
数49X10−8/℃の材質の黒鉛を用いた。
得られた焼結体を所定の形状に加工し、真空脱ガス処理
を行った後、傘形傾斜部3の表面にレニウム、さらには
、X6発生材料のレニウム−タングステン合金をCVD
法でめっきした。
この工程で製作したX、H管用回転陽極ターゲットは同
形の金属ターゲットに比べて重量は部分の一以下、熱容
量は四〜五倍であり軽量大容量のターゲットである。ま
た、全黒鉛製ターゲットに比べて、黒鉛層に発生する最
大応力は低減され、1.2倍の高速回転化が可能となっ
た。また、従来の黒鉛/セラミックス積層ターゲットと
比べ、構造が単純であり製作が容易である。そして、セ
ラミックスが少量ですむ。また、従来の積層ターゲット
中のセラミックスの実用負荷中において生じる温度分布
幅は、約200℃に達し、また、ヤング率が大きいこと
などから、ターゲット中心部付近のセラミックス部は、
大きな熱応力が発生し、ターゲットにおける破壊起点と
なっている。
これに対し、本発明のターゲット中のセラミックス部に
かかる応力は、セラミックスの体積が小さいことなどか
ら、従来の積層ターゲットに比べて部分の一以下となり
、信頼性が高いターゲットとなっている。
〈実施例2〉 軽量、且つ、大口径で高速回転に耐えるX線管用回転陽
極ターゲットで、黒鉛基板上部にセラミックス環状体を
用い、環状体の上部に黒鉛層を設けたターゲットを第2
図に示す。
このターゲットは、実施例1と同様な方法で製作し、セ
ラミックス環状体の上部に黒鉛層が残るように可能し、
真空脱ガス処理を行った後、傘形傾斜部3の表面にレニ
ウム、さらには、X線発生材料のレニウム−タングステ
ン合金をCVD法でめっきした。
この工程で製作したX線管用回転陽極ターゲットは、実
施例1で示した効果の他に、セラミックス環状体上部に
黒鉛層を設けることによりターゲットの回転軸5をナツ
ト6により締め付は固定した場合、ナツトとセラミック
ス環状体2との間の黒鉛層は、セラミックスに比べてヤ
ング率が小さいために変形しやすく、締め付けたナツト
は、ゆるみ難くなる。さらに、黒鉛層は、セラミックス
よりも熱輻射率が大きい(黒鉛は0.9、SiCは0.
6)ためターゲット表面は、黒鉛層でおおわれているこ
とが好ましい。
〈実施例3〉 軽量、且つ、大口径で高速回転に耐えるX線管用回転陽
極ターゲットで、黒鉛基板上部にセラミックス環状体を
用い、この環状体の断面積が外周方向へ徐々に小さくな
っているターゲットを第3図に示す。このターゲットは
、実施例1と同様な方法で製作した。X線管用回転陽極
ターゲットにおいて、実用負荷中に発生する遠心応力は
、回転軸に近く成るほぼ大きくなるが、補強部材として
用いたセラミック環状体の断面積を回転軸に近いほど大
きくすることで、ターゲットとしての信頼性を向上させ
ている。また、セラミック環状体の断面積を徐々に変え
、発生する応力が集中しない形状とすることでターゲッ
トとしての信頼性を向上させている。
〔発明の効果〕
本発明によれば、軽量、大口径で、且つ、高速回転に耐
える大容量のX線管用回転陽極ターゲットが得られる。
黒鉛を主体としたターゲットに。
黒鉛に比べて約十倍の強度をもつセラミックスを実用負
荷中に最大応力が生じるターゲット上部に用いることに
より、ターゲットとしての強度が向上し、また、従来の
黒鉛/セラミックスに比べ、比重が約三分の二と軽く、
高速回転化に有利である。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第3図は1本発明の一実施例のX線管用回
転陽極ターゲットの構造を示す断面図、第4図は実用負
荷中のX線管用回転陽極ターゲットにおいて生じる温度
分布図である。 1・・・黒鉛、2・・・セラミックス、3・・・傘形傾
斜部、4・・・X線発生材料、5・・・回転軸、6・・
・ナツト。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、中心に回転軸を軸止めする取付孔を設け、上面の外
    周に傘形傾斜部をもつX線管用回転陽極ターゲットにお
    いて、 前記X線管用回転陽極ターゲットが電気伝導材とその一
    部に形成したX線発生部とから成り、実用負荷中に、前
    記X線管用回転陽極ターゲットの内部において、発生す
    る最大応力部に補強部材を設けたことを特徴とするX線
    管用回転陽極ターゲット。
JP485187A 1987-01-14 1987-01-14 X線管用回転陽極タ−ゲツト Pending JPS63174251A (ja)

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JP485187A JPS63174251A (ja) 1987-01-14 1987-01-14 X線管用回転陽極タ−ゲツト

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JP485187A JPS63174251A (ja) 1987-01-14 1987-01-14 X線管用回転陽極タ−ゲツト

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JP485187A Pending JPS63174251A (ja) 1987-01-14 1987-01-14 X線管用回転陽極タ−ゲツト

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0487243A (ja) * 1990-07-27 1992-03-19 Nobuatsu Watanabe 回転陽極x線管ターゲットの製造方法
CN103050357A (zh) * 2011-09-20 2013-04-17 西门子公司 旋转阳极和用于制造旋转阳极用的基体的方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0487243A (ja) * 1990-07-27 1992-03-19 Nobuatsu Watanabe 回転陽極x線管ターゲットの製造方法
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US9512040B2 (en) 2011-09-20 2016-12-06 Siemens Aktiengesellschaft Rotary anode and method for producing a base body for a rotary anode

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