JP2000340147A - Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法Info
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- JP2000340147A JP2000340147A JP11152001A JP15200199A JP2000340147A JP 2000340147 A JP2000340147 A JP 2000340147A JP 11152001 A JP11152001 A JP 11152001A JP 15200199 A JP15200199 A JP 15200199A JP 2000340147 A JP2000340147 A JP 2000340147A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線発生層が形成されたグラファイト基体か
らのガスの発生を抑制、ないし、ガスが発生しない回転
陽極を得る。 【解決手段】 グラファイト基体１の気孔２にＳｉＣを
充填し、そのグラファイト基体１の傘形傾斜部２にＸ線
発生層５を形成した。
らのガスの発生を抑制、ないし、ガスが発生しない回転
陽極を得る。 【解決手段】 グラファイト基体１の気孔２にＳｉＣを
充填し、そのグラファイト基体１の傘形傾斜部２にＸ線
発生層５を形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線管用回転陽極
とその製造方法に関し、特に、使用中にガスの発生を抑
制、ないし、ガスを発生しない大容量のＸ線管用回転陽
極とその製造方法に関する。
とその製造方法に関し、特に、使用中にガスの発生を抑
制、ないし、ガスを発生しない大容量のＸ線管用回転陽
極とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】熱陰極を利用してＸ線を発生させるＸ線
管は、陰極に対向して熱電子衝撃を受ける陽極が設けら
れている。医療用Ｘ線管の陽極は、回転構造になってお
り、一般に回転陽極と呼ばれている。この回転陽極は、
電磁力で回転するローターに連結する回転軸の先端部に
取り付けられて円盤状をなし、この円盤の表面に熱陰極
から放出された電子線を照射することによりＸ線を発生
させるものである。
管は、陰極に対向して熱電子衝撃を受ける陽極が設けら
れている。医療用Ｘ線管の陽極は、回転構造になってお
り、一般に回転陽極と呼ばれている。この回転陽極は、
電磁力で回転するローターに連結する回転軸の先端部に
取り付けられて円盤状をなし、この円盤の表面に熱陰極
から放出された電子線を照射することによりＸ線を発生
させるものである。
【０００３】医療用画像診断分野において、画像の高精
細化、検査時間の短縮化のために高出力のＸ線を発生で
きる大容量のＸ線管が要求されいる。このためには、回
転陽極として軽量で熱容量が大きく、大口径の回転陽極
を必要とすることから、複合回転陽極が使用されてきて
いる。
細化、検査時間の短縮化のために高出力のＸ線を発生で
きる大容量のＸ線管が要求されいる。このためには、回
転陽極として軽量で熱容量が大きく、大口径の回転陽極
を必要とすることから、複合回転陽極が使用されてきて
いる。
【０００４】複合回転陽極は、軽量で熱容量の大きなグ
ラファイト（黒鉛）基体と、この基体とＸ線発生層とし
てのタングステン或いはそれを含む合金などの高融点金
属材とを一体化したもの、ないしは、グラファイト基体
上に高融点金属材をＣＶＤ（化学気相堆積）法により積
層したものである。
ラファイト（黒鉛）基体と、この基体とＸ線発生層とし
てのタングステン或いはそれを含む合金などの高融点金
属材とを一体化したもの、ないしは、グラファイト基体
上に高融点金属材をＣＶＤ（化学気相堆積）法により積
層したものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のグラファイト基
体に高融点金属のＸ線発生層（電子衝撃層）を形成して
成る複合回転陽極では、次のような問題がある。グラフ
ァイト基体は焼結成形で所定の形状に形成されるので、
基体内は無数の微細な気孔を有する一種の多孔質の構造
となっていることから、Ｘ線管の製造工程で、複合回転
陽極を高温度に加熱し、他のＸ線管構成部品の吸存ガス
を含む脱ガスを行っても、グラファイト基体内の無数の
気孔に存在するガス（空気）を完全に排気することは、
実質的に困難である。
体に高融点金属のＸ線発生層（電子衝撃層）を形成して
成る複合回転陽極では、次のような問題がある。グラフ
ァイト基体は焼結成形で所定の形状に形成されるので、
基体内は無数の微細な気孔を有する一種の多孔質の構造
となっていることから、Ｘ線管の製造工程で、複合回転
陽極を高温度に加熱し、他のＸ線管構成部品の吸存ガス
を含む脱ガスを行っても、グラファイト基体内の無数の
気孔に存在するガス（空気）を完全に排気することは、
実質的に困難である。
【０００６】したがって、脱ガス工程で脱ガスされなか
ったグラファイト基体の気孔内のガスが、回転陽極Ｘ線
管の使用中にＸ線管外周器内に放出され、これが異常放
電を生じさせ、所謂Ｘ線管の耐電圧を低下させるという
不都合な事態を招き、Ｘ線管の寿命を短くするという問
題がある。なお、グラファイト基体表面を気密性の被膜
で被覆することも考えられるが、被膜が破れた際には被
膜によりグラファイト基体の気孔内に封じ込められてい
たガスが一気に放出することになり、根本的な解決策と
はいえない。
ったグラファイト基体の気孔内のガスが、回転陽極Ｘ線
管の使用中にＸ線管外周器内に放出され、これが異常放
電を生じさせ、所謂Ｘ線管の耐電圧を低下させるという
不都合な事態を招き、Ｘ線管の寿命を短くするという問
題がある。なお、グラファイト基体表面を気密性の被膜
で被覆することも考えられるが、被膜が破れた際には被
膜によりグラファイト基体の気孔内に封じ込められてい
たガスが一気に放出することになり、根本的な解決策と
はいえない。
【０００７】本発明は、このような事情に鑑みなされた
ものであって、回転陽極Ｘ線管の使用中にＸ線発生層が
形成されたグラファイト基体からのガスの発生を抑制、
ないし、ガスが発生しないＸ線管用回転陽極を提供す
ることを目的とする。
ものであって、回転陽極Ｘ線管の使用中にＸ線発生層が
形成されたグラファイト基体からのガスの発生を抑制、
ないし、ガスが発生しないＸ線管用回転陽極を提供す
ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係るＸ線管用回転陽極は、グラファイト
基体の気孔にセラミックスまたは高融点金属が充填され
ていることを特徴とし、その製造方法は、製造工程にＣ
ＶＩ（化学気相浸透）法によってグラファイト基体の気
孔にセラミックスまたは高融点金属を充填する工程を含
んでいることを特徴としている。
めに、本発明に係るＸ線管用回転陽極は、グラファイト
基体の気孔にセラミックスまたは高融点金属が充填され
ていることを特徴とし、その製造方法は、製造工程にＣ
ＶＩ（化学気相浸透）法によってグラファイト基体の気
孔にセラミックスまたは高融点金属を充填する工程を含
んでいることを特徴としている。
【０００９】なお、ＣＶＩ法による充填工程では、グラ
ファイト基体表面を経て外部と連通している気孔にセラ
ミックスまたは高融点金属が充填されるので、焼結成形
されたグラファイト基体の内部構造によって、全気孔に
セラミックスまたは高融点金属が充填される場合と一部
の気孔にセラミックスまたは高融点金属が充填される場
合とがあるが、本発明は、上記のいずれの場合も含むも
のである。
ファイト基体表面を経て外部と連通している気孔にセラ
ミックスまたは高融点金属が充填されるので、焼結成形
されたグラファイト基体の内部構造によって、全気孔に
セラミックスまたは高融点金属が充填される場合と一部
の気孔にセラミックスまたは高融点金属が充填される場
合とがあるが、本発明は、上記のいずれの場合も含むも
のである。
【００１０】本発明のＸ線管用回転陽極によれば、Ｘ線
発生層が形成されたグラファイト基体の気孔にセラミッ
クスまたは高融点金属を充填することで、基体の気孔内
のガスがセラミックスまたは高融点金属と置換されて気
孔内のガスが完全に追い出されて気孔にガスが存在しな
くなる。また、グラファイト基体の気孔に充填されるセ
ラミックスまたは高融点金属は、高融点、低蒸気圧とい
う特性を有しているので、使用中に回転陽極が高温度に
加熱されても、一部の気孔にセラミックスまたは高融点
金属が充填される場合にはグラファイト基体からのガス
の発生が抑制され、また、全気孔にセラミックスまたは
高融点金属が充填される場合にはグラファイト基体がガ
スを放出することがない。したがって、本発明の回転陽
極を備えたＸ線管は、使用中に耐電圧が低下せず、Ｘ線
管の長寿命化が得られる。
発生層が形成されたグラファイト基体の気孔にセラミッ
クスまたは高融点金属を充填することで、基体の気孔内
のガスがセラミックスまたは高融点金属と置換されて気
孔内のガスが完全に追い出されて気孔にガスが存在しな
くなる。また、グラファイト基体の気孔に充填されるセ
ラミックスまたは高融点金属は、高融点、低蒸気圧とい
う特性を有しているので、使用中に回転陽極が高温度に
加熱されても、一部の気孔にセラミックスまたは高融点
金属が充填される場合にはグラファイト基体からのガス
の発生が抑制され、また、全気孔にセラミックスまたは
高融点金属が充填される場合にはグラファイト基体がガ
スを放出することがない。したがって、本発明の回転陽
極を備えたＸ線管は、使用中に耐電圧が低下せず、Ｘ線
管の長寿命化が得られる。
【００１１】なお、グラファイト基体の全表面または表
面の一部、あるいは、グラファイト基体のＸ線発生層が
形成された以外の表面をセラミックス又は高融点金属で
被覆しておけば、使用中の高温度による熱歪等でグラフ
ァイト基体の内部構造に変化が生じても気孔に存在する
ガスが放出されることが防止でき、グラファイト基体か
らのガスの発生がより確実に抑制でき、また、グラファ
イト基体を被覆する被膜をＣＶＩ法により形成すれば基
体と被膜との密着力が高いので、使用中に被膜が破れた
り剥がれたりするることがない。
面の一部、あるいは、グラファイト基体のＸ線発生層が
形成された以外の表面をセラミックス又は高融点金属で
被覆しておけば、使用中の高温度による熱歪等でグラフ
ァイト基体の内部構造に変化が生じても気孔に存在する
ガスが放出されることが防止でき、グラファイト基体か
らのガスの発生がより確実に抑制でき、また、グラファ
イト基体を被覆する被膜をＣＶＩ法により形成すれば基
体と被膜との密着力が高いので、使用中に被膜が破れた
り剥がれたりするることがない。
【００１２】また、グラファイト基体の気孔に充填され
るセラミックス又は高融点金属は熱伝導性に優れている
ので、気孔の存在する従来のグラファイト基体より熱容
量が大きく、放熱性がよいので、大容量の回転陽極、な
いし、高出力のＸ線を発生できる回転陽極Ｘ線管が得ら
れる。さらに、グラファイト基体の気孔にＳｉＣ（炭化
珪素）を充填すれば、ＳｉＣはグラファイトの２倍程度
の熱伝導率を有しているので、より大容量の回転陽極、
ないし、高出力のＸ線を発生できる回転陽極Ｘ線管が得
られる。
るセラミックス又は高融点金属は熱伝導性に優れている
ので、気孔の存在する従来のグラファイト基体より熱容
量が大きく、放熱性がよいので、大容量の回転陽極、な
いし、高出力のＸ線を発生できる回転陽極Ｘ線管が得ら
れる。さらに、グラファイト基体の気孔にＳｉＣ（炭化
珪素）を充填すれば、ＳｉＣはグラファイトの２倍程度
の熱伝導率を有しているので、より大容量の回転陽極、
ないし、高出力のＸ線を発生できる回転陽極Ｘ線管が得
られる。
【００１３】また、本発明でグラファイト基体の気孔へ
のセラミックスまたは高融点金属の充填に用いるＣＶＩ
法は薄膜形成法の一種で、サンプルを収容するチャンバ
ー内の真空引きと、真空引きされたチャンバー内への成
膜（被膜）原料ガスの供給というプロセスを繰り返して
薄膜形成するので、ＣＶＤ法などでは考えられない程の
微細部に成膜でき、繊維組織などの微細な多孔質物質の
気孔を充填する手段として普及しつつある。
のセラミックスまたは高融点金属の充填に用いるＣＶＩ
法は薄膜形成法の一種で、サンプルを収容するチャンバ
ー内の真空引きと、真空引きされたチャンバー内への成
膜（被膜）原料ガスの供給というプロセスを繰り返して
薄膜形成するので、ＣＶＤ法などでは考えられない程の
微細部に成膜でき、繊維組織などの微細な多孔質物質の
気孔を充填する手段として普及しつつある。
【００１４】したがって、本発明のＸ線管用回転陽極の
製造方法によれば、セラミックスまたは高融点金属をグ
ラファイト基体の気孔にＣＶＩ法で充填するので、気孔
を形成する周りのグラファイトとの密着力が高く、セラ
ミックスまたは高融点金属を気孔に確実に充填でき、グ
ラファイト基体からのガスの発生を抑制、 ないし、ガ
スが発生しないＸ線管用回転陽極が得られる。
製造方法によれば、セラミックスまたは高融点金属をグ
ラファイト基体の気孔にＣＶＩ法で充填するので、気孔
を形成する周りのグラファイトとの密着力が高く、セラ
ミックスまたは高融点金属を気孔に確実に充填でき、グ
ラファイト基体からのガスの発生を抑制、 ないし、ガ
スが発生しないＸ線管用回転陽極が得られる。
【００１５】
【発明の実施の態様】以下、本発明の一実施例について
図面を参照しながら説明する。図１は実施例に係るＸ線
管用回転陽極の構成を示す断面図で、その構成をグラフ
ァイト基体の気孔に充填するセラミックとしてＳｉＣ
（炭化珪素）を用いる場合について、その製造方法との
関連において説明する。
図面を参照しながら説明する。図１は実施例に係るＸ線
管用回転陽極の構成を示す断面図で、その構成をグラフ
ァイト基体の気孔に充填するセラミックとしてＳｉＣ
（炭化珪素）を用いる場合について、その製造方法との
関連において説明する。
【００１６】図１において、１はグラファイト基体で周
知のように傘形傾斜部２を有する所定の形状に焼結成形
する。焼成されたグラファイト基体１は微細な気孔を有
する多孔質構造で気孔内にガスが存在するので、ＣＶＩ
法で気孔内にＳｉＣを成膜して気孔内のガスをＳｉＣと
置換することで、気孔にＳｉＣを充填する。
知のように傘形傾斜部２を有する所定の形状に焼結成形
する。焼成されたグラファイト基体１は微細な気孔を有
する多孔質構造で気孔内にガスが存在するので、ＣＶＩ
法で気孔内にＳｉＣを成膜して気孔内のガスをＳｉＣと
置換することで、気孔にＳｉＣを充填する。
【００１７】そのために、焼成されたグラファイト基体
１を図２に示すＣＶＩ装置２０のチャンバー２１内にセ
ットして真空引きして後、供給管２２よりチャンバー２
１内にＳｉＣの原料ガスを供給する。チャンバー２１内
の真空引きとＳｉＣ原料ガスの供給を繰り返すことによ
り、グラフィイト基体の気孔が被膜されて気孔にＳｉＣ
が充填される。なお、ＳｉＣ原料ガスのとしては、大別
してＳｉＨ４／ＣＨ４／Ｈ２、ＳｉＣｌ４／ＣＨ４
／Ｈ２、ＳｉＯ２／ＣＨ４の３種類があり、いずれを
使用してもよく、また、グラファイト基体の気孔に充填
されるセラミックスは、ＳｉＣ以外の他のセラミックス
であっても、あるいは、タングステン、タングステン−
レニウム合金などの高融点金属であってもよい。
１を図２に示すＣＶＩ装置２０のチャンバー２１内にセ
ットして真空引きして後、供給管２２よりチャンバー２
１内にＳｉＣの原料ガスを供給する。チャンバー２１内
の真空引きとＳｉＣ原料ガスの供給を繰り返すことによ
り、グラフィイト基体の気孔が被膜されて気孔にＳｉＣ
が充填される。なお、ＳｉＣ原料ガスのとしては、大別
してＳｉＨ４／ＣＨ４／Ｈ２、ＳｉＣｌ４／ＣＨ４
／Ｈ２、ＳｉＯ２／ＣＨ４の３種類があり、いずれを
使用してもよく、また、グラファイト基体の気孔に充填
されるセラミックスは、ＳｉＣ以外の他のセラミックス
であっても、あるいは、タングステン、タングステン−
レニウム合金などの高融点金属であってもよい。
【００１８】図１の（ａ），（ｂ）は、ＳｉＣが充填さ
れたグラファイト基体１の内部構造を示す拡大図で、
（ａ）は全気孔３が基体１表面に通じていて気孔全てに
ＳｉＣ４が充填された状態を、（ｂ）は基体１表面に通
じている気孔と通じていない気孔とが存在し、基体表面
に通じている気孔にＳｉＣ４が充填された状態を示して
いる。
れたグラファイト基体１の内部構造を示す拡大図で、
（ａ）は全気孔３が基体１表面に通じていて気孔全てに
ＳｉＣ４が充填された状態を、（ｂ）は基体１表面に通
じている気孔と通じていない気孔とが存在し、基体表面
に通じている気孔にＳｉＣ４が充填された状態を示して
いる。
【００１９】なお、ＣＶＩ装置により膜生成できない気
孔は、外部に通じていないので、ＳｉＣが充填されてい
なくともガス発生の要因とならず問題はないが、次の図
３に示す実施例のようにグラファイト基体１の表面をＳ
ｉＣ被膜で被覆しておけば、使用中に万一、気孔が外部
に連通するに至ったとしても基体からのガス放出の抑制
ないしガスの発生をより防止できる。また、図中、６は
グラファイト基体１の中心を貫通して形成された回転軸
の取り付け穴である。
孔は、外部に通じていないので、ＳｉＣが充填されてい
なくともガス発生の要因とならず問題はないが、次の図
３に示す実施例のようにグラファイト基体１の表面をＳ
ｉＣ被膜で被覆しておけば、使用中に万一、気孔が外部
に連通するに至ったとしても基体からのガス放出の抑制
ないしガスの発生をより防止できる。また、図中、６は
グラファイト基体１の中心を貫通して形成された回転軸
の取り付け穴である。
【００２０】次に、気孔３にＳｉＣ４が充填されたグラ
ファイト基体１の傘形傾斜部２に、タングステンやタン
グステン合金などの高融点金属をＣＶＤ法、ＣＶＩ法な
どで付着させてＸ線発生層５を形成する。
ファイト基体１の傘形傾斜部２に、タングステンやタン
グステン合金などの高融点金属をＣＶＤ法、ＣＶＩ法な
どで付着させてＸ線発生層５を形成する。
【００２１】図３は、他の実施例を示すもので、気孔３
にＳｉＣ４が充填されたグラファイト基体１の傘形傾斜
部２、すなわち、Ｘ線発生層５と対向する基体表面をＳ
ｉＣ被膜７で被覆したものであり、同図（ａ）、（ｂ）
は図１の（ａ）、（ｂ）に対応するものである。なお、
被膜７は、ＣＶＤ法などで形成するか、あるいは、ＣＶ
Ｉ法で気孔内の膜生成でＳｉＣを充填してした後も膜生
成を続けることで容易に形成できる。また、ＣＶＤ法な
どでグラファイト基体１の全表面を被覆してもよく、こ
の場合には、Ｘ線発生層５が被膜７上に形成される。
にＳｉＣ４が充填されたグラファイト基体１の傘形傾斜
部２、すなわち、Ｘ線発生層５と対向する基体表面をＳ
ｉＣ被膜７で被覆したものであり、同図（ａ）、（ｂ）
は図１の（ａ）、（ｂ）に対応するものである。なお、
被膜７は、ＣＶＤ法などで形成するか、あるいは、ＣＶ
Ｉ法で気孔内の膜生成でＳｉＣを充填してした後も膜生
成を続けることで容易に形成できる。また、ＣＶＤ法な
どでグラファイト基体１の全表面を被覆してもよく、こ
の場合には、Ｘ線発生層５が被膜７上に形成される。
【００２２】図４は、さらに他の実施例を示すもので、
傘形傾斜部１６を有する所定の形状に成形したタングス
テンやタングステン合金などの高融点金属よりなるＸ線
発生体１５と、気孔２にＳｉＣ４が充填されたグラファ
イト基体１０とを接合一体化したものであり、同図
（ａ）、（ｂ）は図１の（ａ）、（ｂ）に対応するもの
である。なお、同図（ｂ）には、図３の実施例を適応し
てグラファイト基体１０のＸ線発生体１５と対向する表
面をＳｉＣ被膜７で被覆したものを示す。また、図３、
図４で、図１と同一構成品には図１に使用した符号が付
されている。
傘形傾斜部１６を有する所定の形状に成形したタングス
テンやタングステン合金などの高融点金属よりなるＸ線
発生体１５と、気孔２にＳｉＣ４が充填されたグラファ
イト基体１０とを接合一体化したものであり、同図
（ａ）、（ｂ）は図１の（ａ）、（ｂ）に対応するもの
である。なお、同図（ｂ）には、図３の実施例を適応し
てグラファイト基体１０のＸ線発生体１５と対向する表
面をＳｉＣ被膜７で被覆したものを示す。また、図３、
図４で、図１と同一構成品には図１に使用した符号が付
されている。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、グラファイト基体から
のガスの発生を抑制、ないし、ガスが発生しない熱容量
が大きく、高出力のＸ線を発生できるＸ線管用回転陽
極、ないし、回転陽極Ｘ線管が得られる。
のガスの発生を抑制、ないし、ガスが発生しない熱容量
が大きく、高出力のＸ線を発生できるＸ線管用回転陽
極、ないし、回転陽極Ｘ線管が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る回転陽極の一実施例の構成を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】本発明に用いられるＣＶＩ法の説明用の模式図
ある。
ある。
【図３】他の実施例の構成を示す断面図である。
【図４】他の実施例の構成を示す断面図である。
１：グラファイト基体 ２：傘形傾斜部 ３：気孔 ４：気孔に充填さ
れたＳｉＣ ５：Ｘ線発生層 ６：取り付け穴 ７：ＳｉＣ被膜 １０：グラファイト
基体 １５：Ｘ線発生体 １６：傘形傾斜部
れたＳｉＣ ５：Ｘ線発生層 ６：取り付け穴 ７：ＳｉＣ被膜 １０：グラファイト
基体 １５：Ｘ線発生体 １６：傘形傾斜部
Claims (5)
- 【請求項１】 グラファイト基体にＸ線発生層を形成し
て成るＸ線管用回転陽極であって、前記グラファイト基
体の少なくとも一部の気孔にセラミックスまたは高融点
金属が充填されていることを特徴とするＸ線管用回転陽
極。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＸ線管用回転陽極であ
って、前記グラファイト基体の表面の少なくとも一部を
セラミックスまたは高融点金属で被覆したことを特徴と
するＸ線管用回転陽極。 - 【請求項３】 請求項１に記載のＸ線管用回転陽極であ
って、前記グラファイト基体の気孔に充填されているセ
ラミックスがＳｉＣ（炭化珪素）であることを特徴とす
るＸ線管用回転陽極。 - 【請求項４】 請求項１または請求項２または請求項３
に記載のＸ線管用回転陽極を備えてなる回転陽極Ｘ線
管。 - 【請求項５】 グラファイト基体上にＸ線発生層を形成
して成るＸ線管用回転陽極の製造方法であって、製造工
程にＣＶＩ（化学気相浸透）法によって前記グラハイト
基体の気孔にセラミックスまたは高融点金属を充填する
工程を含んでいることを特徴とするＸ線管用回転陽極の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11152001A JP2000340147A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11152001A JP2000340147A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340147A true JP2000340147A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=15530908
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11152001A Withdrawn JP2000340147A (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | Ｘ線管用回転陽極及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000340147A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT502587B1 (de) * | 2005-09-15 | 2009-01-15 | Gen Electric | Systeme, verfahren und einrichtungen für ein komposit-röntgentarget |
| JP2020009719A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光素子及び光源装置 |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP11152001A patent/JP2000340147A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT502587B1 (de) * | 2005-09-15 | 2009-01-15 | Gen Electric | Systeme, verfahren und einrichtungen für ein komposit-röntgentarget |
| JP2020009719A (ja) * | 2018-07-12 | 2020-01-16 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光素子及び光源装置 |
| JP7016775B2 (ja) | 2018-07-12 | 2022-02-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 発光素子及び光源装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050922 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20060824 |