JPH0486167A - 固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置

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JPH0486167A
JPH0486167A JP2199324A JP19932490A JPH0486167A JP H0486167 A JPH0486167 A JP H0486167A JP 2199324 A JP2199324 A JP 2199324A JP 19932490 A JP19932490 A JP 19932490A JP H0486167 A JPH0486167 A JP H0486167A
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Kenji Mori
健次 森
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、固体撮像装置に係わり、特に受光素子から
固定パターン雑音が餘去された映像信号が得られるよう
にした固体撮像装置に関するものである。
〔従来の技術〕
最近、増幅型受光素子を画素として用いた固体撮像装置
が提案されている。増幅型受光素子としては、例えば電
荷変調素子(Charge ModulationDe
vice :以下CMDと略称する)と呼ばれるものが
ある。このCMD受光素子は例えば、1986年に開催
されたInternational  Electro
n  DeviceMeeting  (I E D 
M )の予稿集のP353〜356の“A NEW M
OS IMAGE 5ENSOR0PERATING 
IN A N0NDESTRUCTrVE R[!AD
OUT MODI!” と題する論文に詳細に説明され
ている。
次にがかるCMD受光素子を画素として用いた固体撮像
装置の構成例を第11図に示す、各画素を構成するCM
D51−11.51−12.・・・・・5l−vnをマ
トリックス状に配列し、その各ドレインには共通にビデ
オ電圧■。(〉0)を印加する。X方向に配列された各
行のCMD群のゲート端子は行ライン521、52−2
.・・・・・52− にそれぞれ接続し、Y方向に配列
された各列のCMD群のソース端子は列ライン53−1
.53−2.・・・・・53−nにそれぞれ接続する。
列ライン53−1.53−2.・・・・・53−nは、
それぞれ列選択用トランジスタ54−1.54−2.・
・・・・54−n、及び反選択用トランジスタ55−1
.55−2.・・・・・55−nを介して、ビデオライ
ン56及びGNDに接地されたライン57にそれぞれ共
通に接続する。ビデオライン56は入力が仮想接地され
た電流−電圧変換型のプリアンプ58に接続され、プリ
アンプ58の出力端59には負極性の映像信号が時系列
で読み出されるようになっている。
また、行ライン52−1.52−2.・・・・・521
は垂直走査回路60に接続して、それぞれ信号φG++
  φ0・・・・φG、を印加し、列選択用トランジス
タ54−154−2.・・・・・54−n、及び反選択
用トランジスタ55−155−2.・・・・・55−n
のゲート端子は水平走査回路61に接続して、それぞれ
信号φ34.φ9t+””・φい及び各々の反転信号を
印加するように構成されている。なお、各CMDは同一
基板上に形成され、その基板には電圧Vsull(<0
11を印加するようになっている。
第12図は、第11図に示した構成の固体撮像装置の動
作を説明するための信号波形図である。行ライン52−
1.52−2.・・・・・521に印加する信号φ。
φ、、・・・・、φ0は、読み出しゲート電圧■。とリ
セット電圧■□、オーバーフロー電圧■。1.蓄積電圧
VINTよりなり、非選択行においては水平帰線期間t
□−中はV。1、水平映像有効期間t8中はV+nyと
なり、選択行においては水平映像有効期間1.中は■。
、それに引き続く水平帰線期間ta。
中は■。となる。また、列選択用トランジスタ541、
54.、.2.・・・・・54−nのゲート端子に印加
する信号φ、1.φS2.” ” ’φ、7は列ライン
53−1.53−2.・・・−53−nを選択するため
の信号で、その低レベルは列選択用トランジスタ54−
1.54−2.・・・・・54−nをオフ、反選択用F
ランジスタ55−1.55−2.−=−55−nをオン
とし、2その高レベルは列選択用トランジスタをオン、
反選択用トランジスタをオフとする電圧値になるように
設定されている。
C発明が解決しようとする課題〕 しかしながら、上記構成の固体撮像装置においては、各
画素毎のオフセットtiのばらつきにより、固定パター
ン雑音(FPN)が発生する。この問題点を解決する手
段として、上記雑音成分を素子外部の記憶装置に予め記
憶させておき、光蓄積された映像信号と減電する方法が
提案されているが、システムの構成が複錐となるという
問題点がある。この解決策として特開昭63−8647
1号公報に記載されている光電変換装置がある。し7か
しながら、上記公報開示の光電変換装置は、各画素から
の信号を電圧値として処理する場合のみ適用が可能であ
り、画素信号を電流値として読み出す場合には適用でき
ないという問題点がある。
本発明は、増幅型受光素子を用いた固体撮像装置におけ
る上記問題点を解決するためになされたものであり、各
画素毎のオフセット電流のばらつきによる固定パターン
雑音を除去できるようにした固体撮像装置を提供するこ
とを目的とする。
(課社を解決するための手段及び作用〕上記問題点を解
決するため、本発明は、増幅型受光素子を画素とし該画
素をマトリックス状に配置して、水平及び垂直再走査回
路により映像信号電流を出力するようにした固体撮像装
置において、前記映像信号電流及びリセット直後の暗時
オフセフ)電流を、列方向に配列された各画素の出力端
子を共通に接続した各列ライン毎に、それぞれ同時に記
憶する手段を設け、前記記憶手段に記憶された映像信号
電流及びリセット直後の暗時オフセット電流をそれぞれ
順次出力してその差動を出力させるように構成するもの
である。
このように構成した固体撮像装置においては、記憶手段
に映像信号電流及びリセット直後の暗時オフセット電流
を記憶させ、記憶された上記映像信号電流及びリセット
直後の暗時オフセン)電流をそれぞれ順次出力してその
差動を出力させる。
これにより固定パターン雑音が除去された高品質の映像
信号を得ることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第1
図は、本発明による固体撮像装置の第1の実施例の回路
構成図である。この実施例では、説明を簡単にするため
、3行3列のマトリックス構成のものを示している。各
画素を構成するCMDi−11,1−12,・・・・1
−33をマトリックス状に配列し、その各ドレイン端子
には共通にビデオ電圧VDD(>O)を印加している。
X方向に配列された各行のCMD群のゲート端子は行ラ
イン2−12−2.2−3にそれぞれ接続され、X方向
に配列された各列のCMD群のソース端子は列ライン3
−1゜3−2.3−3にそれぞれ接続されている。
列ライン3−1.3−2.3−3は、それぞれリセット
用、明時用及び暗時用スイッチトランジスタ(P−MO
S)ランジスタ) 4−1. 4−2. 4−3.5−
1. 5−2.5−3及び9−1.9−2.9−3を介
して、GNDに接地されたリセットライン27、開時用
電流記憶回路6−1.6−2.6−3の各入力端子7−
17−2.7−3及び暗時用電流記憶回路10−1.1
0−2゜lo−3の各入力端子11−1.11−2.1
1−3に接続されている。スイッチトランジスタ4−1
. 4−2 4−3.5−1.5−2.5−3及び9−
1.9−2.9−3のゲート端子は、それぞれ制御信号
線21.22及び23に接続されていて、制御信号φ6
.4ア4.φ。□、φ。7□が印加されるようになって
いる。また引時用を流記憶回路6−1.6−2.6−3
の各制御入力端子には制御信号線25が、暗時用電流記
憶回路10−1.10−2゜lo−3の各制御入力端子
には制御信号!24が接続されていて、それぞれ制御信
号φ□8.φ□。が印加されるようになっている。
引時用電流記憶回路6−1.6−2.6−3の各出力端
子8−1.8−2.8−3は、それぞれ引時遺灰用トラ
ンジスタ(N−MOS)ランジスタ)13−1 13−
213−3及び引時非選択用トランジスタ(N−MOS
トランジスタ) 14−1.14−2.14−3を介し
て、引時用ビデオライン30及び電圧■、に固定された
非選択用ライン29にそれぞれ共通に接続されている。
暗時用を流記憶回路10−1.10−2.10−3の各
出力端子12−1.12−2.12−3は、それぞれ暗
時選択用トランジスタ(N−MOS)ランジスタ)15
−1.15−2゜15−3及び暗時非選択用トランジス
タ(N−MOSトランジスタ月6−1.16−2.16
−3を介して、暗時用ビデオライン28及び前記非選択
用ライン29にそれぞれ共通に接続されている。ビデオ
ライン28及び30は、入力端が■、に仮想接続された
電流−電圧変換型のプリアンプ31及び33に接続され
、そのそれぞれの出力端32及び34が差動アンプ35
に入力接続され、その出力端36より映像信号が時系列
で読み出されるようになっている。
開時用電流記憶回路6−1.6−2.6−3及び暗時用
電流記憶回路10−1.10−2.10−3は、それぞ
れ制御信号線25及び24に印加される制御信号φ□□
−■■の電位により、電流記憶・保持動作を行うように
構成されている。
また、行ライン2−1.2−2.2−3は垂直走査回路
19に接続することにより、それぞれ信号φ6.。
φ櫨意、φG3を印加し、選択用トランジスタ13−1
゜13−2.13−3.15−1.15−2.15−3
及び非選択用トランジスタ14−1.14−2.14−
3.16−1.16−2.16−3の各ゲート端子は信
号線17−1.17−2.17−3を介して水平走査回
路20に接続して、それぞれ走査信号φ、lφst+ 
 φ3.及び各々の反転信号と制御信号1826の制御
信号φ。7.とのAND出力18−1.18−2.18
−3を印加するように構成されている。 なお、各CM
Dは同一基板上に形成され、その基板には電圧■s□(
〈0)を印加するようになっている。
第2図は、第1図に示した構成の固体撮像装置の動作を
説明するためのタイミングチャートで、「WrWN玉は
水平ブランキング信号である0行ライン2−1.2−2
.2−3に印加する信号φ1.φGl。
φc3は、読み出し電圧■。、リセット電圧vl B 
+オーバーフロー電圧V。2及び蓄積電圧VILHとで
構成されている。そして、非選択行においては、水平帰
線期間中はvll、水平映像期間中は■。1となる。一
方、選択行においては、水平帰線期間中はVID→■□
→■。の順で電位が与えられ、水平映像期間中は■。、
となるように設定されている。
次に動作について説明する。水平帰線期間の読み出し期
間に入ると制御信号線21(φcN?4)及び23(φ
CII?りが高レベル、22(φext、)が低し−、
lしになり、CMDのソース端子と明時用[流記憶回路
61 6−2.6−3の各入力端子7−1.7−2.7
−3が接続される0行ラインには、選択行はVID、非
選択行はVIN丁が印加され、選択された行のCM I
)のソース1!流が各引時用T!X流記憶回路6−1.
 6−263に入力される。そして、制御信号線25(
φXEIN)が〜旦高レベルになってから低レベルにな
ることにより、各開時用[流記憶回路6−1. 6−2
.6−3にソース1!流が記憶される。
次に、制御信号線21(φCNTd)を低しベリレ、 
22(φ。TI)を高し−\ルとし、各列ライン3−1
. 3−2゜3−3をGNDに接続する。そして選択行
の行ラインを■□として選択行の各画素をリセットする
その後、選択行の行ラインがVlllNとなり、制御信
号線21(φ、14)を高レベル、23(φCW?りを
低レベルとし、CMDのソース端子と暗時用電流記憶回
路10−1.10−2.10−3の各入力端子11−1
.11−2.113を接続する。そして、制御信号線2
4(φ8−2)が−旦高レベルになってから低レベルに
なることにより、各暗特用it流記憶回路10−1.1
0−2.10−3に暗時オフセット分に相当するソース
電流が記憶される。各列ライン毎に記憶された映像信号
を流及び暗時オフセット電流は、引き続く水平映像期間
中に、水平走査回路20からの制御信号φ51.  φ
、!φ□により、ビデオライン30及び28に順次読み
出される。このとき、各行ラインには■。Fが印加され
る。また制御信号線26(φ。1.)は、水平帰線期間
中は低レベル、水平映像期間中は高レベルとなっている
そしてビデオライン30及び28に読み出された映像信
号電流及び暗時オフセット1!流は、プリアンプ33及
び31により電流−電圧変換を受け、差動アンプ35で
差動出力され、出力端36から固定パターン雑音が除去
された映像信号が得られる。
次に、上記実施例で用いた各ii電流記憶回路構成例を
第3図に示す。この回路は、S、 J、 [IAIJR
EiiT等によりELECTRONIC5LETTER
58th  Deccvber1988νol 24 
No、 25 p1560〜p1562にCURREN
TCOPIERCELLS″と題する論文で発表されて
いるものである。図において、破線内の回路が第1図の
[流記憶回路6−1.6−2.6−3又は10−1. 
to−21O−3に、スイッチトランジスタ100が第
1図のスイッチトランジスタ5−1.5−2.5−3又
は9−19−2 9−3に、スイッチトランジスタ10
1は第1図のスイッチトランジスタ13−1.13−2
.13−3又は15−1.15−2.15−3にそれぞ
れ対応する。また、スイッチトランジスタ104のゲー
ト入力信号!107は、第1図の制m信号線24又は2
5に対応する。
次に、動作について説明する。まず、スイッチトランジ
スタ100及び104をオン、101をオフの状態にし
て、記憶させる電流1 rllfを入力端105より流
す。このとき、MOS)ランジスタ102のゲート端子
には、1 rafに応した電位が現れ、キャパシタ10
3を充電する。この状態でスイッチトランジスタ104
をオフすれば、MOS トランジスタ102のゲート電
位はI rafを流し込むだけの電位に固定される。し
たがって、その後スイッチトランジスタ100をオフ、
101をオンとすれば、トランジスタ101を介して出
力端109からI rafと等しいTla I cop
yを少い込むことができる。
第4図は、電流記憶回路の他の構成例を示す図で、この
回路は第3図に示した電流記憶回路でのチャネル長変調
による誤差を抑圧するものである。
回において、破線内の回路が第1図の電流記憶回路6−
1.6−2.6−3又は10−1.10−2.10−3
に、スイッチトランジスタ200が第1図のスイッチト
ランジスタ5−1.5−2.5−3又は9−1. 9−
2.9−3に、スイッチトランジスタ201は第1図の
スイッチ1ランジスタ13−1.13−2.133又は
15−1.15−2゜15−3にそれぞれ対応する。ま
た、スイッチトランジスタ207のゲート入力信号線2
10は、第1図の制御信号線24又は25に対応する。
トランジスタ202は、記憶させる電流1 rafの変
化によるトランジスタ203のドレイン電位の変化を抑
圧する効果をもつものである。また、トランジスタ20
4及び205は、トランジスタ203のゲート電位をシ
フトさせるためのもので、これによりトランジスタ20
2及び203を飽和領域で動作させることができる。 
なおゲート入力端211及び212には、それぞれ適当
なりCバイアスが与えられている。
第5図は、第4図に示した電流記憶回路での消費電力を
抑えるようにした他の構成例を示す図で、レベルシフト
回路を構成するトランジスタ304及び305と直列に
スイッチトランジスタ315を設けて、必要な時だけレ
ベルシフト回路を動作させるようにしたものである。ゲ
ート入力端316をパルス駆動することによりスイッチ
トランジスタ315をオン・オフさせ、上記動作を行う
ようになっている。
第6図は、第3図に示した電流記憶回路での出力電流1
 c+pyの極性を反転するように構成したもので、破
線内の回路が第1図の電流記憶回路6−1゜6−2.6
−3又は10−1.10−2.10−3に、スイッチト
ランジスタ400が第1図のスイッチトランジスタ5−
1.5−2.5−3又は9−1.9−2.9−3に、ス
イッチトランジスタ401は第1図のスイッチトランジ
スタ13−1.13−2.13−3又は15−1.15
−2.15−3にそれぞれ対応する。
動作について説明すると、まず、スイッチトランジスタ
400及び404をオン、401をオフの状態にして、
記憶させる電流I refを流す、トランジスタ402
及び403はカレントミラー回路を構成しており、I 
ref と等しい電流をトランジスタ406を介して電
源から引き込む、この状態でスイッチトランジスタ40
4をオフすれば、トランジスタ406のゲート電位ばI
 refを流すだけの電位に固定される。したがって、
その後スイッチトランジスタ400をオフ、401をオ
ンとすれば、トランジスタ401を介してI ref 
と等しい電流1 capアを出力端411より流し出す
ことができる。
第7図及び第8図は、第3図に示した電流記憶回路でト
ランジスタ104がスイッチングされることによって起
こるキャパシタ103の電位変化(フィールドスルー)
の影響を緩和するように構成したものである。第7図に
おけるトランジスタ504と510、第8図におけるト
ランジスタ604と610を逆相のパルスで駆動するこ
とにより、上記の影響を緩和することができる。
第9図は、第1図に示した第1実施例において、CMD
のソース電位を外部から任意に設定することを可能に構
成した第2の実施例の回路構成図である。第1実施例の
回路構成と異なる点は、列ライン3−1とスイッチトラ
ンジスタ5−1及び9−1間、同しく列ライン3−2と
スイッチトランジスタ5−2及び9−2間、同じ(列ラ
イン3−3とスイッチトランジスタ5−3及び9−3間
に、それぞれ直列にソース電位固定用トランジスタ37
−1.37−2.37−3を設けた点である。このソー
ス電位固定用トランジスタ37−1.37−2.37−
3の各ゲート端子には、共通の電圧■、が与えられ、■
、の値によりソース電位を設定することができるように
なっている。また、この実施例では、第1図に示した第
1実施例において制御信号線21をφ。T4でパルス駆
動していたのを、リセット及びオーバーフロー動作時に
列ライン3−1.3−2.3−3の電位が上昇すること
でスイッチトランジスタ4−1.4−2.4−3がオン
しはじめるような電位■、に固定した構成例を示してい
る。
第10図は、第3の実施例を示す回路構成図で、この実
施例は、電流記憶回路の一方を第3図の構成、他方を第
6図の構成とすることにより、素子内部で映像信号it
流と暗時オフセット電流を減算するように構成したもの
である。第10図においては、開時用電流記憶回路6−
1.6−2.6−3に第3回の構成の回路を用い、一方
、暗時用電流記憶回路10−1.10−2 10−3に
第6図の構成の回路を用い、ビデオライン30には暗時
オフセットを流分が除去された映像信号it流が出力さ
れるようになっている。
なお上記各実施例では、画素としてCMDを用いたもの
を示したが、本発明は、静電誘導トランジスタ (St
atic Induction Transistor
 : S I Tと略称されている)を画素として用い
た固体撮像装置にも適用することが可能である。
C発明の効果〕 以上実施例に基づいて説明したように、本発明によれば
、映像信号電流及びリセット直後の暗時オフセット電流
を、各列ライン毎にそれぞれ同時に記憶する手段を設け
、記憶手段に記憶された映像信号電流及び暗時オフセッ
ト電流を順次出力して、その差動を出力させるように構
成したので、固定パターン雑音が除去された高品質の映
像信号を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係わる固体撮像装置の第1実施例を
示す回路構成図、第2図は、その動作を説明するための
信号波形図、第3図は、第1図における電流記憶回路の
構成例を示す図、第4図乃至第8図は、同じく電流記憶
回路の、それぞれ他の構成例を示す図、第9図は、本発
明の第2実施例を示す回路構成図、第10図は、同じく
第3実施例を示す回路構成図、第11図は、CMDを用
いた従来の固体撮像装置の一例を示す回路構成図、第1
2図は、その動作を説明するための信号波形図である。 図において、l−11,1−12,・・・・1−33は
画素を構成するCMD、2−1.2−2.2−3は行ラ
イン、3−1.3.−2.3−3は列ライン、4−1.
 4−2. 4−3はリセント用スインチトランジスタ
、5−1. 5−25−3は開時用スイッチトランジス
タ、6−1゜6−26−3は開時用電流記憶回路、7−
1. 7−2.7−3は開時用を流記憶回路の入力端子
、8−1. 8−2. 83は開時用を流記憶回路の出
力端子、9−1゜9−29−3は暗時用スイッチトラン
ジスタ、104.10−210−3は暗時用電流記憶回
路、11−1.11−2. IL3は暗時用電流記憶回
路の入力端子、12−1.12−2.123は暗時用電
流記憶回路の出力端子、13−1.13−2゜133は
引時選択用スイッチトランジスタ、14−114−2.
14−3は引時非選択用スイ7チトランジスタ、15−
1.15−2.15−3は暗時選択用スイッチトランジ
スタ、16−1.16−2.16〜3は暗時非選択用ス
イ・7チトランジスタ、19は垂直走査回路、20は水
平走査回路、21.22.23.24.25.26は制
御信号線、27はリセットライン、28は暗時用ビデオ
ライン、29は非選択用ライン、30は開時用ビデオラ
イン、3133は電流−電圧変換型プリアンプ、35は
差動アンプ、37−1.37−2.37−3はソース電
位固定用トランジスタを示す。 も3 第12図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、増幅型受光素子を画素とし該画素をマトリックス状
    に配置して、水平及び垂直各走査回路により映像信号電
    流を出力するようにした固体撮像装置において、前記映
    像信号電流及びリセット直後の暗時オフセット電流を、
    列方向に配列された各画素の出力端子を共通に接続した
    各列ライン毎に、それぞれ同時に記憶する手段を設け、
    前記記憶手段に記憶された映像信号電流及びリセット直
    後の暗時オフセット電流をそれぞれ順次出力してその差
    動を出力させるように構成したことを特徴とする固体撮
    像装置。 2、上記増幅型受光素子は、電荷変調素子であることを
    特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
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JP2011199351A (ja) * 2010-03-17 2011-10-06 Mitsubishi Electric Corp 撮像装置

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