JPH0485333A - ポリ〔(1―アルキニル)アルキルシラン〕およびその製造方法 - Google Patents
ポリ〔(1―アルキニル)アルキルシラン〕およびその製造方法Info
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- JPH0485333A JPH0485333A JP19886790A JP19886790A JPH0485333A JP H0485333 A JPH0485333 A JP H0485333A JP 19886790 A JP19886790 A JP 19886790A JP 19886790 A JP19886790 A JP 19886790A JP H0485333 A JPH0485333 A JP H0485333A
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Landscapes
- Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ)発明の目的
[産業上の利用分野]
本発明は、光電導体、フォトレジスト、光記憶材料等と
して有用である、新規な有機ポリシラン化合物およびそ
の製造方法に関するものである。
して有用である、新規な有機ポリシラン化合物およびそ
の製造方法に関するものである。
[従来の技術]
従来、有機ポリシランとしては、例えばジアルキルジク
ロロシランと金属ナトリウムとをトルエン中で反応させ
て得られるポリ(ジアルキルシラン)、あるいはフェニ
ルメチルジクロロシランとアルカリ金属とを反応させて
得られポリ(フェニルメチルシラン)等が知られている
(Journal ofpolymer 5cienc
e Polymer Letters edition
21 +819 (1983) ジャーナル オ
ブ ポリマー サイエンス ポリマー レターズ エデ
イジョンMacromolecules 154.6
11 (1986) マクロモレキュールズ)。
ロロシランと金属ナトリウムとをトルエン中で反応させ
て得られるポリ(ジアルキルシラン)、あるいはフェニ
ルメチルジクロロシランとアルカリ金属とを反応させて
得られポリ(フェニルメチルシラン)等が知られている
(Journal ofpolymer 5cienc
e Polymer Letters edition
21 +819 (1983) ジャーナル オ
ブ ポリマー サイエンス ポリマー レターズ エデ
イジョンMacromolecules 154.6
11 (1986) マクロモレキュールズ)。
例えばポリ(フェニルメチルシラン)は、側鎖にπ電子
雲を有することにより、主鎖の5i−3i結合との間に
σ−π共役を起こし、その紫外線吸収極大(λmax
)は、飽和なアルキル側鎖を有するポリ(ジアルキルシ
ラン)に比べ、かなり長波長にシフトすることが知られ
ている(前掲文献)。
雲を有することにより、主鎖の5i−3i結合との間に
σ−π共役を起こし、その紫外線吸収極大(λmax
)は、飽和なアルキル側鎖を有するポリ(ジアルキルシ
ラン)に比べ、かなり長波長にシフトすることが知られ
ている(前掲文献)。
しかしながら、光電導体、フォトレジスト、光記憶材料
等として広範囲に利用する為には、更に光架橋性が高く
、各種反応性に冨んだ有機ポリシランが望まれていた。
等として広範囲に利用する為には、更に光架橋性が高く
、各種反応性に冨んだ有機ポリシランが望まれていた。
本発明者らは、σ−π共役が高く、紫外線吸収極大が長
波長にシフトし、光架橋性および各種の反応性に冨んだ
有機ポリシランを得んと鋭意研究した結果、置換基とし
てアルキニル基を有する全く新規なポリシランの合成に
成功し、本発明を完成した。
波長にシフトし、光架橋性および各種の反応性に冨んだ
有機ポリシランを得んと鋭意研究した結果、置換基とし
てアルキニル基を有する全く新規なポリシランの合成に
成功し、本発明を完成した。
口)発明の構成
[課題を解決するための手段]
本発明は、主鎖が実質的に下式(1)
%式%
(式中、R1およびR2は炭素数1〜6の飽和アルキル
基であって、互いに同一でも異なっていてもよい。) で示される繰り返し単位よりなる、数平均分子量1.0
00〜1,000,000のポリ [(1−アルキニル
)アルキルシラン] 〔以下、ポリシラン(1)と称す
る〕およびその製造方法に関するものである。
基であって、互いに同一でも異なっていてもよい。) で示される繰り返し単位よりなる、数平均分子量1.0
00〜1,000,000のポリ [(1−アルキニル
)アルキルシラン] 〔以下、ポリシラン(1)と称す
る〕およびその製造方法に関するものである。
ポリシラン(1)のR1またはR2は、炭素数1〜6の
アルキル基である。R1またはR2の炭素数が6を越え
ると、その立体障害により、後述する原料である式(2
)で示されるシラン化合物とアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属との反応性が著しく低下し、ポリシラン(1
)の収率の低下につながり、工業的に不利である。また
得られるポリマーの数平均分子量が小さくなる。
アルキル基である。R1またはR2の炭素数が6を越え
ると、その立体障害により、後述する原料である式(2
)で示されるシラン化合物とアルカリ金属またはアルカ
リ土類金属との反応性が著しく低下し、ポリシラン(1
)の収率の低下につながり、工業的に不利である。また
得られるポリマーの数平均分子量が小さくなる。
ポリシラン(1)のR1またはR2の好ましい炭素数の
上限値は4であり、特に好ましくは、更にR1およびR
2の炭素数の合計が6以下である。
上限値は4であり、特に好ましくは、更にR1およびR
2の炭素数の合計が6以下である。
またR1またはR2のアルキル基は、鎖状であっても分
枝状であっても差し支えなく、互いに同一であっても異
なっていてもよい。
枝状であっても差し支えなく、互いに同一であっても異
なっていてもよい。
ポリシラン(1)のR1またはR2の具体例としてはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基
およびヘキシル基が挙げられ、特にメチル基、エチル基
、プロピル基またはブチル基が好ましい。
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基
およびヘキシル基が挙げられ、特にメチル基、エチル基
、プロピル基またはブチル基が好ましい。
本発明化合物であるポリシラン(りを具体的に開示する
と、 ポリ[(1−プロピニル)メチルシラン]ポlJ[(1
−プロピニル)エチルシランコポリ[(1−プロピニル
)プロピルシラン]ボIJ[(1−プロピニル)ブチル
シラン]ポlJ[(1−プロピニル)ペンチルシランコ
ポリ [(1−プロピニル)へキシルシラン1ポリ[(
1−ブチニル)メチルシランコポリ[(1−ブチニル)
エチルシラン1ポリ [(1−ブチニル)プロピルシラ
ンコポリ[(1−ブチニル)メチルシランコポリ[(1
−ブチニル)ペンチルシランコポリしく1−ブチニル)
へキシルシランコボIJ[(1−ペンチニル)メチルシ
ランコポリ[(1−ペンチニル)エチルシランコポリ
[(1−ペンチニル)プロピルシランコポリ[(1−ペ
ンチニル)ブチルシラン]ボlJ[(1−ペンチニル)
ペンチルシランコポリ [(1−ペンチニル)へキシル
シラン]1[(1−へキシニル)メチルシラン〕ポリ「
(1−へキシニル) ポリ[(1−ヘキシニル) ポリ[(1−へキシニル) ポリ[(1−ヘキシニル) ポリ[(1−へキシニル) ポリ「(1−へブチニル) ポリ[(1−へブチニル) ポリ[(1−へブチニル) ポリ[(1−へブチニル) ポリ〔(1−へブチニル) ポリ「(1−へブチニル〕 ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) 等が挙げられる。
と、 ポリ[(1−プロピニル)メチルシラン]ポlJ[(1
−プロピニル)エチルシランコポリ[(1−プロピニル
)プロピルシラン]ボIJ[(1−プロピニル)ブチル
シラン]ポlJ[(1−プロピニル)ペンチルシランコ
ポリ [(1−プロピニル)へキシルシラン1ポリ[(
1−ブチニル)メチルシランコポリ[(1−ブチニル)
エチルシラン1ポリ [(1−ブチニル)プロピルシラ
ンコポリ[(1−ブチニル)メチルシランコポリ[(1
−ブチニル)ペンチルシランコポリしく1−ブチニル)
へキシルシランコボIJ[(1−ペンチニル)メチルシ
ランコポリ[(1−ペンチニル)エチルシランコポリ
[(1−ペンチニル)プロピルシランコポリ[(1−ペ
ンチニル)ブチルシラン]ボlJ[(1−ペンチニル)
ペンチルシランコポリ [(1−ペンチニル)へキシル
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(1−へキシニル) ポリ[(1−ヘキシニル) ポリ[(1−へキシニル) ポリ[(1−ヘキシニル) ポリ[(1−へキシニル) ポリ「(1−へブチニル) ポリ[(1−へブチニル) ポリ[(1−へブチニル) ポリ[(1−へブチニル) ポリ〔(1−へブチニル) ポリ「(1−へブチニル〕 ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) ポリ[(1−オクテニル) 等が挙げられる。
本発明のポリシラン(1
エチルシラン]
プロピルシラン]
ブチルシラン]
ペンチルシラン]
へキシルシラン]
メチルシラン]
エチルシラン]
プロピルシランコ
ブチルシラン]
ペンチルシラン]
へキシルシラン1
メチルシラン]
エチルシランコ
ブチルシラン]
プロピルシラン]
ペンチルシランコ
へキシルシラン]
)は、下式(2)
%式%(2)
(式中、R’およびR2は炭素数1〜6のアルキル基で
あり、XIおよびX2はハロゲン原子であって、R1お
よびR2並びにXIおよびX2は互いに同一でも異なっ
ていてもよい。)で示される(1−アルキニル)アルキ
ルジハロシラン〔以下、シラン化合物(2)と称する〕
と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を溶媒中で反
応させることにより得られる。
あり、XIおよびX2はハロゲン原子であって、R1お
よびR2並びにXIおよびX2は互いに同一でも異なっ
ていてもよい。)で示される(1−アルキニル)アルキ
ルジハロシラン〔以下、シラン化合物(2)と称する〕
と、アルカリ金属またはアルカリ土類金属を溶媒中で反
応させることにより得られる。
シラン化合物(2)はUSP2671101号明細書に
も記載されている既知の化合物である。
も記載されている既知の化合物である。
シラン化合物(2)のR1およびR2はポリシラン(1
)に関して説明したとおりであり、またXIまたはx2
で示されるハロゲン原子としては、好ましくは塩素原子
または臭素原子が挙げられ、特に好ましくは塩素原子で
ある。
)に関して説明したとおりであり、またXIまたはx2
で示されるハロゲン原子としては、好ましくは塩素原子
または臭素原子が挙げられ、特に好ましくは塩素原子で
ある。
シラン化合物(2)は、例えば下式(3)〜(5)で示
される化合物、すなわちリチウムアルキニド(3)、ナ
トリウムアルキニド(4)またはアルキニルマグネシウ
ムハロゲニド(5)R’ −C=C−L i
(3)R’ −C=C−Na
(4)R’ −C=C−MgX (5)
(式中、R1はシラン化合物(2)のR1に相当し、X
はハロゲン原子である。) と、一般式R” S I X33 (タタLR” ハ
シ7 ン化合物(2)のR″に相当し、X3はシラン化
合物(2)のxlまたは/およびX2に相当する)で示
されるアルキルトリハロシランを、エーテル等の溶媒中
で、不活性ガス雰囲気下で反応させることにより得られ
る。
される化合物、すなわちリチウムアルキニド(3)、ナ
トリウムアルキニド(4)またはアルキニルマグネシウ
ムハロゲニド(5)R’ −C=C−L i
(3)R’ −C=C−Na
(4)R’ −C=C−MgX (5)
(式中、R1はシラン化合物(2)のR1に相当し、X
はハロゲン原子である。) と、一般式R” S I X33 (タタLR” ハ
シ7 ン化合物(2)のR″に相当し、X3はシラン化
合物(2)のxlまたは/およびX2に相当する)で示
されるアルキルトリハロシランを、エーテル等の溶媒中
で、不活性ガス雰囲気下で反応させることにより得られ
る。
シラン化合物(2)の代表的な具体例としては、(1−
へキシニル)メチルジクロロシラン、(1−へキシニル
)ブチルジクロロシラン、(1−ペンチニル)プロピル
ジクロロシラン等が挙げられる。
へキシニル)メチルジクロロシラン、(1−へキシニル
)ブチルジクロロシラン、(1−ペンチニル)プロピル
ジクロロシラン等が挙げられる。
本発明化合物のポリシラン(1)は、−上記のシラン化
合物(2)とアルカリ金属またはアルカリ土類金属、特
に好ましくはアルカリ金属とを、溶媒中で反応させるこ
とにより得られるが、アルカリ金属としては、リチウム
、ナトリウム、カリウムなどが挙げられ、特にリチウム
、ナトリウムが好ましく、ナトリウムが最適である。ア
ルカリ土類金属としてはマグネシウム、カルシウムなど
が挙げられる。
合物(2)とアルカリ金属またはアルカリ土類金属、特
に好ましくはアルカリ金属とを、溶媒中で反応させるこ
とにより得られるが、アルカリ金属としては、リチウム
、ナトリウム、カリウムなどが挙げられ、特にリチウム
、ナトリウムが好ましく、ナトリウムが最適である。ア
ルカリ土類金属としてはマグネシウム、カルシウムなど
が挙げられる。
シラン化合物(2)とアルカリ金属またはアルカリ土類
金属との反応系への供給割合は、シラン化合物(2)1
モルを基準として、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属が2〜5モルが好ましい。
金属との反応系への供給割合は、シラン化合物(2)1
モルを基準として、アルカリ金属またはアルカリ土類金
属が2〜5モルが好ましい。
2モル未満では反応生成物の収率の低下につながり、5
モルを超えても、それに見合う効果が期待出来ず不経済
であり、また過剰のアルカリ金属またはアルカリ土類金
属の量が増加するため、その後処理が困難となる。
モルを超えても、それに見合う効果が期待出来ず不経済
であり、また過剰のアルカリ金属またはアルカリ土類金
属の量が増加するため、その後処理が困難となる。
溶媒としては、非プロトン性溶媒が好適であり、具体例
としては、n−へキサン、n−オクタン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、テトラヒドロフランなどが挙げられ
る。
としては、n−へキサン、n−オクタン、ベンゼン、ト
ルエン、キシレン、テトラヒドロフランなどが挙げられ
る。
反応温度は好ましくは0°C以上、反応溶媒の沸点以下
で行う。反応は不活性ガス雰囲気下で行うとよい。反応
時間は、使用する反応溶媒や反応温度により変化するが
、通常24時間以内で終了する。
で行う。反応は不活性ガス雰囲気下で行うとよい。反応
時間は、使用する反応溶媒や反応温度により変化するが
、通常24時間以内で終了する。
反応終了後、反応溶液は濾別し、濾液をメタノール等の
貧溶媒中に滴下して生成物を沈澱させることにより、目
的のポリシラン(1)を取得することが出来る。
貧溶媒中に滴下して生成物を沈澱させることにより、目
的のポリシラン(1)を取得することが出来る。
得られたポリシラン(1)は数平均分子量1゜000〜
1,000,000のポリマーである。
1,000,000のポリマーである。
[実施例コ
以下、゛実施例に基づいて本発明を具体的に説明する。
実施例1
冷却管、滴下ロート、温度計および撹拌機を備えた50
0ai!四ツロフラスコ内をアルゴンで置換した後、ト
ルエン150gおよびナトリウム1.4g(60ミリモ
ル)を仕込んだ。次に系内をトルエンの沸点下まで加熱
し、還流雰囲気下においてナトリウムを溶融させ、激し
く撹拌してナトリウムを細かく分散させた。その後、撹
拌しながら反応温度を30〜50°Cに保ち、(1−へ
キシニル)ブチルジクロロシラン5g(21ミリモル)
を徐々に滴下した。滴下終了後、徐々に昇温し、溶媒の
沸点付近で3時間反応させた。
0ai!四ツロフラスコ内をアルゴンで置換した後、ト
ルエン150gおよびナトリウム1.4g(60ミリモ
ル)を仕込んだ。次に系内をトルエンの沸点下まで加熱
し、還流雰囲気下においてナトリウムを溶融させ、激し
く撹拌してナトリウムを細かく分散させた。その後、撹
拌しながら反応温度を30〜50°Cに保ち、(1−へ
キシニル)ブチルジクロロシラン5g(21ミリモル)
を徐々に滴下した。滴下終了後、徐々に昇温し、溶媒の
沸点付近で3時間反応させた。
反応終了後、室温まで冷却し、副生じた塩化ナトリウム
および過剰の金属ナトリウムを濾別した後、濾液をメタ
ノールに滴下し、目的のポリマーを沈澱させた。下層の
生成ポリマーを分取、乾燥させることにより、淡黄色で
粘稠性の、目的化合物ポリ[(l−へキシニル)ブチル
シラン2o、7gを得た。収率は20%であった。
および過剰の金属ナトリウムを濾別した後、濾液をメタ
ノールに滴下し、目的のポリマーを沈澱させた。下層の
生成ポリマーを分取、乾燥させることにより、淡黄色で
粘稠性の、目的化合物ポリ[(l−へキシニル)ブチル
シラン2o、7gを得た。収率は20%であった。
この化合物をゲルパーミェーションクロマトグラフで測
定したところ、数平均分子量2,000 (ポリスチレ
ン換算:以下同じ)、分散度(Mw/Mn)1.4であ
り。分子量は3万〜約千の広がりを持っていた。
定したところ、数平均分子量2,000 (ポリスチレ
ン換算:以下同じ)、分散度(Mw/Mn)1.4であ
り。分子量は3万〜約千の広がりを持っていた。
この化合物を赤外線吸収スペクトルおよび13C核磁気
共鳴スペクトル(重ヘンゼン溶媒)で測定した結果をそ
れぞれ第1図および第2図に示す。
共鳴スペクトル(重ヘンゼン溶媒)で測定した結果をそ
れぞれ第1図および第2図に示す。
第1図から2.180cm−’ (C=C)で吸収を示
すことが明らかであり、第2図よりケミカルシフトδ(
ppm)は112.8.78.8 (C=C) 、31
.3〜13.3 (−CH2−CH2−CHz −CH
3)であり、取得した化合物がポリ[(1−へキシニル
)ブチルシラン]であることを示している。
すことが明らかであり、第2図よりケミカルシフトδ(
ppm)は112.8.78.8 (C=C) 、31
.3〜13.3 (−CH2−CH2−CHz −CH
3)であり、取得した化合物がポリ[(1−へキシニル
)ブチルシラン]であることを示している。
実施例2
反応温度を20〜30°Cとし、(1−へキシニル)ブ
チルジクロロシランに代えて(1−へキシニル)メチル
ジクロロシラン5g(26ミリモル)を用いた他は実施
例1と同様にして反応させた。
チルジクロロシランに代えて(1−へキシニル)メチル
ジクロロシラン5g(26ミリモル)を用いた他は実施
例1と同様にして反応させた。
反応終了後、実施例1と同様な後処理を行い、淡黄色で
粘稠性の、目的化合物ポリ[(1−へキシニル)メチル
シラン]0.6gを得た。収率は18%であった。
粘稠性の、目的化合物ポリ[(1−へキシニル)メチル
シラン]0.6gを得た。収率は18%であった。
この化合物をゲルバーミエーションクロマトグラフで測
定したところ、数平均分子量1300、分散度(Mw/
Mn) 20.5のポリマー(約89%)と、数平均分
子量76万、分散度(MW/Mn) 1.8のポリマー
(約11%)とからなっていた。
定したところ、数平均分子量1300、分散度(Mw/
Mn) 20.5のポリマー(約89%)と、数平均分
子量76万、分散度(MW/Mn) 1.8のポリマー
(約11%)とからなっていた。
この化合物を赤外線吸収スペクトルおよび13c核磁気
共鳴スペクトルで測定した結果、実施例1ト同様に、−
C=C−に起因する特徴的なスペクトルがそれぞれ観測
された。
共鳴スペクトルで測定した結果、実施例1ト同様に、−
C=C−に起因する特徴的なスペクトルがそれぞれ観測
された。
ハ)発明の効果
本発明のポリシラン(1)は、光導電性、フォトレジス
ト、光情報記憶材料としての機能を有するほか、側鎖に
アルキニル基という官能基を持っているため、光架橋性
を有し、各種反応性に冨んだ有用なポリマーであり、か
つ効率的に製造することが出来る。
ト、光情報記憶材料としての機能を有するほか、側鎖に
アルキニル基という官能基を持っているため、光架橋性
を有し、各種反応性に冨んだ有用なポリマーであり、か
つ効率的に製造することが出来る。
第1図は本発明の実施例1で得たポリ[(1−へキシニ
ル)ブチルシラン]の赤外吸収スペクトル図であり、第
2図は同化合物の゛3c核磁気共鳴スペクトル図である
。
ル)ブチルシラン]の赤外吸収スペクトル図であり、第
2図は同化合物の゛3c核磁気共鳴スペクトル図である
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、主鎖が実質的に下式(1) ▲数式、化学式、表等があります▼(1) (式中、R^1およびR^2は炭素数1〜6のアルキル
基であって、互いに同一でも異なっていてもよい。) で示される繰り返し単位よりなる、数平均分子量1,0
00〜1,000,000のポリ[(1−アルキニル)
アルキルシラン]。 2、下式(2) ▲数式、化学式、表等があります▼(2) (式中、R^1およびR^2は炭素数1〜6のアルキル
基であり、X^1およびX^2はハロゲン原子であって
、R^1およびR^2並びにX^1およびX^2は互い
に同一でも異なっていてもよい。) で示される(1−アルキニル)アルキルジハロシランと
アルカリ金属またはアルカリ土類金属を溶媒中で反応さ
せることを特徴とする請求項1記載のポリ[(1−アル
キニル)アルキルシラン]の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19886790A JPH0485333A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ポリ〔(1―アルキニル)アルキルシラン〕およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19886790A JPH0485333A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ポリ〔(1―アルキニル)アルキルシラン〕およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0485333A true JPH0485333A (ja) | 1992-03-18 |
Family
ID=16398246
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19886790A Pending JPH0485333A (ja) | 1990-07-26 | 1990-07-26 | ポリ〔(1―アルキニル)アルキルシラン〕およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0485333A (ja) |
-
1990
- 1990-07-26 JP JP19886790A patent/JPH0485333A/ja active Pending
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