JP2929751B2 - （ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体、ポリシラン化合物、その製造方法および用途 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は新規かつ有用な（ハロゲ
ン化シリル置換）エチレン誘導体および３次元ネットワ
ーク型ポリシラン化合物、ならびにこれらの製造方法お
よびこのポリシラン化合物からなる導電性材料に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、導電性を必要とする材料には専ら
金属が用いられており、有機高分子化合物は一般には絶
縁材料として取扱われている。ところが近年、絶縁材料
として認識されていた有機高分子化合物のうち、ケイ素
原子を含む高分子化合物が導電性を有していることが見
出され、このようなケイ素含有高分子化合物を導電性材
料として用いる試みがなされている。

【０００３】例えば１９８１年には、ポリシランの１種
であるメチルフェニルポリシランに光照射して架橋構造
を有する化合物を得、これにドーパント（ドーピングエ
ージェント）を添加することにより、高い電導度を有す
る化合物が得られることが見出されている。上記ドーパ
ントとしてはＡｓＦ₅のような化合物が用いられてお
り、このようなドーパントを用いることにより、上記ケ
イ素含有化合物は０．５Ｓ／ｃｍ程度の導電率を示すこ
とが開示されている（Ｊ．Ａｍｅｒ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，１０３，７３５２−７３５４（１９８１））。

【０００４】しかし、上記のようなケイ素含有化合物を
導電性材料として用いるには、ドーパントとして毒性の
高いＡｓＦ₅を用いなければならい。また上記のような
ケイ素含有化合物を製造する際、光照射の制御が難し
く、良好な特性を有する化合物を再現性よく製造するこ
とが難しいという問題点もある。

【０００５】また、特開昭６２−５９６３２号公報に
は、ＡｓＦ₅を用いることなく、優れた導電性を示すマ
トリックス状のポリアルキルシランが開示されている。
ここではポリアルキルシラン中にドーパントとして硫酸
イオンを含有させることにより、ポリアルキルシランは
１０^-5〜１０Ｓ／ｃｍ程度の導電率を有することが示さ
れている。

【０００６】しかし、上記のようなポリアルキルシラン
からなる導電性材料においても、導電率等の特性や製造
方法などに、なお改善の余地が残されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
かつ有用な（ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体お
よび３次元ネットワーク型ポリシラン化合物を提供する
ことである。本発明の他の目的は、容易かつ効率よく上
記（ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体およびポリ
シラン化合物を製造するための製造方法を提案すること
である。本発明の別の目的は、優れた導電性を示し、し
かも再現性もよく、製造も容易な上記ポリシラン化合物
からなる導電性材料を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、次の（ハロゲ
ン化シリル置換）エチレン誘導体および３次元ネットワ
ーク型ポリシラン化合物、ならびにこれらの製造方法お
よびこのポリシラン化合物からなる導電性材料である。

【０００９】（１） 一般式〔１〕

【化７】 （式中、ＲおよびＲ² は一方がアルキル基またはアラル
キル基、他方がアリール基を示し、Ｒ³およびＲ⁴はそれ
ぞれ独立にアルキル基、アリール基およびアラルキル基
からなる群から選ばれる基を示し、ＸおよびＸ²はそれ
ぞれ独立にハロゲン原子を示す。）で表わされる（ハロ
ゲン化シリル置換）エチレン誘導体。

【００１０】（２） 一般式〔２〕

【化８】 （式中、ＲおよびＲ² は一方がアルキル基またはアラル
キル基、他方がアリール基を示し、Ｒ³およびＲ⁴はそれ
ぞれ独立にアルキル基、アリール基およびアラルキル基
からなる群から選ばれる基を示す。）を構造単位とし、
前記一般式〔１〕で表わされる（ハロゲン化シリル置
換）エチレン誘導体と、このエチレン誘導体のハロゲン
原子と反応しうる量のアルカリ金属とを反応させて得ら
れる３次元ネットワーク型ポリシラン化合物。

【００１１】（３）前記一般式〔１〕で表わされる（ハ
ロゲン化シリル置換）エチレン誘導体と、このエチレン
誘導体のハロゲン原子と反応しうる量のアルカリ金属と
を反応させることを特徴とする上記（２）記載の３次元
ネットワーク型ポリシラン化合物の製造方法。

【００１２】（４）上記（２）記載の３次元ネットワー
ク型ポリシラン化合物からなることを特徴とする導電性
材料。

【００１３】（５） 触媒の存在下に、一般式〔３〕

【化９】 （式中、ＲおよびＲ²は一方がアルキル基またはアラル
キル基、他方がアリール基を示し、Ｘはハロゲン原子を
示す。）で表わされる１，２−ビス（ハロゲン化シリ
ル）アセチレン誘導体と、一般式〔４〕

【化１０】 （式中、Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ独立にアルキル基、ア
リール基およびアラルキル基からなる群から選ばれる基
を示し、Ｘ²はハロゲン原子を示す。）で表わされるハ
ロゲン化シラン類とを反応させることを特徴とする上記
（１）記載の（ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体
の製造方法。

【００１４】前記一般式〔１〕〜〔４〕のＲ〜Ｒ⁴ は、
ＲとＲ²とは異なっており、Ｒ³とＲ⁴とは同一でも異な
っていてもよい。

【００１５】前記一般式〔１〕〜〔４〕のＲ〜Ｒ⁴で示
されるアルキル基としては、通常炭素数が１〜６、好ま
しくは１〜３のものをあげることができる。アルキル基
は直鎖状のものでも分岐状のものでもよい。このような
アルキル基として具体的には、例えばメチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基等の直鎖状アルキル
基；イソプロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｓｅｃ−アミ
ル基等の二級アルキル基；ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒ
ｔ−アミル基等の三級アルキル基などをあげることがで
きる。

【００１６】前記一般式〔１〕〜〔４〕のＲ〜Ｒ⁴で示
されるアリール基としては、少なくとも１つの芳香族環
を有する一価のアリール基をあげることができる。この
芳香族環は置換基を有していてもよい。このようなアリ
ール基の具体的なものとしては、例えばフェニル基、ナ
フチル基、トリル基、キシリル基などをあげることがで
きる。

【００１７】前記一般式〔１〕〜〔４〕のＲ〜Ｒ⁴で示
されるアラルキル基としては、脂肪族炭化水素に少なく
とも１つの芳香族環が置換した一価のアラルキル基をあ
げることができる。この芳香族環は置換基を有していて
もよい。このようなアラルキル基の具体的なものとして
は、例えばベンジル基、フェネチル基、α−メチルベン
ジル基、トリルメチル基などをあげることができる。

【００１８】前記一般式〔２〕を構造単位とする本発明
の３次元ポリネットワーク型ポリシラン化合物（以下、
単にポリシラン化合物という）を導電性材料として用い
る場合は、Ｒ〜Ｒ⁴がメチル基、エチル基、フェニル基
およびベンジル基からなる群から選ばれる基の組合せが
好ましく、特にＲおよびＲ²がメチル基およびフェニル
基の組合せで、Ｒ³およびＲ⁴がメチル基同士の組合せが
好ましい。

【００１９】前記一般式〔１〕、〔３〕および〔４〕の
ＸおよびＸ²で示されるハロゲン原子としては、フッ
素、塩素、臭素およびヨウ素などをあげることができ
る。ＸおよびＸ²は同一でも異なっていてもよい。前記
一般式〔１〕で示される（ハロゲン化シリル置換）エチ
レン誘導体を本発明のポリシラン化合物の製造原料とし
て利用する場合は、ＸおよびＸ²は塩素であることが好
ましい。

【００２０】前記一般式〔１〕で表わされる（ハロゲン
化シリル置換）エチレン誘導体は、シス型であってもよ
いし、トランス型であってもよい。前記一般式〔１〕で
表わされる（ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体の
具体的なものとしては、例えば１，１，２−トリス（ク
ロロメチルフェニルシリル）エチレン、１，１，２−ト
リス（クロロメチルトリルシリル）エチレン、１，２−
ビス（クロロメチルフェニルシリル）−１−クロロジメ
チルシリルエチレンなどをあげることができる。

【００２１】前記一般式〔１〕で表わされる（ハロゲン
化シリル置換）エチレン誘導体は、触媒の存在下に、前
記一般式〔３〕で表わされる１，２−ビス（ハロゲン化
シリル）アセチレン誘導体と、前記一般式〔４〕で表わ
されるハロゲン化シラン類とを反応させることにより製
造することができる。

【００２２】上記触媒としては、例えばＨ₂ＰｔＣｌ₆・
６Ｈ₂Ｏ（塩化白金酸）、ＲｄＣｌ（ＰＰｈ₃）₃（Ｐｈ
はフェニル基）、ＲｕＣｌ₂（ＰＰｈ₃）₂（Ｐｈはフェ
ニル基）、Ｎｉ（ＣＯＤ）₂（ＣＯＤはシクロオクタジ
エン）、〔（Ｐｈ₃Ｐ）ＰｔＣｌ₂〕₂（Ｐｈはフェニル
基）、ＮｉＣｌ₂、ＣｕＣｌ、Ｐｄ／Ｃおよびベンゾイ
ルパーオキシド（ｂｅｎｚｏｙｌ ｐｅｒｏｘｉｄｅ）
などをあげることができる。触媒の使用量は、１，２−
ビス（ハロゲン化シリル）アセチレン誘導体１モルに対
して１×１０^-1〜１×１０^-4モル、好ましくは１×１０
^-2〜１．５×１０^-4モルが望ましい。

【００２３】反応温度は０〜１００℃、好ましくは０〜
５０℃、反応圧力は０〜３０ｋｇ／ｃｍ²・Ｇ、好まし
くは０〜５ｋｇ／ｃｍ²・Ｇ、反応時間は１〜１００時
間、好ましくは１〜２０時間が望ましい。反応は溶媒を
用いて行うこともできるし、溶媒を用いないで行うこと
もできる。溶媒としては、原料および触媒に対して反応
性を持たず、不活性な溶媒を用いるのが好ましい。この
ような溶媒としては、例えば芳香族炭化水素系溶媒、飽
和炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒などをあげることが
できる。これらの中ではヘキサン、ベンゼン、エーテル
が好ましい。

【００２４】前記一般式〔３〕のＲ、Ｒ²およびＸは、
それぞれ前記一般式〔１〕のＲ、Ｒ²およびＸと同じも
のをあげることができる。また前記一般式〔４〕の
Ｒ³、Ｒ⁴およびＸ²はそれぞれ前記一般式〔１〕のＲ³、
Ｒ⁴およびＸ²と同じものをあげることができる。

【００２５】本発明のポリシラン化合物は、前記一般式
〔２〕で表わされるシラニレンエチレン単位を構造単位
とするものであって、（ハロゲン化シリル置換）エチレ
ン誘導体〔１〕と、このエチレン誘導体のハロゲン原子
と反応しうる量のアルカリ金属とを反応させて得られる
３次元ネットワーク型ポリシラン化合物である。

【００２６】前記一般式〔２〕で表わされる構造単位に
は結合手が３つあるが、隣合う構造単位の間でどのケイ
素原子と、どのケイ素原子とが結合しているかは任意で
ある。このためポリシラン化合物の鎖は３次元的に伸張
しており、またそれらが互いに結合し合って３次元ネッ
トワークを形成している。構造単位間の結合様式の具体
的なものとしては、次の一般式〔５〕〜〔１０〕のもの
などをあげることができる。

【００２７】

【化１１】

【化１２】

【化１３】

【化１４】

【化１５】

【化１６】

【００２８】本発明のポリシラン化合物は、このように
構造単位が任意のケイ素間同士で結合して鎖が伸張した
ものであり、結合の順序、ポリシラン化合物中に含まれ
る結合様式の種類は特に限定されない。また構造単位は
シス型、トランス型のいずれであってもよく、ポリシラ
ン化合物中では両者が混在していてもよい。本発明のポ
リシラン化合物は前記一般式〔２〕で表わされる構造単
位が２以上結合したものである。本発明のポリシラン化
合物を導電性材料として用いる場合は、１０以上、好ま
しくは１３以上の構造単位が結合したものであって、重
量平均分子量が１０００以上、好ましくは１２００以上
のものが好ましい。

【００２９】本発明のポリシラン化合物は、前記一般式
〔１〕で表わされる（ハロゲン化シリル置換）エチレン
誘導体と、このエチレン誘導体のハロゲン原子と反応し
うる量のアルカリ金属とを反応させることにより製造す
ることができる。上記アルカリ金属としては、例えば金
属ナトリウム、金属リチウム、金属カリウムなどをあげ
ることができる。これらのアルカリ金属は単独で用いて
もよく、また２種以上を組合せて用いてもよい。

【００３０】本発明のポリシラン化合物を導電性材料と
して用いる場合は、（ハロゲン化シリル置換）エチレン
誘導体として（Ｚ）−１，２−ビス（クロロメチルフェ
ニルシリル）−１−クロロジメチルシリルエチレンを使
用するのが好ましい。また（ハロゲン化シリル置換）エ
チレン誘導体は通常単独で用いられるが、例えば得られ
るポリシラン化合物の導電性を調整することなどを目的
として、２種以上のものを組合せて用いることもでき
る。

【００３１】（ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体
とアルカリ金属との反応は、通常溶媒を用いた液相反応
として行われる。用いる溶媒は、アルカリ金属に対して
反応性を持たず、不活性であるとともに、原料である
（ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体に対しても不
活性な溶媒を使用するのが好ましい。このような溶媒と
しては、例えば芳香族炭化水素系溶媒、飽和炭化水素系
溶媒、不飽和炭化水素系溶媒、エーテル系溶媒などをあ
げることができる。これらの中では、トルエン、ベンゼ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒が好ましく用い
られる。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上を
組合せて使用することができる。

【００３２】反応は、アルカリ金属を上記溶媒にディス
パージョンした分散液に、（ハロゲン化シリル置換）エ
チレン誘導体を加え、超音波を照射しながら行うのが好
ましい。反応は通常−２０〜１００℃、好ましくは０〜
１００℃の範囲で行うのが望ましい。また反応は減圧下
でも、加圧下でも行うことができ、反応圧力は限定され
ないが、通常減圧ないし６０ｋｇ／ｃｍ²・Ｇ、好まし
くは０〜３０ｋｇ／ｃｍ²・Ｇ、特に好ましくは０〜５
ｋｇ／ｃｍ²・Ｇの範囲が望ましい。反応時間は反応温
度および反応圧力などを考慮して適宜に設定されるが、
通常５分〜１００時間、好ましくは１〜２０時間が望ま
しい。アルカリ金属の使用量は、（ハロゲン化シリル置
換）エチレン誘導体１モルに対して１．２〜５モル、好
ましくは２〜４モルが望ましい。また重合反応は、通常
不活性雰囲気下で行うのが望ましい。不活性雰囲気とし
ては、例えばアルゴンや窒素雰囲気などが用いられる。

【００３３】本発明のポリシラン化合物の製造に係る反
応の例を次に示す。

【化１７】 （式中、Ｒ〜Ｒ⁴は前記一般式〔１〕または〔２〕と同
じものを示す。）

【００３４】反応終了後は、メチルリチウム等の有機リ
チウム化合物などを加えて末反応のハロゲン原子を反応
させるのが好ましい。有機リチウム化合物を反応させる
ことにより、ポリシラン化合物の末端にあるハロゲン原
子が有機リチウム化合物の有機基に置換される。また反
応終了後は、クロロホルム等の溶媒で抽出を行った後、
クロロホルムとエタノールまたはイソプロパノール等と
の混合液を加えて再沈殿させるなどの方法によりポリシ
ラン化合物が得られる。

【００３５】このようにして、本発明によって得られる
本発明のポリシラン化合物は、導電率σが通常１０^-8Ｓ
／ｃｍ以下であるが、ドーパントを添加することによ
り、導電率σは通常０．０１〜５０Ｓ／ｃｍ程度にな
る。従って本発明のポリシラン化合物は導電性材料とし
て用いることができる。本発明のポリシラン化合物が導
電性を示す理由は明らかではないが、ケイ素−ケイ素結
合を有しているためと推定される。

【００３６】本発明のポリシラン化合物はドーパントを
添加することにより、より良好な導電性を示すようにな
る。このため本発明のポリシラン化合物を導電性材料と
して使用する場合は適当なドーパントを添加して使用す
るのが一般的である。ドーパントとしては特に制限はな
く、従来知られているハロゲン；ルイス酸；遷移金属ハ
ロゲン化物等の電子吸引性化合物；アルカリ金属等の電
子供与性化合物などを用いることができる。ドーパント
の具体的なものとしては、例えばＩ₂、ＳＯ₃、Ａｓ
Ｆ₅、ＳｂＦ₅、ＳｂＣｌ₅などをあげることができる。
これらの中ではＳｂＦ₅が好ましい。これらのドーパン
トは１種単独で、または２種以上を組合せて用いること
ができる。

【００３７】本発明のポリシラン化合物にドーパントを
添加する方法は特に制限されず、例えばポリシラン化合
物を任意の形状、例えば膜状に成形した後、この成形体
にドーパントを塗布する方法、成形体を気体状のドーパ
ントと接触させる方法、ポリシラン化合物にドーパント
を添加した後任意の形状に成形する方法など、種々の方
法を採用することができる。この時の成形方法および成
形体の形状は特に限定されず、目的とする導電性材料の
形状に応じて、公知の方法により膜状、線状など任意の
形状に成形することができる。本発明のポリシラン化合
物は、上記のように導電性材料として使用できるほか、
例えばケイ素−ケイ素結合の有する光機能性を利用して
感光材料などとしても使用することができる。

【００３８】

【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、前記一般
式〔１〕で表わされる新規かつ有用な（ハロゲン化シリ
ル置換）エチレン誘導体および前記一般式〔２〕で表わ
される構造単位からなる新規かつ有用なポリシラン化合
物が得られる。前記一般式〔１〕で表わされる（ハロゲ
ン化シリル置換）エチレン誘導体は、触媒の存在下に、
前記一般式〔３〕で表わされる１，２−ビス（ハロゲン
化シリル）アセチレン誘導体と、前記一般式〔４〕で表
わされるハロゲン化シラン類とを反応させることによ
り、容易かつ効率よく製造することができる。本発明の
ポリシラン化合物は、前記一般式〔１〕で表わされる
（ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体と、このエチ
レン誘導体のハロゲン原子と反応しうる量のアルカリ金
属とを反応させることにより容易かつ効率よく製造する
ことができる。さらに本発明によれば、優れた導電性を
示す導電性材料が再現性よく得られる。

【００３９】

【実施例】次に実施例をあげて本発明を説明するが、本
発明はこれら実施例により何ら限定されるものではな
い。

【００４０】実施例１｛（Ｚ）−１，２−ビス（クロロ
メチルフェニルシリル）−１−クロロジメチルシリルエ
チレンの合成｝５０ｍｌのナス型フラスコに１，２−ビ
ス（クロロメチルフェニルシリル）アセチレン１１．０
ｇ（３２．８ｍｍｏｌ）とクロロヒドロジメチルシラン
３．３ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）とを入れ、塩化白金酸
（Ｈ₂ＰｔＣｌ₆・６Ｈ₂Ｏ）の０．１Ｍイソプロピルア
ルコール溶液０．０５ｍｌを加え、５０℃で２０時間加
熱撹拌した。反応終了後、減圧蒸留することにより
（Ｚ）−１，２−ビス（クロロメチルフェニルシリル）
−１−クロロジメチルシリルエチレン１３．０ｇ（３
０．３ｍｍｏｌ、収率９２％）を得た。この化合物の沸
点は１８６〜１８７℃／０．１ｍｍＨｇであり、機器分
析の結果を以下に示す。

【００４１】¹Ｈ核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｌ₃溶媒
中で測定、δｐｐｍ）（ｄｌ混合体）０．２８（ｓ，３
Ｈ，ＳｉＣＨ₃） ０．２９（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ₃） ０．４１（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ₃）₂） ０．４２（ｓ，６Ｈ，Ｓｉ（ＣＨ₃）₂） ０．５３（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ₃） ０．５７（ｓ，３Ｈ，ＳｉＣＨ₃） ７．０２−７．３７（ｍ，２０Ｈ，ｒｉｎｇ ｐｒｏｔ
ｏｎｓ） ７．８７（ｓ，１Ｈ，Ｖｉｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎ） ７．８８（ｓ，１Ｈ，Ｖｉｎｙｌ ｐｒｏｔｏｎ）¹³ Ｃ核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｌ₃溶媒中で測定、
δｐｐｍ）（ｄｌ混合 体）２．０７，２．２７，３．３５，３．４５，３．５
２，３．６０， １２８．０１（２Ｃ），１２８．０５（２Ｃ），１３
０．５５， １３０．５８，１３０．７３，１３０．７６，１３３．
７５， １３３．８５，１３４．２５（２Ｃ），１３４．６６，
１３４．８６， １３４．９５，１３５．１７ マススペクトル ｍ／ｅ：４１３（Ｍ⁺−ＣＨ₃） 元素分析（Ｃ₁₈Ｈ₂₃Ｓｉ₃Ｃｌ₃として） 実測値 Ｃ：５０．３０， Ｈ：５．４８ 計算値 Ｃ：５０．２８， Ｈ：５．３９

【００４２】実施例２｛（Ｚ）−１，２−ビス（クロロ
メチルフェニルシリル）−１−クロロジメチルシリルエ
チレンの重合｝１００ｍｌの三つ口フラスコにトルエン
溶媒とナトリウム１．２０ｇ（５２．２ｍｍｏｌ）を入
れて還流させながら撹拌し、ナトリウムディスパージョ
ンを調製した。冷却後溶媒をトルエンからベンゼンに代
えた。その後モノマーの（Ｚ）−１，２−ビス（クロロ
メチルフェニルシリル）−１−クロロジメチルシリルエ
チレン８．０ｇ（１８．６ｍｍｏｌ）を滴下し、１７時
間室温で超音波を照射しながら撹拌した。反応終了後メ
チルリチウム−ヘキサン溶液（１．５Ｍ）２．５ｍｌを
加えて３０分間加熱した。冷却後クロロホルムで抽出し
た。これを無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、クロ
ロホルム／エタノールで再沈殿を行い、０．９４ｇ
（２．９ｍｍｏｌ ｕｎｉｔｓ）のポリマーを収率１６
％で得た。このポリマーの融点は１２３〜１２５℃であ
り、ＧＰＣによって得られた重量平均分子量（Ｍｗ）は
１２００であった。機器分析の結果を以下に示す。

【００４３】 ¹Ｈ核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｌ₃溶媒中で測定、δｐｐｍ） ０．１０（ｂｒ ｓ，１２Ｈ，ＳｉＣＨ₃） ７．００（ｂｒ ｓ，１０Ｈ，ｒｉｎｇ ｐｒｏｔｏｎｓ） ¹³Ｃ核磁気共鳴スペクトル（ＣＤＣｌ₃溶媒中で測定、δｐｐｍ） −１．８９（ｂｒ），１２６．５〜１３０．０，１３２．０〜１３６．５

【００４４】実施例３実施例２で得られた（Ｚ）−１，
２−ビス（クロロメチルフェニルシリル）−１−クロロ
ジメチルシリルエチレンの重合体（前記一般式〔２〕中
のＲがメチル基、Ｒ²がフェニル基、Ｒ³およびＲ⁴がメ
チル基）１ｍｇを０．１ｍｌのジクロロメタン溶媒に溶
解した。この溶液を用いてスピンコート法により絶縁基
板上に２９４０Åの厚さの膜を形成した。この膜にＳｂ
Ｆ₅を気相にて供給してドーピングを行った後、膜の導
電性を測定した。導電性は四探針法を採用して、膜に電
圧を印加して流れる電流および電圧を測定することによ
り評価した。その結果、この膜の導電率は１．３６Ｓ／
ｃｍであった。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−227432（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−352790（ＪＰ，Ａ) Ｚｈ．Ｏｂｓｈｃｈ．Ｋｈｉｍ．，56 ［12］（1986），2743−2750 Ｚ．Ａｎｏｒｇ．Ａｌｌｇ．Ｃｈｅ ｍ．，430（1977），121−136 (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) C07F 7/12 C08G 77/50 C08G 77/60 H01B 1/12 ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＷＰＩＤＳ（ＳＴＮ) ＢＥＩＬＳＴＥＩＮ（ＳＴＮ)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式〔１〕 【化１】 （式中、ＲおよびＲ² は一方がアルキル基またはアラル
   キル基、他方がアリール基を示し、Ｒ³およびＲ⁴はそれ
   ぞれ独立にアルキル基、アリール基およびアラルキル基
   からなる群から選ばれる基を示し、ＸおよびＸ²はそれ
   ぞれ独立にハロゲン原子を示す。）で表わされる（ハロ
   ゲン化シリル置換）エチレン誘導体。
2. 【請求項２】 一般式〔２〕 【化２】 （式中、ＲおよびＲ² は一方がアルキル基またはアラル
   キル基、他方がアリール基を示し、Ｒ³およびＲ⁴はそれ
   ぞれ独立にアルキル基、アリール基およびアラルキル基
   からなる群から選ばれる基を示す。）を構造単位とし、
   一般式〔１〕 【化３】 （式中、ＲおよびＲ² は一方がアルキル基またはアラル
   キル基、他方がアリール基を示し、Ｒ³およびＲ⁴はそれ
   ぞれ独立にアルキル基、アリール基およびアラルキル基
   からなる群から選ばれる基を示し、ＸおよびＸ²はそれ
   ぞれ独立にハロゲン原子を示す。）で表わされる（ハロ
   ゲン化シリル置換）エチレン誘導体と、このエチレン誘
   導体のハロゲン原子と反応しうる量のアルカリ金属とを
   反応させて得られる３次元ネットワーク型ポリシラン化
   合物。
3. 【請求項３】 一般式〔１〕 【化４】 （式中、ＲおよびＲ² は一方がアルキル基またはアラル
   キル基、他方がアリール基を示し、Ｒ³およびＲ⁴はそれ
   ぞれ独立にアルキル基、アリール基およびアラルキル基
   からなる群から選ばれる基を示し、ＸおよびＸ²はそれ
   ぞれ独立にハロゲン原子を示す。）で表わされる（ハロ
   ゲン化シリル置換）エチレン誘導体と、このエチレン誘
   導体のハロゲン原子と反応しうる量のアルカリ金属とを
   反応させることを特徴とする請求項２記載の３次元ネッ
   トワーク型ポリシラン化合物の製造方法。
4. 【請求項４】 請求項２記載の３次元ネットワーク型ポ
   リシラン化合物からなることを特徴とする導電性材料。
5. 【請求項５】 触媒の存在下に、一般式〔３〕 【化５】 （式中、ＲおよびＲ²は一方がアルキル基またはアラル
   キル基、他方がアリール基を示し、Ｘはハロゲン原子を
   示す。）で表わされる１，２−ビス（ハロゲン化シリ
   ル）アセチレン誘導体と、一般式〔４〕 【化６】 （式中、Ｒ³およびＲ⁴はそれぞれ独立にアルキル基、ア
   リール基およびアラルキル基からなる群から選ばれる基
   を示し、Ｘ²はハロゲン原子を示す。）で表わされるハ
   ロゲン化シラン類とを反応させることを特徴とする請求
   項１記載の（ハロゲン化シリル置換）エチレン誘導体の
   製造方法。