JPH0482174B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0482174B2 JPH0482174B2 JP61162272A JP16227286A JPH0482174B2 JP H0482174 B2 JPH0482174 B2 JP H0482174B2 JP 61162272 A JP61162272 A JP 61162272A JP 16227286 A JP16227286 A JP 16227286A JP H0482174 B2 JPH0482174 B2 JP H0482174B2
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- Japan
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- exposure apparatus
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 12
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、装置に配置した原画情報が、所定の
ものであるか否か確認した後に、パターン描画を
開始させる機能を付加した半導体パターン露光装
置に関する。
ものであるか否か確認した後に、パターン描画を
開始させる機能を付加した半導体パターン露光装
置に関する。
半導体製造工程におけるパターン形成方法とし
ては、紫外線・Ｘ線を用いたマスクによる転写法
と、直接電子線によりマスクによらず転写する方
法とあるが、本発明はいずれの方法に対しても適
用されるものである。
ては、紫外線・Ｘ線を用いたマスクによる転写法
と、直接電子線によりマスクによらず転写する方
法とあるが、本発明はいずれの方法に対しても適
用されるものである。
こゝでは、従来の半導体パターン露光装置とし
て、光学的パターン露光装置を例示的に説明す
る。第２図に示すように、光源２１、レンズ２
２，２８よりなる光学系中に、原画マスク２４が
配置され、台座３０に半導体基板２９を搭載して
露光する。位置合わせ検出器２６の出力を、制御
部２７は入力し、台座３０を動かし、位置調整を
行なう。
て、光学的パターン露光装置を例示的に説明す
る。第２図に示すように、光源２１、レンズ２
２，２８よりなる光学系中に、原画マスク２４が
配置され、台座３０に半導体基板２９を搭載して
露光する。位置合わせ検出器２６の出力を、制御
部２７は入力し、台座３０を動かし、位置調整を
行なう。
従来の露光装置では、制御部２７によつて位置
合わせをした後では、露光装置にセツトした原画
情報に従い露光が順次行なわれる。そのため誤つ
た原画情報が与えられた場合にも何ら検証され
ず、露光描画をなす危険性があつた。
合わせをした後では、露光装置にセツトした原画
情報に従い露光が順次行なわれる。そのため誤つ
た原画情報が与えられた場合にも何ら検証され
ず、露光描画をなす危険性があつた。
本発明の目的は、上記に鑑み、原画情報の検証
を行ない、誤つた露光描画の危険性を除去した半
導体パターン露光装置を提供するものである。
を行ない、誤つた露光描画の危険性を除去した半
導体パターン露光装置を提供するものである。
本発明の半導体パターン露光装置は、該装置に
配置した原画情報から、該原画情報に含ませた素
子形状以外の付加情報を検出する手段と、該付加
情報に対応する情報をあらかじめ入力しておき、
検出された前記付加情報と照合し、整合している
ときにパターン描画を開始するとともに、照合結
果を表示する手段とを含むようにしたものであ
る。
配置した原画情報から、該原画情報に含ませた素
子形状以外の付加情報を検出する手段と、該付加
情報に対応する情報をあらかじめ入力しておき、
検出された前記付加情報と照合し、整合している
ときにパターン描画を開始するとともに、照合結
果を表示する手段とを含むようにしたものであ
る。
以下、図面を参照して、本発明の一実施例につ
き説明する。第１図に示す実施例は、第２図に示
した光学的手段による露光装置本体に、本発明の
手段を組込んだものである。光源１よりの光を光
学系２により、原画情報３ここでは原画マスクに
照射し、透過光を光学系１１により可動台座１３
上の半導体基板１２に集光・結像している。光学
系の位置合わせは位置合わせ検出器９により半導
体基板１２からの反射光を検出し、制御部１０に
より光学系２，１１および可動台座１３を機械的
に調整することにより行なうことは従来装置と同
様である。
き説明する。第１図に示す実施例は、第２図に示
した光学的手段による露光装置本体に、本発明の
手段を組込んだものである。光源１よりの光を光
学系２により、原画情報３ここでは原画マスクに
照射し、透過光を光学系１１により可動台座１３
上の半導体基板１２に集光・結像している。光学
系の位置合わせは位置合わせ検出器９により半導
体基板１２からの反射光を検出し、制御部１０に
より光学系２，１１および可動台座１３を機械的
に調整することにより行なうことは従来装置と同
様である。
本発明では、原画情報３に含ませた素子形状情
報４以外の付加情報５を検出する検出器６を設け
てあり、その出力を制御部１０に入力させる。制
御部１０には、キーボード７を入力手段として、
付加情報５に相応する情報を入力するようにして
ある。制御部１０は、検出器６およびキーボード
７より入力した情報とを比較照合し、整合がとれ
ていれば露光描画を開始させ、不整合の場合であ
れば露光描画を行なわず、表示器８に不整合なこ
とを表示する。
報４以外の付加情報５を検出する検出器６を設け
てあり、その出力を制御部１０に入力させる。制
御部１０には、キーボード７を入力手段として、
付加情報５に相応する情報を入力するようにして
ある。制御部１０は、検出器６およびキーボード
７より入力した情報とを比較照合し、整合がとれ
ていれば露光描画を開始させ、不整合の場合であ
れば露光描画を行なわず、表示器８に不整合なこ
とを表示する。
上記実施例は、光学的パターン露光装置である
が、電子ビームによる装置では、原画情報は磁気
記録媒体、あるいは集積記憶回路媒体になる。光
学的パターン露光装置の原価情報は、半導体基板
上の素子形状との比率が１対１である必要がない
ことはいうまでもない。
が、電子ビームによる装置では、原画情報は磁気
記録媒体、あるいは集積記憶回路媒体になる。光
学的パターン露光装置の原価情報は、半導体基板
上の素子形状との比率が１対１である必要がない
ことはいうまでもない。
また、付加情報を制御部に入力する入力手段、
および入力すべき情報は、種々の形態のものでよ
い。付加情報に対応する情報であれば、制御部１
０は飜訳して原画情報に含まれる付加情報と同形
にすることによつて照合できる。
および入力すべき情報は、種々の形態のものでよ
い。付加情報に対応する情報であれば、制御部１
０は飜訳して原画情報に含まれる付加情報と同形
にすることによつて照合できる。
従来は、作業者が露光にかゝる前に、例えば光
学系では原画情報を目視して原画を確認していた
が、時間がかゝることおよび原画の誤用が避けら
れなかつた。本発明によれば原画情報の誤用が、
自動的にチエツクされるので、製造工の信頼度を
上げることが可能となる。また表示器に、単に整
合の不否のみでなく、原画情報中の付加情報も表
示することにより半導体パターン露光装置の仕掛
り状態が把握容易になり、効率的な稼動利用が可
能となる。
学系では原画情報を目視して原画を確認していた
が、時間がかゝることおよび原画の誤用が避けら
れなかつた。本発明によれば原画情報の誤用が、
自動的にチエツクされるので、製造工の信頼度を
上げることが可能となる。また表示器に、単に整
合の不否のみでなく、原画情報中の付加情報も表
示することにより半導体パターン露光装置の仕掛
り状態が把握容易になり、効率的な稼動利用が可
能となる。
第１図は、本発明の一実施例である光学的な半
導体パターン露光装置の概念図、第２図は従来例
である。 １……光源、２，１１……光学系、３……原画
情報、４……素子形状情報、５……付加情報、６
……（付加情報）検出器、７……キーボード、８
……表示器、９……位置合わせ検出器、１０……
制御部、１２……半導体基板、１３……可動台
座。
導体パターン露光装置の概念図、第２図は従来例
である。 １……光源、２，１１……光学系、３……原画
情報、４……素子形状情報、５……付加情報、６
……（付加情報）検出器、７……キーボード、８
……表示器、９……位置合わせ検出器、１０……
制御部、１２……半導体基板、１３……可動台
座。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体製造工程におけるパターン露光装置に
おいて、 該装置に配置した原画情報から、該原画情報に
含ませた素子形状以外の付加情報を検出する手段
と、該付加情報に対応する情報をあらかじめ入力
しておき、検出された前記付加情報と照合し、整
合しているときにパターン描画を開始するととも
に、照合結果を表示する手段とを含むことを特徴
とする半導体パターン露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162272A JPS6317524A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体パタ−ン露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61162272A JPS6317524A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体パタ−ン露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6317524A JPS6317524A (ja) | 1988-01-25 |
| JPH0482174B2 true JPH0482174B2 (ja) | 1992-12-25 |
Family
ID=15751308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61162272A Granted JPS6317524A (ja) | 1986-07-09 | 1986-07-09 | 半導体パタ−ン露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6317524A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5434777A (en) * | 1977-08-24 | 1979-03-14 | Hitachi Ltd | Mask aligner |
-
1986
- 1986-07-09 JP JP61162272A patent/JPS6317524A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6317524A (ja) | 1988-01-25 |
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