JPH0480962A - ショットキバリアダイオード - Google Patents
ショットキバリアダイオードInfo
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- JPH0480962A JPH0480962A JP19524090A JP19524090A JPH0480962A JP H0480962 A JPH0480962 A JP H0480962A JP 19524090 A JP19524090 A JP 19524090A JP 19524090 A JP19524090 A JP 19524090A JP H0480962 A JPH0480962 A JP H0480962A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は従来のものより更に整流特性が良好であって損
失の少ないショットキバリアダイオードに関するもので
ある。
失の少ないショットキバリアダイオードに関するもので
ある。
メタルと半導体との接触により生ずる電位障壁を利用し
て整流する第１図の如き構造をもつショットキバリアダ
イオード（図において（６）はシリコン基板、（４）は
エピタキシャル層、（１）はバリヤメタル）は、他のダ
イオードに比して高速かつ正方向立上り電圧が低く低損
失であることから電力用として多く用いられている。特
に最近における集積回路の駆動電圧の低圧化はその必要
をとみに高めつつあり、支に低損失のショットキバリア
ダイオードへの要求が強い。
て整流する第１図の如き構造をもつショットキバリアダ
イオード（図において（６）はシリコン基板、（４）は
エピタキシャル層、（１）はバリヤメタル）は、他のダ
イオードに比して高速かつ正方向立上り電圧が低く低損
失であることから電力用として多く用いられている。特
に最近における集積回路の駆動電圧の低圧化はその必要
をとみに高めつつあり、支に低損失のショットキバリア
ダイオードへの要求が強い。
これを実現するためには正方向電圧降下と逆方向電流が
現在のものより小さく、ダイオードの損失即ち正方向損
失と逆方向損失の和の小さい整流特性の良好なものの実
現が必要である。しかし、ショットキバリアダイオード
の正方向電圧降下２逆方向電流は第２図に示す定性的な
関係図のよづに、ショットキ接合を形成するバリヤメタ
ルのか質によって決定される。一般には正方向電圧降１
の小さいものは逆方向電流が大きく、逆方向電舗の小な
るものは正方向電圧降下が大きいと云う正逆相反する特
性を有する。
現在のものより小さく、ダイオードの損失即ち正方向損
失と逆方向損失の和の小さい整流特性の良好なものの実
現が必要である。しかし、ショットキバリアダイオード
の正方向電圧降下２逆方向電流は第２図に示す定性的な
関係図のよづに、ショットキ接合を形成するバリヤメタ
ルのか質によって決定される。一般には正方向電圧降１
の小さいものは逆方向電流が大きく、逆方向電舗の小な
るものは正方向電圧降下が大きいと云う正逆相反する特
性を有する。
例えば正方向電圧降下を従来知られているメタルで見れ
ば、第２図のようにチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、
現在量も多く用いられているモリブデン（ＭＯ）の順序
で大となって正方向損失を大とする傾向を示す、一方逆
方向電流は上記とは逆にモリブデン（Ｍ ｏ ） 、ク
ロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）の順序で大となって逆方
向損失を増大させる傾向をもつ。
ば、第２図のようにチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、
現在量も多く用いられているモリブデン（ＭＯ）の順序
で大となって正方向損失を大とする傾向を示す、一方逆
方向電流は上記とは逆にモリブデン（Ｍ ｏ ） 、ク
ロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）の順序で大となって逆方
向損失を増大させる傾向をもつ。
従って損失が正方向と逆方向損失の和で与えられるダイ
オードにおいては、正逆両方向損失の兼ね合いによって
最も低損失が実現される材質を選ばざるを得ず、現状で
はモリブデン（Ｍ ｏ ）が最も多く用いられている。
オードにおいては、正逆両方向損失の兼ね合いによって
最も低損失が実現される材質を選ばざるを得ず、現状で
はモリブデン（Ｍ ｏ ）が最も多く用いられている。
しかし現在以上に低損失のショットキバリアダイオード
を現状の構造によって実現するには、新しい材質の開拓
などの難しい課題が解決されなければならない。
を現状の構造によって実現するには、新しい材質の開拓
などの難しい課題が解決されなければならない。
本発明は優るダイオードの改良に関するもので半導体基
板の表面を凹凸状に形成し、該凹凸面にショットキバリ
ア金属を設けたショットキバリアダイオードにおいて、
該凹凸面はバリア高さ（φＢ）を変化させて、ショット
キ接合の有効面積の効率化を図ると共に電気特性を目的
に応じて変化できるショットキバリアダイオードを提供
するものである。因みに従来、ｎＷｓｉ上に金属を形成
し、ショットキバリアダイオードをつくったとき、その
電気的特性（たとえばショットキバリア高さφＩｌ）は
前記形成した金属によって一義的に決定されていた。た
とえば、金属にアルミニウム（Ａ ｌ ）を選んだ場合
、φ８は０．７８ｅＶである。一方φ６が０．７６ｅＶ
よりも低いショットキバリアダイオードを作成したい場
合、たとえばφ。が０．５ｅＶのショットキバリアダイ
オードを作製したばあいには、金属としてチタニウム（
Ｔｉ）を選んでいた。
板の表面を凹凸状に形成し、該凹凸面にショットキバリ
ア金属を設けたショットキバリアダイオードにおいて、
該凹凸面はバリア高さ（φＢ）を変化させて、ショット
キ接合の有効面積の効率化を図ると共に電気特性を目的
に応じて変化できるショットキバリアダイオードを提供
するものである。因みに従来、ｎＷｓｉ上に金属を形成
し、ショットキバリアダイオードをつくったとき、その
電気的特性（たとえばショットキバリア高さφＩｌ）は
前記形成した金属によって一義的に決定されていた。た
とえば、金属にアルミニウム（Ａ ｌ ）を選んだ場合
、φ８は０．７８ｅＶである。一方φ６が０．７６ｅＶ
よりも低いショットキバリアダイオードを作成したい場
合、たとえばφ。が０．５ｅＶのショットキバリアダイ
オードを作製したばあいには、金属としてチタニウム（
Ｔｉ）を選んでいた。
本発明では、金属と半導体との間にアモルファス層を形
成することで、１種類の金属でφ８を制御するもので、
金属にＡ１を選んだ場合を例にすると、Ａｌとｎ型Ｓｉ
とのφ８は０．７６ｅＶである。これより低いφＢのシ
ョットキバリアダイオードＡ１でつくりたい場合、すな
わち、逆方向リーク電流が高くなってもＶ、の低い（ロ
ーロス）ダイオードをＡ１でつくりたい場合、Ａｌとｎ
型Ｓｉとの間に水素を含まないアモルファス層を形成す
ることで、金属がＡＩでもφ、が低いローロスダイオー
ドが作製できる。
成することで、１種類の金属でφ８を制御するもので、
金属にＡ１を選んだ場合を例にすると、Ａｌとｎ型Ｓｉ
とのφ８は０．７６ｅＶである。これより低いφＢのシ
ョットキバリアダイオードＡ１でつくりたい場合、すな
わち、逆方向リーク電流が高くなってもＶ、の低い（ロ
ーロス）ダイオードをＡ１でつくりたい場合、Ａｌとｎ
型Ｓｉとの間に水素を含まないアモルファス層を形成す
ることで、金属がＡＩでもφ、が低いローロスダイオー
ドが作製できる。
また、逆に高いφ、のショットキバリアダイオードをＡ
１でつくりたい場合、すなわち、■、は高くてもよいか
ら逆方向リーク電流の低いダイオードをＡ１でつくりた
い場合、Ａ１とｎ型Ｓｉとの間に水素を含んだアモルフ
ァス層を形成することで、金属がＡＩでもφ８が高いダ
イオードが作製できる。
１でつくりたい場合、すなわち、■、は高くてもよいか
ら逆方向リーク電流の低いダイオードをＡ１でつくりた
い場合、Ａ１とｎ型Ｓｉとの間に水素を含んだアモルフ
ァス層を形成することで、金属がＡＩでもφ８が高いダ
イオードが作製できる。
第３図（ａ）（ｂ）は本発明の一実施例を示す平面図及
び断面図、第４図はその動作説明図でＡ及びＢはショッ
トキバリアダイオードの電極、■はショットキバリア形
成金属でバリア高さφ８の大きな金属、２は表面保護膜
、３は低いφ８を有するアモルファス状の半導体、４は
高いφ、を有する半導体、５は半導体４の中に形成され
た４とは反対の導電型層で、一般的にはガードリング、
と呼ばれる領域である。６は４と同じ導電型の低抵抗半
導体層、７は電極金属である。
び断面図、第４図はその動作説明図でＡ及びＢはショッ
トキバリアダイオードの電極、■はショットキバリア形
成金属でバリア高さφ８の大きな金属、２は表面保護膜
、３は低いφ８を有するアモルファス状の半導体、４は
高いφ、を有する半導体、５は半導体４の中に形成され
た４とは反対の導電型層で、一般的にはガードリング、
と呼ばれる領域である。６は４と同じ導電型の低抵抗半
導体層、７は電極金属である。
なお半導体４の表面は凹凸形状に形成され、凸部上部の
略平面にバリア高さφ３の小さいアモルファス半導体層
３を形成する。
略平面にバリア高さφ３の小さいアモルファス半導体層
３を形成する。
次に本発明構造のショットキバリアダイオードの動作原
理を以下に説明する０本構造はいわば小バリア高さのシ
ョットキバリアダイオードと、大バリア高さのショット
キバリアダイオードを併列接続した等価回路で表現され
る。
理を以下に説明する０本構造はいわば小バリア高さのシ
ョットキバリアダイオードと、大バリア高さのショット
キバリアダイオードを併列接続した等価回路で表現され
る。
従って、Ａ電極が正、Ｂ電極が負の順方向電界が印加さ
れると、まず、小バリア高さの接合部においてバリア高
さの大きな接合よりも先に電子がアモルファス半導体３
から金属１に流れ込む。
れると、まず、小バリア高さの接合部においてバリア高
さの大きな接合よりも先に電子がアモルファス半導体３
から金属１に流れ込む。
金属１をＡ１で形成した場合には電流密度２００Ａ／ｄ
程度までは、はとんど小バリア高さショットキバリアダ
イオードのＪ、−Ｖ、特性が支配的になる。そして電流
密度３００Ａ／−以上でようやく大バリア高さショット
キバリアダイオードの接合面積及びバリア高さφ８を横
切る順方向電流の重なりが、小バリア接合面積で大電流
順方向電流が流れ難いのを補助するように効いてくる。
程度までは、はとんど小バリア高さショットキバリアダ
イオードのＪ、−Ｖ、特性が支配的になる。そして電流
密度３００Ａ／−以上でようやく大バリア高さショット
キバリアダイオードの接合面積及びバリア高さφ８を横
切る順方向電流の重なりが、小バリア接合面積で大電流
順方向電流が流れ難いのを補助するように効いてくる。
従って、本発明構造では従来構造ＳＢＤ特性と較べると
、順方向特性は若干劣る。
、順方向特性は若干劣る。
一方逆方向特性は、Ａ電極に負、Ｂ電極が正に印加され
ると、金属／半導体接合がら空乏層が半導体側に形成さ
れ、逆方向印加電圧の上昇と伴に拡がって来る。
ると、金属／半導体接合がら空乏層が半導体側に形成さ
れ、逆方向印加電圧の上昇と伴に拡がって来る。
しかしながら、ショットキバリア高さφ６の大きな接合
はど空乏層Ｗの拡り巾は大きく、なおかつ空乏層内での
再結合電流はφ８が大きい程小さい。もちろん、接合面
積も小さければ逆方向漏れ電流は小さくなる。
はど空乏層Ｗの拡り巾は大きく、なおかつ空乏層内での
再結合電流はφ８が大きい程小さい。もちろん、接合面
積も小さければ逆方向漏れ電流は小さくなる。
逆方向電圧が印加されると、第４図に示すように金属１
から拡がって来る空乏層（イ）が凸部の巾ａと半導体４
のＳＢＤを埋めるまでは金属１とアモルファス半導体３
が形成する接合から伸びてくる空乏層内での再結合電流
が逆方向電流の大部分を占める。
から拡がって来る空乏層（イ）が凸部の巾ａと半導体４
のＳＢＤを埋めるまでは金属１とアモルファス半導体３
が形成する接合から伸びてくる空乏層内での再結合電流
が逆方向電流の大部分を占める。
凸部の巾ａが金属１と半導体４の接合から伸びてくる空
乏層で埋められた（口）、ピンチオフ電圧■、からは、
金属１とアモルファス半導体３が形成するショットキバ
リア接合にかかる電界Ｅはほぼ固定され、その後逆方向
電圧が大きくなっても金属１とアモルファス半導体３接
合の電界Ｅは増大しないため、はぼ金属２ショットキバ
リアを横切る再結合電流Ｊ ５ＢＪ２は■、よりも高い
電圧領域でほぼ一定値となる。
乏層で埋められた（口）、ピンチオフ電圧■、からは、
金属１とアモルファス半導体３が形成するショットキバ
リア接合にかかる電界Ｅはほぼ固定され、その後逆方向
電圧が大きくなっても金属１とアモルファス半導体３接
合の電界Ｅは増大しないため、はぼ金属２ショットキバ
リアを横切る再結合電流Ｊ ５ＢＪ２は■、よりも高い
電圧領域でほぼ一定値となる。
いいかえれば、小さなショットキバリア高さφ３の接合
を横切る漏れ電流を、■２電圧以後は小さな値に抑える
ことが出来る。
を横切る漏れ電流を、■２電圧以後は小さな値に抑える
ことが出来る。
Ｖｐ後も電圧印加すると、金属１から伸びる空乏層は電
圧降伏■、するまで伸びる（ハ）が太きなφ８値を持つ
ＳＢＤ接合が形成する空乏層の再結合電流ＪＳＢＪＩは
比較的小さい漏れ電流値となる。
圧降伏■、するまで伸びる（ハ）が太きなφ８値を持つ
ＳＢＤ接合が形成する空乏層の再結合電流ＪＳＢＪＩは
比較的小さい漏れ電流値となる。
〈実施例〉
Ｎ型シリコンエピタキシアルウェハーの一部にアモルフ
ァス状のシリコン層を形成する例を以下に説明する。
ァス状のシリコン層を形成する例を以下に説明する。
ヒ素不純物原子をドープした比抵抗０．００３Ω・ｍ厚
さ４００μｍのシリコン基板６上にリンを不純物原子と
した比抵抗０．５Ω・国のエピタキシアルシリコン層４
を６μｍ堆積させる。
さ４００μｍのシリコン基板６上にリンを不純物原子と
した比抵抗０．５Ω・国のエピタキシアルシリコン層４
を６μｍ堆積させる。
スチーム酸化処理で約１μｍ厚さの５ｉＣ）、＠を形成
し、カードリング部分のみの酸化膜を除去する第１次の
写真処理を行う、その後、フッ酸系のエツチング液でガ
ードリング部を窓開けする。
し、カードリング部分のみの酸化膜を除去する第１次の
写真処理を行う、その後、フッ酸系のエツチング液でガ
ードリング部を窓開けする。
イオン注入でボロン原子を約Ｉ Ｘ １０ ”ａｍ−”
を５０ｋｅＶで打ち込み、１１００℃、３０分、Ｏ７雰
囲気でアニール拡散してガードリング部５（Ｐ４拡散）
３μｍを形成する。
を５０ｋｅＶで打ち込み、１１００℃、３０分、Ｏ７雰
囲気でアニール拡散してガードリング部５（Ｐ４拡散）
３μｍを形成する。
次に、凹部を形成する部分の酸化膜を除去する第２次の
写真処理を行う。
写真処理を行う。
ＲＩ Ｅ （Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｅｒ
）を使用して、ＣＨＦ３ガスを導入し、約５ｍＴｏｒｒ
に調整したら約２ｋＷの電力を投入して、酸化膜を４〜
５分でエツチングする。引き続き同一真空チャンバー内
で、ＣＣｌ２Ｆ２ガスを導入し、約５ｍＴｏｒｒに調整
したら約２ｋＷの電力を投入して、約３μｍ深さで開口
部が約３μｍを約７〜８分でエツチングする。
）を使用して、ＣＨＦ３ガスを導入し、約５ｍＴｏｒｒ
に調整したら約２ｋＷの電力を投入して、酸化膜を４〜
５分でエツチングする。引き続き同一真空チャンバー内
で、ＣＣｌ２Ｆ２ガスを導入し、約５ｍＴｏｒｒに調整
したら約２ｋＷの電力を投入して、約３μｍ深さで開口
部が約３μｍを約７〜８分でエツチングする。
はぼＵ字形にエツチングする。こうしてａ＃２μｍ％ｆ
＝３μｍ、ｈ＝３μｍの凹凸形状８がほぼできた。
＝３μｍ、ｈ＝３μｍの凹凸形状８がほぼできた。
なお、Ｓｉエツチング形状の制御は、Ｓｉエツチングガ
スの種類をＣＦ、、ＮＦ、等のＦ系、ＣＣｌ４、ＣＣＣ
１２Ｆ等のＣ１系ガスの比率を調整することにより、深
さに対する上部開口部の距離を調整することも可能であ
る。
スの種類をＣＦ、、ＮＦ、等のＦ系、ＣＣｌ４、ＣＣＣ
１２Ｆ等のＣ１系ガスの比率を調整することにより、深
さに対する上部開口部の距離を調整することも可能であ
る。
ＲＩＥによるＳ１エツチング後、プラズマダメジ層を除
去するために、約２００〜５００人のＳｉをＨｚ Ｏｚ
、ＮＨ４Ｆ、Ｈ２Ｏの混合液からなるＳｉエツチング液
で除去し、引き続き表面の酸化膜をフッ酸系のエツチン
グ液で全面除去する。
去するために、約２００〜５００人のＳｉをＨｚ Ｏｚ
、ＮＨ４Ｆ、Ｈ２Ｏの混合液からなるＳｉエツチング液
で除去し、引き続き表面の酸化膜をフッ酸系のエツチン
グ液で全面除去する。
上記エツチング処理後に、凹部が完全に埋め込まれる様
にスパッタ酸化膜を全面に形成する。
にスパッタ酸化膜を全面に形成する。
スパッタ酸化膜形成後、ガードリンク内側の酸化膜を除
去する第３次の写真処理を行う。
去する第３次の写真処理を行う。
第３次の写真処理後フッ酸系のエツチング液でガードリ
ング内側の酸化膜を除去する。この時、ＲＩＥで形成さ
れたｆ＝３μｍ、ｈ＝３μｍの凹部には酸化膜が埋め込
まれた状態である。
ング内側の酸化膜を除去する。この時、ＲＩＥで形成さ
れたｆ＝３μｍ、ｈ＝３μｍの凹部には酸化膜が埋め込
まれた状態である。
次に、ＲＩＥを使用して、Ａｒガスを導入し、約５ｍＴ
ｏｒｒに調整したら、約２ｋＷの電力を投入し、プラズ
マ放電させる。Ａｒプラズマに晒されたガードリング内
側のＳｉ表面にはアモルファス状のシリコン層３が形成
される。
ｏｒｒに調整したら、約２ｋＷの電力を投入し、プラズ
マ放電させる。Ａｒプラズマに晒されたガードリング内
側のＳｉ表面にはアモルファス状のシリコン層３が形成
される。
なお、アモルファスシリコン層の膜厚・性質などはＲＩ
Ｅの条件、圧力、パワー、導入するガスの種類等を変え
ることにより側脚することも可能である。
Ｅの条件、圧力、パワー、導入するガスの種類等を変え
ることにより側脚することも可能である。
次に、凹部の埋め込まれた酸化膜をフッ酸系のエツチン
グ液で除去する。こうして凸部にアモルファスシリコン
層が、凹部にはシリコン層４が存在する凹凸形状の表面
が形成された。
グ液で除去する。こうして凸部にアモルファスシリコン
層が、凹部にはシリコン層４が存在する凹凸形状の表面
が形成された。
上記凹部酸化膜のエツチング後、Ａｌｌを蒸着する。
ＡＬをＵ字形Ｓｉの底部側面に充分回らせるため、蒸着
入射角とウェハーの自転、公転の角度及び回転速度を調
整し、実用上問題ない程度に改善した。ＡＬの膜厚は約
５０００人とし、引き続きＣｒ及びＮｉ蒸着を同一真空
蒸着室内で通常方法にて行った。ＣｒはＡＬ及びＮ１の
拡散バリア金属の役目をする。また、Ｓｉウェハーの裏
面にもＣｒ／Ｎｉ蒸着を引き続き処理する。
入射角とウェハーの自転、公転の角度及び回転速度を調
整し、実用上問題ない程度に改善した。ＡＬの膜厚は約
５０００人とし、引き続きＣｒ及びＮｉ蒸着を同一真空
蒸着室内で通常方法にて行った。ＣｒはＡＬ及びＮ１の
拡散バリア金属の役目をする。また、Ｓｉウェハーの裏
面にもＣｒ／Ｎｉ蒸着を引き続き処理する。
次に、パターン面のＡ電極必要領域にのみＡＬ／ Ｃｒ
／ Ｎ ｉが存在するように第４次写真を行う。
／ Ｎ ｉが存在するように第４次写真を行う。
Ｎ１のエツチング液は塩化第２鉄系のエツチング液で、
Ｃｒは硝酸第２セリウム系のエツチング液で、さらにＡ
Ｌは公知のＨ２Ｐ○、系のエツチング液でエツチングし
た。
Ｃｒは硝酸第２セリウム系のエツチング液で、さらにＡ
Ｌは公知のＨ２Ｐ○、系のエツチング液でエツチングし
た。
その後、ウェハー上のＮ１面にＰｂ−８ｎ系ハンダを溶
融、チップをダイシングし、通常の工程にて、ショット
キバリアダイオードチップを完成させた。
融、チップをダイシングし、通常の工程にて、ショット
キバリアダイオードチップを完成させた。
以上の製作工程により、ガードリング内側面積０．０１
ｄ、ＡＩ−アモルファスシリコンショットキ面積７．４
８ＸＩＯ−３ｍ、ａ＝２４ｍ Ａ Ｉ−シリコンショッ
トキ領域 ｆ・３＃ＩＩを完成させた。第５図（ａ）（
ｂ）は従来例と比較した本発明ダイオードの特性図で（
ａ）は順方向特性図、ｂは逆方向特性図で図中各々（イ
）は従来例、（ロ）は本発明実施例の特性を示す、即ち
本実施例による順方向特性（ロ）はＶＰ＝０．４２ｖｏ
ｌｔ （ａｔ２００Ａｓ＋ｐ＃）であり、従来構造（イ
）のＡＩ ＳＢＤ Ｖ、＝０５５ ｖ ｏ 、１ ｔ
よりは優る。しかし、逆方向特性において本実施例では
特性（ロ）に示すように降伏電圧Ｖ Ｂ ”ｔ ５２
ｖｏ ｌ を点ではＩＲ＝２１．ＯμＡ 程度の逆方向
漏れ電流（ＩＲ）を得た。従来構造のＡｌバリアダイオ
ードではＩＲ＝０．５μＡであり漏れ電流は増大した。
ｄ、ＡＩ−アモルファスシリコンショットキ面積７．４
８ＸＩＯ−３ｍ、ａ＝２４ｍ Ａ Ｉ−シリコンショッ
トキ領域 ｆ・３＃ＩＩを完成させた。第５図（ａ）（
ｂ）は従来例と比較した本発明ダイオードの特性図で（
ａ）は順方向特性図、ｂは逆方向特性図で図中各々（イ
）は従来例、（ロ）は本発明実施例の特性を示す、即ち
本実施例による順方向特性（ロ）はＶＰ＝０．４２ｖｏ
ｌｔ （ａｔ２００Ａｓ＋ｐ＃）であり、従来構造（イ
）のＡＩ ＳＢＤ Ｖ、＝０５５ ｖ ｏ 、１ ｔ
よりは優る。しかし、逆方向特性において本実施例では
特性（ロ）に示すように降伏電圧Ｖ Ｂ ”ｔ ５２
ｖｏ ｌ を点ではＩＲ＝２１．ＯμＡ 程度の逆方向
漏れ電流（ＩＲ）を得た。従来構造のＡｌバリアダイオ
ードではＩＲ＝０．５μＡであり漏れ電流は増大した。
従って、本実施例によるダイオードを整流回路に適用す
ると、順方向損失を減少することができる。
ると、順方向損失を減少することができる。
第６図は本発明の他の実施例を示す断面図で、上記実施
例と相違する点は凹部の表面、即側面及び底面にアモル
ファス半導体層３′を形成すると共に該半導体層中に水
素を含有せしめてバリヤ高さ（φ＋１）を高くした点に
ある。因みに水素を含有せしめるにはプラズマ放電の際
にＨ２ガスを導入してＨ２プラズマに晒すことによりＳ
ｉＨ層が形成できる。
例と相違する点は凹部の表面、即側面及び底面にアモル
ファス半導体層３′を形成すると共に該半導体層中に水
素を含有せしめてバリヤ高さ（φ＋１）を高くした点に
ある。因みに水素を含有せしめるにはプラズマ放電の際
にＨ２ガスを導入してＨ２プラズマに晒すことによりＳ
ｉＨ層が形成できる。
なお、本発明原理によれば、小バリア接合面積と大バリ
ア接合面積及び、凹凸形状寸法ａ、ｆの効果は、寸法ａ
は小バリアＳＢＤの順方向特性からは大きい程望ましく
、逆方向ピンチオフ効果からは小さい程望ましい背反す
る要因を持っており、実験結果から約１〜２μｍが最適
であり、又、ｆについては、大バリアＳＢＤのφ８が大
きい程、実用電流領域の順方向特性に寄与しなくなり、
大部発大バリアＳＢＤが占める面積で順方向特性が決ま
ってしまうため、出来るだけｆは小さい方が望ましいこ
とになる。しかし、製作技術及び製造歩留まり等を加味
すると、ｆ＝２〜５μｍが最適点となる。いしようの説
明から明らかなように本発明によれば、電力用として好
適する低損失のショットキバリアダイオードを提供しろ
る。
ア接合面積及び、凹凸形状寸法ａ、ｆの効果は、寸法ａ
は小バリアＳＢＤの順方向特性からは大きい程望ましく
、逆方向ピンチオフ効果からは小さい程望ましい背反す
る要因を持っており、実験結果から約１〜２μｍが最適
であり、又、ｆについては、大バリアＳＢＤのφ８が大
きい程、実用電流領域の順方向特性に寄与しなくなり、
大部発大バリアＳＢＤが占める面積で順方向特性が決ま
ってしまうため、出来るだけｆは小さい方が望ましいこ
とになる。しかし、製作技術及び製造歩留まり等を加味
すると、ｆ＝２〜５μｍが最適点となる。いしようの説
明から明らかなように本発明によれば、電力用として好
適する低損失のショットキバリアダイオードを提供しろ
る。
第１図は従来のショットキバリアダイオードの説明図、
第２図は各種バリアメタルによる従来のショットバリア
ダイオードの整流特性図、第３図（ａ）（ｂ）は本発明
の一実Ｍｌ伊Ｉの平面図及び断面図、第４図は動作説明
図、第５図は従来例を比特許出馴人 新電元工業株式会社 １！１図 ′Ｍ２図 （ｂ） ？Ｒ３図 ｌｌｌ４ｓ 馬５ＩＩＩ＋
第２図は各種バリアメタルによる従来のショットバリア
ダイオードの整流特性図、第３図（ａ）（ｂ）は本発明
の一実Ｍｌ伊Ｉの平面図及び断面図、第４図は動作説明
図、第５図は従来例を比特許出馴人 新電元工業株式会社 １！１図 ′Ｍ２図 （ｂ） ？Ｒ３図 ｌｌｌ４ｓ 馬５ＩＩＩ＋
Claims (4)
- （１）半導体基板の表面を凹凸形状に形成し、該凹凸表
面にショットキバリア金属を設けたショットキバリアダ
イオードにおいて、前記凹凸表面の少なくとも一表面を
アモルファス状半導体層により形成したことを特徴とす
るショットキバリアダイオード。 - （２）アモルファス状半導体層を凸部表面に形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のショッ
トキバリアダイオード。 - （３）アモルファス状半導体層を凹部表面に形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のショッ
トキバリアダイオード。 - （４）アモルファス状半導体層が水素を含有することを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項、第（２）項及び
第（３）項記載のショットキバリアダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19524090A JPH0480962A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | ショットキバリアダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19524090A JPH0480962A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | ショットキバリアダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0480962A true JPH0480962A (ja) | 1992-03-13 |
Family
ID=16337822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19524090A Pending JPH0480962A (ja) | 1990-07-24 | 1990-07-24 | ショットキバリアダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0480962A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361696B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2002-11-22 | 주식회사 케이이씨 | 쇼트키베리어다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2015204332A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| JP2016149554A (ja) * | 2015-02-11 | 2016-08-18 | インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト | ショットキー接触部を有する半導体デバイスを製造するための方法 |
-
1990
- 1990-07-24 JP JP19524090A patent/JPH0480962A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100361696B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2002-11-22 | 주식회사 케이이씨 | 쇼트키베리어다이오드 및 그 제조방법 |
| JP2015204332A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | 豊田合成株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法 |
| US9711661B2 (en) | 2014-04-11 | 2017-07-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2016149554A (ja) * | 2015-02-11 | 2016-08-18 | インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト | ショットキー接触部を有する半導体デバイスを製造するための方法 |
| JP2018088539A (ja) * | 2015-02-11 | 2018-06-07 | インフィネオン テクノロジーズ オーストリア アクチエンゲゼルシャフト | ショットキー接触部を有する半導体デバイスを製造するための方法 |
| US10763339B2 (en) | 2015-02-11 | 2020-09-01 | Infineon Technologies Austria Ag | Method for manufacturing a semiconductor device having a Schottky contact |
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