JPH0479416A - 単相入力差動増幅器 - Google Patents

単相入力差動増幅器

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JPH0479416A
JPH0479416A JP2190168A JP19016890A JPH0479416A JP H0479416 A JPH0479416 A JP H0479416A JP 2190168 A JP2190168 A JP 2190168A JP 19016890 A JP19016890 A JP 19016890A JP H0479416 A JPH0479416 A JP H0479416A
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Nobuyuki Hirakata
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基準電圧発生回路を備えた中相入力差動増幅
器に関するものである。
〔従来の技術〕
差動論理回路は、縦積みの構成によって1 ’l”、 
!Mのケートで複雑な論理を構成することかでき、高連
動作が可能なため、低消費電流・高速動作ICを設訓す
るのによく用いられる。このようなICの入力信号か小
さい場合は、入力バッファで信号を増幅する必要がある
が、この場合には内部の差動信号を発生させるのに都合
がよいため、一般に差動構成の増幅器が用いられる。
第2図は、このような目的で使用される5CFL (S
ource Coupled PET Logic)回
路による単相入力差動増幅器を示すものである。
同図において、符号201.202は負荷素子、符号2
03.204は駆動用トランジスタ、符号205はバイ
アス抵抗、符号206.207は負荷素子、符号208
.209はソースフォロアトランジスタ、符号210,
211はレベルシフト用素子、符号212.213.2
14は定電流源、符号215.216は電源用端子、符
号217はコンデンサ、?:′1号218.219は入
力端子、符号220.22]は出力端子をそれぞれ示し
ている。入力信号は入力端子218に与えられ、出力信
号は出力端子220.221から?17ることがてきる
。また、この単相入力差動増幅器は単相入力の信号を扱
うため、駆動用トランジスタ204のゲートには抵抗分
割によって発生した基41(電圧か与えられ、駆動用ト
ランジスタ203のゲートにはコンデンサ217を介し
て入力信号電圧か与えられる。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところで、このような単相入力差動増幅器を構成するト
ランジスタ、抵抗などの素子には温度特性があり、周囲
温度が変動するとこれに伴って最適なバイアス点が変動
してしまうといった問題があった。
この問題を解決するには、第2図で示した従来例の単相
入力差動増幅回路と同一構成の増幅回路を基準電圧発生
回路として用いればよい。その理由は基準電圧発生回路
によって発生する基準電圧が温度変動に対する変化を打
ち消すからである。
この単相入力差動増幅器を第3図に示す。基準電圧発生
回路部302においては、負荷索子304.305の抵
抗値が同じなので定電流源306を流れる電流が半分ず
つ負荷素子304.305に与えられる。そして電圧■
Doが負荷素子304.305によって電圧降下され、
同じ電圧値の電圧かソースフォロアトランジスタ307
.308のそれぞれに供給される。そして、レベルシフ
トダイオード309.310でレベルシフトされた出力
電圧が駆動用)・ランジスタ31]、3]2のそれぞれ
のゲートに逆相の信号として帰還される。
この負帰還によって安定した出力tb圧は高抵抗31′
3.3]4の抵抗分割によって平均化される。
そしてこの平均電圧か差動増幅回路部30]の駆動トラ
ンジスタ315に基準電圧として与えられる。この基準
電圧は温度の変動に合わせて最適な電圧に自動的に調整
されるので、特性の変化を最小限に抑えることかできる
つまり、差動増幅回路部301と基準電圧発生回路部3
02は同一構成なので、温度変動に対する変化は差動増
幅回路部301と基準電圧発生回路部302とで同時に
発イトする。しかし、これらの変化は互いに打ち消し合
うので、結果としてこの差動増幅器の温度変動に対する
特性の変化は微小なものとなるのである。
このように第3図に示す単相入力差動増幅器であれば、
温度特性か大幅に改善される。しかし、この単相入力差
動増幅器には差動増幅回路部か実質的に2つ必要になり
、回路面積の増大、消費電力の増加といった問題が新た
に発生した。
〔課題を解決するための手段〕
前記課題を解決するために、本発明に係る単相入力差動
増幅器の基準電圧発生回路部は、負荷素子とレベルシフ
ト用素子と定電流源の直列回路で構成され、このレベル
シフト用素子および定電流源の各素子の大きさの比が差
動増幅回路部におけるレベルシフト用素子および定電流
源の各素子の大きさの比と同一であり、負荷索子の抵抗
値が差動増幅回路部のレベルシフト用素子とこのJ!準
電圧発生回路部のレベルシフト用素子の大きさの比の逆
数の2分の1である。
〔作用〕
本発明にかかる単相入力差動増幅器は、上述したように
差動増幅回路部と基準電圧発生回路部の各素子が同し大
きさの比になるように構成されている。このため差動増
幅回路部で発生した忍度変動と同一の変動量の温度変動
が基準電圧発生回路部でも発生する。この温度変動によ
る特性の変化か差動増幅回路部と基イ1へ電圧発生回路
部でtりいに打ち消される。
〔実施例〕
第1図は、本発明の一実施例である+11相入力差動増
幅器を示す回路図である。このtlを相入力差動増幅器
は差動増幅回路部]0]とへ埠′電圧発生回路部102
から構成されている。
差動増幅回路部101の駆動用トランジスタ103.1
.04の各ソースは互いに接続されており、定電流源1
05を介して電圧VSSの電源端子106に接続されて
いる。駆動用トランジスタ10B、104の各ドレイン
には、負6jj素子107.108がそれぞれ接続され
、負荷素子]07.108の他端は共に電圧■])l)
のγh源端了]〔]9に接続されている。駆動用トラン
ジスタ1〔]3.104の各ケートはバイアス抵抗]]
0を介して互いに接続されており、駆動用トランジスタ
103のゲートの他端はコンデン゛す111を介して入
力端子112と接続されている。また、駆動用トランジ
スタ104のゲートの他端は基準′電圧発生回路部と接
続されている。駆動用l・ランジスタ103.104の
各ドレインには、ソースフォロアトランジスタ113.
114のゲートに接続されており、・ソースフォロアト
ランジスタ1 m、 3.114のドレインは共に電圧
”I)Dの電源端T109に接続されている。ソースフ
ォロアトランジスタ113.114のソースはレベルシ
フトダイオード115.116にそれぞれ接続されてお
りレベルシフI・素子11.7.118が構成されてい
る。レベルシフトダイオード115.116の他端には
出力端子119.120かそれぞれ接続されている。レ
ベルシフトダイオード115、]]6の他端には、また
定電流源121、コ22を介して電圧vssの電源端j
’ 106か接続されている。
基準71a圧発4I″回路部]02のソースフォロアト
ランジスタ123はドレインとゲートが短絡しており、
ソースフォロアI・ランジスタ123のドレインには負
荷素子124を介して電圧V。、の電源端子109か接
続されている。ソースフォロアトランジスタ123のソ
ースはレベルシフトダイオード]25に接続されており
レベルシフト素子126が((+4成されている。レベ
ルシフトダイオド]25の他端は駆動用トランジスタ1
04のゲトに接続されている。さらに、レベルシフトダ
イオード]25の他端は定電流)I;i 127を介し
て電圧■ssの電源端子106に接続されている。定電
流源]05.121.122.127のトランジスタの
ゲートは互いに接続され、固定電位■eSか′J、えら
れる端子]28に接続されている。
ここで、レベルシフI・素子126および定電流源12
7の各素子の大きさの比かレベルシフト素子−117,
118および定電流源121.122の6素子の大きさ
の比と同一となるように構成され、また負荷素子124
の抵抗値が、レベルシフト素子]17.118とレベル
シフI−素子126の大きさの比の逆数の2分の1とな
るように構成されている。
例えば、レベルシフト素子]17.1]8とレベルシフ
ト素子126の大きさの比か3対]の場合には、負荷素
子124は第3図の従来例の2分の′3倍の抵抗値を持
つ素子が用いられる。また、レベルシフト素子117.
118とレベルシフト素−J”−126の大きさの比か
1対1の場合は、負荷素子124は第3図の従来例の2
分の1の抵抗値を持つ素子が用いられる。以下に、1対
1の比のレベルシフI・素子て構成された実施例の動作
について説明する。
入力端子]12に与えられる入力信号の直流成分がコン
デンサ11]て除去され、交流信号か駆動用トランジス
タ103のゲートに与えられる。
駆動用トランジスタ103では、この交流(Li号に従
ってトレイン電流か変化し、このドレイン)゛電流か負
1.:i素r107を流れることにより、駆動用トラン
ジスタ103のトレインには交流信号か増幅された電圧
が発生する。この信号電圧はソースフォロアトランジス
タ113のゲ トに与えられ、ソースフォロアトランジ
スタ113およびレベルシフト用素子115によってレ
ベルシフトされ、出力端子119から出力される。駆動
用トランジスタ104のドレインには、駆動用トランジ
スタ1、03を流れる電流が変化することに伴って、1
03のドレイン端子に現われたのと逆相の(6号が発生
し、この信号はレベルシフトされて出力端子120から
出力される。
基準電圧発生回路部では、電源端子109に与えられた
電圧■DDが負荷素子124によって電圧時ドされ、さ
らにレベルシフトダイオード125によってレベルシフ
トされた電圧が基準電圧として駆動トランジスタ104
に与えられる。上述したように本実施例は1対1の比の
レベルシフト素子で構成されているので、負荷素子12
4の抵抗値は、負荷素子107.108の抵抗値の2分
の1である。
本実施例では、基準電圧発生回路部102の回路が第3
図に示す従来例の差動増幅器の基準電圧発生回路部30
2と等価な回路になるよう構成されている。従って、従
来例の差動増幅器と同じように湿度変動に対する特性の
変化は微小なものとなる。この回路構成が基準電圧発生
回路部302の回路(δ成と等価である根拠は次の通り
である。
基準電圧発生回路部302は、回路構成が左右対称であ
るので、前述したように負荷素子304.305を流れ
る電流がそれぞれ等しく、ソースフォロアトランジスタ
307.308に与えられる電圧が同一となり、第4図
に示す基準電圧発生回路部のように半分の回路構成でも
同一の機能を保持できる。ここで、負荷素子401は従
来例の基準電圧発生回路部302で並列に構成された負
荷素子304.305との置き換えであり、定電流源4
02の電流値は定電流源306の電流値の半分の値であ
る。従って、負荷素子401の抵抗値を負荷素子304
の半分にすれば、定電流源306の電流値は定電流源4
02の電流値と同一となる。
] 2 さらに、本実施例の基準電圧発生回路部に示すように負
荷索子124、ドレインとゲートが短絡したソースフォ
ロアトランジスタ123、レベルシフトダイオード12
5および定電流源127・を直列に接続して、従来例の
基準電圧発生回路部302と等価な回路が構成できる。
この場合の負荷素子124の抵抗値は負荷素子304の
半分の値である。またソースフォロアトランジスタ12
3は第4図のソースフォロアトランジスタ403での電
圧降下を模擬するためのものである。
このような構成の話準電圧発生回路であれば、差動増幅
回路部と同じ温度特性を持つために単相入力差動増幅器
の特性を温度によって変動させることが少ない。またこ
のような回路であれば消費電力を低く抑えることができ
る。
〔発明の効果〕
本発明に係る単相入力差動増幅器であれば、基準電圧発
生回路によって温度補償されるので、温度変動があって
も安定した温度特性を保持する。
また、この+B相入力差動増幅器は小さな回路面積で、
かつ少ない消費電力で動作できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例である単相入力差動増幅器を
示す回路図、第2図は従来の単相入力差動増幅器を示す
回路図、第3図は従来の単相入力差動増幅器を示す回路
図、第4図は基準電圧発生回路を示す回路図である。 101・・・差動増幅回路部、102・・・基準電圧発
生回路部、103.104・・・駆動用トランジスタ、
105・・・定電流源、106・・・電源端子、1〔〕
7.108・・・負荷索子、110・・・バイアス抵抗
、111・・・コンデンサ、112・・・入力端子、1
13.114・・・駆動用トランジスタ、115.1.
16・・・レベルシフトダイオード、1.]、7.11
8・・・レベルシフト素子、119.120・・・出力
端子、121.122・・・定電流源、123・・・ソ
ースフォロアトランジスタ、124・・・負荷素子、1
25・・・レベルシフトダイオード、126・・・レベ
ルシフト素子、127・・・定電流源、128・・・端
子。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 定電流源と、ソースが共通に前記定電流源に接続された
    一対の駆動用トランジスタと、この一対の駆動用トラン
    ジスタの各ドレインにそれぞれ接続された負荷素子とか
    らなり、前記駆動用トランジスタの一方のゲートを基準
    電圧端子、他方のゲートを入力端子とする増幅段と、 ソースフォロアトランジスタを含むレベルシフト用素子
    と定電流源との直列回路からなり、前記負荷素子の一端
    がこのソースフォロアトランジスタのゲートに接続され
    このレベルシフト用素子の一端を出力端子とするレベル
    シフト段とを備えた差動増幅回路部と、 前記基準電圧端子に基準電圧を供給する基準電圧発生回
    路部とを備えた単相入力差動増幅器において、 前記基準電圧発生回路部は負荷素子とレベルシフト用素
    子と定電流源の直列回路で構成され、このレベルシフト
    用素子および定電流源の各素子の大きさの比が前記差動
    増幅回路部における前記レベルシフト用素子および前記
    定電流源の各素子の大きさの比と同一であり、 負荷素子の抵抗値が前記差動増幅回路部の前記レベルシ
    フト用素子とこの基準電圧発生回路部の前記レベルシフ
    ト用素子の大きさの比の逆数の2分の1であることを特
    徴とする単相入力差動増幅器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7492193B2 (en) 2005-01-07 2009-02-17 Nec Electronics Corporation Driver circuit

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