JPH0478029B2 - - Google Patents
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- JPH0478029B2 JPH0478029B2 JP58118201A JP11820183A JPH0478029B2 JP H0478029 B2 JPH0478029 B2 JP H0478029B2 JP 58118201 A JP58118201 A JP 58118201A JP 11820183 A JP11820183 A JP 11820183A JP H0478029 B2 JPH0478029 B2 JP H0478029B2
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- conductor lead
- electrode pattern
- connection structure
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02008—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体装置の素子接続構造およびその
製造方法に係り、特に、半導体素子の表面および
その裏面に電極パターンを設けた半導体部材を複
数個横設し、当該電極パターンに導体リードを接
続してなる半導体装置の素子接続構造およびその
製造方法に関するものである。
製造方法に係り、特に、半導体素子の表面および
その裏面に電極パターンを設けた半導体部材を複
数個横設し、当該電極パターンに導体リードを接
続してなる半導体装置の素子接続構造およびその
製造方法に関するものである。
この種の半導体装置の素子接続構造について太
陽電池を例にとつて以下に説明する。
陽電池を例にとつて以下に説明する。
第１図および第２図は、太陽電池の素子接続構
造を示すものであり、第１図が平面図、第２図が
その断面図である。
造を示すものであり、第１図が平面図、第２図が
その断面図である。
これらの図において、符号１は太陽電池素子で
あり、この太陽電池素子１の一方の表面である受
光面とその裏面とにそれぞれ電極パターン２Ａお
よび２Ｂを設けて太陽電池部材３を構成してい
る。該太陽電池部材３の複数個は、その受光面を
同一方向に向けて横設されている。当該太陽電池
３の受光面の電極パターン２Ａと、それに隣接し
た太陽電池部材３の裏面の電極パターン２Ｂと
は、予めはんだめつき層４を設けた導体リード５
をもつてはんだ付けされている。なお、該太陽電
池部材３は、直列接続されている。
あり、この太陽電池素子１の一方の表面である受
光面とその裏面とにそれぞれ電極パターン２Ａお
よび２Ｂを設けて太陽電池部材３を構成してい
る。該太陽電池部材３の複数個は、その受光面を
同一方向に向けて横設されている。当該太陽電池
３の受光面の電極パターン２Ａと、それに隣接し
た太陽電池部材３の裏面の電極パターン２Ｂと
は、予めはんだめつき層４を設けた導体リード５
をもつてはんだ付けされている。なお、該太陽電
池部材３は、直列接続されている。
このような素子接続構造は、次のようにして製
造されている。
造されている。
予めはんだめつき層４等をほどこした導体リー
ド５を、図示の如く、階段上に成形させる。ま
た、予めはんだめつき層や浸漬法による共晶の予
備はんだ層等を太陽電池部材３の表裏面の電極パ
ターン２Ａおよび２Ｂにほどこす。ついで、太陽
電池部材３の裏面の電極パターン２Ｂから隣接の
太陽電池部材３の受光面の電極パターン２Ａへ
と、導体リード５を配設し、各太陽電池部材３が
直列方向に接続されるようにする。しかして、水
素H2やチツ素N2、またはアルゴンArガス等の雰
囲気炉内に当該太陽電池を収容し、抵抗体加熱方
式をもつて、該はんだを溶かして電極パターン２
と導体リード５とを接続させる。このため、はん
だ溶融（183℃以上）の時間が数秒から数十分か
かつていた。
ド５を、図示の如く、階段上に成形させる。ま
た、予めはんだめつき層や浸漬法による共晶の予
備はんだ層等を太陽電池部材３の表裏面の電極パ
ターン２Ａおよび２Ｂにほどこす。ついで、太陽
電池部材３の裏面の電極パターン２Ｂから隣接の
太陽電池部材３の受光面の電極パターン２Ａへ
と、導体リード５を配設し、各太陽電池部材３が
直列方向に接続されるようにする。しかして、水
素H2やチツ素N2、またはアルゴンArガス等の雰
囲気炉内に当該太陽電池を収容し、抵抗体加熱方
式をもつて、該はんだを溶かして電極パターン２
と導体リード５とを接続させる。このため、はん
だ溶融（183℃以上）の時間が数秒から数十分か
かつていた。
加えて、前述したように、導体リード５が隣接
の太陽電池部材３相互間にまたがる形状の単体の
導体リード５であるため、自動供給、自動組立方
式を適用することが難しく、大量生産性に乏しい
状況であつた。しかも、この抵抗体加熱方式で
は、H2、N2またはArガス等の雰囲気炉が必要で
あり、かつ大型のコンベヤ炉であるため、ガスの
消耗や電力などのエネルギーの消耗が多いばかり
でなく、前述の如く接続終了までかなりの時間が
かかるなど量産に不向きの欠点があつた。
の太陽電池部材３相互間にまたがる形状の単体の
導体リード５であるため、自動供給、自動組立方
式を適用することが難しく、大量生産性に乏しい
状況であつた。しかも、この抵抗体加熱方式で
は、H2、N2またはArガス等の雰囲気炉が必要で
あり、かつ大型のコンベヤ炉であるため、ガスの
消耗や電力などのエネルギーの消耗が多いばかり
でなく、前述の如く接続終了までかなりの時間が
かかるなど量産に不向きの欠点があつた。
一方、前述の接続構造の他に第３図に示すよう
な構造が提案されている。すなわち、基板６上に
設けた導体７に合わせて太陽電池素子１に電極パ
ターン２Ａおよび２Ｂを設けた部材３を配列し、
該素子１の上面よりはんだめつきをほどこした銅
箔の導体をフイルム８に貼り合わせて導電パター
ン９としたフイルム導体リード１０を、太陽電池
部材３の電極パターン２Ａに合わせて配置する。
しかして、それらを加熱加圧により太陽電池部材
３および基板６の基体導体７に貼り合わせ、該太
陽電池部材３相互間はフイルム導体リード１０の
可撓性によつて双方の導体７および９を接触せし
め、かつ、はんだが加熱によつて溶けて導体７お
よび９が接続するものである。
な構造が提案されている。すなわち、基板６上に
設けた導体７に合わせて太陽電池素子１に電極パ
ターン２Ａおよび２Ｂを設けた部材３を配列し、
該素子１の上面よりはんだめつきをほどこした銅
箔の導体をフイルム８に貼り合わせて導電パター
ン９としたフイルム導体リード１０を、太陽電池
部材３の電極パターン２Ａに合わせて配置する。
しかして、それらを加熱加圧により太陽電池部材
３および基板６の基体導体７に貼り合わせ、該太
陽電池部材３相互間はフイルム導体リード１０の
可撓性によつて双方の導体７および９を接触せし
め、かつ、はんだが加熱によつて溶けて導体７お
よび９が接続するものである。
しかしながら、このような技術は、基板６の熱
容量が大きく、このため、はんだが溶けて凝固す
るまでにかなりの時間がかかる。
容量が大きく、このため、はんだが溶けて凝固す
るまでにかなりの時間がかかる。
本発明の上記課題に鑑みなされたものであり、
その目的は、省エネルギー化を図ると共に大量生
産性を向上せしめ、かつ接続部分の信頼性を向上
させた半導体装置の素子接続構造およびその製造
方法を提供するにある。
その目的は、省エネルギー化を図ると共に大量生
産性を向上せしめ、かつ接続部分の信頼性を向上
させた半導体装置の素子接続構造およびその製造
方法を提供するにある。
上記目的を達成するため、本発明は、導体リー
ドを、半導体素子上に設けた電極パターンに接続
される部分を他の部分より小面積となるように形
成し、この導体リードをもつて電極パターン間に
配設し、少なくとも当該部分に光熱源を照射して
接続をするものである。
ドを、半導体素子上に設けた電極パターンに接続
される部分を他の部分より小面積となるように形
成し、この導体リードをもつて電極パターン間に
配設し、少なくとも当該部分に光熱源を照射して
接続をするものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明に係る実施例を第４図乃至第７図
に基づいて説明する。なお、前記構成要素と同一
のものには同一の符号を付して説明を省略する。
に基づいて説明する。なお、前記構成要素と同一
のものには同一の符号を付して説明を省略する。
第４図は本発明の基礎となつた事項を説明する
ために示す平面図であり、また、第５図は光熱源
の照射の状況を説明するために示す断面図であ
る。
ために示す平面図であり、また、第５図は光熱源
の照射の状況を説明するために示す断面図であ
る。
これらの図において、受光面および裏面の各電
極パターン２と、これの上の導体リード５とを接
続させるためには、高エネルギー光熱源発生装置
からの光熱源（例えば、YAGレーザ光線）をヘ
ツド部１１で符号１２の如く絞り、導体リード５
に照射させる。すると、当該レーザ光により導体
リード５および電極パターン２のはんだ層を溶か
して接続させている。しかして、第４図に示すよ
うに、光熱源がヘツド部１１で絞られた集光径１
２は、導体リード５の最大幅よりわずかに大きい
方が、導電パターン２の上に形成されたはんだ
と、導体リード５のはんだとが同時に加熱される
ので、はんだ付性の良好な接続が可能である。し
かしながら、そのように集光径１２を設定する
と、導電パターン２のない部分１３も加熱されて
しまい、太陽電池素子１に悪影響を与える可能性
がある。
極パターン２と、これの上の導体リード５とを接
続させるためには、高エネルギー光熱源発生装置
からの光熱源（例えば、YAGレーザ光線）をヘ
ツド部１１で符号１２の如く絞り、導体リード５
に照射させる。すると、当該レーザ光により導体
リード５および電極パターン２のはんだ層を溶か
して接続させている。しかして、第４図に示すよ
うに、光熱源がヘツド部１１で絞られた集光径１
２は、導体リード５の最大幅よりわずかに大きい
方が、導電パターン２の上に形成されたはんだ
と、導体リード５のはんだとが同時に加熱される
ので、はんだ付性の良好な接続が可能である。し
かしながら、そのように集光径１２を設定する
と、導電パターン２のない部分１３も加熱されて
しまい、太陽電池素子１に悪影響を与える可能性
がある。
また、集光径１２を導体リード５の幅よりも小
さくすれば上記の問題は生じないが、当然、導電
パターン２上のはんだが溶融するまでに時間がか
かり、はんだ付性も多少劣る。
さくすれば上記の問題は生じないが、当然、導電
パターン２上のはんだが溶融するまでに時間がか
かり、はんだ付性も多少劣る。
第６図は本発明に係る素子接続構造およびその
製造方法の一実施例を示す図である。
製造方法の一実施例を示す図である。
導体リード５０は、太陽電池素子１の受光面側
と裏面側とに設けた電極パターン２に接する部
分、すなわち、電極パターン２と同ピツチに切欠
（スリツト）部５１設けて他の部分５２より小面
積部分を形成する。
と裏面側とに設けた電極パターン２に接する部
分、すなわち、電極パターン２と同ピツチに切欠
（スリツト）部５１設けて他の部分５２より小面
積部分を形成する。
また、前記導体リード５０を前記電極パターン
２Ａおよび２Ｂに当接する。ついで、光熱源の集
光径１２を導体リード５０の幅と同じ幅にして照
射する。このようにすれば、スリツト部分５１で
は、導体リード５０はもちろん導電パターン２も
同時に加熱されることになる。したがつて、スリ
ツトのない部分５２では太陽電池素子１は加熱さ
れることはないので、太陽電池素子本体への加熱
による悪影響が全くなく、はんだ付性も良好な高
信頼性の素子接続構造を得ることができる。
２Ａおよび２Ｂに当接する。ついで、光熱源の集
光径１２を導体リード５０の幅と同じ幅にして照
射する。このようにすれば、スリツト部分５１で
は、導体リード５０はもちろん導電パターン２も
同時に加熱されることになる。したがつて、スリ
ツトのない部分５２では太陽電池素子１は加熱さ
れることはないので、太陽電池素子本体への加熱
による悪影響が全くなく、はんだ付性も良好な高
信頼性の素子接続構造を得ることができる。
第７図は本発明の他の実施例を示す平面図であ
る。図において、導体リード５０は、電極パター
ン２に接続される部分、すなわち該パターン２と
同ピツチに透孔５３を設けてその部分を他の部分
より小面積に構成される。このように形成された
導体リード５０をもつて、上記実施例と同様の工
程をもつて接続すれば、実施例と同様の効果が得
られる。
る。図において、導体リード５０は、電極パター
ン２に接続される部分、すなわち該パターン２と
同ピツチに透孔５３を設けてその部分を他の部分
より小面積に構成される。このように形成された
導体リード５０をもつて、上記実施例と同様の工
程をもつて接続すれば、実施例と同様の効果が得
られる。
上述の如くすることによつて素子接続構造が得
ることができる。
ることができる。
要するに、上記各実施例によれば、太陽電池素
子１上の電極パターン２の剥れや割れが発生せ
ず、複数個の太陽電池素子１を平面上で直列に、
高速度で接続することができる。これは、高エネ
ルギー光熱源による瞬時急熱冷凝固方式を採用
し、かつ高エネルギー光熱源による熱影響を太陽
電池素子１の本体に与えることがないようにした
ものである。
子１上の電極パターン２の剥れや割れが発生せ
ず、複数個の太陽電池素子１を平面上で直列に、
高速度で接続することができる。これは、高エネ
ルギー光熱源による瞬時急熱冷凝固方式を採用
し、かつ高エネルギー光熱源による熱影響を太陽
電池素子１の本体に与えることがないようにした
ものである。
すなわち、導体リード５に受光面側と裏面側の
電極パターン２と同ピツチにスリツトまたは透孔
５３を設けてその部分を他の部分５２より小面と
したことにより、高エネルギー光熱源照射による
熱影響を太陽電池素子本体に与えることなく瞬時
の急熱冷凝固を可能としたものである。
電極パターン２と同ピツチにスリツトまたは透孔
５３を設けてその部分を他の部分５２より小面と
したことにより、高エネルギー光熱源照射による
熱影響を太陽電池素子本体に与えることなく瞬時
の急熱冷凝固を可能としたものである。
以上述べたように本発明によれば、以下の点で
効果がある。
効果がある。
(1) 光熱源の集光径を導体リードの最大幅より小
さくできるので、太陽電池素子へ熱的影響を与
えることがなく、信頼性の高い接続構造を得る
ことができる。
さくできるので、太陽電池素子へ熱的影響を与
えることがなく、信頼性の高い接続構造を得る
ことができる。
(2) 太陽電池部材の導電パターンへの集光径の面
積が大きいので、短時間にはんだが溶融し、は
んだ付性能が良好で強固な接続構造を得ること
ができる。
積が大きいので、短時間にはんだが溶融し、は
んだ付性能が良好で強固な接続構造を得ること
ができる。
第１図は従来の半導体装置の素子接続構造を示
す平面図、第２図は第１図の断面図、第３図は従
来の他の半導体装置の素子接続構造を示す断面
図、第４図は本発明の基礎となつた事項を説明す
るために示す平面図、第５図は熱光源照射の状態
を示す断面図、第６図は本発明に係る第１実施例
を示す平面図、第７図は本発明に係る第２実施例
を示す平面図である。 １……太陽電池素子、２……電極パターン、３
……太陽電池部材、５０……導体リード、５１…
…スリツト、５２……スリツトのない部分、５３
……透孔。
す平面図、第２図は第１図の断面図、第３図は従
来の他の半導体装置の素子接続構造を示す断面
図、第４図は本発明の基礎となつた事項を説明す
るために示す平面図、第５図は熱光源照射の状態
を示す断面図、第６図は本発明に係る第１実施例
を示す平面図、第７図は本発明に係る第２実施例
を示す平面図である。 １……太陽電池素子、２……電極パターン、３
……太陽電池部材、５０……導体リード、５１…
…スリツト、５２……スリツトのない部分、５３
……透孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体部材の表面と裏面に所定の間隔で一方
向に並設されその表面にはんだ層を有する電極パ
ターンを設けてなる半導体素子を、複数個それぞ
れの表面を同一側にしかつ電極パターンの方向を
揃えて並設し、一つの半導体部材の表面側の電極
パターンと隣接する半導体部材の裏面側の電極パ
ターンとをはんだめつきを施した帯状の導体リー
ドによつて接続したものにおいて、導体リードの
電極パターンに接続される部分の幅を他の部分よ
り小さくしたことを特徴とする半導体装置の素子
接続構造。 ２ 特許請求の範囲第１項において、導体リード
の電極パターンに接続される部分の幅方向両側に
切欠部が形成されていることを特徴とする半導体
装置の素子接続構造。 ３ 特許請求の範囲第１項において、導体リード
の電極パターンに接続される部分に透孔を穿設し
たことを特徴とする半導体装置の素子接続構造。 ４ 半導体部材の表面と裏面に所定の間隔で一方
向に並設されその表面にはんだ層を有する電極パ
ターンを設けた半導体素子を複数個準備する工程
と、 半導体部材の電極パターンの同じ間隔で幅の小
さくされた部分を有するはんだめつきを施した帯
状の導体リードを準備する工程と、 半導体部材の表面側の電極パターン上に導体リ
ードの一側をその幅の小さくされた部分を電極パ
ターンと一致させて載置し、導体リードの最大幅
と略同じ幅のレーザ光により加熱して導体リード
と電極パターンを装着する工程と、 上記半導体部材に隣接する半導体部材の裏面側
の電極パターン上に上記導体リードの他側をその
幅の小さくされた部分を電極パターンと一致させ
て載置し、導体リードの最大幅と略同じ幅のレー
ザ光により加熱して導体リードと電極パターンを
接着する工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の素子接
続構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118201A JPS6012778A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 半導体装置の素子接続構造およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118201A JPS6012778A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 半導体装置の素子接続構造およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012778A JPS6012778A (ja) | 1985-01-23 |
| JPH0478029B2 true JPH0478029B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=14730683
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118201A Granted JPS6012778A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 半導体装置の素子接続構造およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012778A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119274A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Sharp Corp | 太陽電池素子 |
| JP4925654B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2012-05-09 | 新光電気工業株式会社 | 色素増感型太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
| JP5507034B2 (ja) * | 2007-03-01 | 2014-05-28 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| CN102254993A (zh) * | 2011-07-05 | 2011-11-23 | 浙江鸿禧光伏科技股份有限公司 | 一种降低单耗的背面电极设计方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153586A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Semiconductor device |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP58118201A patent/JPS6012778A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54153586A (en) * | 1978-05-25 | 1979-12-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6012778A (ja) | 1985-01-23 |
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