JPH0477354A - セラミックス複合材料及びその製造方法 - Google Patents
セラミックス複合材料及びその製造方法Info
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- JPH0477354A JPH0477354A JP2190842A JP19084290A JPH0477354A JP H0477354 A JPH0477354 A JP H0477354A JP 2190842 A JP2190842 A JP 2190842A JP 19084290 A JP19084290 A JP 19084290A JP H0477354 A JPH0477354 A JP H0477354A
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、特殊構造のセラミックス材料及びその製法に
関する。更に、詳しくは、特殊な構造を有し、高強度、
耐熱性の高性能の複合セラミックス材料及びその製法に
関する。
関する。更に、詳しくは、特殊な構造を有し、高強度、
耐熱性の高性能の複合セラミックス材料及びその製法に
関する。
[従来の技術]
A1.0.は、すぐれた耐熱性、耐食性、電気絶縁性を
有するが、高温強度、破壊靭性、耐熱衝撃性は乏しく、
構造材料として使用するには、強度面において、不十分
である。
有するが、高温強度、破壊靭性、耐熱衝撃性は乏しく、
構造材料として使用するには、強度面において、不十分
である。
一般に、材料のマトリックス中(例えば、アルミナ粒子
中)に第2相として微粒子(T i C1S 1sN−
等)を分散し、焼結することで、大幅な物理的諸特性を
改善すること、特に、高い強度を得ることが、可能にな
ることが、文献等で多く報告されている。これらの報告
では、SiCによる複合化に伴うA1.O,の強度増加
は、SiC微粒子が、Al2O3粒界に偏在するために
、生じるクラックデフラクションによるクラックの進展
の妨害が、寄与していると結論ずけている。
中)に第2相として微粒子(T i C1S 1sN−
等)を分散し、焼結することで、大幅な物理的諸特性を
改善すること、特に、高い強度を得ることが、可能にな
ることが、文献等で多く報告されている。これらの報告
では、SiCによる複合化に伴うA1.O,の強度増加
は、SiC微粒子が、Al2O3粒界に偏在するために
、生じるクラックデフラクションによるクラックの進展
の妨害が、寄与していると結論ずけている。
また、アルミナのようなセラミックス焼結体では、異方
性粒子で、マトリックスが形成されており、そのため、
粒子境界で隣接粒子の熱膨張差により歪みが発生し、こ
のために、粒界が破壊源となり、強度低下になることが
周知である。
性粒子で、マトリックスが形成されており、そのため、
粒子境界で隣接粒子の熱膨張差により歪みが発生し、こ
のために、粒界が破壊源となり、強度低下になることが
周知である。
このように、マトリックス中に、粒子を分散した場合、
クラックの進展が阻止され、このため、靭性の向上が期
待されるものである。この考えでは、破壊の発生源であ
る粒界の欠陥は、変化がなく、その欠点は、残存してい
るため、強度の大きな向上は、望めなかった。
クラックの進展が阻止され、このため、靭性の向上が期
待されるものである。この考えでは、破壊の発生源であ
る粒界の欠陥は、変化がなく、その欠点は、残存してい
るため、強度の大きな向上は、望めなかった。
[発明が解決しようとする間組点]
本発明は、上記のような欠点を解消するため、A1.O
,マトリックス粒子中にTiC微粒子及びSi、N、ウ
ィスカーを複合化した構造セラミックス材料として、高
い強度のセラミックスコンポジットを提供することを目
的とする。従って、本発明は、A1.0.の特性の改善
を試みたセラミックス複合体を提供することを目的にす
る。更に、耐火、耐熱材料、電子セラミックス材料にお
いては、Aid、粒成長を制御し、耐熱衝撃性のある、
また、使用中の破壊特性が著しく改善された材料を提供
することを目的にする。
,マトリックス粒子中にTiC微粒子及びSi、N、ウ
ィスカーを複合化した構造セラミックス材料として、高
い強度のセラミックスコンポジットを提供することを目
的とする。従って、本発明は、A1.0.の特性の改善
を試みたセラミックス複合体を提供することを目的にす
る。更に、耐火、耐熱材料、電子セラミックス材料にお
いては、Aid、粒成長を制御し、耐熱衝撃性のある、
また、使用中の破壊特性が著しく改善された材料を提供
することを目的にする。
[問題点を解決するための手段]
本発明は、0.5μm〜100μmの結晶粒子を有する
A l 10 sマトリックスの結晶粒内に粒子径2.
0μm以下のTiC微粒子3〜40重量%及び0.00
5−2pのS I IN 4ウィスカー3〜40重量%
を分散させたことを特徴とするセラミックス複合材料で
ある。そして、その製法は、5μm以下の粒子径のA
1 * Os及び2.0μm以下の粒子径のTiC3〜
40重量%を混合し、更に、0.005−2pのS+s
N、ウィスカー3〜40重量%を混合し、成形した後、
1500℃以上で焼成すること、又はホットプレス、H
IP (熱間等方性圧プレス)で作製するものである。
A l 10 sマトリックスの結晶粒内に粒子径2.
0μm以下のTiC微粒子3〜40重量%及び0.00
5−2pのS I IN 4ウィスカー3〜40重量%
を分散させたことを特徴とするセラミックス複合材料で
ある。そして、その製法は、5μm以下の粒子径のA
1 * Os及び2.0μm以下の粒子径のTiC3〜
40重量%を混合し、更に、0.005−2pのS+s
N、ウィスカー3〜40重量%を混合し、成形した後、
1500℃以上で焼成すること、又はホットプレス、H
IP (熱間等方性圧プレス)で作製するものである。
[作用]
本発明によるセラミックスコンポジットは、AI、0.
マトリックスゲレーン中に、TiC微粒子及びSi、N
、ウィスカーを分散した、所謂、ナノオーダーの複合化
を行なうことにより、セラミックス体の特性の強化、改
善を得ようとするものである。
マトリックスゲレーン中に、TiC微粒子及びSi、N
、ウィスカーを分散した、所謂、ナノオーダーの複合化
を行なうことにより、セラミックス体の特性の強化、改
善を得ようとするものである。
即ち、個々のA l t Os結晶粒子内に、TiC微
粒子を分散することで、A ] * OrとTiCの熱
膨張係数の差による残留応力を生じさせる。この残留応
力により、隣接する粒子の粒界に、圧縮応力場を生じさ
せておき、進行しようとするクラック先端をトラップし
たり、デフラクションすることにより、クラックの進展
を防止するものである。
粒子を分散することで、A ] * OrとTiCの熱
膨張係数の差による残留応力を生じさせる。この残留応
力により、隣接する粒子の粒界に、圧縮応力場を生じさ
せておき、進行しようとするクラック先端をトラップし
たり、デフラクションすることにより、クラックの進展
を防止するものである。
更に、Si、N、ウィスカーによる引き抜き効果やクラ
ックデフラクション効果により、高靭性化が一層向上す
る。
ックデフラクション効果により、高靭性化が一層向上す
る。
しては、5μm以下の粒子径のAI、O,及び2μm以
下の粒子径のTiC及び0.1〜2μmの5i、N、ウ
ィスカーを用いて、これらを混合し、成形、焼成するこ
とにより、前記のセラミックス複合材料が製造される。
下の粒子径のTiC及び0.1〜2μmの5i、N、ウ
ィスカーを用いて、これらを混合し、成形、焼成するこ
とにより、前記のセラミックス複合材料が製造される。
セラミックス複合体中のAI、O,マトリックス粒子径
は、0.5μm〜100μmとする理由は、焼結体の強
度が最大となる範囲であるためであり、TiC微粒子を
、粒子径1.0μm以下にする理由は、AI、O,マト
リックス結晶粒子内に取り込まれる最適の粒度範囲であ
るためである。
は、0.5μm〜100μmとする理由は、焼結体の強
度が最大となる範囲であるためであり、TiC微粒子を
、粒子径1.0μm以下にする理由は、AI、O,マト
リックス結晶粒子内に取り込まれる最適の粒度範囲であ
るためである。
本発明は、マトリックスとしてAI、O,、分散粒子と
してTiC微粒子及びSi、N、ウィスカーを用いるこ
とが、特長である。そして、そのAI、0.マトリック
ス粒子径は、0゜5μm〜100μmであり、TiC微
粒子は、粒子径2.0pm以下、5isN+ウイスカー
は径0.05〜2μmをAI、O,マトリックス中に均
一にを分散させた構造のものである。その原料とまた、
その原料として用いるA I + Orを、5μm以下
の粒子径にする理由は、焼結し易いためであり、原料T
iCを2.0μm以下の粒子径にする理由は、2.0μ
mを超えるとマイクロクラックが発生すること、マトリ
ックス粒内にTiCが取り込まれ易いこと、そして、残
留応力がある限界以上になってもマイクロクラックが発
生しない範囲であること等である。S I IN (ウ
ィスカは、現在工業的に製造されているものを用いるこ
とができる。
してTiC微粒子及びSi、N、ウィスカーを用いるこ
とが、特長である。そして、そのAI、0.マトリック
ス粒子径は、0゜5μm〜100μmであり、TiC微
粒子は、粒子径2.0pm以下、5isN+ウイスカー
は径0.05〜2μmをAI、O,マトリックス中に均
一にを分散させた構造のものである。その原料とまた、
その原料として用いるA I + Orを、5μm以下
の粒子径にする理由は、焼結し易いためであり、原料T
iCを2.0μm以下の粒子径にする理由は、2.0μ
mを超えるとマイクロクラックが発生すること、マトリ
ックス粒内にTiCが取り込まれ易いこと、そして、残
留応力がある限界以上になってもマイクロクラックが発
生しない範囲であること等である。S I IN (ウ
ィスカは、現在工業的に製造されているものを用いるこ
とができる。
本発明によるマトリックスA1.O,は、焼結工程で、
緻密に焼結される必要があり、この粒子内に分散相のT
iC及びSi、N、ウィスカーが、均一に分散されてい
ることが、必要である。
緻密に焼結される必要があり、この粒子内に分散相のT
iC及びSi、N、ウィスカーが、均一に分散されてい
ることが、必要である。
また、焼結過程で、マトリックス粒子内に取り込まれる
ものでなければならない。
ものでなければならない。
焼結温度については、1500℃以上の焼成が望ましい
。また、HIP処理、ホットプレスによる焼結処理が好
適である。
。また、HIP処理、ホットプレスによる焼結処理が好
適である。
本発明により得られるセラミックス複合体は、耐熱材料
として、その他、耐食、熱間高強度、耐熱衝撃性等の耐
火材として、特に、好適である。
として、その他、耐食、熱間高強度、耐熱衝撃性等の耐
火材として、特に、好適である。
次に、本発明のセラミックス複合体の製造とその得られ
る特性を測定した結果について説明するが、本発明は、
次の実施例に限定されるものではない。
る特性を測定した結果について説明するが、本発明は、
次の実施例に限定されるものではない。
[実施例]
[氏粁−木立遍y]
マトリックスには、昭和軽金属株式会社製A1.0sU
A−5105(平均粒径0.25μ、純度99.99%
)を用い、添加するTiCとしては、日本新金属株式会
社製のTiC(#0O7)を用いて、マトリックス材料
に対して、3重量%〜40重量%の割合で添加し、更に
タテホ化学社製のS i−N 4ウイスカー(SNW)
を3〜40重量%添加混合し、アルミナボールミルで、
12時間粉砕混合を行なった。これを十分に乾燥した後
に、アルミナボールミルで乾式解砕混合を5時間行なっ
たものを、試料粉砕して使用した。
A−5105(平均粒径0.25μ、純度99.99%
)を用い、添加するTiCとしては、日本新金属株式会
社製のTiC(#0O7)を用いて、マトリックス材料
に対して、3重量%〜40重量%の割合で添加し、更に
タテホ化学社製のS i−N 4ウイスカー(SNW)
を3〜40重量%添加混合し、アルミナボールミルで、
12時間粉砕混合を行なった。これを十分に乾燥した後
に、アルミナボールミルで乾式解砕混合を5時間行なっ
たものを、試料粉砕して使用した。
[焼結処理]
焼結処理には、誘導加熱式ホットプレス装置(富士電波
工業製)を用いた。前記のように調製した試料粉末約3
5gを黒鉛ダイス(内径55I)に充填し、10MPa
に予備圧縮した後に焼結処理した。このとき、充填した
試料が、ダイス内壁、パンチ捧のプレス面に直接接触し
、反応しないように、これらの面にBNパウダーをコー
ティングし、更にこの上にグラファイトホイル(厚さ0
.38an)を置き、この中に試料を充填した。 ホッ
トプレス条件は、焼結温度まで昇温させた後、1時間保
持し、プレス圧は、30MPaで、雰囲気ガスにはアル
ゴンガスを用いた。
工業製)を用いた。前記のように調製した試料粉末約3
5gを黒鉛ダイス(内径55I)に充填し、10MPa
に予備圧縮した後に焼結処理した。このとき、充填した
試料が、ダイス内壁、パンチ捧のプレス面に直接接触し
、反応しないように、これらの面にBNパウダーをコー
ティングし、更にこの上にグラファイトホイル(厚さ0
.38an)を置き、この中に試料を充填した。 ホッ
トプレス条件は、焼結温度まで昇温させた後、1時間保
持し、プレス圧は、30MPaで、雰囲気ガスにはアル
ゴンガスを用いた。
[枚峡瓦止1]
得られた焼結体のプレス両面をダイヤモンドホイールで
研削し、#1000の粗さに仕上げ、これをダイヤモン
ドカッターで直方体に切り出した。試料はJIS R
1601規定に準じて、3×4鵬角長さ36mm程度に
し、3点曲げ試験片の大きさとした。
研削し、#1000の粗さに仕上げ、これをダイヤモン
ドカッターで直方体に切り出した。試料はJIS R
1601規定に準じて、3×4鵬角長さ36mm程度に
し、3点曲げ試験片の大きさとした。
[艷炸員淀]
曲げ強度は、3点曲げ試験法により、荷重速度0.5m
m/分、スパン長さ3Qmm、室温で、強度を測定した
。試験片はダイヤモンドペースト(3μ)を用いて、引
張面を鏡面仕上げし、そして、エツジ部分を45°の角
度で約0.1mmの幅で面取り加工したものについて、
測定した。
m/分、スパン長さ3Qmm、室温で、強度を測定した
。試験片はダイヤモンドペースト(3μ)を用いて、引
張面を鏡面仕上げし、そして、エツジ部分を45°の角
度で約0.1mmの幅で面取り加工したものについて、
測定した。
破壊靭性は、荷重1 kgで、保持時間10秒間で、1
M法により測定した。
M法により測定した。
[測定結果の説明]
第1表に、3点曲げ強度とTiC及びSi、N。
ウィスカー添加量との関係を示す。この測定値から、A
l *Os T r C2成分系での1700℃焼
結体では、平均900MPa程度の強度であった。それ
に対して、Si、N、ウィスカー添加(3成分系)5重
量%から30重量%では、大きな強度の向上が見られた
。これらの試料の破断面を観察すると、非常に複雑な面
を呈していたことから、A I ! O*が高い強度に
なったことは、TiC及びSi、N、ウィスカー添加に
よるクラックデフラクションが発生し、靭性強度が改善
されたものと考えられる。
l *Os T r C2成分系での1700℃焼
結体では、平均900MPa程度の強度であった。それ
に対して、Si、N、ウィスカー添加(3成分系)5重
量%から30重量%では、大きな強度の向上が見られた
。これらの試料の破断面を観察すると、非常に複雑な面
を呈していたことから、A I ! O*が高い強度に
なったことは、TiC及びSi、N、ウィスカー添加に
よるクラックデフラクションが発生し、靭性強度が改善
されたものと考えられる。
[発明の効果コ
本発明によるTjC3〜40重量%及び0.005−2
pのSi、N、ウィスカー3−40重量%を添加したA
1.O,複合マトリックスは、次のような顕著な技術的
な効果が得られるものである。
pのSi、N、ウィスカー3−40重量%を添加したA
1.O,複合マトリックスは、次のような顕著な技術的
な効果が得られるものである。
第1に、以上の説明で明らかなように、構造材料として
利用性を有するA I * Os/ T i C/Sj
、N4ウイスカーの複合体材料を提供できる。
利用性を有するA I * Os/ T i C/Sj
、N4ウイスカーの複合体材料を提供できる。
第2に、本発明の製造方法で得られたA l z O*
マトリックスセラミックス複合体は、大幅な特性改善と
、高い強度にすることのできるものである。
マトリックスセラミックス複合体は、大幅な特性改善と
、高い強度にすることのできるものである。
第3に、本発明のセラミックス複合体は、A1.0.の
特性をそのまま生かして、且つ高強度、高靭性の特性を
有する材料を提供することができたものである。
特性をそのまま生かして、且つ高強度、高靭性の特性を
有する材料を提供することができたものである。
特許出願人 三菱鉱業セメント株式会社(外1名)代理
人 弁理士 倉 持 裕
人 弁理士 倉 持 裕
Claims (1)
- (1)0.5μm〜100μmの結晶粒子を有するAl
_2O_3マトリックスの結晶粒内に粒子径2.0μm
以下のTiC微粒子3〜40重量%及び0.1〜2μm
のSi_3N_4ウィスカー3〜40重量%を分散させ
たことを特徴とするセラミックス複合材料。(2)5μ
m以下の粒子径のAl_2O_3及び2.0μm以下の
粒子径のTiC3〜40重量%を混合し、更に、0.1
〜2μmのSi_3N_4ウイスカー3〜40重量%を
混合し、成形した後、1500℃以上で焼成することを
特徴とする請求項1記載のセラミックス複合材料の製法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2190842A JPH0477354A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | セラミックス複合材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2190842A JPH0477354A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | セラミックス複合材料及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0477354A true JPH0477354A (ja) | 1992-03-11 |
Family
ID=16264680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2190842A Pending JPH0477354A (ja) | 1990-07-20 | 1990-07-20 | セラミックス複合材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0477354A (ja) |
-
1990
- 1990-07-20 JP JP2190842A patent/JPH0477354A/ja active Pending
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