JPH04727A - 半導体製造装置及びその制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔目　次〕 ・概要 ・産業上の利用分野 一従来の技術（第８図） ・発明が解決しようとする課！！（第９閲）・課題を解
決するための手段（第１．第２図）・作用 ・実施例 （ｉ）第１の実施例の説明（第３〜第５図）（１１）第
２の実施例の説明（第６．第７図）・発明の効果 〔概　要〕 半導体製造袋！、特にリードフレームと半導体チップと
を銀ペーストを介して接合する装置の塗布制御及び接合
処理に関し、 該銀ペーストの最適塗布量が設定された後も、塗布され
た銀ペーストの状態を制御系にフィードバックして、常
に塗布量が一定になるように該ペーストの吐出量を制御
し、接合不良チップを極力低減させ、生産歩留りの向上
を図ることを目的とし、 その第１の装置は、フレーム材料に接合材料を塗布する
塗布手段と、前記接合材料を塗布したフレーム材料の画
像を取得して画像データを出力する画像取得手段と、前
記接合材料の最適塗布状態をパターン化した塗布基準デ
ータを記憶する記憶手段と、前記塗布・手段、ｉ！ｉ像
取得手段及び記憶手段の入出力を制御する制御手段とを
具備し、前記制御手段が前記塗布基準データに基づいて
塗布手段の出力制御をすることを含み構成し、第２の装
置は、第１の装置において、前記フレーム材料を移動す
る移動手段と、前記接合材料を塗布したフレーム材料及
び半導体チップを接合する接合手段とを具備し、前記制
御手段が前記塗布基準データと前記接合材料を塗布した
フレーム材料の画像データとに基づいて接合手段の出力
制御をすることを含み構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は、半導体製造装置及びその制御方法に関するも
のであり、更に詳しく言えばリードフレームと半導体チ
ップとを銀ペーストを介して接合する装置の塗布制御及
び接合処理に関するものである。

近年、ユーザの使用態様から特定用途の半導体集積回路
装置（以下単にＩＣという）等の製造要求があり、該Ｉ
Ｃの多品種化及び多様化の傾向がある。

ところで、集積回路等を組み込んだ半導体チップをパッ
ケージングする前工程において、接合材料として銀ペー
ストを塗布したリードフレームに該半導体チップがダイ
スボンディングされ、該リードと該チップとが金線等に
より配線（ワイヤーボンディング配線法）されている。

これによれば、リードフレームに塗布する銀ペーストが
作業者の目測により決定されると、その後は、塗布装置
からの該ペーストの吐出量が固定されている。このため
、ディスペンス装置や銀ペースト等が何らの原因で不具
合を生じた場合、該銀ペーストの吐出量に増減を生ずる
ことがある。

これにより、銀ペーストが半導体チップの上面に這い上
がったり、また、それが少なすぎて空間部分を生じ、接
合不良を招くことがある。このことで、半導体装置の生
産歩留りの低下の原因となる。

そこで、銀ペーストの塗布量が設定された後も、常に塗
布量が一定になるように該ペーストの吐出量を制御し、
接合不良チップを極力低減させ、生産歩留りの向上を図
ることができる装置とその方法が望まれている。

〔従来の技術〕

第８．９図は、従来例に係る説明図である。

第８図は、従来例に係る半導体製造装置の構成図を示し
ている。

図において、リードフレーム７と半導体チップ７Ｂとを
接合する装置は、ディスペンス装置１゜シリンジ２と、
ボンディング制御装置４と、リード送り装置５と、ダイ
スボンディング装置６から成る。

当該装置の機能は、集積回路等を組み込んだ半導体チッ
プ７Ｂをパッケージングする前工程において、リード送
り装置５によりリードフレーム７が順送りされる。また
、ディスペンス装置１．シリンジ２により、リードフレ
ーム７に銀ペースト７Ａが塗布され、さらに、ダイスボ
ンディング装置６により、リードフレーム７と半導体チ
ップ７Ｂとが加熱接合される。

その後は、リード７と該チップ７Ｂとが金線等により配
線（ワイヤーボンディング配線法）されている。

これによれば、リードフレーム７に銀ペースト７Ａを塗
布する際に、作業者がモニタ３等を介して目測により最
適塗布量を決定している。その後、塗布量が決定される
と、ディスペンス装置ＩＡからの該ペースト７Ａの吐出
量が固定され、ボンディング制御装置４により、以後の
シリンジ２から吐出される該ペース）７Ａの吐出圧力及
び吐出時間が固定制御される。

また、その銀ペースト７Ａの塗布状態は作業者により目
視点検され、その後、ダイスボンディング処理に移行さ
れている。

これにより、多品種化及び多様化する半導体集積回路装
置等の製造要求に対処している。

（発明が解決しようとする課題〕 ところで従来例によれば、作業者による最適塗布量が決
定されると、ディスペンス装置ＩＡからの銀ペースト７
Ａの吐出量を固定し、ボンディング制御装置４により、
以後のシリンジ２から吐出される該ペースト７Ａの吐出
圧力及び吐出時間が固定制御されている。

このため、ディスペンス装置ｌや銀ペースト等が何らの
原因で不具合を生じた場合に、銀ペースト７Ａの吐出量
に増減を生ずることがある。

これにより、銀ペースト７Ａが半導体チップ７Ｂの上面
に這い上がったり、それが少なすぎて空間部分を生じた
りして、第９図の問題点に示すような接合不良を招くこ
とがある。

すなわち、同図において、８は銀ペーストの這い上がり
部分であり、銀ペースト７Ａの塗布量が多いために、半
導体チップ７Ｂの上面に這い上がったものである。この
ことで、電気的シッートの原因となることがある。

また、９は空間部分であり、銀ペースト７Ａの塗布量が
少ないために、半導体チップ７Ｂとリードフレーム７と
の間に空間が発生したものである。

このことで、後工程における加熱処理の際にひび割れ等
の原因となることがある。

これにより、半導体装置の生産歩留りの低下の原因とな
るという問題がある。

本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創作されたもの
であり、銀ペーストの最適塗布量が設定された後も、塗
布された銀ペーストの状態をフィードバックして、常に
塗布量が一定になるように該ペーストの吐出量を制御し
、ダイスボンディング不良を極力低減させ、生産歩留り
の向上を図ることを可能とする半導体製造装置及びその
制御方法の提供を目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は、本発明に係る半導体製造装置の原理図であり
、第２図は、本発明に係る半導体製造装置の制御方法の
原理図をそれぞれ示している。

その第１の装置は、フレーム材料１７に接合材料１７Ａ
を塗布する塗布手段１１と、前記接合材料１７Ａを塗布
したフレーム材料１７の画像を取得して画像データＤＩ
を出力する画像取得手段１２と、前記接合材料１７Ａの
最適塗布状態をパターン化した塗布基準データＤ２を記
憶する記憶手段１３と、前記塗布手段１１１画像取得手
段１２及び記憶手段１３０入出力を制御する制御手段１
４とを具備し、前記制御手段１４が前記塗布基準データ
Ｄ２に基づいて塗布手段１１の出力制御をすることを特
徴とし、 その第２の装置は、第１の装置において、前記フレーム
材料エフを移動する移動手段工５と、前記接合材料１７
Ａを塗布したフレーム材料１７及び半導体チップ１７Ｂ
を接合する接合手段１６とを具備し、前記制御手段１４
が前記塗布基準データＤ２と前記接合材料１７Ａを塗布
したフレーム材料１７の画像データＤＩとに基づいて接
合手段１６の出力制御をすることを特徴とし、 その第１の方法は、第１の装置の制御方法であって、予
め、記憶手段１３に記憶されている塗布基準データＤ２
、又は、フレーム材料１７に最適量の接合材料１７Ａを
塗布した標本試料１７Ｒの画像取得処理をし、前記画像
取得処理に基づいて得られた標本試料１７Ｒの塗布領域
Ａをパターン化した塗布基準データＤ２の作成処理をし
、前記標本試料以外のフレーム材料１７に塗布された接
合材料１７Ａの塗布領域Ｂの画像取得処理をし、前記画
像取得処理に基づいて得られた塗布領域Ｂの画像データ
ＤＩと塗布基準データＤ２とに基づいて接合材料１７Ａ
の吐出制御処理をすることを特徴とし、その第２の方法
は第１の制御方法において、前記塗布基準データＤ２と
画像データＤＩとの比較処理をし、前記比較処理結果に
基づいて前記接合手段１６に異常発生信号Ｓの出力処理
をし、前記異常発生信号Ｓに基づいて接合処理をするこ
とを特徴とし、上記目的を達成する。

〔作用〕

本発明の第１の装置によれば、塗布手段１１゜画像取得
手段１２．記憶手段１３及び制御手段１４が設けられて
いる。

例えば、塗布手段１１により接合材料１７Ａがフレーム
材料１７に塗布されると、接合材料１７Ａを塗布したフ
レーム材料１７の画像が画像取得手段１２により取得さ
れ、その画像データＤ１が制御手段１４に出力される。

制御手段１４では、接合材料１７Ａの最適塗布状態がパ
ターン化され、それが塗布基準データＤ２として記憶手
段１３に記憶されている。この塗布基準データＤ２に基
づいて制御手段１４により塗布手段１１の出力制御がさ
れる。

このため、塗布手段１１等が何らの原因で不具合が生じ
たを場合であっても、接合材料１７Ａの吐出量のフィー
ドバック制御をすることができる。

これにより、最適塗布量が決定された後に、制御手段１
４により、塗布手段ＩＩから吐出される接合材料１７Ａ
の吐出時間の自動可変制御をすることが可能となる。

また、本発明の第２の装置によれば、第１の装置におい
て、移動手段１５と接合手段１６とが設けられている。

例えば、接合材料１７Ａを塗布したフレーム材料１７の
画像が取得され、その画像データＤＩお塗布基準データ
Ｄ２とを比較した結果、それが最適塗布状態でない異常
塗布状態のフレーム材料１７であった場合、制御手段１
４が接合手段１６に異常発生信号Ｓを発生する。

このため、その異常塗布状態のフレーム材料１７が接合
手設工６に移動された際に、接合手段Ｉ６では、異常発
生信号Ｓに基づいて、そのフレーム材料１７と半導体チ
ップ１７Ｂとの接合処理を中止することができる。

これにより、従来例のような接合材料１７Ａの這い上が
り部分や空間部分の発生を極力抑制することができる。

さらに、本発明の第！の制御方法によれば、第１の装置
の制御方法であって、標本試料以外のフレーム材料１７
の画像取得処理により得られた画像データＤＩと塗布基
準データＤ２とに基づいて接合材料１７Ａの吐出制御処
理がされている。

このため、接合材料１７Ａの最適塗布量が設定された後
も、フィードバック制御により、常に塗布量が一定にな
るように接合材料１７Ａの吐出量が制御される。

これにより、そのフレーム材料１７と半導体チップ１７
Ｂとを精度良く接合処理することが可能となる。

また、本発明の第２の制御方法によれば、第１の制御方
法において、画像データＤＩと塗布基準データＤ２との
比較処理結果に基づいて接合手段１６に異常発生信号Ｓ
が出力処理されている。

このため、接合手段１６では異常発生信号Ｓを基準にし
て異常塗布状態のフレーム材料１７と最適塗布状態のフ
レーム材料１７の判別することができる。このことで、
接合材料１７Ａの塗布状態の良否判断を作業者に依存す
ることがなくなる。

これにより、接合不良チップの発生が極力低減され、生
産歩留りの向上を図ることが可能となる。

〔実施例〕

次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をす
る。

第３〜７図は、本発明の実施例に係る半導体製造装置及
びその制御方法を説明する図である。

（ｉ）第１の実施例の説明 第３図は、本発明の第１の実施例に係る半導体製造装置
の構成図を示している。

図において、２１Ａ、２１Ｂは塗布手段１１の一実施例
となるディスペンス装置及びシリンジ部をそれぞれ示し
ており、接合材料１７Ａの一実施例となる銀ペーストを
リードフレーム２７に塗布するものである。ディスペン
ス装置は塗布制御データＤ３の一実施例となる吐出制御
データに基づいて制御される。

２２Ａ、２２Ｂは画像取得手段１２の一実施例となる光
電子撮像装置（以下ＣＣＤカメラという）及びカメラコ
ントロールユニットＣ以下ｃｃｖという）をそれぞれ示
しており、銀ペース）２７Ａを塗布したリードフレーム
２７の画像を取得して画像データＤ１を画像処理制御装
置２４に出力するものである。ＣＣＵ２２Ｂは該制御装
置２４からの映像制御信号Ｓ２により制御される。

２３は記憶手段１３の一実施例となるフロッピディスク
であり、銀ペースト２７Ａの最適塗布状態をパターン化
した塗布基準データＤ２や種々の制御情報等を記憶する
ものである。

２４は制御手段１４の一実施例となる画像処理制御装置
であり、ディスペンス装置２１Ａ、ＣＣＵ２２Ｂ、フロ
ッピディスク２３の入出力を制御するものである。その
主な制御内容は、塗布基準データＤ２とリードフレーム
２７の画像データＤ１とに基づいてディスペンス装置２
１Ａやダイスボンディング装置の出力制御をすることで
ある。なお、塗布基準データＤ２と画像データＤＩとの
比較処理については、第４図（Ｃ）において説明をする
。

２７はフレーム材料１７の一実施例となるリードフレー
ムであり、半導体チップを接合するための銀ペースト２
７Ａが塗布されるものである（第４図（ａ）参照）。

なお、２８はモニタであり、画像処理制御装置２４で信
号処理された映像データＤ４に基づいて塗布領域の画像
やその他のメツセージを表示するものである（第４図（
ｂ）参照）。

２９はキーボードであり、オペレータが塗布検査領域等
の制御情報を入力データＤ５として入力するものである
。

このようにして、本発明の第１の装置によれば、ディス
ペンス装置２１Ａ、　　シリンジ部２１Ｂ、ＣＣＤカメ
ラ２２Ａ、ＣＣＵ２２Ｂ、　フロッピディスク２３及び
画像処理制御装置２４等が設けられている。

このため、ディスペンス装置２１Ａのシリンジ部２１Ｂ
から銀ペースト２７Ａがリードフレーム２７に塗布され
ると、該銀ペースト２７Ａを塗布したリードフレーム２
７の画像がＣＣＤカメラ２２Ａ及びＣＣＵ２２Ｂにより
取得処理され、その画像データＤｌが画像処理制御装置
２４に出力される。該制御装置２４では、銀ペース）２
７Ａの最適塗布状態がパターン化され、それが塗布基準
データＤ２としてフロッピディスク２３に記憶される。

この塗布基準データＤ２に基づいて制御装置２４により
ディスペンス装置２１Ａの出力制御がされる。

このことで、ディスペンス装置２１Ａ等が何らの原因で
不具合が生じたを場合であっても、銀ペースト２７Ａの
吐出量のフィードバック制御をすることができる。

これにより、最適塗布量が決定された後に、画像処理ｆ
ｌｌ１ｍ装置２４により、シリンジ部２１Ｂがら吐出さ
れる銀ベース）２７Ａの吐出時間の自動可変制御をする
ことが可能となる。

次に、第１の装！に係る制御方法について説明をする。

第４図（ａ）〜（ｃ）は、本発明の各実施例に係る半導
体製造装置の制御フローチャートの補足説明図を示して
おり、同図（ａ）は、リードフレーム２７の銀ペースト
の塗布状態を示す上面図である。

同図（ａ）において、Ａ又はＢは塗布領域であり、Ａは
標本リードフレーム２７Ｈの塗布領域を示すものとし、
Ｂはそれ以外のリードフレーム２７の塗布領域を示すも
のとする。

銀ペースト２７Ａは半導体チップのサイズにもよるが、
リードフレーム２７のステージ部２７Ｃに数滴乃至数十
滴程度、塗布される。また、銀ペースト２７Ａはディス
ペンス装置２１Ａに設けられたシリンジ部２１Ｂからス
テージ部２７Ｃに滴下される。この際に、銀ペーストの
塗布状態は、ステージ部２７０全体を検査対象ｗ４域と
して画像を取得することにより全体的に比較することも
できるが、特定の塗布領域を検査対象領域として画像を
取得することにより部分的に比較することも可能である
。

同図（ｂ）は、モニタ画面の一実施例を示す説明図であ
る。

同図（ｂ）において、３０はモニタ画面であり、モニタ
２８に表示される内容である。Ｔは銀ペースト２７Ａの
吐出時間、ＳＲは基準ペースト面積、ＳＭは測定ペース
ト面積、αは比率、Ｃは検出範囲（塗布領域Ｂの一部）
、Ｃｍはコメント部、ＳＬはスライスレベルをそれぞれ
示している。

同図（ｃ）は、画像処理制御装置２４の制御処理機能を
説明する図である。

同図（Ｃ）において、ＰＲは基準ペーストパターンとな
る塗布基準データＤ２である。ＰＣＩ〜ＰＣ５は測定ペ
ーストパターンとなる画像データＤ１である。

二こで、画像処理制御装置２４は基準ペーストパターン
ＰＲと測定ペーストパターンＰＣＩとを比較したとき、
該パターンＰＣＩが基準ペーストパターンＰＲより大き
い場合には、吐出時間Ｔを短くするようにディスペンス
装置２１Ａを制御する。また、該パターンＰＣ２がパタ
ーンＰＲよりも小さい場合には、吐出時間Ｔを長くする
ように装置２１Ａを制御する。

さらに、画像処理制御装置２４は基準ペーストパターン
ＰＲに比べて測定ペーストパターンＰＣ３が極めて小さ
い場合には、その異常発生をダイスボンディング装置暮
に出力処理する。また、基準ペーストパターンＰＲに比
べて測定ペーストパターンＰＣ４が極めて大きい場合に
も、その異常発生をダイスポンディング装置等に出力処
理する。

なお、基準ペーストパターンＰＲと測定ペーストパター
ンＰＣ５とが、はぼ同等の場合には、吐出時間Ｔには変
更はなく、ボンディング処理を続行する。

第５図は、本発明の第１の実施例に係る半導体製造装置
の制御フローチャートを示している。

図において、まず、ステップＰ１で塗布基準データＤ２
がフロッピーに記憶されているか否かを判断する。この
際に、前回の塗布基準データＤ２が格納されている場合
（ＹＥＳ）には、ステップＰ８に移行する。それが格納
されていない場合（ＮＯ）には、ステップＰ２〜ステッ
プＰ５で、予め、リードフレーム２７に最適量の銀ペー
スト２７Ａを塗布した標本リードフレーム２７Ｈの画像
処理をし、基準ペーストパターンＰＲをフロッピディス
ク２３に記憶する（第４図（ａ）参照）。

すなわち、標本試料１７Ｒにより基準ペーストパターン
ＰＲを設定する場合には、ステップＰ２で標本リードフ
レーム２７Ｈの画像取得処理をする。

次いで、ステップＰ３で標本リードフレーム２７Ｒの塗
布領域Ａに検出範囲Ｃを設定する。

さらに、ステップＰ４でスライスレベルＳＬの設定をす
る。これは、２値化処理された画像データＤ２の白黒階
調１例えば、２５６階調について銀ペーストパターンと
他のパターンとの境界を画定するためのレベルである。

この際に、画像取得処理に基づいて得られた標本リード
フレーム２７Ｈの画像を塗布領域Ａに設定した検出箱Ｗ
ＩＣにおいてパターン化することにより、塗布基準デー
タＤ２が作成処理される。

次に、ステップＰ５で２値化された画像データＤ２に基
づいて基準ペースト面積ＳＲの算出・設定処理をする（
第４図（ｂ）参照）。

その後、ステップＰ６で銀ペースト２７Ａの吐出時間Ｔ
の設定処理をする。これにより、基準パターン面積ＳＲ
を標本とする銀ペースト２７Ａの塗布量が設定されたこ
とになる。

また、ステップＰ７で吐出時間Ｔの変更条件の設定をす
る。これは、基準ペーストパターンＰＲと測定ペースト
パターンＰＣＩ等との比較結果に基づいて吐出時間Ｔを
短くしたり、それを長くすることにより実施するもので
ある（第４１ｇ（ｃ）参照）。

なお、ステップＰ８からステップＰ１４は、基準ペース
ト面積ＳＲに基づいて、リードフレーム２７に銀ペース
ト２７Ａを塗布する処理フローを示している。

すなわち、ステップＰ８で銀ペースト２７Ａ−）塗布し
たリードフレーム２７の画像取得処理をする。

これにより、リードフレーム２７のステージ飼２７Ｃの
塗布領域Ｂの画像が取得される。

次いで、ステ、ブＰ９で測定ペースト面積ＳＭの算出処
理をする。この際に、先のステップＰ５と同様に２値化
された画像データＤＩに基づいて画像処制御装置２４が
演算をする。

次に、ステップＰＩＯで比率α計算処理をする。

この際の計算式は、例えば、α＝〔測定パターン面積Ｓ
Ｍ）／　（基準パターン面積ＳＲ）により行う。

さらに、ステップｐＨで許容値判断をする０例えば、比
率αの許容値を１土０．０１とし、時間変更のみで吐出
処理を継続できる許容差を１　＋０．０２とすれば、０
．９９＜α＜１．０１の場合（ＹＥＳ）には、ステップ
Ｐ８に戻り、銀ペース）２７Ａの塗布処理を継続する。

また、０．９８＜α＜０．９９．１．０１＜α〈１゜０
２の場合（ＮＯ）には、ステップｐＨに移行して吐出時
間Ｔを変更し、ステップＰ８に戻って吐出処理を継続す
る。なお、α＜０．９８．　　α＞ｔ、０２ノｔＪ６合
（ＮＯ）には、ステップＰ１４で異常発生とする。

ステップＰ１２では吐出時ＢＴの変更処理をし、ステッ
プＰ１３でリードフレーム２７の塗布処理の終了判断を
して、その制御を終了する。

このようにして、本発明の第１の制御方法によれば、ス
テップＰ９〜ステップＰ１２で標本リードフレーム２７
Ｒ以外のリードフレーム２７の画像取得処理により得ら
れた画像データＤ１と塗布基準データＤ２とに基づいて
銀ペースト２７Ａの吐出制御処理がされている。

このため、銀ペース）２７Ａの最適塗布量が設定された
後も、フィードバック＠扉により、常に標本リードフレ
ーム２７Ｈの塗布量と一定になるように銀ペースト２７
Ａの吐出量が制御される。

これにより、そのリードフレーム２７と半導体チップ１
７Ｂとを精度良く接合処理することが可能となる。

（１１）第２の実施例の説明 第６図は、本発明の第２の実施例に係る半導体製造装置
の構成図を示している。

図において、第２の実施例の装置は、第１の装置におい
て、リード送り駆動装置２５Ａとダイスボンディング装
置２６等が付加されたものである。

すなわち、２５Ａ、　２５Ｂは移動手段１５の一実施例
となるリード送り駆動装置及び送り装置をそれぞれ示し
ている。リード送り駆動装置２５Ａはリードフレーム２
７を送り装置２５Ｂを介して、例えば、ディスペンス装
置２１ＡからＣＣＤカメラ２２Ａ、ダイスボンディング
装置２６へと、それを移動するものである。

２６は接合手段１６の一実施例となるダイスボンディン
グ装置であり、接合材料として銀ペースト２７Ａを塗布
したリードフレーム２７に半導体チップ１７Ｂを加熱接
合するものである。該ボンディング装置２６は、画像処
理制御装置２４からの異常発生信号Ｓ１及び終了信号Ｓ
４に基づいて制御される。

Ｓ４は終了信号であり、塗布された銀ペースト２７Ａの
面積が正常である旨の信号である。Ｓ３は画像処理開始
信号である。

また、画像処理制御装置２４は第１の実施例の制御機能
に加えて、塗布基準データＤ２と銀ペースト２７Ａを塗
布したリードフレーム２７の画像データＤＩに基づいて
ダイスボンディング装置２６の出力制御をするものであ
る。

なお、第１の実施例と同じ符号のものは同じ機能を有す
るため説明を省略する。

このようにして、本発明の第２の装置によれば、第１の
装置にリード送り駆動装置２５Ａ、送り装置２５Ｂ及び
ダイスボンディング装置２６が設けられている。

例えば、銀ペースト２７Ａを塗布したリードフレーム２
７の画像が取得され、その画像データＤＩと塗布基準デ
ータＤ２とが比較された結果、それが最適塗布状態でな
い異常塗布状態のリードフレーム２７であった場合には
、制御装置２４がダイスボンディング装置２６に異常発
生信号Ｓ１を発生する。

このため、その異常塗布状態のリードフレーム２７が該
ボンディング装置２６に移動された際に、ボンディング
装置２６では、異常発生信号Ｓ１に基づいて、そのリー
ドフレーム２７と半導体チップ１７Ｂとの接合処理を中
止することができる。

これにより、従来例のような銀ペースト２７Ａの這い上
がり部分や空間部分の発生を極力抑制することができる
。

第７図は、本発明の第２の実施例に係る半導体製造装置
の制御フローチャートを示している。

図において、第２の制御方法は第１の制御方法のステッ
プＰ１４で異常発生を受けたダイスボンディング装置２
６等の制御フローが付加されたものである。

従って、ステップＰ１からステップＰ１２までは、第１
の実施例と同様であるため説明を省略する。

なお、第２の実施例ではステップＰ１３〜ステップＰ１
７がダイスボンディング装置２６等の制御処理内容とな
る。

すなわち、ステップＰ１３でリードフレーム２７の移動
処理をし、ステップＰ１４で異常発生信号Ｓｌの有無を
判断する。この際に、異常発生信号Ｓ１が制御装置２４
から入力された場合（ＹＥＳ）には、ステップＰ１６で
ボンディング処理をパスする。

また、該信号Ｓ１が制御装置２４がら入力されていない
場合（ＮＯ）には、ステップＰ１５でボンディング処理
を実行する。

次いで、ステップＰＩ７でリードフレーム２７の接合処
理の終了判断をして、その制御を終了する。

このようにして、本発明の第２の制御方法によれば、ス
テップＰ１４で異常発生信号ｓ１に基づいてダイスボン
ディング装置２６の接合処理がされる。

このため、ダイスボンディング装置２６では異常発生信
号Ｓｌを基準にして異常塗布状態のリードフレーム２７
と最適塗布状態のリードフレーム２７の判別することが
できる。このことで、銀ペースト２７Ａの塗布状態の良
否判断を作業者に依存することがなくなる。

これにより、接合不良チップの発生が極力低減され、生
産歩留りの向上を図ることが可能となる。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明の装置によれば、接合材料の
最適塗布状態をパターン化した塗布基準データと画像デ
ータとに基づいて塗布手段の出力制御をする制御手段が
設けられている。

このため、塗布手段等が何らの原因で不具合が生じた場
合であっても、接合材料の吐出量のフィードバック制御
をすることができる。このことで、塗布手段から吐出さ
れる接合材料の吐出時間の自動可変制御をすることが可
能となる。

また、本発明の装置によれば異常塗布状態のフレーム材
料であった場合、異常発生信号に基づいて、該フレーム
材料と半導体チップとの接合処理を中止することができ
る。このことで、従来例のような接合材料の這い上がり
部分や空間部分の発生を極力抑制することができる。

これにより、フレーム材料と半導体チップとを精度良く
接合処理すること、及び、接合不良チップの発生が極力
低減され、生産歩留りの向上を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明に係る半導体製造装置の原理図、 第２図は、本発明に係る半導体製造装置の制御方法の原
理図、 第３図は、本発明の第１の実施例に係る半導体製造装置
の構成図、 第４図は、本発明の各実施例に係る制御フローチャート
の補足説明図、 第５図は、本発明の第１の実施例に係る半導体製造装置
の制御フローチャート、 第６図は、本発明の第２の実施例に係る半導体製造装置
の構成図、 第７図は、本発明の第２の実施例に係る半導体製造装置
の制御フローチャート、 第８図は、従来例に係る半導体製造装置の構成図、 第９図は、従来例に係る問題点を説明するチップボンデ
ィング後の断面図である。 （符号の説明） １１・・・塗布手段、 １２・・・画像取得手段、 工３・・・記憶手段、 １４・・・制御手段 １５・・・試料移動手段、 １６・・・接合手段、 １７Ａ・・・接合材料、 １７・・・フレーム材料、 １７Ｂ・・・半導体チップ、 Ｄｌ・・・画像データ、 Ｄ２・・・塗布基準データ、 Ｄ３・・・塗布制御データ。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）フレーム材料（１７）に接合材料（１７Ａ）を塗
   布する塗布手段（１１）と、前記接合材料（１７Ａ）を
   塗布したフレーム材料（１７）の画像を取得して画像デ
   ータ（Ｄ１）を出力する画像取得手段（１２）と、前記
   接合材料（１７Ａ）の最適塗布状態をパターン化した塗
   布基準データ（Ｄ２）を記憶する記憶手段（１３）と、
   前記塗布手段（１１）、画像取得手段（１２）及び記憶
   手段（１３）の入出力を制御する制御手段（１４）とを
   具備し、前記制御手段（１４）が前記塗布基準データ（
   Ｄ２）に基づいて塗布手段（１１）の出力制御をするこ
   とを特徴とする半導体製造装置。
2. （２）請求項１記載の半導体製造装置において、前記フ
   レーム材料（１５）を移動する移動手段（１５）と、前
   記接合材料を塗布したフレーム材料（１７）及び半導体
   チップ（１７Ｂ）を接合する接合手段（１６）とを具備
   し、 前記制御手段（１４）が前記塗布基準データ（Ｄ２）と
   前記接合材料（１７Ａ）を塗布したフレーム材料（１７
   ）の画像データ（Ｄ１）とに基づいて接合手段（１６）
   の出力制御をすることを特徴とする半導体製造装置。
3. （３）請求項１記載の半導体製造装置の制御方法であっ
   て、予め、記憶手段（１３）に記憶されている塗布基準
   データ（Ｄ２）、又は、フレーム材料（１７）に最適量
   の接合材料（１７Ａ）を塗布した標本試料（１７Ｒ）の
   画像取得処理をし、前記画像取得処理に基づいて得られ
   た標本試料（１７Ｒ）の塗布領域（Ａ）をパターン化し
   た塗布基準データ（Ｄ２）の作成処理をし、前記標本試
   料以外のフレーム材料（１７）に塗布された接合材料（
   １７Ａ）の塗布領域（Ｂ）の画像取得処理をし、前記画
   像取得処理に基づいて得られた塗布領域（Ｂ）の画像デ
   ータ（Ｄ１）と塗布基準データ（Ｄ２）とに基づいて接
   合材料（１７Ａ）の吐出制御処理をすることを特徴とす
   る半導体製造装置の制御方法。
4. （４）請求項３記載の半導体製造装置の制御方法におい
   て、 前記画像データ（Ｄ１）と塗布基準データ（Ｄ２）との
   比較処理をし、前記比較処理結果に基づいて前記接合手
   段（１６）に異常発生信号（Ｓ）の出力処理をし、前記
   異常発生信号（Ｓ）に基づいて接合処理をすることを特
   徴とする半導体製造装置の制御方法。