JPH0469843A - 光磁気メモリ装置 - Google Patents

光磁気メモリ装置

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JPH0469843A
JPH0469843A JP18341090A JP18341090A JPH0469843A JP H0469843 A JPH0469843 A JP H0469843A JP 18341090 A JP18341090 A JP 18341090A JP 18341090 A JP18341090 A JP 18341090A JP H0469843 A JPH0469843 A JP H0469843A
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JP
Japan
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erasing
recording
magneto
information
medium
Prior art date
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Pending
Application number
JP18341090A
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English (en)
Inventor
Hiroshi Ito
浩 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
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Publication of JPH0469843A publication Critical patent/JPH0469843A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 3、発明の名称 [産業上の利用分野コ 本発明は情報のオーバーライトが可能な光磁気メモリ装
置に関する。
[従来技術] 光磁気メモリ装置は、従来のディスクメモリ装置の代表
的なものである量定磁気ディスク装置に比べて容量やデ
ィスクの互換性で優れるもののアクセスが遅い、ダイレ
クトオーバーライトができないといった欠点がある。そ
こで従来いくつかの重ね書きの方法が析案されている。
その中で例えば、AppL、Phys、Lett、j4
.1537−1539(1986)に示されている光変
調法によれば、レーザービーム出力のパルス幅及びパル
ス強度を変えることによって、バイアス磁界の向きなら
びに大きさを変えることなく情報の重ね書きを実現する
ことができる。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら前述の従来技術では、情報の消去を強度の
強い短いパルスを照射し、媒体上に急峻な温度勾配を形
成することによっておこなうが、光学ヘッドはフォーカ
ス及びトラックサーボを行なう必要があるためリードパ
ワー程度の光を媒体に連続的に照射しているので、強度
の強い短いパルスを照射しても十分な温度勾配が確保で
きなくなるため磁区の収縮が不完全になり、データの消
し残りが発生するという課題を有する。
そこで本発明はこのJうな課題を解決するもので、その
目的とするところは、オー・パーライトを行なっても記
録データの消し残りがない良好なオーバーライト特性を
有する光磁気メ干り装置を提供するところにある。
[課題を解決するための手段コ 情報の記録と消去C印加磁界の人きさや方向を変えずに
光の変調のみで情報のオーバーライトを行なう光磁気記
録メモリ装置において、記録媒体上の同一トラック十に
、光学ヘッドのサーボ及びε6録情報の再生をおこなう
ためのビームスポットと情報の記録・消去を行なうため
のビームスポットが集光され、該ビームスポットの間隔
が情報の消去動作に無関係であることを特徴とする。
[作用] 本発明の構成によれは、2つの集光スポット(こよって
温度上昇がおこるが・hの集光位置を通過してもう一方
の集光位置にくるまで・に上の温度が下がり室温程度に
なるよう1・こビーム間隔が離れているためば、消去パ
ルスを照射しでも十分な温度勾配が確保され、磁区の消
去が良好に行なわれるので、データの消し残りがなく、
良好なオーバライド動作が行なわれ、信頼11の高い光
磁気メモリ装置が実現される。
[実施例] 以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。
本実施例の用いた光磁気メモリ装置の主要部構成の概念
図を第1図に示す、記録媒体4がスピンドルモータ6に
固定されて、印加磁界が磁石5によって印加されている
。その媒体上に対物レンズ3によって再生サーボ用ビー
ム1と記録消去用ビーム2が集光されている。集光スポ
ットは同一 トラックに集光されており媒体上で距11
1i[Lだけ離れている。本実施例では3μmとした。
1と2の配置は1が2に先行するようになっている。こ
の装置と従来の1ビームのみの装置を用いて消去の比較
を行なった。まずディスクを100″Cまで加熱し、−
流磁界1500eで初期化した。印加磁界1500e、
ディスク回転数360Orpm、ディスク半径r−3c
mにレーザ一対物出射5mW、周波数4MH2、デユー
ティ−50: soで情報を記録した(C/Nは分解能
バンド幅30kHzで59dBであった)。このディス
クを用いて消去の実験を行なった。第2図は本発明の装
置の記録消去用ビームの出力波形で、消去レベル1を9
. 5mW、ボトムレベル2をOmW、丁a=Tb=6
2.5nsecとし、た。
再生サーボ用ビームはO15mWの連続出射光どした。
第3図は従来の装置の消去用ビームの出力波形で消去レ
ベルlを9. 5mW、サーボ用のリードレベル2を0
. 5mw、ボトムレベル3をOmWとした。上記の記
録されたディスクに消去を行なって再生信号をスペクト
ラムアナライザーで観測したところ、本発明の実施例を
用いた装置では4MHzの成分はノイズレベルであった
。また従来例の装置では15dBはどのピークが観測さ
れ、消し残り、なんらかの変形磁区が残っていることが
観測された。
実施例2: 実施例1で用いた装置でダイレクトオーバーライトの実
験を行なった。実施例】と同様に、ディスクを100°
CまC加熱し、直流磁界15kOe7.初期化した。印
加磁界1500e、ディスク回転数3600rpm、デ
ィスク半径r−=3cmにレーザ一対物出射5mW、周
波数4MHz、デユーティ−50: soで情報を記録
した(C/Nは分解能バンド幅30kHzで59dBで
あった)。このディスクにオーバーライト用の信号を記
録した。
第4図に本発明の装置の記録消去用ビームの波形を示す
、消去レベル1を9. 5mW、記録レベル2を5mW
、ボトムレベル3を0nnWとした。第5図は従来の装
置の消去用ビームの波形で、消去I/ベベル1を9.、
 5mW、g2録しベル2を5. 0mW、す−ボレベ
ル4を0. 5mW、ボトム!・ベルをOmWとした7
両便号とも、Ta==500nsee、Tb=125n
see、Tc二62.5nseeとした。
オーバーライトを行なった後の再生信号をスペクトラム
アナライザで観測した。本発明の装置を用いた法では4
MHzの成分はノイズレベルであり、またノイズの増加
も観測さねなかった。さらに1MHzの成分を観測した
ところ、ピークがみられ、C/Nは60dBであった6
一方従来例の装置では4MHzにC/N15dBピーク
のピークが観測され、消し7残り、なんらかの変形磁区
が残っていると考えられる。またIMHzのピークは見
られるがC/Nは50dBと低い数字を示した。
E発明の効果フ 以上述べたように本発明によれば、情報の記録と消去で
印加磁界の大きさや方向を変えずに光の変調のみで情報
のオーバーライトを行なう光磁気記録メモリ装置におし
入て、サーボ用のレーザーの連続光の影響を受けないた
め、消去パルスを照射した際急峻な温度勾配が確保でき
るため、消去が確実に行なわれ、良好なオーバーライト
特性をえられるという効果を有オる。本発明の光磁気メ
モリ装置は、コンピュータメモリ、光磁気ディスクファ
イル等に応用することが可能で!!置の高性能化等の多
大な効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例に用いた光磁気メモリ!AII
の主要部構成の概念図。 第2図は本発明装置の記録消去用ビームの出力波形を示
す図。 第3図は従来装置の消去用ビームの出力波形を示す図。 第4図は本発明の装置の記録消去用ビームの出力波形を
示す図。 第5図1才従来の装置の消去用ビームの出力波形を示す
図。 2 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 情報の記録と消去で印加磁界の大きさや方向を変えずに
    光の変調のみで情報のオーバーライトを行なう光磁気記
    録メモリ装置において、 記録媒体上の同一トラック上に、光学ヘッドのサーボ及
    び記録情報の再生をおこなうためのビームスポットと情
    報の記録・消去を行なうためのビームスポットが集光さ
    れ、該ビームスポットの間隔が情報の消去動作に無関係
    であることを特徴とする光磁気メモリ装置。
JP18341090A 1990-07-11 1990-07-11 光磁気メモリ装置 Pending JPH0469843A (ja)

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JP18341090A JPH0469843A (ja) 1990-07-11 1990-07-11 光磁気メモリ装置

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JPH0469843A true JPH0469843A (ja) 1992-03-05

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