JPH0468779B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0468779B2
JPH0468779B2 JP62008914A JP891487A JPH0468779B2 JP H0468779 B2 JPH0468779 B2 JP H0468779B2 JP 62008914 A JP62008914 A JP 62008914A JP 891487 A JP891487 A JP 891487A JP H0468779 B2 JPH0468779 B2 JP H0468779B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ultra
substrate
thin
thin substrate
zirconia
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP62008914A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63178549A (ja
Inventor
Kazuharu Sasa
Koichiro Taniguchi
Noritatsu Sawada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JGC Corp
Original Assignee
JGC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JGC Corp filed Critical JGC Corp
Priority to JP62008914A priority Critical patent/JPS63178549A/ja
Publication of JPS63178549A publication Critical patent/JPS63178549A/ja
Publication of JPH0468779B2 publication Critical patent/JPH0468779B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は極薄基板に関し、さらには酸化イツト
リウムを含有するジルコニアからなり、高弾力性
を有する極薄基板に関する。 〔従来の技術〕 近年、回路の設計、形成上あるいはシステムの
構成上、厚膜または薄膜用基板としては、150μm
程度以下の極薄基板が望まれることが少なくな
い。 従来よりIC基板材料として汎用されているア
ルミナ基板をドクターブレード法で製造した例は
多くみられるが、アルミナ基板は脆く、靭性に乏
しいため、極薄化すると割れ易くなり、印刷、ス
パツタリング等による回路形成が難しかつた。 特に、このような極薄基板には弾力性が要求さ
れてきているが、従来より用いられているこれら
アルミナ基板は、弾力性を有するものではない。 また、基板としてジルコニア基板を用いること
も提案されているが(特開昭58−62003号公報)、
この方法は、CVD法により50μm以上のジルコニ
ア薄板を製造するものであり、用途としてLSI基
板を考慮しているが、低廉、簡単でしかも大型の
ものは製造することができない。 さらに、ドクターブレード法によりジルコニア
薄板を製造することも提案されているが(特開昭
60−42275号公報)、この薄板の用途は、カミソ
リ、カツター等の薄刃(ブレード)であり、基板
材料としての用途を示唆するものではない。しか
も、薄板化した場合の良好な弾力性については何
ら開示されていない。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明はかかる従来技術に鑑み、弾力性に優
れ、しかも高い破壊強度を有する極薄基板を提供
することを目的とする。 本発明のこの目的は、ドクターブレード法によ
り得られる。酸化イツトリウムを含有するジルコ
ニアからなる極薄基板に達成される。 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち本発明は、酸化イツトリウムを2.0〜
6.0モル%含有するジルコニアからなる極薄基板
である。 本発明の極薄基板には、酸化イツトリウム
(Y2O3)を2.0〜6.0モル%を含有することが必要
であり、上記範囲を外れると弾力性に劣る。 また、極薄基板の厚みは、150μm以下であるこ
とが望ましく、厚みが150μmを越えた場合には、
基板としての所望の弾力性が得られない。 このような特定範囲の酸化イツトリウムを含有
するジルコニアからなる極薄基板の製造方法とし
ては、ドクターブレード法が用いられる。この方
法としては、例えば平均粒径1.0μm以下、好まし
くは0.5μm以下の安定化剤としての酸化イツトリ
ウムが均一に分散した平均結晶粒径1.2μm以下の
ジルコニア粉末を用い、ドクターブレード法で焼
結後の成形体の厚さが150μm以下になるように成
形し、次いで必要に応じ乾燥した後、1300〜1600
℃で焼結し、基板とする。このようなドクターブ
レード法の製造にあつては、ジルコニウムの平均
結晶粒径を調整したり、安定化剤としての酸化イ
ツトリウムに加えて、ポリビニルブチラール等の
結合剤、トリオレイン等の解膠剤、可塑剤、メチ
ルエチルケトン等の有機溶剤を適宜選択し、適量
配合することによつて、細かい欠陥や肉厚の不均
一がなく、しかも高弾力性を有する極薄基板が得
られる。なお、前述した特開昭58−62003号公報
に開示のCVD法においては、本発明の酸化イツ
トリウムを含有するジルコニアからなる極薄基板
の製造は不可能である。 〔実施例〕 以下、実施例および比較例に基づき本発明を具
体的に説明する。 実施例 1〜4 酸化イツトリウムを3.0モル%含有するジルコ
ニアグリーンシートを鋳込み成形により4種作成
した。このグリーンシートの厚みは、150μm以下
であつた。 このグリーンシートを約1600℃、1時間以上、
大気中で加熱、焼成し、極薄基板を得た。このよ
うにして得られた基板の長さは200mm、幅は10mm、
厚さは、それぞれ40μm、50μm、100μm、130μm
であつた。 この極薄基板を第1図に示す方法により曲げ、
折れる時の限界曲げ巾(H;mm)を測定した結果
を第1表に示した。
【表】 比較例 1 蒸着法によつて、ジルコニアからなる長さ200
mm、巾10mm、厚さ50μmの極薄基板を作成した。 この極薄基板に関し、実施例1と同様に限界曲
げ巾(H)を調べたところ約500mmであつた。 実施例 5〜6 酸化イツトリウムの含有量を2.0モル%、6.0モ
ル%とした以外は実施例2と同様にして、長さ
200mm、巾10mm、厚さ50μmの極薄基板を作成し
た。 この極薄基板に関し、実施例1と同様に限界曲
げ巾(H)を測定したところ、第2表に示すごとくで
あつた。なお、参考のために、実施例2の値も併
せて第2表に示した。
〔発明の効果〕
以上のように、酸化イツトリウムを特定量含有
するジルコニア基板からなる本発明の極薄基板
は、以下に示すような効果を奏する。 1 本発明の極薄基板は、IC基板として必要な
特性を備え、特に機械的性質においては、他の
セラミツクス基板より優れるため、150μm以下
の極薄基板としての用途は大いに期待できる。 2 アルミナ基板は150μm以下に極薄化すると割
れ易くなり、回路を形成するために印刷やスパ
ツタする際、ホルダーへの固定やスキージによ
る加圧等の負荷応力で割れることがしばしばあ
るが、本発明の極薄基板は、この状態でも弾力
性があつて割れにくく、取扱いが容易であるこ
とから、一般に使用されているアルミナ基板と
代替することによつて歩留りの向上が期待でき
る。 3 極薄基板の製造はドクターブレード法による
ため、他の方法にくらべ大量生産に好都合で、
コスト的メリツトが大きい。 従つて、本発明の極薄基板は、厚膜または薄膜
用基板として広範な用途を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、実施例および比較例における限界曲
げ巾(H)を測定した状態を示す図。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 酸化イツトリウムを2.0〜6.0モル%含有する
    ジルコニアからなる極薄基板。 2 厚みが150μm以下である特許請求の範囲第1
    項記載の極薄基板。
JP62008914A 1987-01-20 1987-01-20 極薄基板 Granted JPS63178549A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62008914A JPS63178549A (ja) 1987-01-20 1987-01-20 極薄基板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62008914A JPS63178549A (ja) 1987-01-20 1987-01-20 極薄基板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63178549A JPS63178549A (ja) 1988-07-22
JPH0468779B2 true JPH0468779B2 (ja) 1992-11-04

Family

ID=11705924

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62008914A Granted JPS63178549A (ja) 1987-01-20 1987-01-20 極薄基板

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS63178549A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5102483A (en) * 1989-02-27 1992-04-07 Jgc Corporation Method for production of elongated ceramic sheets
US6001761A (en) * 1994-09-27 1999-12-14 Nippon Shokubai Co., Ltd. Ceramics sheet and production method for same

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63178549A (ja) 1988-07-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW425435B (en) Sputtering target of dielectrics with high strength and a method for manufacturing the same
US5958813A (en) Semi-insulating aluminum nitride sintered body
JPH11322446A (ja) セラミックス成形体の焼成収縮を制御する方法
JP2003516635A (ja) 平坦フィルム電極付き静電チャック
US4962071A (en) Method of fabricating a sintered body of indium tin oxide
EP1338580B1 (en) Sintered cordierite body and process for producing the same
KR900010932A (ko) 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법
JPH0468779B2 (ja)
KR101692219B1 (ko) 진공척용 복합체 및 그 제조방법
JP2001068536A (ja) 露光装置およびそれに用いられる支持部材
JP2000136967A (ja) 温度検知素子
US3103441A (en) Ceramic materials having flat temperature characteristics
JPS6144759A (ja) 誘電性セラミツク材料の基板およびその製法
JP3130972B2 (ja) セラミック基板およびその製造方法
CN106365633B (zh) 一种片式ptcr及其制备方法
JPH11189463A (ja) 半導電性セラミックス及びこれを用いた治工具、磁気ディスク基板用保持部材並びに磁気ディスク装置
JPS6211605A (ja) セラミツクスグリ−ンシ−トの製造方法
Nagai et al. Semiconducting barium titanate films by a modified doctor blade method
JPH0583511B2 (ja)
JPS6246950A (ja) アルミナ及び/又はシリカ系磁器の製造方法
JP2005029462A (ja) セラミックス板の製造方法、セラミックス板及びセラミックス製セッター
JPS6086086A (ja) 圧電セラミツク基板の製造方法
JPS61127660A (ja) アルミナ薄板焼結体
JP2956207B2 (ja) セラミック基板形成用原料粉末および該原料粉末を使ったセラミック基板の製造方法
JPH06144963A (ja) 薄型グレーズ基板

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term