JPH0467625A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0467625A JPH0467625A JP18101990A JP18101990A JPH0467625A JP H0467625 A JPH0467625 A JP H0467625A JP 18101990 A JP18101990 A JP 18101990A JP 18101990 A JP18101990 A JP 18101990A JP H0467625 A JPH0467625 A JP H0467625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- edge part
- film
- base body
- cracks
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造装置に関し、特に半導体基板
を成る厚さに研磨する時に使用する表面保護フィルムの
装着装置に関するものである。
を成る厚さに研磨する時に使用する表面保護フィルムの
装着装置に関するものである。
従来、半導体基板の一表面側に回路機能を形成した後、
半導体基板を成る一定の厚さにするために裏面側の研磨
を行なっている。その際、表面側を保護するためにプラ
スチックフィルムを貼着しているが、このフィルムの貼
着に使用する表面保護フィルムの装着装置は、搬送され
た半導体基板の表面へローラーを用いてフィルムを貼着
するフィルム貼り部と、その後回転するカッターにより
フィルムを半導体基板の周囲に沿って切り離、すフィル
ムカット部とを有している構造であった。
半導体基板を成る一定の厚さにするために裏面側の研磨
を行なっている。その際、表面側を保護するためにプラ
スチックフィルムを貼着しているが、このフィルムの貼
着に使用する表面保護フィルムの装着装置は、搬送され
た半導体基板の表面へローラーを用いてフィルムを貼着
するフィルム貼り部と、その後回転するカッターにより
フィルムを半導体基板の周囲に沿って切り離、すフィル
ムカット部とを有している構造であった。
この上述した従来の表面保護フィルムの装着装置は、半
導体基板の一表面側に回路機能を完成させた後の工程、
つまり半導体装置の拡散工程での最終工程に位置してい
るため、半導体基板のエツジ部に欠け、ひびが多く発生
しており、フィルム装着後のフィルムカット部において
半導体基板のエツジ部の欠けている部分にカット用ナイ
フがひっかかり、半導体基板の割れが生じてしまうとい
う欠点があった。
導体基板の一表面側に回路機能を完成させた後の工程、
つまり半導体装置の拡散工程での最終工程に位置してい
るため、半導体基板のエツジ部に欠け、ひびが多く発生
しており、フィルム装着後のフィルムカット部において
半導体基板のエツジ部の欠けている部分にカット用ナイ
フがひっかかり、半導体基板の割れが生じてしまうとい
う欠点があった。
本発明の半導体装置の製造装置は、表面保護フィルムを
貼着する以前の工程部に、半導体基板エツジ部へレーザ
ー光を照射する発光部と、エツジ部で反射する散乱光を
受光する受光センサーとを設けた構造を備えている。
貼着する以前の工程部に、半導体基板エツジ部へレーザ
ー光を照射する発光部と、エツジ部で反射する散乱光を
受光する受光センサーとを設けた構造を備えている。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の構成を示す側面図であり、
第2図はその側面図である。
第2図はその側面図である。
複数枚の半導体基板]、を収納するマガジンケース2よ
り搬出された半導体基板1は、搬送系3によりパルスモ
ータ−4及び真空系に接続された基体5に送られて真空
吸着にて固定され、その後、基体5を回転させ、基体5
の近傍に配置された半導体基板1のエツジ部へレーザー
光を照射する発光部6と、エツジ部で反射する散乱光を
受光する受光センサー7とにより半導体基板1のエツジ
部の欠け、割れ、ひび等を検知する。そして、この信号
に基づいて不良品は搬送系から外され、マガジンケース
12に収納される。更にその後、良品の半導体基板1の
みが搬送系8を通過し、フィルム貼り部9でフィルムを
貼着し、フィルムカット部10でフィルムを半導体基板
1の周囲に沿って円形に切断し、この状態でアンローダ
一部のマガジンケース11へと収納される。この結果、
不良品と判断されてマガジンケース12へ送られてきた
半導体基板は、手動によりフィルム貼り及びフィルムカ
ットを行なえばよい。
り搬出された半導体基板1は、搬送系3によりパルスモ
ータ−4及び真空系に接続された基体5に送られて真空
吸着にて固定され、その後、基体5を回転させ、基体5
の近傍に配置された半導体基板1のエツジ部へレーザー
光を照射する発光部6と、エツジ部で反射する散乱光を
受光する受光センサー7とにより半導体基板1のエツジ
部の欠け、割れ、ひび等を検知する。そして、この信号
に基づいて不良品は搬送系から外され、マガジンケース
12に収納される。更にその後、良品の半導体基板1の
みが搬送系8を通過し、フィルム貼り部9でフィルムを
貼着し、フィルムカット部10でフィルムを半導体基板
1の周囲に沿って円形に切断し、この状態でアンローダ
一部のマガジンケース11へと収納される。この結果、
不良品と判断されてマガジンケース12へ送られてきた
半導体基板は、手動によりフィルム貼り及びフィルムカ
ットを行なえばよい。
第3図は本発明の詳細な説明するための部分拡大図で、
半導体基板1のエツジ部に生じた欠け、ひび箇所13に
、発光部6から照射されたレーザー光が当たって散乱光
が生じ、この散乱光を受光センサー7が検知する状態を
示している。
半導体基板1のエツジ部に生じた欠け、ひび箇所13に
、発光部6から照射されたレーザー光が当たって散乱光
が生じ、この散乱光を受光センサー7が検知する状態を
示している。
以上説明したように本発明は、半導体基板の表面へ保護
フィルムを貼る前工程に設置した半導体基板を支持し回
転する基体の近傍に、レーザー光を照射する発光部と反
射する散乱光を受光するセンサーとを設けたことによっ
て、欠け、ひび等が生じている半導体基板を後工程部(
フィルム貼り部、フィルムカット部)に送る前に除去で
きるため、従来このような欠け、ひび等を検知できずに
生じていたフィルムカット部での半導体基板の破損を防
止することができ、結果として半導体装置の製造におけ
る歩留り向上に寄与できる。
フィルムを貼る前工程に設置した半導体基板を支持し回
転する基体の近傍に、レーザー光を照射する発光部と反
射する散乱光を受光するセンサーとを設けたことによっ
て、欠け、ひび等が生じている半導体基板を後工程部(
フィルム貼り部、フィルムカット部)に送る前に除去で
きるため、従来このような欠け、ひび等を検知できずに
生じていたフィルムカット部での半導体基板の破損を防
止することができ、結果として半導体装置の製造におけ
る歩留り向上に寄与できる。
第1図は本発明の一実施例を示す側面図、第2図はその
上面図、第3図は本発明の詳細な説明する部分拡大図で
ある。 ■・・・半導体基板、2,11.12・・・マガジンケ
ース、3.8−・搬送系、4・・・パルスモータ−15
・−・基体、6・・・発光部、7・−・発光センサー、
9・・・フィルl\貼り部、10・・・フィルムカット
部、13・−・欠け、ひび箇所。
上面図、第3図は本発明の詳細な説明する部分拡大図で
ある。 ■・・・半導体基板、2,11.12・・・マガジンケ
ース、3.8−・搬送系、4・・・パルスモータ−15
・−・基体、6・・・発光部、7・−・発光センサー、
9・・・フィルl\貼り部、10・・・フィルムカット
部、13・−・欠け、ひび箇所。
Claims (1)
- 半導体基板の一表面側に所定の回路機能を形成した後
一定の厚さに裏面研磨を行なう際、前記一表面側に保護
膜となるべきフィルムを貼着するための半導体装置の製
造装置において、前記半導体基板表面へ保護フィルムを
貼着する以前の工程部に半導体基板を固定し回転させる
基体を設け、回転する半導体基板のエッジ部へレーザー
光を照射する発光部と、エッジ部の欠損部で反射する散
乱光を受光する受光センサーとを前記基体の近傍に設け
たことを特徴とする半導体装置の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18101990A JPH0467625A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18101990A JPH0467625A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0467625A true JPH0467625A (ja) | 1992-03-03 |
Family
ID=16093340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18101990A Pending JPH0467625A (ja) | 1990-07-09 | 1990-07-09 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0467625A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012006090A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Disco Corp | 研削加工装置 |
-
1990
- 1990-07-09 JP JP18101990A patent/JPH0467625A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012006090A (ja) * | 2010-06-22 | 2012-01-12 | Disco Corp | 研削加工装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7557904B2 (en) | Wafer holding mechanism | |
US7888239B2 (en) | Semiconductor device manufacturing method | |
US20160172312A1 (en) | Wafer processing method | |
KR20150142597A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
KR20040064214A (ko) | 반도체 칩의 제조 방법 | |
US20040092108A1 (en) | Method of processing a semiconductor wafer | |
KR20180051394A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
CN101859851A (zh) | 晶片的加工方法 | |
JP2015230964A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2003124146A (ja) | 保護シート剥離方法及び装置 | |
KR20180050225A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2011035245A (ja) | 板状ワークの分割方法 | |
JP2007048876A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW201915462A (zh) | 保持構件、保持構件的製造方法、檢查裝置及切斷裝置 | |
JP2007173268A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
US7262114B2 (en) | Die attaching method of semiconductor chip using warpage prevention material | |
JP6716403B2 (ja) | 積層ウェーハの加工方法 | |
JP2005228794A (ja) | チップ製造方法 | |
JP3165192B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
KR910006367B1 (ko) | 칩고정테이프 | |
JPH0467625A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JP2014013807A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP6401009B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014011381A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US7531432B2 (en) | Block-molded semiconductor device singulation methods and systems |